「fourth layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A fourth wiring layer 15 electrically connected to the third wiring layer 11 through the third conductive layer 14 is formed.例文帳に追加

第３導電層１４を介して第３配線層１１と電気的に接続された第４配線層１５が形成されている。 - 特許庁

The antireflection layer 12A is formed by alternately stacking the first layer which is the low refractive index layer and the second layer which is the high refractive index layer and a first layer 121, a second layer 122, a third layer 123, a fourth layer 124 and a fifth layer 125 are stacked in order from a side of the hard coat layer 11.例文帳に追加

反射防止層１２Ａは、低屈折率層である第１の層と高屈折率層である第２の層とが交互に積層され、ハードコート層１１の側から、第１層１２１、第２層１２２、第３層１２３、第４層１２４および第５層１２５が順に積層されている。 - 特許庁

The second insulating layer includes a fourth opening 16a for exposing the pad portion.例文帳に追加

第二絶縁層がパッド部を露呈させる第四開口部１６ａを有する。 - 特許庁

The fourth optical compensation layer has a refractive index distribution of nx>nz>ny.例文帳に追加

第４の光学補償層は、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの屈折率分布を有する。 - 特許庁

The fourth electrode layer 48 mainly comprises Sn or an Sn alloy.例文帳に追加

第４の電極層４８はＳｎ又はＳｎ合金を主成分として含む。 - 特許庁

The fourth layer 6d is formed from a uniaxial stretched film made of polyethylene.例文帳に追加

第４層６ｄは、ポリエチレンからなる一軸延伸フィルムによって構成する。 - 特許庁

Since parts in each function group are isolated from the first ground layer of a second layer and the second ground layer of a fourth layer, the parts receive no effect of noise.例文帳に追加

また、各機能グループ中の部品は第２層の第１グランド層、第４層の第２グランド層から離れているのでノイズの影響を受けない。 - 特許庁

The second electrodes 45 are arranged on the first organic light-emitting layer, the second organic light-emitting layer, the third organic light-emitting layer and the fourth organic light-emitting layer.例文帳に追加

第２の電極４５は、第１の有機発光層、第２の有機発光層、第３の有機発光層及び第４の有機発光層の上に配置される。 - 特許庁

The buried layer 70A includes a p-type first buried layer 70a_1, a p-type fourth buried layer 70b_2 and a p-type second buried layer 70b_1.例文帳に追加

埋め込み層７０Ａは、ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１、ｐ型第４埋め込み層７０ｂ_２及びｐ型第２埋め込み層７０ｂ_１を含む。 - 特許庁

A third capacitor electrode layer 5c with both ends of the third capacitor electrode layer 5c joined to both ends of the first capacitor electrode layer 5a is formed on the fourth insulating layer 1d.例文帳に追加

第４の絶縁層１ｄ上に、両端が第１のキャパシタ電極層５ａの両端に接合されるように第３のキャパシタ電極層５ｃを設ける。 - 特許庁

A fourth semiconductor layer of the second conductivity type is provided on the third semiconductor layer, and a fifth semiconductor layer of the first conductivity type is selectively provided on a surface of the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

前記第３半導体層の上には、前記第２導電型の第４半導体層が設けられ、前記第４半導体層の表面に前記第１導電型の第５半導体層が選択的に設けられる。 - 特許庁

Ends 78a, 88a of the first layer conductor and the second layer conductor apart by a third pitch are jointed, and the ends 88b, 78b of the third layer conductor and the fourth layer conductor separated by a fourth pitch are jointed.例文帳に追加

第３ピッチ離れた第１層導体及び第２層導体の先端同士７８ａ、８８ａが接合され、第４ピッチ離れた第３層導体及び第４層導体の先端同士８８ｂ、７８ｂが接合されている。 - 特許庁

The second lamination part includes a third ferromagnetic layer having a variable magnetization direction, a fourth ferromagnetic layer laminated on the third ferromagnetic layer and having magnetization fixed in a second direction and a second non-magnetic layer provided between the third ferromagnetic layer and the fourth ferromagnetic layer.例文帳に追加

第２積層部は、磁化の方向が可変である第３強磁性層と、第３強磁性層と積層され、第２方向に磁化が固定された第４強磁性層と、第３強磁性層と第４強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含む。 - 特許庁

