「fourth layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

On the third metal layer M3 of the metal laminate at the middle point of the polysilicon layer PL, a via contact part is formed with a power source line 9 composed of a fourth metal layer and formed in contact with the via contact part.例文帳に追加

ポリシリコン層ＰＬの中間点上のメタル積層部の第３メタル層Ｍ３上にビアコンタクト部が形成され、第４メタル層からなる電源線９がこのビアコンタクト部に接して形成される。 - 特許庁

The third polysilicon layer has only a contact pad function for electrical connection of the upper and lower conductive layers, having no area where it overlaps a fourth polysilicon layer that is a conductive layer above it.例文帳に追加

この第三のポリシリコン層は、上下の導電層の電気的な接続のためのコンタクトパッドの機能のみを有し、その上部の導電層である第四のポリシリコン層と重なり合う領域を有しない。 - 特許庁

A first dielectric layer 102, a second dielectric layer 103, a third dielectric layer 104, a lower reflecting layer 105, a fourth dielectric layer 106, a recording layer 107, a fifth dielectric layer 108 and an upper reflecting layer 109 are successively laminated on a substrate 101 to have a constitution with heightened reflectivity toward incident light by a multilayered film from the first dielectric layer 102 to the third dielectric layer 104.例文帳に追加

基板１０１上に、第１誘電体層１０２、第２誘電体層１０３、第３誘電体層１０４、下部反射層１０５、第４誘電体層１０６、記録層１０７、第５誘電体層１０８、上部反射層１０９を順に積層し、第１誘電体層１０２から第３誘電体層１０４までの多層膜による入射光に対する反射率を高めた構成とする。 - 特許庁

The first (lower) magnetic pole layer 10 and the second (upper) magnetic pole layer 26 are magnetically connected and have a fourth lower magnetic pole part 10d and a first upper magnetic pole part 26a, respectively.例文帳に追加

下部磁極層１０と上部磁極層２６とは、磁気的に連結され、それぞれ第４下部磁極部１０ｄと、第１上部磁極部２６ａとを有している。 - 特許庁

In the memory cell, for example, the wires 20a, 20b of the fourth layer and the wire 21a of the fifth layer are connected respectively through the TMR elements 26a, 26b.例文帳に追加

たとえば、メモリセル部においては、第４層目の配線２０ａ，２０ｂと第５層目の配線２１ａとを、それぞれ、ＴＭＲ素子２６ａ，２６ｂを介して接続する。 - 特許庁

In particular, fourth layer and/or fifth layer ground water is used as the raw water, and various kinds of piping are constituted of a stable material which does not elute the exogenous endocrine disruptors.例文帳に追加

特に第４層および／または第５層地下水を原水として使用し、各種配管を外因性内分泌撹乱物質を溶出しない安定材料で構成する。 - 特許庁

A second electrode 17 is electrically connected to the third semiconductor layer 3 and the fourth semiconductor layer 4 through the first opening 14 and the second opening 15.例文帳に追加

第１の開口部１４と第２の開口部１５を介して、第２の電極１７が第３の半導体３層及び第４の半導体層４に電気的に接続される。 - 特許庁

The first to fourth word line conductive layers 32a to 32d and the drain-side conductive layer 42 are covered by a protective insulating layer 35 continuously formed over these layers.例文帳に追加

第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄ及びドレイン側導電層４２は、それらに亘って連続して形成された保護絶縁層３５にて覆われている。 - 特許庁

The memory cell transistor layer 30 includes: first to fourth word line conductive layers 32a to 32d which are parallel to a semiconductor substrate Ba and are laminated; and a memory protection insulating layer 34.例文帳に追加

メモリセルトランジスタ層３０は、半導体基板Ｂａに平行で且つ積層された第１〜第４ワード線導電層と３２ａ〜３２ｄ、メモリ保護絶縁層３４を備える。 - 特許庁

At the multilayer substrate 1, a thermal via 5 running from the first conductor layer 3a formed directly under the semiconductor chip 11 to the fourth conductor layer 3s is formed.例文帳に追加

また、多層基板１には、半導体チップ１１の直下に形成され第１導体層３ａから第４導体層３ｄまで達するサーマルビア５が形成されている。 - 特許庁

In addition, a second node connecting conductive layer NC2 is formed on third and fourth contact plugs P3 and P4 also formed in vertical columnar state on the substrate 1.例文帳に追加

第３および第４のコンタクトプラグＰ３およびＰ４の上に第２のノード接続導電層ＮＣ２が形成されている。 - 特許庁

The wire 2 is connected to the ball grid 7 with a connection wire 3 on the fourth layer, and mounted on a device substrate via it.例文帳に追加

