「fourth layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The fourth metallic layer 105c is used to constitute a matching circuit and a transmission line, and the third metallic layer 105b and the fourth metallic layer 105c constitute a parallel plane plate type capacity 103 having BCB thin films as an insulating material.例文帳に追加

４層目の金属層１０５ｃを用いて整合回路と伝送線路が構成されており、３層目の金属層１０５ｂと４層目の金属層１０５ｃとで、ＢＣＢ薄膜を絶縁体とした平行平板型容量１０３を構成している。 - 特許庁

The compound semiconductor laminated structure is structured such that a fourth buffer layer 40 formed of InP is provided as the uppermost layer of a laminated buffer layer 42 on a substrate 32, the laminated buffer layer 42 being formed to have lattice constants varied stepwise or continuously, and a particular compound semiconductor layer 44 having a lattice constant differing from that of the substrate 32 is formed on an upper surface of this fourth buffer layer 40 .例文帳に追加

基板３２上の、階段状もしくは連続的に格子定数の変化がなされて形成された積層バッファ層４２の最上層としてＩｎＰによる第４バッファ層４０を設け、この第４バッファ層４０の上面に、基板３２とは格子定数の異なる特定化合物半導体層４４が形成された構成とする。 - 特許庁

The second liquid crystal shutter includes: a third substrate part; a fourth substrate part; and a second intermediate part which is provided between the third substrate part and fourth substrate part, and includes a second liquid crystal layer.例文帳に追加

第２液晶シャッタは、第３基板部と、第４基板部と、第３基板部と第４基板部との間に設けられ、第２液晶層を含む第２中間部と、を含む。 - 特許庁

A magneto-optical medium is provided with a substrate 50, a first dielectric layer 130, a first magneto-optical data layer 132, a second dielectric layer 134, a transmitting member 78, a third dielectric layer 140, a second magneto-optical data layer 142, a fourth dielectric layer 144, and a reflection layer 146.例文帳に追加

光磁気媒体は、基板５０と、第１の誘電体層１３０と、第１の光磁気データ層１３２と、第２の誘電体層１３４と、透光部材７８と、第３の誘電体層１４０と、第２の光磁気データ層１４２と、第４の誘電体層１４４と、反射層１４６とを備えている。 - 特許庁

In the magnetic recording medium provided with the glass substrate, a seed layer and a magnetic layer, the glass substrate has a textured surface and the seed layer is formed by sequentially layering a CrN first seed layer, a NiTi second seed layer, a CrN third seed layer and a NiTiN fourth seed layer.例文帳に追加

ガラス基板、シード層および磁性層を備えた磁気記録媒体において、ガラス基板はテクスチャ加工が施され、シード層は、ＣｒＮ第１シード層、ＮｉＴｉ第２シード層、ＣｒＮ第３シード層、ＮｉＴｉＮ第４シード層を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁

The first to fourth word line conductor layers 31a-31d are provided with: first to fourth bottoms 311a-311d extending in parallel with the substrate Ba; and first to fourth sides 312a-312d extending upward to the substrate Ba along the projected layer 50 at the ends of the first to fourth bottoms.例文帳に追加

第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄは、基板Ｂａに対して平行に延びる第１〜第４底部３１１ａ〜３１１ｄと、それらの端部にて突出層５０に沿って基板Ｂａに対して上方に延びる第１〜第４側部３１２ａ〜３１２ｄとを備える。 - 特許庁

A magnetic shielding layer for shielding magnetic flux from the exciting coil is formed on a fourth layer 162d between the exciting coil and the signal- processing IC166.例文帳に追加

励磁コイルと信号処理ＩＣ１６６の間の第４層１６２ｄには励磁コイルからの磁束を遮断する磁気シールド層が形成される。 - 特許庁

The upper surface 41 of the protecting layer 39 is disposed above the upper surface of the upper thin film 6 (the upper surface 42 of a fourth insulating layer 16).例文帳に追加

また、保護層３９の上面４１は、上薄膜６の上面（第４絶縁層１６の上面４２）より上方に配置されている。 - 特許庁

Also, the second wiring layer 8 and the leading-out wiring layer 10A are electrically coupled by a fourth connection part 9B in the contact region.例文帳に追加