The first layer 4 and the third layer 6 are nitride semiconductors, having a composition in which the difference in a lattice constant to the Si substrate 1, is smaller than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, the film thickness is larger than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, and the first layer 4 has a larger film thickness than that of the third layer 6.例文帳に追加

第１の層４及び第３の層６は、第２の層５及び第４の層７のいずれよりもＳｉ基板１との格子定数差が小さな組成の窒化物半導体であり、且つ、第２の層５及び第４の層７のいずれよりも膜厚が大きく、第１の層４は、第３の層６よりも膜厚が大きい。 - 特許庁

A P-type fourth semiconductor layer 15 is formed on an inner surface of the fourth recess part 53a so as to generate a fifth recess part 54a being smaller than the fourth recess part 53a; and has a fourth impurity concentration lower than the third impurity concentration.例文帳に追加

Ｐ型第４半導体層１５は、第４凹部５３ａの内面にそれより小さい第５凹部５４ａを生じるように形成され、第３不純物濃度より低い第４不純物濃度を有する。 - 特許庁

A layer (second catalytic layer) being a catalyst of electroless plating is formed on the metallic oxide film (fourth stage).例文帳に追加

金属酸化膜上に、無電解めっきの触媒となる層（第２触媒層）を形成する（第４の工程）。 - 特許庁

The CF substrate includes colored layers of R, G and B, a fourth insulating layer covering the colored layers and a retardation film formed on the fourth insulating layer and having phase difference of λ/2.例文帳に追加

ＣＦ基板は、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層と、それを覆う第４の絶縁層と、第４の絶縁層上に形成されたλ／２の位相差を有する位相差膜とを含む。 - 特許庁

A p-type fourth nitride semiconductor layer 16 is formed so that the opening can be filled, and a gate electrode 21 is formed on the fourth nitride semiconductor layer 16.例文帳に追加

開口部を埋めるようにｐ型の第４の窒化物半導体層１６が形成され、第４の窒化物半導体層１６の上にはゲート電極２１が形成されている。 - 特許庁

The antireflection layer 130 includes a first layer 131, a second layer 132, a third layer 133, a fourth layer 134, a fifth layer 135, a sixth layer 136, a transparent conductive layer 137 as a seventh layer and an eighth layer 138 arranged in the order outward from the lens base 110 side.例文帳に追加

この反射防止層１３０は、レンズ基材１１０側から外側に向けて順に配置された第１層１３１、第２層１３２、第３層１３３、第４層１３４、第５層１３５、第６層１３６、第７層である透明導電層１３７及び第８層１３８から構成される。 - 特許庁

The direction through which a fourth metal wiring layer positioned on a semiconductor layer extends is so provided as to be orthogonal to the direction of third wiring layers ML30 and 37 positioned on the fourth wiring layer.例文帳に追加

半導体層の上に位置する、第４メタル配線層が延びる方向と、第４配線層の上に位置する第３配線層ＭＬ３０，３７が延びる方向とが直交するように設けられている。 - 特許庁

The acoustic material 100 comprises a first layer sound absorbing blank 101 to fourth layer sound absorbing blank 104 and a film 105 which is affixed to the front surface of the fourth layer sound absorbing blank 104 and has air permeability.例文帳に追加

吸音材１００は、第１層吸音素材１０１〜第４層吸音素材１０４と、第４層吸音素材１０４の表面に貼着された通気性を有するフィルム１０５とで構成される。 - 特許庁

A first layer 131, a third layer 133 and a fifth layer 135 are each formed of SiO_2; and a second layer 132 and a fourth layer 134 are each formed of ZrO_2.例文帳に追加

第１層１３１、第３層１３３及び第５層１３５は、それぞれＳｉＯ_２から形成され、第２層１３２及び第４層１３４は、それぞれＺｒＯ_２から形成されている。 - 特許庁

The rubber hardness of the rubber layer parts 15, 16, 17, 18 should meet the relation that the first division rubber layer part < the second division rubber layer part < the third division rubber layer part ≤ the fourth division rubber layer part.例文帳に追加

各区域ゴム層部１５，１６，１７，１８のゴム硬度は、第１区域ゴム層部＜第２区域ゴム層部＜第３区域ゴム層部≦第４区域ゴム層部の関係を満たすようになっている。 - 特許庁

A third internal metal layer 47, a second metal layer 48 and a fourth internal metal layer 49 are successively vapor-deposited on the entire top portion of the IMD oxide film, having the contact plug formed thereon, thereby forming the upper metal layer including the third internal metal layer, the second metal layer and the fourth internal metal layer.例文帳に追加

