「fourth layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The film thicknesses from the first layer to the third layer counted from a substrate side of seven layers of antireflection films alternately laminated with SiO_2 layers and TiO_2 layers and the physical film thickness ratios of the SiO_2 layers and the TiO_2 layers are controlled and the optical thicknesses from the fourth layer up to the seventh layer are so controlled as not to be excessively increased.例文帳に追加

ＳｉＯ_2層とＴｉＯ_2層とを交互に積層させてなる７層の反射防止膜で、基板側から数えて１層目から３層目までの膜厚およびＳｉＯ_2層とＴｉＯ_2層の物理膜厚比を制御することと４層目から７層目までの光学膜厚を厚くなりすぎないように制御すること。 - 特許庁

A space t1 between the formed position of the first via 221a and the end of the third wiring 231a is smaller than a space between the formed position of a second via that connects second wiring to fourth wiring at a layer higher than the second wiring, and the end of the fourth wiring.例文帳に追加

第１のビア２２１ａの形成位置と第３の配線２３１ａの端部との間隔ｔ１は、第２の配線と第２の配線よりも上層の第４の配線とを接続する第２のビアの形成位置と第４の配線の端部との間隔よりも小さい。 - 特許庁

Each of the magnetization directions 52, 54 in the magnetization fixed layers of the second and fourth MR elements is opposite to a magnetization direction 51 in the magnetization fixed layer of the first MR element.例文帳に追加

第２のＭＲ素子および第４のＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向５２，５４が、第１のＭＲ素子の磁化固定層の磁化方向５１と反対に向いている。 - 特許庁

In the fourth step, the photo resist film is removed, and while the silicon oxide film is used as a mask, the main surface of the semiconductor is etched together with the I-type semiconductor layer.例文帳に追加

第４工程は、上記ホトレジスト膜を除去して上記酸化シリコン膜をマスクとして上記Ｉ型半導体層を含めた上記半導体主面をエッチングする。 - 特許庁

The fourth wiring 34 electrically connects between the third wiring 23 and an impurity diffused layer in a portion equivalent to a node of the active area to which the control potential are applied.例文帳に追加

第４配線34は、第３配線と、活性領域の制御電位を印加されるノードに相当する部分内の不純物拡散層と、を電気的に接続する。 - 特許庁

Here, the piezoelectric element 10 may be constituted containing Sr and/or Ca as a fifth sub component of the piezoelectric ceramic layer 2 instead of the fourth sub component.例文帳に追加

なお、圧電セラミック層２を構成する第４副成分に代えて、第５副成分としてＳｒ及び／又はＣａを含有させるようにして、圧電素子１０を構成してもよい。 - 特許庁

The strip line conductor layer 2 is arranged so as to be linearly extended from the second main face to the first main face, and arranged in parallel with the third and fourth side faces.例文帳に追加

ストリップライン導体層２を第２の主面から第１の主面に向って直線的に延びるように配置すると共に、第３及び第４の側面に平行に配置する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a fourth insulating layer 33 forms a protrusion 34 to reduce a level difference t1 on the formation area of a photodiode 7.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、フォトダイオード７の形成領域上の段差幅ｔ１を小さくするために、第４の絶縁層３３により突出部３４が形成される。 - 特許庁

Incorporating a step of approximately one fourth wavelength height in the non-uniform layer within each pixel significantly causes a reduction in the spectral response non-uniformity over the array of pixels of the device.例文帳に追加

各ピクセル内の不均一層に波長高さの約４分の１の段差を取り入れると、素子のピクセル配列全域での分光応答の不均一性が大幅に減少する。 - 特許庁

The columnar layer 36 consists of a semiconductor for composing the Schottky diode SBD along with the first to fourth source line conductive layers 33a-33d.例文帳に追加

柱状層３６は、第１〜第４ソース線導電層３３ａ〜３３ｄと共にショットキーダイオードＳＢＤを構成する不純物濃度をもつ半導体にて構成されている。 - 特許庁

In the second paste electrode layer 22, a third part 22d covering the first part 21d is thinner than a fourth part 22b covering the second part 21b.例文帳に追加