また、第２配線層８と引出配線層１０Ａとは、コンタクト領域において、第４接続部９Ｂにより電気的に連結されている。 - 特許庁

The fourth p-type layer is provided between the second p-type layer and the third p-type layer, and the concentration of the p-type impurity gradually decreases from the second concentration to the third concentration along the direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第４ｐ形層は第２ｐ形層と第３ｐ形層との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 - 特許庁

The coated cutting tool has a multi-layered coating film 20 including an oxide film (a fourth layer 24 (Al_2O_3)) and films other than oxide (a first layer 21 (TiN), a second layer 22 (TiCN), a third layer 23 (TiBN), and a fifth layer 25 (TiN)), on the surface of a base material 10 composed of a hard alloy.例文帳に追加

硬質合金からなる基材10の表面に、酸化物の膜(第4層24(Al_2O_3))と酸化物以外の膜(第1層21(TiN),第2層22(TiCN),第3層23(TiBN),第5層25(TiN))とを含む多層の被覆膜20を備える被覆切削工具に係る。 - 特許庁

A removing process step of removing the lower clad layer and the upper clad layer to the form of belts 50 and 51 from the top of the substrate 1 along a position cut in the fourth step during the third step and the fourth step.例文帳に追加

第３の工程と第４の工程との間に、第４の工程で切断される位置に沿って、下部クラッド層および上部クラッド層を基板１上から帯５０，５１状に除去する除去工程を行う。 - 特許庁

The second electrode 8 and the third electrode 9 are each provided at one side and the other side of the first electrode 10 on the fourth semiconductor layer 6, and are ohmic-joined to the fourth semiconductor layer 6.例文帳に追加

第２電極８及び第３電極９は、第４半導体層６の上において、第１電極１０の一方側及び他方側にそれぞれ設けられ、第４半導体層６とオーミック接合している。 - 特許庁

The printed board is laminated with a pixel electrode layer, a first insulating layer 113a, a source wire layer and a gate layer, two second insulating layers 113b, 113c, a transistor layer, a third insulating layer 114, a ground layer 112, and a fourth insulating layer 115, in this order, along a direction of separating from the front face plate.例文帳に追加

プリント基板は、画素電極層と、第１絶縁層１１３ａと、ソース線層およびゲート線層と、２つの第２絶縁層１１３ｂ、１１３ｃと、トランジスタ層と、第３絶縁層１１４と、グランド層１１２と、第４絶縁層１１５とがこの順番で前面板から離れる方向に積層されて構成されている。 - 特許庁

A polysilicon emitter layer 30 is provided on the central part of the layer 21 and a third insulating layer 42, a first sidewall 24, a P+ regrowth Si layer 25 and a fourth insulating layer 26 are provided in such a way as to encircle the layer 30.例文帳に追加

Ｓｉ_1-____x Ｇｅ_x ／Ｓｉ層２１の中央部の上には、ポリシリコンエミッタ層３０が設けられ、ポリシリコンエミッタ層３０を取り囲むように、第３の絶縁層４２と、第１のサイドウォール２４と、再成長Ｐ^+ Ｓｉ層２５と、第４の絶縁層２６とが設けられている。 - 特許庁

A MOS thyristor 100 comprises a p+ type anode layer (first semiconductor layer) 10, an n- type base region (second semiconductor layer) 14, a p+ type base region (third semiconductor layer) 16, and an n+ type impurity diffused layer (fourth semiconductor layer) 18 functioning as a source region.例文帳に追加

ＭＯＳサイリスタ１００は、ｐ^+型アノード層（第１半導体層）１０、ｎ^-型ベース領域（第２半導体層）１４、ｐ^-型ベース領域（第３半導体層）１６、およびソース領域として機能するｎ^+型不純物拡散層（第４半導体層）１８を有する。 - 特許庁

On a p-type substrate 100, a p-type anode layer 102 as a first semiconductor layer, an n-type gate layer 104 as a second semiconductor layer, a non-doped semiconductor layer 105, a p-type gate layer 106 as a third semiconductor layer, and an n-type cathode layer 108 as a fourth semiconductor layer are formed in order, and a cathode electrode 110 and a gate electrode 112 are further formed.例文帳に追加

