「fourth layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The fourth semiconductor layer 20 is etched into a mesa shape for a gate electrode 24, and has an end (etching surface) ED creating a stepped portion S against the third p-type semiconductor layer 18.例文帳に追加

第４の半導体層２０は、ゲート電極２４のためにメサ状にエッチングされ、第３の半導体層１８との間に段差部Ｓを生じさせる端部（エッチング面）ＥＤを有する。 - 特許庁

The nitride-based dielectric layers (a first dielectric layer 12 and a fourth dielectric layer 16) are formed under the condition satisfying β/θ≥1.5 where the erosion length of a target is defined as α (unit: mm) and the sputter power as β (unit: W).例文帳に追加

ターゲットのエロージョン長さをα（ｍｍ）、スパッタパワーをβ（Ｗ）とした時、β／α≧１．５を満たす条件下で窒化物を主成分とする誘電体層を成膜する。 - 特許庁

The cellulose acylate film 60 is formed so as to have a multi-layer structure and the average substitution degree of the acyl group of a third layer 63 is set to 0.5-2.8 and lower than the value of the average substitution degree of the acyl group of each of second and fourth layers 62, 64.例文帳に追加

セルロースアシレートフィルム６０を複層構造とし、第３層６３の平均アシル基置換度を第２及び第４層６２，６４よりも低い０．５以上２．８以下とする。 - 特許庁

In a second layer to a fourth layer, respective holes 23 are disposed on six vertices and equally-divided positions on each side, that is, at positions having six-fold rotational symmetry.例文帳に追加

第２層〜第４層では、各空孔２３は、正六角形の６個の頂点および各辺の等分位置に、すなわち、６回の回転対称性を有する位置に設けられている。 - 特許庁

(g) An electrode 36 electrically connected to the first group III nitride semiconductor layer 33, and an electrode 37 electrically connected to the fourth group III nitride semiconductor layer, are formed.例文帳に追加

（ｇ）第１の３族窒化物半導体層３３に電気的に接続される電極３６、及び、第４の３族窒化物半導体層に電気的に接続される電極３７を形成する。 - 特許庁

The second source/drain region includes a third n-type impurity layer having an impurity concentration lower and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer, and a fourth n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth deeper than those of the third n-type impurity layer.例文帳に追加

さらに、第２のソース・ドレイン領域が、第１のｎ型不純物層よりも不純物濃度が低く深さの浅い第３のｎ型不純物層と、第３のｎ型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの深い第４のｎ型不純物層を備える。 - 特許庁

The light-emitting element array is a surface light emitting element of a thyristor structure including a p-type semiconductor substrate, a first p-type semiconductor layer 14, a second n-type semiconductor layer 16, a third p-type semiconductor layer 18, and a fourth n-type semiconductor layer 20.例文帳に追加

発光素子アレイは、ｐ型の半導体基板と、第１のｐ型の半導体層１４と、第２のｎ型の半導体層１６と、第３のｐ型の半導体層１８と、第４のｎ型の半導体層２０とを有する、サイリスタ構造の面発光素子である。 - 特許庁

Total thickness X of a fourth upper cladding layer 26 and a second contact layer 27 of the second semiconductor laser 29 is set smaller than the total thickness Y of a second upper cladding layer 16 and a first contact layer 17 of the first semiconductor laser 19.例文帳に追加

第２の半導体レーザ２９の第４の上クラッド層２６と第２のコンタクト層２７を合わせた膜厚Ｘが第１の半導体レーザ１９の第２の上クラッド層１６と第１のコンタクト層１７を合わせた膜厚Ｙよりも薄くなるようにする。 - 特許庁

A storage part M of a DB server 1 includes a first layer DB3, a second layer DB 5, a third layer DB 7, a fourth layer DB 9, a status point master DB 10, a flow point master DB 11, a warehouse master DB 12, an assets source master DB 13 and an exchange rate DB 14.例文帳に追加

ＤＢサーバ１の記憶部Ｍは、１層ＤＢ３、２層ＤＢ５、３層ＤＢ７、４層ＤＢ９、ステータスポイントマスタＤＢ１０、フローポイントマスタＤＢ１１、倉庫マスタＤＢ１２、資産元マスタＤＢ１３および為替レートＤＢ１４を含んで構成される。 - 特許庁