第２のペースト電極層２２は、第１の部分２１ｄを覆う第３の部分２２ｄの厚みが、第２の部分２１ｂを覆う第４の部分２２ｂの厚みより薄い。 - 特許庁

This manufacturing method for semiconductor wafer is provided with a first step for preparing a base wafer, a second step for forming a first buffering layer on the prepared base wafer, a third step for forming a semiconductor layer on the first buffering layer and a fourth step for separating the base wafer.例文帳に追加

ベース基板を準備する第１段階と、前記準備されたベース基板上に第１緩衝層を形成する第２段階と、前記第１緩衝層上に半導体層を形成する第３段階と、前記ベース基板を分離する第４段階とを含む半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

The impurity concentration of the fourth impurity layer PW is higher than that of the third and fifth impurity layers OFB and OFB2, and the impurity concentration of the fifth impurity layer OFB2 is higher than that of the third impurity layer OFB.例文帳に追加

第４の不純物層ＰＷにおける不純物濃度は、第３および第５の不純物層ＯＦＢ，ＯＦＢ２における不純物濃度よりも高く、第５の不純物層ＯＦＢ２における不純物濃度は、第３の不純物層ＯＦＢにおける不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

The minimum thickness of the tunnel insulation layer 105 is set to the value which realizes the anti- parallel condition in the magnetizing direction of the third magnetic layer 103 and fourth magnetic layer 104, while the maximum thickness thereof is set depending on the thickness which is enough to generate magnetic resistance effect due to the spin tunnel.例文帳に追加

そして、トンネル絶縁層１０５の膜厚は、最小値が、第３磁性層１０３と第４磁性層１０４の磁化方向が反平行な状態が実現されるような膜厚であり、最大値が、スピントンネルによる磁気抵抗効果が生じる膜厚により設定される。 - 特許庁

A ring-shaped second trench 6, penetrating the fourth semiconductor layer 4 and the third semiconductor layer 3 and reaching the second semiconductor layer 2, forms a first region having the element region therein and a second region surrounding the outer circumference of the first region.例文帳に追加

環状構造の第２のトレンチ６が、前記第４の半導体層４及び前記第３の半導体層３を貫通して前記第２の半導体層２に達して、素子領域を内側に有する第１の領域と、前記第１の領域を外側で取り囲む第２の領域とを形成する。 - 特許庁

(1) A barrier layer 19 containing the nitride, oxide, carbide or oxynitride of an element α (α is at least one element selected from Sn, In, Zr, Si, Cr, Al, Ta, V, Nb, Mo, W, Ti, Mg and Ge) is disposed between the fourth dielectric layer and the reflecting layer.例文帳に追加

（１）誘電体層と反射層間に元素α（αはＳｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｇｅのうち少なくとも１元素）の窒化物、あるいは酸化物、あるいは炭化物、あるいは窒酸化物を含むバリア層１９を設ける。 - 特許庁

The plating 15A consisting of four layers contains a first plating layer 11 of Ni or Ni alloy, a second plating 12 of Pd or Pd alloy, a third plating layer 13 of Ag or Ag alloy, and fourth plating layer 14 of Au or Au alloy.例文帳に追加

この４層のめっき１５Ａは、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる第１めっき層１１と、Ｐｄ又はＰｄ合金からなる第２めっき層１２と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる第３めっき層１３と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる第４めっき層１４とを有している。 - 特許庁

The memory region AR1 includes a memory columnar semiconductor layer 35 which extends in a vertical direction, a charge storage layer 34b formed surrounding a side surface thereof, and first to fourth word line conductive layers 31a to 31d formed surrounding the charge storage layer 34c.例文帳に追加

メモリ領域ＡＲ１は、垂直方向に延びるメモリ柱状半導体層３５と、その側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層３４ｂと、電荷蓄積層３４ｃを取り囲むように形成された第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄとを備える。 - 特許庁

A p^++-type first diffused layer 11 is formed on the surface of an n^--type semiconductor substrate 10 by diffusing a p-type impurity, and an n-type fourth diffused layer 14 shallower than the first diffusion layer 11 is formed on the surface of the substrate 10 by diffusing an n-type impurity.例文帳に追加

