「fourth layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A light-emitting element array is configured by forming a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer sequentially on a semi-insulating substrate, forming an anode electrode on the first semiconductor layer, and forming a cathode electrode on the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層上にカソード電極が形成されて構成される。 - 特許庁

The second magnetization fixation layer includes a third and a fourth magnetic layers which are separated by a second non-magnetic material layer 154.例文帳に追加

第２磁化固定層は第２非磁性体層１５４により分離された第３磁性体層及び第４磁性体層を含む。 - 特許庁

The whole drain-side gate conductive layer 42 is formed in a region 90 directly over the fourth word line conductive layer 32d.例文帳に追加

ドレイン側ゲート導電層４２の全体は、第４ワード線導電層３２ｄの直上の領域９０に形成されている。 - 特許庁

Nothing is drawn on the third layer 43, and a NEXT button 22 and an INFO button 23 are drawn on the fourth layer 44.例文帳に追加

第３レイヤ４３には、何も描画せず、第４レイヤ４４には、ＮＥＸＴボタン２２およびＩＮＦＯボタン２３を描画する。 - 特許庁

The first electrode 10 is provided above the portion of the third semiconductor layer 5, where the fourth semiconductor layer 6 is not provided.例文帳に追加

第１電極１０は、第３半導体層５の上において第４半導体層６が設けられていない部分に設けられる。 - 特許庁

The insulating layer 12 is formed so that it may be projected rather than the first to fourth connection layers 11a-11d, and cover-lay layer 13.例文帳に追加

絶縁層１２は、第１〜第４接続層１１ａ〜１１ｄ及びカバーレイ層１３よりも突出して形成されている。 - 特許庁

In a fourth layer, a bit line, a bit line/, a VSS wiring and the VDD wiring (all are not shown in the drawing) are provided.例文帳に追加

第４層には、図示しないビット線、ビット線／、Ｖ_SS配線、Ｖ_DD配線が配置されている。 - 特許庁

Then, in a fourth process (Fig. 2(e)), the pattern of a conductor layer 13 is formed by printing.例文帳に追加

次に，第四の工程（図２（ｅ））として，印刷により導体層１３のパターン形成するする。 - 特許庁

Since the fourth semiconductor layer 11 is prepared, the current which flows at the time of dark can be reduced.例文帳に追加

第４の半導体層１１が設けられていることで、暗時に流れる電流を低減できる。 - 特許庁

The fourth layer 15 includes a third portion 15n located on the first portion 2 and a fourth portion 15p located on the second portion 16.例文帳に追加

第４の層１５は、第１の部分２の上に位置する第３の部分１５ｎと、第２の部分１６の上に位置する第４の部分１５ｐとを含む。 - 特許庁

The second alignment layer 22A includes a fourth inorganic layer 222A, which is disposed in the liquid crystal layer 50 side of a third inorganic layer 221A and in contact with the liquid crystal layer 50 and has a columnar structure with an orientation angle different from that of the third inorganic layer 221A.例文帳に追加

第２の配向膜２２Ａは、第３の無機層２２１Ａの液晶層５０側に液晶層５０と当接して配置されて第３の無機層２２１Ａと柱状構造の方位角が異なる第４の無機層２２２Ａを有する。 - 特許庁

The first variable resistance layer 120 includes a first metal oxide layer 102 and a second metal oxide layer 103, and the second variable resistance layer 130 includes a third metal oxide layer 105 and a fourth metal oxide layer 106.例文帳に追加

第１抵抗変化層１２０は、第１金属酸化物層１０２および第２金属酸化物層１０３を備え、第２抵抗変化層１３０は、第３金属酸化物層１０５および第４金属酸化物層１０６を備える。 - 特許庁

The elapsed image is created by using first layer meshes 61x and 61y, second layer meshes 62x and 62y, third layer meshes 63x and 63y and fourth layer meshes 64x and 64y.例文帳に追加