A fourth planar metal layer 130-4 includes the first, second, and third contact portions, that are electrically isolated from each other and which are connected to the second planar metal layer, the first planar metal layer, and the third planar metal layer, respectively.例文帳に追加

第４平面状金属層１３０−４は、互いに電気的に絶縁され、第２平面状金属層、第１平面状金属層、および第３平面状金属層それぞれに接続された第１、第２および第３の複数の接触部を含んでいる。 - 特許庁

This semiconductor photodiode device includes a semiconductor substrate, the first conductive type first semiconductor layer formed on the semiconductor substrate, the second semiconductor layer of high resistance formed on the first semiconductor layer, the first conductive type third semiconductor layer formed on the second semiconductor layer, and the second conductive type fourth semiconductor layer embedded in the second semiconductor layer, and the fourth semiconductor layer is separated by a fixed distance along a horizontal direction on a surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板と、該半導体基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層上に形成された高抵抗の第２の半導体層と、該第２の半導体層上に形成された第１導電型の第３の半導体層と、前記第２の半導体層中に埋め込まれた第２導電型の第４の半導体層からなり、前記第４の半導体層は、前記半導体基板の表面に水平方向に一定間隔で分離されていることを特徴とする半導体受光装置。 - 特許庁

An angle A1 of a cord 35 comprising a first layer 31 in crossing belt layers 30 is 10°≥A1>0° and an angle An of a cord 36 comprising respectively from a second layer 32 to a fourth layer 34 is 30°>An≥15°.例文帳に追加

交錯ベルト層３０の第１層３１を構成するコード３６の角度Ａ１が、１０°≧Ａ１＞０°とされ、第２層３２から第４層３４までをそれぞれ構成するコード３６の角度Ａｎが３０°＞Ａｎ≧１５°とされる。 - 特許庁

The fourth magnetic layer 4 consists of a perpendicular magnetization film having aligned magnetization direction and can form a region having aligned magnetization direction in the first magnetic layer by magnetostatic coupling with the first magnetic layer at a specified or higher temp.例文帳に追加

第４磁性層４は、磁化方向が揃った垂直磁化膜であり、且つ、所定温度以上において、前記第１磁性層１と静磁結合することにより、前記第１磁性層内に磁化方向が揃った領域を形成する。 - 特許庁

A covering part 8 to cover a nose and a mouth includes a nonwoven fabric sheet on a first layer, a filter paper sheet on a second and third layer, and the nonwoven fabric sheet on a fourth and fifth layer, which are layered in order from an ambient air side to a face side in its width direction.例文帳に追加

鼻と口を覆う覆い面部８は、外気側から顔面側の厚さ方向に、第１層に不織布シート、第２層及び第３層に濾紙シート、第４層及び第５層に不織布シートを順次積層している。 - 特許庁

The third semiconductor layer 3 has a carrier-lifetime reducing region that is adjacent to the bottom surface of the fourth semiconductor layer 4, is spaced apart from the second semiconductor layer 2, and is processed so that the carrier lifetime becomes shorter.例文帳に追加

第３の半導体層３は、第４の半導体層４の底面と隣接し、第２の半導体層２とは離間し、キャリアライフタイムが短くなるように処理されたキャリアライフタイム低減領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the structure of Fig.6(B), a via contact part is formed on the third metal layer M3 of the metal laminate on the left end of the polysilicon layer PL with the power source line 9 composed of the fourth metal layer and formed in contact with the via contact thereon.例文帳に追加

図６（Ｂ）の構造において、ポリシリコン層ＰＬの左端上のメタル積層部の第３メタル層Ｍ３上にビアコンタクト部が形成され、その上に第４メタル層からなる電源線９がビアコンタクト部に接して形成される。 - 特許庁

Then, a second laminate ST2 in which at least a first conductive type third cladding layer 37, a second active layer 38, and a second conductive type fourth cladding layer 39 are laminated is formed on the substrate 30 by the epitaxial growth method.例文帳に追加

次に、基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第３クラッド層３７、第２活性層３８および第２導電型第４クラッド層３９を積層させた第２積層体ＳＴ２を形成する。 - 特許庁

Similarly, a third alloy layer 3c, a fourth alloy layer 3d, and a fifth alloy layer 3e are laminated to form the Au-Sn alloy laminate solder 3 of the thickness d consisting of fiver thin film alloy layers (d1+d2+d3+d4+d5).例文帳に追加

