「fourth layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The first pseudo-memory cell transistor 10 comprises a third gate 2 formed on an element separation layer 21 of the second region 32; and a fourth gate 3 formed on the side of the third gate 2.例文帳に追加

第１擬似メモリセルトランジスタ１０は、第２領域３２の素子分離層２１上に形成された第３ゲート２と、第３ゲート２の側面に形成された第４ゲート３とを備える。 - 特許庁

A fourth insulation film 109 and a third insulation 108 film are polished and planarized, applying a CMP method so that the top of the plug 106 and the contact layer 106a is not exposed.例文帳に追加

プラグ１０６と密着層１０６ａの上面が露出しないように、第４の絶縁膜１０９および第３の絶縁膜１０８をＣＭＰ法により研磨して平坦化する。 - 特許庁

Thereafter, first to fifth word interline insulating layers 31a to 31e, and first to fourth word line conductive layers 32a to 32d are laminated, a memory hole 35 is formed so as to penetrate them, and a memory gate insulating layer 36 and a memory sacrificing layer 82 are formed on the sidewall thereof.例文帳に追加

次に、第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅと第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄとを積層し、それらを貫通させてメモリホール３５を形成し、その側壁にメモリゲート絶縁層３６、メモリ犠牲層８２を形成する。 - 特許庁

Slow axes of the first and third phase difference layers are in parallel to the second direction, a slow axis of the second phase difference layer is vertical to the first absorption axis, and a slow axis of the fourth phase difference layer is vertical to the second absorption axis.例文帳に追加

第１、第３位相差層の遅相軸は、第２方向に対して平行であリ、第２位相差層の遅相軸は、第１吸収軸に対して垂直であリ、第４位相差層の遅相軸は、第２吸収軸に対して垂直である。 - 特許庁

The display panel includes a plurality of sun-pixels, each of which is provided with one of a first color layer of red, a second color layer of blue, and third and fourth color layers of two kinds of colors, arbitrarily selected from among hues ranging from blue to yellow.例文帳に追加

表示パネルには、複数のサブ画素が設けられ、赤系の第１着色層、青系の第２着色層、青から黄までの色相の中で任意に選択された第３及び第４の２種類の色の着色層のいずれかをサブ画素に備える。 - 特許庁

Meanwhile, in the core/peripheral circuit, the wire 20c of the fourth layer and the wire 21c of the fifth layer are connected via an MTJ film 27 having an MTJ structure which is identical to that of the TMR elements 26a, 26b.例文帳に追加

一方、コア・周辺回路部においては、第４層目の配線２０ｃと第５層目の配線２１ｃとを、上記ＴＭＲ素子２６ａ，２６ｂと同一のＭＴＪ構造を有するＭＴＪ膜２７を介して接続してなる構成となっている。 - 特許庁

In particular for improving a dispersion hindering ability for gasoline and the thermal stability, the third layer contains thermoplastic polyester substantially and the fourth layer contains thermoplastic ether-ester elastomer(TEEE) or thermoplastic polyester elastomer substantially.例文帳に追加

特にガソリンに対する拡散阻止能力とより高い熱的な安定性を改善するため、第三の層は本質的に熱可塑性ポリエステルを含み、第四の層は本質的に熱可塑性エーテルエステルエラストマー(TEEE)又は熱可塑性ポリエステルエラストマーを含んでいる。 - 特許庁

In a suspension substrate 1 with a circuit, a second base insulating layer 3, a first metal thin film 6, a metal foil 4, a second metal thin film 7, a first base insulating layer 5, a third metal thin film 9, a conductor pattern 8, a fourth metal thin film 10, and a cover insulating layer 11 are sequentially formed on a metal supporting substrate 2.例文帳に追加