経過画像は、第１層メッシュ６１ｘ、６１ｙと、第２層メッシュ６２ｘ、６２ｙと、第３層メッシュ６３ｘ、６３ｙ、第４層メッシュ６４ｘ、６４ｙを用いて作成する。 - 特許庁

Level differences corresponding to an insulating layer 30 and the wiring layer 31 are formed in a fourth insulating layer 33 covering the third wiring layer 31 and a passivation film 35.例文帳に追加

３層目の配線層３１上を被覆する第４の絶縁層３３及びパッシベーション膜３５にも、第３の絶縁層３０及び配線層３１に対応する段差が形成される。 - 特許庁

The surface density of the first layer and the fourth layer sound absorbing blanks 101 and 104 is 500 g/m2 and the surface density of the second layer and the third layer sound absorbing blanks 102 and 103 is 800 g/m2.例文帳に追加

第１層および第４層吸音素材１０１、１０４の面密度は５００ｇ／ｍ^2、第２層および第３層吸音素材１０２、１０３の面密度は８００ｇ／ｍ^2である。 - 特許庁

The thickness of the first layer is 0.1 to 0.5 mm, the thickness of the second layer is 0.2 to 0.5 mm, the thickness of the third layer is 3.0 to 5.0 mm, and the thickness of the fourth layer is 0.5 to 1.0 mm.例文帳に追加

第１層〜第４層の層厚は、それぞれ第１層：０．１〜０．５ｍｍ、第２層：０．２〜０．５ｍｍ、第３層：３．０〜５．０ｍｍ、第４層：０．５〜１．０ｍｍであるとよい。 - 特許庁

The antireflection film 10 is constituted of a four-layered structure which consists of, in order from a substrate 11 side, thin films of a first layer 12, a second layer 13, a third layer 14, and a fourth layer 15.例文帳に追加

反射防止膜１０は、４層構造で構成されており、基板１１側から順に第１層１２、第２層１３、第３層１４、第４層１５の薄膜が積層されている。 - 特許庁

The first reflection layer 3 has a layer essentially comprising titanium oxide, the second reflection layer 5 has a layer essentially comprising titanium oxide, the third reflection layer 7 has an alloy layer essentially comprising silver, and the fourth reflection layer 9 has an alloy layer essentially comprising aluminum.例文帳に追加

第１の反射層３は酸化チタンを主成分とする層を有し、第２の反射層５は酸化チタンを主成分とする層を有し、第３の反射層７は銀を主成分とする合金からなる層を有し、第４の反射層９はアルミニウムを主成分とする合金からなる層を有する。 - 特許庁

The composite film is formed of a first layer being an inner protective layer made of a thermoplastic resin material, a second layer of a metal foil layer, a third layer being an inner layer made of a thermoplastic resin material, and a fourth layer being an outer protective layer made of a thermosetting resin material.例文帳に追加

複合フイルムは、内面側から一層目の熱可塑性樹脂材料からなる内部保護層と、二層目の金属箔層と、三層目の熱可塑性樹脂材料からなる内部層と、四層目の熱硬化性樹脂材料からなる外部保護層とで形成されている。 - 特許庁

The humidifying module 10 includes a first porous body 74a to a fourth porous body 74d partitioning the inside of a cylindrical casing 70 into a first hollow fiber membrane layer 76a to a fourth hollow fiber membrane layer 76d.例文帳に追加

加湿用モジュール１０は、筒状ケーシング７０内を第１中空糸膜層７６ａ〜第４中空糸膜層７６ｄに仕切る第１多孔体７４ａ〜第４多孔体７４ｄを備える。 - 特許庁

The thermal treatment is carried out in order to make the Pd layer on the Ti layer disappear so that a shot barrier electrode 13 where the fourth metallic layer 22 and the third metallic layer (Al layer) 21 including the Pd are successively laminated can be formed on the second metallic layer (Ti silicide layer) 20.例文帳に追加