ｐ型基板１００上に、順次、第１半導体層としてｐ型アノード層１０２、第２半導体層としてｎ型ゲート層１０４、ノンドープ半導体層１０５、第３半導体層としてｐ型ゲート層１０６、第４半導体層としてｎ型カソード層１０８が形成され、さらにカソード電極１１０とゲート電極１１２が形成される。 - 特許庁

The fourth layer may be connected to a supply voltage, such as but not limited to, the ground.例文帳に追加

第４の層は、グランドのような供給電圧に接続されて良いが、それはグランドに限定されないものである。 - 特許庁

A second conductive layer is formed and a source/drain line 128 comes into contact with the source/drain by a fourth mask step.例文帳に追加

第２導電層が形成され、第４マスク工程によりソース／ドレイン線１２８がソース／ドレインと接触する。 - 特許庁

The silicon carbide (SiC) wafer 32 has a four-layer structure consisting of a first SiC film 34 to a fourth SiC film 40.例文帳に追加

炭化ケイ素ウエハ３２は、第１ＳｉＣ膜３４〜第４ＳｉＣ膜４０を有する４層構造となっている。 - 特許庁

First, third, and fourth layers are manufactured out of a thermoplastic material, while a second layer is manufactured out of a thermosetting material.例文帳に追加

第1、第3、及び第4層は、熱可塑性材料から製造され、第2層は、熱硬化材料から製造される。 - 特許庁

Further, wiring M4 of the fourth layer electrically connecting with the first antenna diode AD2 and wiring M4 of the fourth wiring electrically connecting with the second antenna diode AD2 are connected by wiring 25 of a fifth layer as the top-layer wiring in the antenna block.例文帳に追加

さらに第１アンテナダイオードＡＤ１と電気的に繋がる第４層目の配線Ｍ４と第２アンテナダイオードＡＤ２と電気的に繋がる第４層目の配線Ｍ４とをアナログブロック内の最上層配線である第５層目の配線２５によって結線する。 - 特許庁

The fourth semiconductor layer 6 is provided so as to have a gap in a portion thereof on the third semiconductor layer 5, and has a forbidden band width equal to or larger than the forbidden band width of the second semiconductor layer 4.例文帳に追加

第４半導体層６は、第３半導体層５の上において一部に隙間を有して設けられ、第２半導体層４の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。 - 特許庁

(f) A fourth group III nitride semiconductor layer 35 having a second conductive reverse to the first conductive layer is formed on the third group III nitride semiconductor layer 41.例文帳に追加

（ｆ）第３の３族窒化物半導体層４１上に、第１導電型とは逆導電型の第２導電型を有する第４の３族窒化物半導体層３５を形成する。 - 特許庁

Information is reproduced by heating the medium by irradiation with light beams to a temp. higher than the temp. at which the magnetostatic coupling occurs between the fourth layer 4 and the first magnetic layer 1.例文帳に追加

情報の再生は、光ビーム照射により第４磁性層４が第１磁性層１に静磁結合する温度以上に加熱して行なう。 - 特許庁

A fourth insulating film 1208 and a barrier wall layer 1209 formed on the upper layer side of the organic light emitting element 1202 are formed from the same inorganic insulating film.例文帳に追加

有機発光素子１２０２の上層側に形成する第４絶縁膜１２０８、隔壁層１２０９も同様の無機絶縁膜を用いて形成する。 - 特許庁

The connection layer 5 is coupled to the fourth gate 3 and sixth gate 3, and at least its lower part is embedded in a recessed part 41 that is provided in the element isolation layer 21.例文帳に追加

接続層５は、第４ゲート３と第６ゲート３とに結合し、少なくとも下部が素子分離層２１内に設けられた凹部４１に埋め込まれている。 - 特許庁

Moreover, a clad layer having a fourth refractive index higher than the third refractive index is arranged so that the anti-guide layer may be positioned between the clad and confinement layers.例文帳に追加

第三の屈折率より大きな第四の屈折率を持つクラッド層が、アンチガイド層がこのクラッド層と閉じ込め層の間にくるように配置される。 - 特許庁

The cap member 5 is formed by stacking a third silicon member 7, a second oxide insulating layer 8, and a fourth silicon member 9 from the side of joining layer 6.例文帳に追加