Ｎ^−型半導体基板１０の表面にＰ型不純物の拡散によって、Ｐ^＋＋型の第一拡散層１１が形成され、基板１０の表面にＮ型不純物の拡散によって、第一拡散層１１より浅いＮ型の第四拡散層１４が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device also comprises a third region of a second conductivity type formed on the surface of the semiconductor layer, a fourth region of the first conductivity type formed on the surface of the semiconductor layer within the third region, and a gate electrode disposed on the surface of the third region between the second and the fourth region via a gate insulating film.例文帳に追加

また、半導体層の表面に形成された、第２導電型の第３領域と、第３領域内の前記半導体層の表面に形成された、第１導電型の第４領域と、第２領域と前記第４領域との間の第３領域の表面上にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、を具備する。 - 特許庁

The antireflection film has a six-layer structure which is formed in such a manner that the first and third layers from the air side are low refractive index layers, the second, fourth and sixth layers are high refractive index layers and the fifth layer contains Al2O3.例文帳に追加

反射防止膜において、６層構造を有し、この６層は空気側から順に第１、第３層が低屈折率層、第２、第４、第６層が高屈折率層より成り、第５層はＡｌ_２Ｏ_３を含むようにした。 - 特許庁

Fourth light p4 having an angle equal to or greater than the predetermined angle, of the second light p2, is incident at a critical angle or greater angle with respect to a second boundary layer 12, reflected on the second boundary layer 12, and then reflected on the reflection surface 2a of the collimator 2.例文帳に追加

第２の光ｐ２のうち、所定の角度以上の第４の光ｐ４は第２の境界層１２に対して臨界角以上で入射し、第２の境界層１２で反射しコリメータ２の反射面２ａで反射する。 - 特許庁

The metal oxide layer 100 is brought into sliding contact with a first contact surface A1 to a fourth contact surface A4 during use of an electromagnetic clutch, so that a part of the metal oxide layer 100 is ground or separated whereby particles composed of a metal oxide are generated.例文帳に追加

この金属酸化物層１００は、電磁クラッチを使用する過程で、第一接触面Ａ１〜第四接触面Ａ４と摺接することにより、一部が砕け又は剥離して、金属酸化物からなる粒子が生成される。 - 特許庁

A first block layer 112B is provided between the second insulating film 112 and the third insulating film 113, and a second block layer 113B is provided between the third insulating film 113 and the fourth insulating film 114.例文帳に追加

第２の絶縁膜１１２と第３の絶縁膜１１３との間には、第１のブロック層１１２Ｂが設けられ、第３の絶縁膜１１３と第４の絶縁膜１１４との間には、第２のブロック層１１３Ｂが設けられている。 - 特許庁

First-fourth adjacent parts 22a-22d in which the first resist layer 21a is adjacent to four sides opposed to one another of the bonding region 20r and non-adjacent parts 23 in which the first resist layer 21a is not adjacent to the bonding region 20r are arranged.例文帳に追加

第１レジスト層２１ａが、接合領域の互いに対向する４つの辺部にそれぞれに隣接する第１〜第４隣接部２２ａ〜２２ｄと、第１レジスト層が接合領域に隣接していない非隣接部２３と、が設けられる。 - 特許庁

First and second internal electrodes 21, 25 are arranged so that they oppose each other while sandwiching a dielectric layer 9, and third and fourth internal electrodes 31, 35 are arranged so that they oppose each other while sandwiching the dielectric layer 9.例文帳に追加

第１及び第２の内部電極２１，２５は誘電体層９を間に挟んで互いに対向するように位置し、第３及び第４の内部電極３１，３５は誘電体層９を間に挟んで互いに対向するように位置する。 - 特許庁

Then, the gap between the recording layer 3 of a recording medium 1 and the light-emitting surface 12c is set to be equal to or smaller than the fourth of the wavelength of the light and the recording layer 3 is irradiated with the oozed-out proximity field light N to form a recorded pit 3a.例文帳に追加

記録媒体１の記録層３と出射面１２ｃとのギャップは光の波長の１／４以下に設定されており、染み出した近接場光Ｎが記録層３を照射し、記録ピット３ａを形成する。 - 特許庁

Hydrogen concentration (1.5e18 cm^-3) of the fourth cladding layer 110 of the infrared semiconductor laser is higher than hydrogen concentration (1e18 cm^-3) of the second cladding layer 105 in the first semiconductor laser red semiconductor laser.例文帳に追加