以下同様にして順番に第３次合金層３ｃ、第４次合金層３ｄ及び第５次合金層３ｅを積層して５層（ｄ１＋ｄ２＋ｄ３＋ｄ４＋ｄ５）の薄膜合金層から成る厚さｄのＡｕ−Ｓｎ合金積層ハンダ３を形成する。 - 特許庁

A coating formed by successively laminating a first layer 25 formed of a chromium single layer, a second layer 26 formed of an alloy layer of chromium and tungsten carbide, a third layer 27 formed of an amorphous carbon layer containing metal containing at least one of tungsten and tungsten carbide and a fourth layer 28 formed of an amorphous carbon layer not containing metal and containing carbon and hydrogen, is formed on a surface of the base material 24.例文帳に追加

基材２４の表面に、クロムの単一層からなる第１の層２５、クロムとタングステンカーバイトとの合金層からなる第２の層２６、タングステン及びタングステンカーバイトの少なくとも一方を含有した金属含有アモルファス炭素層からなる第３の層２７、金属を含有せず炭素と水素とを含むアモルファス炭素層からなる第４の層２８を順に積層した皮膜が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor element part 10 has an auxiliary capacitor 12, 13 formed on a substrate 11, a first insulating layer 15, a semiconductor layer 16, a gate insulating layer 17, a gate electrode 18, a second insulating layer 19, first light shielding layer 21a, 21b, third insulating layer 22, source electrode 24a and drain electrode 24b, fourth insulating layer 27, and pixel electrode 29.例文帳に追加

半導体素子部１０は、基板１１上に形成された補助容量１２、１４と、第１絶縁層１５と、半導体層１６と、ゲート絶縁層１７と、ゲート電極１８と、第２絶縁層１９と、第１遮光層２１ａ、２１ｂと、第３絶縁層２２と、ソース電極２４ａおよびドレイン電極２４ｂと、第４絶縁層２７と、画素電極２９とを備える。 - 特許庁

A first layer 211 for emitting light corresponding to the intensity of entering radiation, a second layer 212 for converting light outputted from the first layer 211 into electric energy, and a third layer 213 for outputting a signal based on accumulation of the electric energy acquired by the second layer 212 and the accumulated electric energy are formed on a fourth layer 214.例文帳に追加

入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層２１１と、第１層２１１から出力された光を電気エネルギーに変換する第２層２１２と、第２層２１２で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号を出力する第３層２１３を第４層２１４上に形成する。 - 特許庁

In a fourth processing step, coatings 29, 31 covering the initial surface pattern are applied, especially by a sputtering method, preferably as an alternating layer system.例文帳に追加

第４処理ステップにて、初期表面パターンを覆うコーティング２９、３１を、好ましくは交代層システムとして、特にスパッタリング法で適用。 - 特許庁

The length in the lamination direction of the floating electrode layer 34ba is shorter than the length in the lamination direction of each of the first to fourth conductive layers 31a-31d.例文帳に追加

浮遊電極層３４ｂａの積層方向の長さは、第１〜第４導電層３１ａ〜３１ｄの積層方向の長さよりも短い。 - 特許庁

Over the first, second, and third dopant layers in the second conductive area, a fourth dopant layer of the second conductive type is formed.例文帳に追加

第２導電型領域における、第１、第２及び第３の不純物層上方に、第２導電型の第４不純物層を形成する。 - 特許庁

On a second piezoelectric substrate, a third groove is provided on an upper surface, a polished part is provided at an edge, and an electrode layer is formed while being separated into a third electrode and a fourth electrode.例文帳に追加

第２圧電基板には、上面に第３溝，エッジに研磨部を設けて、第３電極，第４電極に分離して形成する。 - 特許庁

The magnetic layer is located on the third surface or the fourth surface of the wings of the second tape body and includes a magnetic material.例文帳に追加

吸着層は、前記第２テープ体翼部の第３表面および第４表面の両者のうちいずれかに設け、磁性物質を含む。 - 特許庁

In a fourth range W4 included in the second range, a scattering part 13A for scattering light is provided to the first coating layer 13.例文帳に追加

第２範囲に含まれる第４範囲Ｗ４において、光を散乱させる散乱部１３Ａが第１被覆層１３に設けられている。 - 特許庁

A portion to receive the sheet-shaped cake group of the fourth belt conveyor 14 is moved up and down stepwise in response to the stacked layer number of the cake groups.例文帳に追加