回路付サスペンション基板１において、金属支持基板２の上に、第２ベース絶縁層３、第１金属薄膜６、金属箔４、第２金属薄膜７、第１ベース絶縁層５、第３金属薄膜９、導体パターン８、第４金属薄膜１０およびカバー絶縁層１１を順次形成する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device comprises a first GaAs layer, a second InAs thin film layer having many InAs quantum dots formed on the first GaAs layer, a third InGaAs layer formed on the second InAs thin film layer having many InAs quantum dots, and a fourth GaAs layer formed on the third InGaAs layer, wherein the As_2 is used as the As material.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１層のＧａＡｓ層と、前記第１層のＧａＡｓ層上に形成される第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層と、前記第２層である複数のＩｎＡｓ量子ドットを有するＩｎＡｓ薄膜層上に形成される第３層のＩｎＧａＡｓ層と、前記第３層のＩｎＧａＡｓ層上に形成される第４層のＧａＡｓ層からなる半導体発光素子であって、前記Ａｓ原料をＡｓ_２としたことを特徴とする。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is constructed by alternately stacking first to fourth metal layers 2 to 5 and A to D interlayer films 6 to 9 on a semiconductor substrate 1 and forming a liquid crystal layer 10 and a counter (transparent) electrode 11 on the uppermost layer.例文帳に追加

反射型液晶表示装置は、半導体基板１上に第１メタル層２〜第４メタル層５とＡ層間膜６〜Ｄ層間膜９とが交互に積層され、最上層に液晶層１０と対向電極（透明）１１とを形成することで構成されている。 - 特許庁

The control means apply third and fourth potentials by which the polarity of the electric field generated in the liquid crystal layer is made constant and difference is changed in an in-plane direction of the liquid crystal layer to the first and the second electrodes in such a state that the light source is turned off.例文帳に追加

制御手段は、光源が消灯された状態において、液晶層に生じる電界の符号を一定とし、かつ液晶層の面内方向において差が変化する第３及び第４の電位を第１及び第２の電極にそれぞれ与える。 - 特許庁

The second electroconductor is configured so that a third electroconductor arranged in a second hole formed at the first interlayer insulation layer and a fourth electroconductor arranged in a third hole formed at the second interlayer insulation layer can be laminated and electrically connected to each other.例文帳に追加

この第２の導電体は第１の層間絶縁層に配された第２のホールに配された第３の導電体と、第２の層間絶縁層に配された第３のホールに配された第４の導電体とが、積層され電気的に接続された構成である。 - 特許庁

The sidewalls of the first to fourth word line conductive layers 32a-32d on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction separating from the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side.例文帳に追加

第１〜第４ワード線導電層３２ａ〜３２ｄのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸から離れる方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁

The display panel is provided with a plurality of sub-pixels, and each of the sub-pixels is provided with any of a red-type first colored layer, a blue-type second colored layer, and third and fourth two kinds of colored layers, selected arbitrarily from among hues of blue to yellow.例文帳に追加

表示パネルには、複数のサブ画素が設けられ、赤系の第１着色層、青系の第２着色層、青から黄までの色相の中で任意に選択された第３及び第４の２種類の色の着色層のいずれかを前記サブ画素に備える。 - 特許庁

Thus, a projected image of both end parts 42a, 42b, 46a, 46b of the inner layer earth electrodes 42, 46 onto the fourth dielectric layer S4 is in crossing with the opening end 26b of the input side resonance electrode 26 and the opening end 28b of the output side resonance electrode 28.例文帳に追加

これにより、第４の誘電体層Ｓ４に対する内層アース電極４２、４６の両端部４２ａ、４２ｂ、４６ａ、４６ｂの投影像と、入力側共振電極２６及び出力側共振電極２８の開放端部２６ｂ、２８ｂとが交差する。 - 特許庁

A reference point and a plurality of meshes comprising the first mesh to the fourth mesh in which at least one-sides of pitches are different each other are mapped in a construction layer corresponding to an electric power source layer M1 in order to add a forming position data for the degassing hole DGH to a design data.例文帳に追加

設計データにガス抜き孔ＤＧＨの形成位置データを付加するために、電源層Ｍ１に対応する作図レイヤに、基準点及びピッチの少なくとも一方が互いに異なる第１メッシュから第４メッシュまでの複数のメッシュをマッピングする。 - 特許庁