第４層においては接続用配線３によってボールグリッド７と接続され、これを介して装置基板に実装される。 - 特許庁

An active element 101 is mounted on the fourth metallic layer 105c by flip chip mounting using a bump 104.例文帳に追加

４層目の金属層１０５ｃ上にはバンプ１０４を用いたフリップチップ実装によって能動素子１０１が実装されている。 - 特許庁

A further ionomer overcoat layer such as a third, a fourth, a fifth, and a sixth ionomer overcoat layers may be formed in similar method.例文帳に追加

第３、第４、第５、及び第６イオノマーオーバーコート層のような更なるイオノマーオーバーコート層を同様の手法で形成してもよい。 - 特許庁

The first layer 42 is included where a heating device 10 for heating a windshield of a car is fitted to the fourth surface of the windshield.例文帳に追加

車両のウインドシールド12を加熱する加熱装置10が、ウインドシールドの第４面38に取付けられる様にされた第１層42を含む。 - 特許庁

The direction of current flowing through the second metal layer 5 and the direction of current flowing through the fourth metal layers 38 are opposite to each other.例文帳に追加

第２金属層５を流れる電流の方向と第４金属層３８を流れる電流の方向とが逆方向になる。 - 特許庁

The electrode 19 of the MIM capacitor is connected to an upper electrode 21 via a via 22 in a fourth wiring layer D.例文帳に追加

そして、ＭＩＭキャパシタの電極１９は、第４配線層Ｄにおいてビア２２を介して上部電極２１と接続している。 - 特許庁

The detailed pits are formed on the nitride silicon layer through vapor etching by 100% of chlorofluocarbon (CF_4. flon 14) in a fourth step.例文帳に追加

第４ステップにて、１００％の四弗化炭素（ＣＦ_4、フロン１４）によるガスエッチングにより窒化シリコン層に微細ピットを形成する。 - 特許庁

The fourth layer 6d is disposed such that the stretched direction of the uniaxially stretched film directs in the circumferential direction of the main body 2 of the container.例文帳に追加

第４層６ｄは、一軸延伸フィルムの延伸方向を容器本体２の周方向に向けた状態で配置する。 - 特許庁

The fourth process is for baking the stuck base board under the second atmosphere to coat the pixel area with the resin layer 121.例文帳に追加

第４の工程は、貼り合せ基板を第２の雰囲気下でベークし、画素領域を樹脂層１２１で被覆させる工程である。 - 特許庁

A first conductivity third semiconductor layer 8a is formed on the second semiconductor layer 7 and, in the third opening 5c, a first conductivity fourth semiconductor layer 9 is formed on the exposed surface of the first semiconductor layer 3 in contact with the third semiconductor layer 8a.例文帳に追加

第２半導体層７上に第１導電型の第３半導体層８ａを形成すると共に、第３開口５ｃの内部において、第１半導体層３の露出面に第１導電型の第４半導体層９を第３半導体層８ａに接触させて形成する。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 8 is formed by thermally diffusing a P-type impurity over the surface of the layer 4, and a fourth N-type semiconductor layer 20 which is doped more heavily than the layer 4 is formed from the layer 18 having a large diffusion coefficient toward the layer 4.例文帳に追加

第２Ｎ型半導体層の表面にＰ型不純物を熱拡散してＰ型半導体層８を形成させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８から第２Ｎ型半導体層に第２Ｎ型半導体層の濃度より高い濃度の第４Ｎ型半導体層２０を形成する。 - 特許庁

A circuit substrate 65 on which a high frequency superimpose circuit 40 is formed is a multi-layer substrate, the high frequency superimpose circuit 40 is formed in a fourth layer 74 located at the innermost part of a shield case of the multi-layer substrate, a third layer 73 is a power source circuit, and a whole second layer 72 is a ground layer.例文帳に追加

上記高周波重畳回路４０が形成された回路基板６５を多層基板とし、この多層基板のシールドケースの最も内側に位置する第４層７４に上記高周波重畳回路４０を形成するとともに、第３層７３を電源回路とし、第２層７２を全面グランド層とする。 - 特許庁

A plurality of pixels on a substrate 31 have first electrodes 41, a first organic light-emitting layer 431, a second organic light-emitting layer 433, a third organic light-emitting layer 435, a fourth organic light-emitting layer 437 and second electrodes 45, respectively.例文帳に追加

基板３１上にある複数の画素が、それぞれ第１の電極４１、第１の有機発光層４３１、第２の有機発光層４３３、第３の有機発光層４３５、第４の有機発光層４３７及び第２の電極４５を備える。 - 特許庁