前記キャップ部材５は、前記接合層６側から第３シリコン部材７、第２酸化絶縁層８及び第４シリコン部材９の順に積層されている。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING THIRD LAYER DENSITY IN COATED FUEL PARTICLE FOR HIGH-TEMPERATURE GAS-COOLED REACTOR, AND METHOD OF MEASURING FOURTH LAYER DENSITY IN COATED FUEL PARTICLE FOR HIGH-TEMPERATURE GAS-COOLED REACTOR例文帳に追加

高温ガス炉用被覆燃料粒子の第三層密度測定方法、及び高温ガス炉用被覆燃料粒子の第四層密度測定方法 - 特許庁

Signal terminals 13 in a third column are ground electrodes, and connected to a ground electrode 21 formed in a fourth wiring layer 10 through inter-layer connection vias 20.例文帳に追加

三列目の信号端子１３はグランド電極で、第四配線層１０に形成されたグランド電極２１と層間接続ビア２０で接続されている。 - 特許庁

The memory strings MS are provided with: first to fourth word line conductor layers 31a-31d laminated on the substrate Ba; a memory columnar semiconductor layer 36 formed so as to penetrate the first to fourth word line conductor layers; and an electric charge accumulation layer 35b formed between the first to fourth word line conductor layers 31a-31d and the memory columnar semiconductor layer 36.例文帳に追加

メモリストリングスＭＳは、基板Ｂａに積層された第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄと、それらを貫通するように形成されたメモリ柱状半導体層３６と、第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄとメモリ柱状半導体層３６との間に形成された電荷蓄積層３５ｂとを備える。 - 特許庁

The first layer 31 has 68 to 74% of a width dimension D1 in contrast with a section width SW, and then the relation of; the width dimension of the first layer 31 > the width dimensions of the second layer 32 > the width dimensions of the third layer 33 > the width dimensions of the fourth layer 34 is established.例文帳に追加

セクション幅ＳＷ対比で、６８〜７４％の幅寸法Ｄ１を第１層３１が有し、第１層３１の幅寸法＞第２層３２の幅寸法＞第３層３３の幅寸法＞第４層３４の幅寸法の関係とされる。 - 特許庁

The upper clad layer 15b of the mesa structure part 19b includes a fourth region 151b arranged on the core layer 14b, and a fifth region 152b and a sixth region 153b arranged on the fourth region 151b in parallel.例文帳に追加

メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。 - 特許庁

The main body sections 2 of the reinforcing material 1 are buried at places separate from the wall surface of the tunnel at a distance of one fourth to three fourth of the thickness of the covering layer consisting of the cement wet-type fire-resistive spraying material.例文帳に追加

補強材１の本体部２は、トンネルの壁面から、セメント系湿式耐火吹き付け材料からなる被覆層の厚さの１／４〜３／４の距離を隔てた位置に埋設される。 - 特許庁

A magnetic substrate 100 is prepared, and a layer structure 110 of an insulation layer corresponding to first through fourth insulation layers 3, 9, 19, 29 on which a conductor pattern corresponding to first through fourth coil-like conductors is formed, and an insulation layer corresponding to fifth insulation layer 35 for protecting the conductor pattern is formed on the magnetic substrate 100.例文帳に追加

磁性基板１００を用意し、この磁性基板１００上に、第１〜４のコイル状導体に相当する導体パターンが形成された第１〜４絶縁層３，９，１９，２９に相当する絶縁層、及び導体パターンを保護する第５絶縁層３５に相当する絶縁層を積層した層構造体１１０を形成する。 - 特許庁

The selective oxidation layer 108 is provided between the position in the reflection layer 107 corresponding to the fourth-cycle node of a stationary wave distribution in an oscillation light field, and the position in the reflection layer 107 corresponding to the antinode of a stationary wave distribution adjacent to the fourth-cycle node in a direction opposite to the active layer side 105.例文帳に追加

そして、選択酸化層１０８は、発振光の電界の定在波分布の４周期目の節に対応する反射層１０７中の位置と、活性層１０５側と反対方向において、４周期目の節に隣接する定在波分布の腹に対応する反射層１０７中の位置との間に設けられる。 - 特許庁