第４のベルトコンベヤ１４のシート状菓子類を受け取る部分を、前記菓子類の積層枚数に応じて段階的に昇降させる。 - 特許庁

The fourth organic light-emitting layer 437 is formed on the first sub-pixel area, the second sub-pixel area, and the third sub-pixel area.例文帳に追加

第４の有機発光層４３７は、第１のサブ画素領域、第２のサブ画素領域及び第３のサブ画素領域上に配置される。 - 特許庁

A second internal electrode 31 included in the first electrode layer 20 is electrically connected to third and fourth terminal electrodes 3 and 4.例文帳に追加

第１の電極層２０に含まれる第２の内部電極３１は、第３及び第４の端子電極３、４と電気的に接続される。 - 特許庁

A fourth internal electrode 32 included in the second electrode layer 30 is electrically connected to seventh and eighth terminal electrodes 7 and 8.例文帳に追加

第２の電極層３０に含まれる第４の内部電極３２は、第７及び第８の端子電極７、８と電気的に接続される。 - 特許庁

In more detail, the plurality of the layers 3 and 3 are composed of a first layer 3a showing watermelon seeds, a second layer 3b showing fresh sarcocarp, a third layer 3c showing pericarp, a fourth layer 3d showing a part between the fresh sarcocarp 3b and the pericarp 3c, and a fifth layer 3e surrounding the periphery of the watermelon design.例文帳に追加

すなわち、前記複数の層３、３は、スイカの種を表わす第１の層３ａと、果肉を表わす第２の層３ｂと、皮を表わす第３の層３ｃと、果肉３ｂと皮３ｃとの間の部分を表わす第４の層３ｄと、スイカの絵柄の周囲を取巻く第５の層３ｅとから構成されている。 - 特許庁

A first diffusion layer 25 having N type conductivity, a second diffusion layer 26 having P^+ type conductivity, a third diffusion layer 8 having N type conductivity, and a fourth diffusion layer 10 having P^+ type conductivity are formed from the surface of the epitaxial layer 7 down to a specified depth.例文帳に追加

エピタキシャル層７の表面から一定の深さにかけて、導電型がＮ型である複数の第１拡散層２５、導電型がＰ^＋型である複数の第２拡散層２６、導電型がＮ型である第３拡散層８、および導電型がＰ^＋型である第４拡散層１１が形成されている。 - 特許庁

The light emitting element has at least electrode layers 2 and 6, a light emitting layer 5, and a p-type semiconductor layer 3 on a substrate 1, and is characterized in having an intermediate layer 4, containing at least one kind of element selected from the fourth to fifth groups of the periodic table, between the light emitting layer 5 and p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

基板１上に、少なくとも電極層２，６と、発光層５と、ｐ型半導体層３を有し、発光層５とｐ型半導体層３との間に、周期律表の第４族〜第６族から選ばれる少なくとも１種の元素を含有する中間層４を有することを特徴とする。 - 特許庁

The memory strings MS include: a columnar layer 36 extended in a lamination direction; a memory gate insulating layer 35 that is formed on the side of the columnar layer 36 and functions as the resistance change element R; and first to fourth source line conductive layers 33a-33d formed via the memory gate insulating layer 35, while surrounding the columnar layer 36.例文帳に追加

メモリストリングＭＳは、積層方向に伸びる柱状層３６と、柱状層３６の側面に形成され且つ抵抗変化素子Ｒとして機能するメモリゲート絶縁層３５と、メモリゲート絶縁層３５を介して柱状層３６を取り囲むように形成された第１〜第４ソース線導電層３３ａ〜３３ｄとを備える。 - 特許庁

The second internal electrode layer 26 has a third internal electrode 28 extending to be led out to the first and second side faces 4 and 6, and a fourth internal electrode 30 extending to be led out to the fourth side face 10.例文帳に追加

第２の内部電極層２６は、第１及び第２の側面４、６に引き出されるように伸びる第３の内部電極２８と、第４の側面１０に引き出されるように伸びる第４の内部電極３０とを有する。 - 特許庁

A third and fourth seal segments are connected along their respective peripheral edges to form a second seal layer having a seam defined by the seam edge of the third seal segment and the seam edge of the fourth seal segment.例文帳に追加

第３および第４シールセグメントが各々の外側の周縁エッジに沿って結合され、第３シールセグメントの継ぎ目エッジおよび第４シールセグメントの継ぎ目エッジによって画定された継ぎ目を備えた第２シール層を形成する。 - 特許庁