Electric current is fed to a base layer 6a via first-third inner layer conductor layers 4_1-4_3 formed among first-fourth insulating layers 3_1-3_4 for electric plating, and a plated layer 6b is thickened to form a surface conductor layer 6.例文帳に追加

第１〜第４絶縁層３_1〜３_4の間に形成されている第１〜第３内層導体層４_1〜４_3を介して下地層６ａに給電することにより電気めっきを行い、めっき層６ｂを厚付けすることにより表面導体層６を形成する。 - 特許庁

The antireflection layer 12 is prepared by laminating a low refractive index layer and a high refractive index layer alternately and is composed of five layers comprising a first film 121, a second film 122, a third film 123, a fourth film 124 and a fifth film 125 in the order from the hard coat layer 11 side.例文帳に追加

反射防止層１２は、低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層され、ハードコート層１１側から順に第１膜１２１、第２膜１２２、第３膜１２３、第４膜１２４、第５膜１２５からなる５層で構成されている。 - 特許庁

The antireflection films are so formed that the refractive indices of the TiO_2 layers of the first layer and third layer counted from substrate side range from 1.90 to 2.15 and the refractive indices SiO_2 layers of the second layer and the fourth layer range from 1.43 to 1.48.例文帳に追加

反射防止膜は、樹脂層に対し、基板側から数えて第一層目及び第三層目のＴｉＯ_２層の屈折率が１．９０〜２．１５の範囲、第二層目及び第四層目のＳｉＯ_２層の屈折率が１．４３〜１．４８の範囲となっている。 - 特許庁

In a light emitting element having a single layer light emitting layer, the light emitting layer is sandwiched by a first quantum wave interference layer comprising first layers and second layers having a wider band width than the first layer laid in layers at a multiplex period, and a second quantum wave interference layer comprising third layers and fourth layers having a wider band width than the third layer laid in layers at a multiplex period.例文帳に追加

単層の発光層を有する発光素子において、発光層を第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した第１の量子波干渉層と第３層と第３層よりもバンド幅の広い第４層とを多重周期で積層した第２の量子波干渉層とで挟んだ構成とする。 - 特許庁

It further includes second conductivity type fourth semiconductor layers 4 disposed respectively to make contact with the upper portion of the third semiconductor layer, between the second semiconductor layers and first conductivity type fifth semiconductor layers 5 formed respectively on the surface of the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

装置は更に、第２半導体層間で第３半導体層の上部と夫々接するように配設された第２導電型の第４半導体層４と、第４半導体層の表面に夫々形成された第１導電型の第５半導体層５と、を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor substrate includes a process for growing the fourth GaN layer 27 containing Cl in a concentration of ≤3×10^15/cm^-3 on a sapphire substrate 21 by a hydride VPE (vapor phase epitaxy) method and a process for removing the sapphire substrate 21 from the fourth GaN layer 27.例文帳に追加

サファイア基板２１上にハイドライドＶＰＥ法によりＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下である第４ＧａＮ層２７を成長させる工程と、第４ＧａＮ層２７からサファイア基板２１を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The dummy layer 70 for the second CMP includes: dummy first to the fourth word line conductive layers 72a to 72d which are parallel to the semiconductor substrate Ba and are laminated, and are formed in the same manner that the first to fourth word line conductive layers 32a to 32d are formed; and a dummy memory protection insulating layer 74.例文帳に追加

第２ＣＭＰ用ダミー層７０は、半導体基板Ｂａに平行で且つ積層されて第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄと同層に形成されたダミー第１〜第４ワード線導電層７２ａ〜７２ｄ、ダミーメモリ保護絶縁層７４を備える。 - 特許庁

The inter-resonator coupling capacitor conductor layer 33 is disposed on the dielectric layer, between the first and second strip line conductor layers 16, 17 and the dielectric layer between the third and fourth strip line conductor layers 19, 20.例文帳に追加

共振器間結合容量導体層３３は第１及び第２のストリップライン導体層１６、１７と第３及び第４のストリップライン導体層１９、２０との間の誘電体層に配置されている。 - 特許庁

A second layer sheet 52 is laminated and formed on an upper surface of a first layer sheet 51, and a third sheet 53 having a lower frame and a fourth sheet having an upper frame are laminated and formed on the second layer sheet 52 in said order.例文帳に追加

第１層シート５１上面には第２層シート５２が積層形成され、第２層シート５２上に下枠体を有する第３シート５３、上枠体を有する第４シートの順で積層形成される。 - 特許庁