The formation method of a thin-film transistor comprises a first process for forming a source electrode and a drain electrode in the element side board, a second process for forming a semiconductor layer brought into contact with the source electrode and the drain electrode, a third process for forming a gate insulating layer which overlaps with the semiconductor layer, and a fourth process for forming a gate electrode which overlaps with the gate insulating layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極に接する半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記ゲート絶縁層に重なるゲート電極を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁

Fourth color layers 37, fifth color layers 38 and sixth color layers 39 different from one another in color are disposed by gravure printing on the third color layer 30c to give close print with a repetitive pattern.例文帳に追加

第３色層３０ｃの上層に、それぞれが異なる色の第４色層３７、第５色層３８、第６色層３９をグラビア印刷により設け、繰り返し模様の細かい印刷を施す。 - 特許庁

Further, since a brazing material layer of a fourth electrode 23 is positioned between leg-like portions 18, the leg-like portions 18 work as a barrier to prevent the molten brazing material from wetting up to the side surface of the semiconductor element.例文帳に追加

また、第４電極２３のろう材層は脚状部１８の間に位置するため、脚状部１８が障壁となって溶融したろう材層が半導体素子側面への濡れ上がりを防止する。 - 特許庁

A fourth internal electrode 20 is arranged below the internal electrode 18 separated from the layer 12A.例文帳に追加

セラミック層１２Ａを隔てた第２の内部電極１６の下方に、第３の内部電極１８が配置され、セラミック層１２Ａを隔てた第３の内部電極１８の下方に、第４の内部電極２０が配置される。 - 特許庁

The fifth insulating film 16 containing silicon and oxygen is formed either between the charge accumulation layer 6 and the second insulating film 13 or between the fourth insulating film 15 and the control gate 17.例文帳に追加

電荷蓄積層６と第２の絶縁膜１３および第４の絶縁膜１５と制御ゲート１７との少なくとも一方の間にシリコンおよび酸素を含む第５の絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁

A first conductive type of third and fourth semiconductor layers 5, 6 substantially composed of the diffused layer of a lower resistance than the first and second semiconductor layers are formed on the surface of the first and second trenches.例文帳に追加

第１及び第２トレンチの表面内に、第１及び第２半導体層よりも低抵抗の拡散層から実質的になる第１導電型の第３及び第４半導体層５、６が形成される。 - 特許庁

The minus electrode layer 6 includes first to fourth minus split electrodes 61A to 64B, and a minus diagonal connection electrode 65A for connecting the first and third minus split electrodes 61A, 63A.例文帳に追加

マイナス電極層６は、第１〜第４マイナス分割電極６１Ａ〜６４Ｂと、第１及び第３マイナス分割電極６１Ａ，６３Ａを接続するマイナス対角接続電極６５Ａとを有する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes: a first electrode; a transistor formed on a semiconductor substrate and having a second electrode: and third and fourth electrodes formed on the same wiring layer.例文帳に追加

半導体集積回路であって、第１の電極と、半導体基板上に形成され、第２の電極を有するトランジスタと、同一の配線層に形成された第３及び第４の電極とを有する。 - 特許庁

The second pseudo-memory cell transistor 10 comprises a fifth gate 2, formed on the element separation layer 21; and a sixth gate 3 formed on the side of the fifth gate 2 to face the fourth gate 3.例文帳に追加

第２擬似メモリセルトランジスタ１０は、素子分離層２１上に形成された第５ゲート２と、第５ゲート２の側面に第４ゲート３と対向するように形成された第６ゲート３とを備える。 - 特許庁

The coding device 106 also records past coding parameters of first, second, or third generation on user_data of a picture layer, and performs multiplexing to coding stream ST of fourth generation and outputting to a channel encoding device 602.例文帳に追加

符号化装置１０６はまた、第１世代乃至第３世代の過去の符号化パラメータをピクチャ層のuser_dataに記録し、第４世代の符号化ストリームSTに多重化して、チャンネルエンコーディング装置６０２に出力する。 - 特許庁

The second and fourth strip line conductor layers 17, 20 are set mutually opposed via the dielectric layer.例文帳に追加