前記コンタクトプラグの形成された前記ＩＭＤ酸化膜の上部全体に、第３内部金属層４７、第２金属層４８、および第４内部金属層４９を順次蒸着し、前記第３内部金属層、前記第２金属層、および前記第４内部金属層を含む上部金属層を形成する。 - 特許庁

The thicknesses of the first layer W and the second layer B are set at even-number times as large as one fourth that of the wavelength of the quantum wave of a carrier in each layer.例文帳に追加

第１層Ｗと第２層Ｂの厚さをキャリアの各層における量子波の波長の４分の１の偶数倍に設定した。 - 特許庁

The adsorption layer (35) includes the first adsorption layer (36)-the fourth adsorption layer (39), in this order from an upstream of an air flow toward a downstream thereof.例文帳に追加

この吸着層（35）は、空気流の上流側から下流側へ向かって順に、第１吸着層（36）〜第４吸着層（39）を備えている。 - 特許庁

Thus, a fourth metallic layer 22 made of Ti, Al, and Si is formed on the boundary of the Ti layer and the Al layer, and the Pd is diffused (added) in the Al layer.例文帳に追加

これにより、Ｔｉ層とＡｌ層との界面に、ＴｉとＡｌとＳｉとからなる第４の金属層２２が形成されるとともに、Ａｌ層にＰｄが拡散（添加）される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a wiring layer 25A having the largest film thickness is disposed on a lower layer of a fourth insulating layer 26 subjected to planarization processing, thus greatly relieving a step by the wiring layer 25A on the surface of the fourth insulating layer 26.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、最も膜厚が厚くなる配線層２５Ａが、平坦化処理の施される第４の絶縁層２６の下層に配置されることで、第４の絶縁層２６表面には、配線層２５Ａによる段差が大幅に緩和される。 - 特許庁

A fourth insulating layer 44 is formed on the third insulating layer 43 so as to cover the wiring patterns R1, R2.例文帳に追加

第３の絶縁層４３上において配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように第４の絶縁層４４が形成される。 - 特許庁

A fourth insulating layer 44 is formed on the third insulating layer 43 so as to cover the wiring patterns W2, R2.例文帳に追加

第３の絶縁層４３上には、配線パターンＷ２，Ｒ２を覆うように第４の絶縁層４４が形成される。 - 特許庁

Finally, the sixth mask defines a third conductive layer 810, a fourth conductive layer 820, and a first opening.例文帳に追加

最後に、第６マスクは、第３導電層８１０、第４導電層８２０、及び第１開口部８３０を定義する。 - 特許庁

In this embodiment, the fourth wiring layer 15 is an uppermost wiring layer and functions as a bonding pad.例文帳に追加

第４配線層１５が本実施形態における最上の配線層であり、ボンディングパッドとして機能する層である。 - 特許庁

- It lives in Kanbira Castle in the size of 13000 yojana in height and width in Fudo located 21000 yojana in the fourth-layer below the third-layer. 例文帳に追加

-第3層の下の第4層、さらに21000由旬の不動という地で、頷（正字は金＋含）毘羅城（かんびら）に住み、縦横13000由旬。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the medium, first, second, third magnetic layers 1, 2, 3, respectively, a nonmagnetic intermediate layer 5, and a fourth magnetic layer 4 are successively laminated.例文帳に追加

第１、第２、第３磁性層１，２，３及び非磁性中間層５、第４磁性層４は順次積層されている。 - 特許庁

The connection wire 3 on the first layer is connected to the fourth layer by the though hole 5, connected to the ball grid 7 by the connection wire 3 on the fourth layer, and mounted on the device substrate via the ball grid 7.例文帳に追加

第１層における接続用配線３はスルーホール５により第４層と接続され、第４層において接続用配線３によってボールグリッド７と接続され、ボールグリッド７を介して装置基板に実装される。 - 特許庁

The surface layer sheet mold 11 is inserted into the respective holes of the first to the fourth plates 33A to 33D and the first to the fourth plates 33A to 33D support the surface layer sheet mold 11.例文帳に追加