A luminescent thyristor L includes a distribution Bragg reflection layer 81 and a semiconductor layer 60 (a structure of a p-type first semiconductor layer 82, an n-type second semiconductor layer 83, a p-type third semiconductor layer 84, and an n-type fourth semiconductor layer 85 laminated in sequence) on a p-type substrate 80.例文帳に追加

発光サイリスタＬは、ｐ型の基板８０上に、分布ブラッグ反射層８１と半導体層６０（ｐ型の第１半導体層８２、ｎ型の第２半導体層８３、ｐ型の第３半導体層８４およびｎ型の第４半導体層８５が順に積層された構造）とを備えている。 - 特許庁

Here, a p-type first layer and an n-type sixth layer on both ends as well as a p-type third layer and an n-type fourth layer in the center are provided with an electrode, with an pn layer given a light-emitting diode function while a pnpn 4-layer a thyristor function.例文帳に追加

ｐｎｐｎｐｎ６層半導体構造の発光素子を構成し、両端のｐ型第１層とｎ型第６層、および中央のｐ型第３層およびｎ型第４層に電極を設け、ｐｎ層に発光ダイオード機能を担わせ、ｐｎｐｎ４層にサイリスタ機能を担わせる。 - 特許庁

A second layer 58 to fifth layer 64 included in a laminated body 54 are formed from a material having resistance to wet-etching to a first layer 56, and the fifth layer 64 is formed from a material having resistance to each dry-etching when dry etching is applied to each of the second layer 58 to fourth layer 62.例文帳に追加

積層体５４に含まれる第２層５８〜第５層６４は、第１層５６に対するウェットエッチングに対しエッチング耐性のある材料から成り、第５層６４は、第２層５８〜第４層６２に対しドライエッチングが行われる場合、各ドライエッチングに対してエッチング耐性のある材料から成る。 - 特許庁

The subpixels include a structure in which at least a first electrode layer (first electrode 31), a first organic light-emitting layer (first organic light-emitting layer 32), an intermediate electrode layer (second electrode 33a, third electrode 35b), a second organic light-emitting layer (second organic light-emitting layer 34), and a second electrode layer (fourth electrode 41) are laminated.例文帳に追加

サブピクセルは、少なくとも第１の電極層（第１電極３１）、第１の有機発光層（第１有機発光層３２）、中間電極層（第２電極３３ａ，第３電極３５ｂ）、第２の有機発光層（第２有機発光層３４）、第２の電極層（第４電極４１）が積層された構造を含む。 - 特許庁

This polyamide multi-layer film has at least five layers, out of which a first layer and a fifth layer contain a crystalline polyamide and an amorphous polyamide; a second layer and a fourth layer contains the crystalline polyamide and a polyamide copolymer; and a third layer contains a barrier layer.例文帳に追加

少なくとも５層を有するポリアミド系多層フィルムであって、第１層及び第５層が結晶性ポリアミドと非晶性ポリアミドとを含み、第２層及び第４層が結晶性ポリアミドとポリアミド共重合体とを含み、第３層がバリア層を含むことを特徴とする耐ピンホール性に優れたポリアミド系多層フィルム及びその製造方法。 - 特許庁

A cathode electrode 36 is formed on the fourth layer 21, a gate electrode 37 is formed on the third layer 22 partially exposed by etching, and a short circuit electrode 63 connects the fourth layer 24 partially exposed by etching to the substrate 51 exposed by etching.例文帳に追加

第４層２１の上にはカソード電極３６が形成され、エッチングにより一部露出された第３層２２上にゲード電極３７が形成され、エッチングにより一部露出された第４層２４上とエッチングによって露出された基板５１との間を短絡電極６３で接続する。 - 特許庁

An embedded gate layer 15 made of a p-type group III nitride semiconductor is provided on second to fourth areas 27d to 27f.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体からなる埋め込みゲート層１５は第２〜第４のエリア２７ｄ〜２７ｆ上に設けられる。 - 特許庁

A first to a fourth connection layers 11a-11d of the connection layer 11 are formed along the four sides of an IC chip 9.例文帳に追加

接続層１１の第１〜第４接続層１１ａ〜１１ｄを、ＩＣチップ９の４側面に沿って形成する。 - 特許庁