第１及び第３のストリップライン導体層１６、１９は誘電体層を介して互いに対向配置され、第２及び第４のストリップライン導体層１７、２０）は誘電体層を介して互いに対向配置されちる。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes a first substrate 1, second substrate 2, liquid crystal layer 3, first optical plate 6, second optical plate 7, first polarizing plate 4, third optical plate 8, fourth optical plate 9, and second polarizing plate 5.例文帳に追加

液晶表示素子は、第１基板1、第２基板2、液晶層3、第１光学板6、第２光学板7、第１偏光板4、第３光学板8、第４光学板9、第２偏光板5を備える。 - 特許庁

A piezoelectric actuator 10 comprises an insulator layer 20, an upper piezoelectric part 30, a surface electrode 40 including a first surface electrode 41 to a fourth surface electrode 44, and a lower piezoelectric part 50.例文帳に追加

圧電アクチュエータ１０は、絶縁層２０と、上側圧電部３０と、第１表面電極４１乃至第４表面電極４４からなる表面電極４０と、下側圧電部５０とを備えている。 - 特許庁

The polishing liquid for polishing the barrier layer of a semiconductor integrated circuit contains di-fourth class ammonium cation, a corrosion inhibitor and colloidal silica and has pH in the range of 2.5-5.0.例文帳に追加

半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、ジ四級アンモニウムカチオン、腐食抑制剤、及びコロイダルシリカを含み、ｐＨが２．５〜５．０であることを特徴とする研磨液。 - 特許庁

A red based first coloring layer, a blue based second coloring layer, and coloring layers with two kinds of third and fourth colors arbitrarily selected from tints between blue and yellow are formed in sub-pixel regions for the respective colors on an inside surface of one substrate out of two substrates.例文帳に追加

２つの基板のうち、一方の基板の内面上には、赤系の第１着色層、青系の第２着色層、青から黄までの色相の中で任意に選択された第３及び第４の２種類の色の着色層が、各色毎にサブ画素領域に形成される。 - 特許庁

Then, using a VDP for controlling only four layers, each image data of the piece images 901-904 are set to each of the first layer-fourth layer, image data that are set to each of the four layers are synthesized, and the synthesized image data are outputted and displayed to a variable display device 409.例文帳に追加

そして、４つのレイヤのみ制御可能なＶＤＰを用いて、これらピース画像９０１〜９０４の各画像データを各々第１レイヤ〜第４レイヤに設定し、４つのレイヤ毎に設定した画像データを合成し、その合成画像データを可変表示装置４０９に出力、表示する。 - 特許庁

First and second optical disks which have recording films having mutually different characteristics and have a single layered recording layer and third and fourth optical disks which have recording films having mutually different characteristics and have a double layered recording layer are selectively mounted on an optical disk device.例文帳に追加

光ディスク装置には、記録膜の特性が互いに異なり共に単層記録層を有する第１及び第２光ディスク、及び記録膜の特性が互いに異なり共に２層記録層を有する第３及び第４光ディスクを含む光ディスクが選択的に装着される。 - 特許庁

In a group III nitride semiconductor light-emitting element 1 comprising an MQW 14 using a group III nitride semiconductor, a first well layer 21 to a fourth well layer 24 constituting the MQW 14 are respectively formed under a growth condition in which light-emitting wavelengths conform to one another.例文帳に追加

III族窒化物半導体を用いたＭＱＷ１４を備えたIII族窒化物半導体発光素子１において、ＭＱＷ１４を構成する第１井戸層２１〜第４井戸層２４は、各発光波長を互いに合致させるような成長条件をもってそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The first coated layer 13 is formed of a first bright coating agent injected from the first to third coating agent injecting apertures 37a to 39a and the second coated layer 14 is formed of a second coating agent injected from the first to fourth coating agent injecting apertures 33a to 36a.例文帳に追加

第１被覆層１３は第一から第三被覆剤注入口３７ａ〜３９ａより注入される光輝性の第１被覆剤によって被覆され、第２被覆層１４は第１から第４被覆剤注入口３３ａ〜３６ａより注入される第２被覆剤によって被覆される。 - 特許庁

Further, the third crushed layer 1g and fourth crushed layer 1h nearby the reverse surface side of the semiconductor wafer 1W are formed only in an intersection region of dicing lines to prevent chipping while suppressing a decrease in flexural strength of the semiconductor chip.例文帳に追加