赤外半導体レーザの第４クラッド層１１０の水素濃度（１．５ｅ１８ｃｍ^−３）が、第１半導体レーザ赤色半導体レーザの第２クラッド層１０５の水素濃度（１ｅ１８ｃｍ^−３）よりも高いことを特徴とする。 - 特許庁

Postcard paper having a weak adhesive layer on the surface and a strong adhesive layer on the rear and having first to fourth paper parts 11-14 are turned up in a mountain fold along fold lines o1 and o3 and turned down in a valley fold along a fold line o2.例文帳に追加

表面に弱接着層、裏面に強接着層を有し、第１の用紙部１１〜第４の用紙部１４を有するハガキ用紙を、折曲線ｏ１、ｏ３でそれぞれ山折りすると共に、折曲線ｏ２で谷折りする。 - 特許庁

The external electrode 20 has a configuration in which a first electrode layer connected to the internal electrode 14, a second electrode layer (conductive resin layer) containing a cured product of containing a polyphenol compound having a side chain consisting of an aliphatic group, a third electrode layer made of Ni and a fourth electrode layer made of Sn are formed in this order from the base 10 side.例文帳に追加

外部電極２０は、内部電極１４と接続された第１の電極層、脂肪族基からなる側鎖を有するポリフェノール化合物を含有する熱硬化性樹脂の硬化物を含む第２の電極層（導電性樹脂層）、Ｎｉからなる第３の電極層及びＳｎからなる第４の電極層が、素体１０側からこの順に形成された構成を有している。 - 特許庁

The photoelectric converter also includes: a second laminated portion provided on the second lower electrode layer and comprising a third semiconductor layer having a first conductivity type and a fourth semiconductor layer having a second conductivity type which are laminated in the order; and a connection conductor provided in a groove located between the first laminated portion and the second laminated portion and electrically connecting the second semiconductor layer with the second lower electrode layer.例文帳に追加

また、該光電変換装置は、第２下部電極層の上に設けられた、第１導電型の第３半導体層と第２導電型の第４半導体層とが順に積層されている第２積層部と、第１積層部と第２積層部との間に位置する溝部に設けられた、第２半導体層と第２下部電極層とを電気的に接続する接続導体とを備えている。 - 特許庁

This method comprises: a base layer forming step of forming a base layer 12 on a mount 11 by using an ultraviolet curing type ink; and a varnished layer forming step of forming a varnished layer 13, having an uneven surface with irregularities, on the base layer 12 by an ultraviolet curing type screen printing method using first-fourth screens with hole parts which allow the passage of an ultraviolet curing type varnish.例文帳に追加

台紙１１上に紫外線硬化型インクを用いてベース層１２を形成するベース層形成工程と、紫外線硬化型ニスを通過させる孔部を有する第１から第４スクリーンを用いた紫外線硬化型スクリーン印刷法によってベース層１２上に凹凸を有する起伏面を有するニス層１３を形成するニス層形成工程とを備える。 - 特許庁

The polygon layer moving portion 205 periodically continues the movement of the first-fourth polygon layers between the start point to the prescribed depth during a time when the river part is displayed, and each of the first-fourth polygon layers is periodically operated while shifting their phases so that their relative positions are changed.例文帳に追加

このようにして、ポリゴン層移動部２０５は、河川部が表示されている間、開始点から所定の深さの間で、周期的に第１〜第４のポリゴン層の移動を継続させて、第１〜第４の各ポリゴン層をこれらの相対的な位置が変化するように位相をずらして周期運動させる。 - 特許庁

A lenticular lens sheet 120 of the present invention has second and fourth scatter preventive layers 123 and 122 laminated integrally on both surfaces of a second glass substrate 121 and the fourth scatter preventive layer provided on an incidence side is provided with a lenticular lens portion 122a to solve the problem.例文帳に追加

本発明によるレンチキュラーレンズシート１２０は、第２のガラス基板１２１の両面に、第２及び第４の飛散防止層１２３，１２２を一体的に積層し、入射側に設けられた第４の飛散防止層１２２にレンチキュラーレンズ部１２２ａを設けることにより課題を解決した。 - 特許庁

A quickly soluble sugar coated tablet comprises a first layer composed of a polymer soluble in water and an organic solvent and sucrose, a second layer composed of a polymer soluble in water and an organic solvent and sucrose, a third layer composed of sucrose and a fourth layer composed of a polymer and sucrose on an uncoated tablet and contains ≥50 wt% of sodium valproate.例文帳に追加