熱処理は、Ｔｉ層上のＰｄ層が消失するように行い、これにより、第２金属層（Ｔｉシリサイド層）２０上に、第４金属層２２と、Ｐｄを含む第３金属層（Ａｌ層）２１と、が順に積層されたショットキバリア電極１３を得る。 - 特許庁

The second double-hetero structure contains an AlGaInP-based MQW active layer 12 and a p-type AlGaInP fourth clad layer 13.例文帳に追加

第２のダブルへテロ構造は、ＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第４クラッド層１３を有する。 - 特許庁

A plurality of hollow fiber membranes 78 are enclosed in each of the first hollow fiber membrane layer 76a to the fourth hollow fiber membrane layer 76a.例文帳に追加

第１中空糸膜層７６ａ〜第４中空糸膜層７６ｄには、それぞれ複数の中空糸膜７８が収納される。 - 特許庁

Then, a fourth epitaxial layer to serve as a (p) base region is deposited as a top-side element structure on a surface of the third epitaxial layer.例文帳に追加

ついで、第３エピタキシャル層の表面に、おもて面素子構造として、ｐベース領域となる第４エピタキシャル層を堆積する。 - 特許庁

Next, in the fourth step, a second insulating resin layer 5 is arranged covering the first insulating resin layer 4 arranged in the third step.例文帳に追加

次に、第４の工程では、第３の工程で覆設された第１絶縁樹脂層４上に第２絶縁樹脂層５が覆設される。 - 特許庁

The first layer to the fourth layer sound absorbing blanks 101 to 104 are respectively fiber laminated moldings and their thicknesses are 10 mm, respectively.例文帳に追加

第１層〜第４層吸音素材１０１〜１０４のそれぞれは繊維積層成形体であり、厚さはそれぞれ１０ｍｍである。 - 特許庁

This allows the light-emitting wavelengths of the first well layer 21 to the fourth well layer 24 constituting the MQW 14 to conform to one another.例文帳に追加

これにより、ＭＱＷ１４を構成する第１井戸層２１〜第４井戸層２４の各発光波長が互いに合致することになる。 - 特許庁

A conductive layer for shielding, i.e. a fifth Al layer 38, is formed on the fourth Al interconnect line 35 through an interlayer insulating film 36.例文帳に追加

第４Ａｌ配線３５上に層間絶縁膜３６を介してシールド用の導電層である第５Ａｌ層３８を形成する。 - 特許庁

After the third process, the n^- epitaxial layer 2 is annealed at a temperature of 1,200°C or more and a melting point of the n^- epitaxial layer 2 or less (the fourth process).例文帳に追加

第３工程後、１２００℃以上ｎ^-エピタキシャル層２の融点以下の温度でｎ^-エピタキシャル層２をアニールする（第４工程）。 - 特許庁

A measuring wire 2 is connected to the third layer by a though hole 5, returned to the inside corresponding to the length portion of the measuring wire 2 on the third layer, and connected to the fourth layer.例文帳に追加

測定配線２はスルーホール５により第３層に接続され、第３層で測定配線２の長さ分だけ内側へ戻され第４層に接続される。 - 特許庁

The power semiconductor device has a first main electrode connected to the first semiconductor layer and a second main electrode connected to the fourth semiconductor layer and the fifth semiconductor layer.例文帳に追加

前記第１半導体層に接続された第１主電極と、前記第４半導体層と前記第５半導体層とに接続された第２主電極と、を備える。 - 特許庁

A fourth source-drain diffusion layer 22B is electrically connected to a second diffusion layer 27 and has the same potential as that of the second well 52 and that of the second diffusion layer 27.例文帳に追加

第４のソース・ドレイン拡散層２２Ｂは、第２の拡散層２７と電気的に接続され且つ第２のウェル５２及び第２の拡散層２７と同電位である。 - 特許庁

The fourth layer 15 is 1,460±0.200 in refractive index (n4), and 88.4 nm in film thickness (d4).例文帳に追加