さらに、半導体ウエハ１Ｗの前記裏面側近傍の第３の破砕層１ｇ及び第４の破砕層１ｈをダイシングラインの交差領域のみに形成することにより、半導体チップの抗折強度の低下を抑制しつつ、チッピングの発生を防止することができる。 - 特許庁

A transparent second relay layer 400 is electrically connected to an upper capacitance electrode 300 via a contact hole 85 and a transparent pixel electrode 9aa is electrically connected to the second relay layer 400 via a contact hole 86 penetrating a fourth interlayer insulating film 44.例文帳に追加

透明な第２中継層４００は、コンタクトホール８５を介して上部容量電極３００に電気的に、透明な画素電極９ａａは、第４層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール８６を介して第２中継層４００に電気的に接続されている。 - 特許庁

The method of manufacturing an electronic apparatus comprises the first step of forming the relief plate 20 having a convex 22, the second step of forming a liquid layer on the convex 22, the third step of exposing part of the upper surface of the convex 22 by removing part of the liquid layer, and the fourth step of transferring the liquid layer 30 to a substrate 40.例文帳に追加

本発明にかかる電子装置の製造方法は、凸部２２を有する版２０を形成する第１工程と、凸部２２の上に液体層を形成する第２工程と、液体層の一部を除去して凸部２２の上面の一部を露出させる第３工程と、液体層３０を基板４０に転写する第４工程と、を含む。 - 特許庁

The second lens group 120 includes a third lens element 121, a second transparent body 122, a second buffer layer 123, and a fourth lens element 124, which are arranged in order from the object side OBJS toward the image surface 140 side.例文帳に追加

第２レンズ群１２０は、物体側ＯＢＪＳから像面１４０側に向かって順番に配置された、第３レンズエレメント１２１と、第２透明体１２２と、第２バッファ層１２３と、第４レンズエレメント１２４と、を含む。 - 特許庁

In a fourth step, the first insulating layer 131 is bonded onto a second insulating adhesive 132a, and both of them are heated and pressed, thus performing the flip-chip bonding of the semiconductor chip 110 to the interposer 120.例文帳に追加

第４の工程で、第１の絶縁層１３１を第２の絶縁性接着剤１３２ａ上に貼り合わせ、両者を加熱加圧することで半導体チップ１１０をインターポーザ１２０にフリップチップ接合させる。 - 特許庁

The second lens group 120 includes: a fourth lens element 121, a second transparent body 122; a second buffer layer 123; and a fifth lens element 124, arranged in order from the object side OBJS to the side of the image face 140.例文帳に追加

第２レンズ群１２０は、物体側ＯＢＪＳから像面１４０側に向かって順番に配置された、第４レンズエレメント１２１と、第２透明体１２２と、第２バッファ層１２３と、第５レンズエレメント１２４と、を含む。 - 特許庁

A removal process is carried out thereafter so as to remove the second, third, and fourth layers of the capping structure using an end point detection method such as secondary ion mass analysis detecting the presence of the second layer.例文帳に追加

その後、除去プロセスが、第２の層の存在を検出する２次イオン質量分析などの終点検出方法を使用して、キャッピング層構造の第２、第３、第４の層を除去するために実施される。 - 特許庁

The multilayer capacitor includes a capacitor element body 1; first and second signal terminals 11, 12; first and second ground terminals 13, 14; a ground electrode layer 31; and first to fourth signal electrode layers 21-24.例文帳に追加

積層コンデンサは、コンデンサ素体１と、第１及び第２の信号端子１１，１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４と、グランド電極層３１と第１〜第４の信号電極層２１〜２４と、を備える。 - 特許庁

The surface treatment layer 12 is formed on the surface of the lens substrate 11, and a first film 121, a second film 122, a third film 123, a fourth film 124, and a fifth film 125 are stacked in this order.例文帳に追加

表面処理層１２は、レンズ基材１１の表面に形成され、レンズ基材側から第一膜１２１、第二膜１２２、第三膜１２３、第四膜１２４、および第五膜１２５の順に積層されている。 - 特許庁