表層シート型１１を第１〜第４の支持プレート３３Ａ〜３３Ｄの各孔内に挿通し、第１〜第４の支持プレート３３Ａ〜３３Ｄが表層シート型１１を支持する。 - 特許庁

The antireflection layer 130 is composed of a first layer 131, a second layer 132, a third layer 133, a fourth layer 134, a fifth layer 135, a first transparent conductive layer 136 as a sixth layer, a seventh layer 137, a second transparent conductive layer 138 as an eighth layer and a ninth layer 139 which are arranged in the order outward from the lens base 110 side.例文帳に追加

この反射防止層１３０は、レンズ基材１１０側から外側に向けて順に配置された第１層１３１、第２層１３２、第３層１３３、第４層１３４、第５層１３５、第６層である第１透明導電層１３６、第７層１３７、第８層である第２透明導電層１３８及び第９層１３９から構成される。 - 特許庁

The second layer 122 and the fourth layer 124 are the high refractive index layers consisting of trisilicon tetranitride (Si_3N_4) and the second layer 122 is formed more thickly than the fourth layer 124 and has thickness in a range between 2.5λ and 3.0λ to a designed wavelength λ.例文帳に追加

第２層１２２および第４層１２４が四窒化三珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）からなる高屈折率層で、第２層１２２は第４層１２４よりも厚く形成され、設計波長λに対して２．５λ〜３．０λの範囲内の厚みを有している。 - 特許庁

At arrangement of a via which reaches a fourth wiring layer 14 from a real terminal 21 of a first wiring layer 11, the number of layers N of a wiring layer comprising a wiring track in the direction orthogonal to that of the fourth wiring layer 14 is acquired between the first and fourth wiring layers 11 and 14.例文帳に追加

配線設計方法では、第１配線層１１の実端子２１から第４配線層１４に達するビアを配置するにあたって、第１及び第４配線層１１、１４間で、第４配線層１４における配線トラックと直交する方向の配線トラックを有する配線層の層数Ｎを求める。 - 特許庁

When a fourth wiring layer M4 is floating wiring whose length is set to 500 μm or longer, or when the wiring of the fourth wiring layer M4 and other layers connected with this is floating wiring whose length of the sum total is set to 500 μm or longer, the fourth wiring layer M4 is connected to a clamp diode Da via the wiring of the other layer.例文帳に追加

第４配線層Ｍ４がフローティング配線で、その長さが５００μｍ以上となる場合、または第４配線層Ｍ４とこれに繋がる他層の配線とがフローティング配線で、その合計の長さが５００μｍ以上となる場合は、第４配線層Ｍ４を他層の配線を介してクランプダイオードＤａに接続する。 - 特許庁

The inner layer side via holes 16, 24 do not narrow a component mounting area in a first wiring layer L1 and a fourth wiring layer L2.例文帳に追加

内層側ビアホール１６、２４は、外面配線層である第１配線層Ｌ１および第４配線層Ｌ２に対し、部品実装エリアを狭くすることがない。 - 特許庁

On a multilayer substrate 1, a resist layer 2 and a fourth conductor layer 3d of a thickness of about 70-100 μm formed on the resist layer 2 are provided.例文帳に追加

多層基板１には、レジスト層２及びこのレジスト層２上に形成された厚さが約７０〜１００μｍの第４導体層３ｄが設けられている。 - 特許庁

Consequently, deformations of the sixth-layer green sheet 56, the fifth-layer green sheet 55, and the fourth-layer green sheet 54 having a die attaching surface 31 are reduced.例文帳に追加

その結果、第六層グリーンシート５６、第五層グリーンシート５５およびダイアタッチ面３１を有する第四層グリーンシート５４の変形が低減される。 - 特許庁

The second thin metal film 28 has a thin chromium layer on the side being bonded to the fourth piezoelectric 24 and a thin gold layer is formed on the thin chromium layer.例文帳に追加

第２金属薄膜２８は第４圧電体２４との接合面にクロム薄膜層を有し、該クロム薄膜層上に金の薄膜層が形成されている。 - 特許庁

After eliminating the third resist layer 19, a fourth resist layer 20 (negative resist layer) is formed on the wiring layer 18 so that the wiring layer is left corresponding to a predetermined pattern, and the wiring layer 18 is etched by using the layer 20 as a mask.例文帳に追加

次に、第３のレジスト層１９を除去した後、配線層１８上に、所定のパターンに対応して当該配線層を残存させるように第４のレジスト層２０（ネガレジスト層）を形成して、これをマスクとして配線層１８をエッチングする。 - 特許庁