The fourth semiconductor layer 4 is selectively provided on a surface of the third semiconductor layer 3 and has a higher concentration of a second-conductivity-type impurity than that of the second conductivity-type impurity of the third semiconductor layer 3.例文帳に追加

第４の半導体層４は、第３の半導体層３の表面に選択的に設けられ、第３の半導体層３の第２導電形不純物の濃度よりも高い第２導電形不純物の濃度を有する。 - 特許庁

After the second process, the active layer 3 is exposed by etching the etching stopping layer 4 in the depth direction by using the mask (third process) and a gate electrode is formed on the active layer 3 by using the same mask (fourth process).例文帳に追加

しかる後、前記マスクを用いてエッチング停止層を深さ方向にエッチングして活性層を露出させ（第３の工程）、次いで前記マスクを用いて活性層上にゲート電極を形成する（第４の工程）。 - 特許庁

The second lamination part includes a third ferromagnetic layer having magnetization variable in a direction parallel with the film face, a fourth ferromagnetic layer having magnetization substantially fixed in a second direction having a component perpendicular to the film face, and a second non-magnetic layer provided between the third and the fourth non-magnetic layers.例文帳に追加

第２積層部は、磁化の方向が膜面に対して平行な方向に可変である第３の強磁性層と、膜面に対して垂直な成分を有する第２の方向に磁化が実質的に固着された第４の強磁性層と、第３、第４の強磁性層の間に設けられた第２の非磁性層と、を含む。 - 特許庁

A first conductor 27 to a fourth conductor 30 are spirally wound, the first, second, third and fourth conductors 27, 28, 29, 30 are disposed approximately in parallel, and the magnetic permeability of a second insulator layer 22 is set lower than those of a first insulator layer 21 and a third insulator layer 23.例文帳に追加

第１の導体２７乃至第４の導体３０を渦巻き状とし、第１の導体２７と第２の導体２８および第３の導体２９と第４の導体３０はほぼ並行に配置され、加えて、第２の絶縁体層２２が第１の絶縁体層２１、第３の絶縁体層２３よりも透磁率を低くしたものである。 - 特許庁

The fourth layer is composed of an insulating film 35, and is provided with distributing wires 38A and 29C which connect coil plates 28A and 28B to each other.例文帳に追加

（４）層目は、絶縁フィルム３５からなり、コイルプレート２８Ａと２８Ｂとの間を繋ぐ配線２９Ｃおよび配線３８Ａを備える。 - 特許庁

A light-emitting layer is formed on the GaP substrate, and a first to fourth sides of the GaP substrate, which emits light from the light-emitting layer, is etched after forming a metal layer on the sides or is etched after spraying particles there, or the first or fourth side formed by a dicing blade is etched, thereby, a plurality of uneveness are formed on the first to fourth sides.例文帳に追加

ＧａＰ基板に発光層を形成し、この発光層からの光が射出するＧａＰ基板の第１乃至第４の側面を、そこに金属層を形成した後にエッチングすることにより、あるいは、粒子を吹き付けた後にエッチングすることにより、さらには、ダイシングブレードで形成した第１乃至第４の側面をエッチングすることにより、前記第１乃至第４の側面に複数の凹凸を形成する。 - 特許庁

The second, third and fourth mask films are removed and the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material.例文帳に追加

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。 - 特許庁

The ceiling-embedded duct package air conditioner is arranged in an upper layer space, and first to fourth motor driving type switching dampers are connected in front and behind.例文帳に追加

上層空間内に天埋ダクト形パッケージエアコンが配置され、前後に第１〜第４のモータ駆動式切替ダンパが接続されている。 - 特許庁

There is also provided a fourth step of forming a region in which the aluminum base was exposed by removing the barrier layer following the third step.例文帳に追加

また、第３の工程に続いて、バリア層を除去し、アルミニウム基材が露出した領域を形成する第４の工程を有する。 - 特許庁

The second, the third and the fourth mask films are removed while the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material.例文帳に追加

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。 - 特許庁

The first to fourth word line conductive layers 36a-36d are configured so as to relatively move for the memory columnar semiconductor layer 38.例文帳に追加

第１〜第４ワード線導電層３６ａ〜３６ｄは、メモリ柱状半導体層３８に対して相対移動可能に構成されている。 - 特許庁

It is preferable that the upper electrode 66 is not present in a fourth region 87 that extends in the direction of lamination from the phase change layer 63 and disposed in a fifth region 88 outside of the fourth region 87.例文帳に追加

また、上部電極６６は、相変化層６３から積層方向に延在する第４の領域８７内には存在せず、第４の領域８７外の第５の領域８８内に配設されていることが好ましい。 - 特許庁