第４層１５は、屈折率（ｎ４）が１．４６０±０．２００であり、膜厚（ｄ４）が８８．４ｎｍである。 - 特許庁

Further, a ground conductor is arranged in the fourth layer L4, the high-frequency circuit of the microstrip circuit is formed.例文帳に追加

さらに第４層Ｌ４にグランド導体を配置し、マイクロストリップ回路の高周波回路を形成する。 - 特許庁

The second and fourth plus split electrodes 52B, 54B are connected outside the plus electrode layer 5.例文帳に追加

第２及び第４プラス分割電極５２Ｂ，５４Ｂは、プラス電極層５の外部で接続されている。 - 特許庁

The second and fourth minus split electrodes 62B, 64B are connected outside the minus electrode layer 6.例文帳に追加

第２及び第４マイナス分割電極６２Ｂ，６４Ｂは、マイナス電極層６の外部で接続されている。 - 特許庁

The third semiconductor layer 5c has a photodiode composed of the second semiconductor region 3 and fourth semiconductor regions 8a and 8b.例文帳に追加

第３の半導体層5cは、第２及び第４の半導体領域3、8a、8bからなるフォトダイオードを有する。 - 特許庁

Fourth, the entire is made low resistance because the electrode layer 3 contains metal or alloy.例文帳に追加

第４に、電極層３が金属または合金を含んで構成されているため、全体が低抵抗化する。 - 特許庁

Each of the capacitors 26, 28 comprises second and fourth electrodes and a dielectric layer.例文帳に追加

キャパシタ２６，２８は、それぞれ第２および第４の電極と誘電体層とによって構成されている。 - 特許庁

The liquid crystal molecules included in a cholesteric liquid crystal layer 20 are partially fixed in a fourth process S4.例文帳に追加

第４工程Ｓ４では、コレステリック液晶層２０に含まれる液晶分子を一部固定化する。 - 特許庁

In a fourth embodiment, a single P-layer with changed composition and dopant concentration is formed.例文帳に追加

第４実施形態では、組成およびドーパントの濃度を変化させた単一のＰ型層が形成される。 - 特許庁

Forward ends 78a and 88a of the joint side ends extending from the first layer conductor and the second layer conductor spaced apart by a third pitch are bonded to each other, and forward ends 88b and 78b extending from the third layer conductor and the fourth layer conductor spaced apart by a fourth pitch are bonded to each other.例文帳に追加

第３ピッチ離れた第１層導体及び第２層導体から延びた接合側端部の先端同士７８ａ，８８ａが接合され、第４ピッチ離れた第３層導体及び第４層導体から延びた先端同士８８ｂ、７８ｂが接合されている。 - 特許庁

In the second cycle, a monolayer of a second silicon oxide layer is formed on the upper first silicon nitride layer of the hole, and then, a monolayer of a fourth silicon layer is formed on the lower first silicon nitride layer of the hole.例文帳に追加

第２サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に１分子層の第２の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第１の窒化シリコン層上に１原子層の第４のシリコン層を形成する。 - 特許庁

The ratio of the thickness of the second inorganic layer 162A to the thickness of the first inorganic layer 161A is different from the ratio of the thickness of the fourth inorganic layer 222A to the thickness of the third inorganic layer 221A.例文帳に追加

第１の無機層１６１Ａの厚みに対する第２の無機層１６２Ａの厚みの比率が、第３の無機層２２１Ａの厚みに対する第４の無機層２２２Ａの厚みの比率と、異なっている。 - 特許庁

The second diffusion layer 26 is formed in the first diffusion layer 25 wherein the first and second diffusion layers 25 and 26, the third diffusion layer 8 and the fourth diffusion layer 10 are spaced apart from each other.例文帳に追加

第２拡散層２６は第１拡散層２５中に形成されており、第１および第２拡散層２５，２６、第３拡散層８、および第４拡散層１０は、互いに離隔して形成されている。 - 特許庁