Thereafter, wiring grooves 110 are formed in the fourth insulating film 106, and the connection holes 111 are formed between the wiring grooves 110 and lower-layer wiring 103 by selectively etching the fourth insulating film 106.例文帳に追加

その後、再び第４絶縁膜１０６を選択的にエッチングすることにより、第４絶縁膜１０６に配線溝１１０を形成し、かつこの配線溝１１０と下層配線１０３との間を貫通する接続孔１１１を形成する。 - 特許庁

The third and fourth internal electrodes 21 and 25 and intermediate internal electrode 30 are disposed with an insulator layer 9 therebetween so as to form a plurality of electrostatic capacity components between the third and fourth internal electrodes 21 and 25.例文帳に追加

第３及び第４の内部電極２１，２５並びに中間内部電極３０は、第３及び第４の内部電極２１，２５の間に複数の静電容量成分が形成されるように、絶縁体層９を挟んで配置されている。 - 特許庁

Second conductor wires 111-116 are positioned on a plane opposite to a plane whereon a first insulating layer 101 and a second insulating layer 102 come close to each other and to a plane of a fourth insulating layer 104 that comes close to a third insulating layer 103.例文帳に追加

第２の導体配線１１１〜１１６は、第１番目の絶縁層１０１と第２番目の絶縁層１０２とが隣接する面、及び、第４番目の絶縁層１０４の面であって、第３番目の絶縁層１０３と隣接する面とは反対側の面に位置している。 - 特許庁

In the metal layer M4 of fourth layer, a metal region at a site superposed while opposing to the GND pattern G3 of metal layer M3 of the third layer is removed to make an opening, and this opening is filled with glass epoxy resin or the like to form a dielectric region D4.例文帳に追加

第４層の金属層Ｍ4では、第３層の金属層Ｍ3のＧＮＤパターンＧ3と相対向して重合する部位の金属領域が除去されて、開口部とされ、この開口部には、ガラスエポキシ樹脂等が充填されて誘電体領域Ｄ4が形成されている。 - 特許庁

Thus, a shot key barrier electrode 13 is formed of the first metallic layer 19 made of the Pd silicide, the second metallic layer 20 made of the Ti silicide, the fourth metallic layer 22 made of the Ti, Al, and Si, and the third metallic layer 21 made of the Al.例文帳に追加

このようにして、Ｐｄシリサイドからなる第１金属層１９と、Ｔｉシリサイドからなる第２金属層２０と、ＴｉとＡｌとＳｉとからなる第４金属層２２と、Ａｌからなる第３金属層２１と、から構成されたショットキバリア電極１３を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a multilayer substrate, a first wiring layer 18A and a second wiring layer 18B are formed on both main surfaces of a first insulating film 12A in internal layers, and a third wiring layer 18C and a fourth wiring layer 18D in external layers are formed to cover the wiring layers in the internal layers.例文帳に追加

本形態の多層基板の製造方法では、内層の第１絶縁膜１２Ａの両主面に第１配線層１８Ａおよび第２配線層１８Ｂを形成し、更に、内層の配線層を被う外層の第３配線層１８Ｃおよび第４配線層１８Ｄを形成している。 - 特許庁

A semiconductor device in an embodiment comprises: in sequence, a first electrode 13; a first semiconductor layer 1 of a first conductivity type; a second semiconductor layer 2 of a first conductivity type; a third semiconductor layer 3 of a second conductivity type; and a fourth semiconductor layer 4 of a first conductivity type.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１の電極１３、第１導電形の第１の半導体層１、第１導電形の第２の半導体層２、第２導電形の第３の半導体層３、第１導電形の第４の半導体層４を順に備える。 - 特許庁

A reactive surface relief type hologram film 1a of a first layer is used as a base, and a multiple thin laminated film 2a×N of a second layer and a printed pattern 3a of a third layer are laminated on a hologram film, and an emboss transparent film or plate 4a of a fourth layer is laminated thereon to form a laminated structure.例文帳に追加

第１層の反射表面レリーフ型ホログラムフィルム（１ａ）を基材とし、その上に第２層の多重薄膜積層フィルム（２ａ×Ｎ）と、第３層の印刷パターン（３ａ）を重ね、さらに第４層のエンボス透明フィルム又はプレート（４ａ）を重ねた積層構造にしたことを特徴とする。 - 特許庁