素錠の上に水および有機溶媒に可溶な高分子とショ糖からなる第一層、水および有機溶媒に可溶な高分子とショ糖からなる第二層、ショ糖からなる第三層および高分子とショ糖ほかからなる第四層で構成され、バルプロ酸ナトリウムを５０重量％以上を含有する速溶性糖衣錠。 - 特許庁

The second SRAM circuit 13 realizes the SRAM function with the SRAM cell and the wirings formed in the fourth to sixth wirings in the upper layer side among the wiring layers of six layers.例文帳に追加

第２ＳＲＡＭ回路１３は、ＳＲＡＭセルと、６層の配線層のうち、上層側の第４〜第６配線に形成された配線とによってＳＲＡＭ機能が実現されている。 - 特許庁

In the fourth step, a second bonding layer is arranged on a second functional region 102 on the first substrate, or a region, to which the second functional region is to be transferred, on a third substrate.例文帳に追加

第４工程では、第１の基板上の第２の機能性領域１０２又は第３の基板上の第２の機能性領域の移設予定領域に第２の接合層を設ける。 - 特許庁

At this point, the inner non-wiring region 6 is formed in the macro cell 2, so that the metal wirings 10 of a fourth and a fifth layer can be made to cross over the inner non-wiring region 6.例文帳に追加

この時、マクロセル部２には、内部非配線領域６を形成しているため、４層目及び５層目の金属配線１０は、内部非配線領域６の上を交差させることができる。 - 特許庁

A first impurity region 5, a second impurity region 6, a third impurity region 7, a fourth impurity region 8 and a fifth impurity region 9 are formed in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層には、第１不純物領域５、第２不純物領域６、第３不純物領域７、第４不純物領域８および第５不純物領域９が形成されている。 - 特許庁

A background image layout portion 203 lays out a background image, and then a polygon layer layout portion 204 lays out a river part composed of first-fourth polygon layers on a position intersecting with the background image.例文帳に追加

背景画像配置部２０３が背景画像を配置した後、ポリゴン層配置部２０４は、背景画像に交わる位置に第１〜第４のポリゴン層からなる河川部を配置する。 - 特許庁

There is provided an organic electric field light-emitting device containing a biphenyl compound at least one layer of which has a carbazolyl group in the fourth place of biphenyl and a carbazoyl group or a diaryl amino group in the 3'th place.例文帳に追加

少なくとも一層がビフェニルの４位にカルバゾリル基を有し、３’位にカルバゾイル基またはジアリールアミノ基を有するビフェニル化合物を含有する有機電界発光素子である。 - 特許庁

The plus electrode layer 5 includes first to fourth plus split electrodes 51A to 54B, and a plus diagonal connection electrode 55A for connecting the first and third plus split electrodes 51A, 53A.例文帳に追加

プラス電極層５は、第１〜第４プラス分割電極５１Ａ〜５４Ｂと、第１及び第３プラス分割電極５１Ａ，５３Ａを接続するプラス対角接続電極５５Ａとを有する。 - 特許庁

In order to measure a characteristic of a layer filter having four terminals, arm-shaped first, second, third and fourth projecting parts 31, 32, 33, 34 are set to a printed circuit board 11.例文帳に追加

４個の端子を有する積層フィルタの特性を測定するためにプリント回路基板１１にアーム状の第１、第２、第３及び第４の突出部３１、３２、３３、３４を設ける。 - 特許庁

In the fourth step, a second bonding layer is arranged on a second functional region 102 on the first substrate, or a region, to which the second functional region is to be transferred, on a third substrate.例文帳に追加

第４工程では、第１の基板上にある第２の機能性領域１０２又は第３の基板上の第２の機能性領域の移設予定領域に第２の接合層を設ける。 - 特許庁

The second insulating layer at the intersection is preliminarily provide with a first to fourth through-holes (41 to 44), and the external harness and the touch panel push each other to connect, while heating at the intersection.例文帳に追加

両者の交差部の第２絶縁層には予め第１〜４貫通穴（４１〜４４）を設けておき、交差部で外部ハーネスとタッチパネルを加熱しながら互いに押圧し接合する。 - 特許庁