「gettering effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing an annealed wafer improved in a gettering effect to Cu.例文帳に追加

Ｃｕに対するゲッタリング効果を向上してなるアニールウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method of manufacturing the same capable of easily manufacturing an epitaxial wafer with a gettering layer contacting an epitaxial film, and providing a high gettering effect.例文帳に追加

エピタキシャル膜にゲッタリング層が接したエピタキシャルウェーハを容易に作製することができ、高いゲッタリング効果が得られるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suitable for mass production, without having to increase crystal defects and which is capable of carrying out gettering with better gettering effect.例文帳に追加

結晶欠陥を増大させること無く量産に適し、且つ、ゲッタリング効果の優れたゲッタリングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer grinding method capable of maintaining a gettering sink effect and decreasing a metal atom such as copper (Cu) contained in a wafer, assuring flexural strength.例文帳に追加

ゲッタリングシンク(gettering sink)効果を維持するとともに抗折強度を確保しつつウエーハの内部に含有している銅（Cu）等の金属原子を減少させることができるウエーハの研削方法を提供する。 - 特許庁

To have a high proximity gettering effect even in an epitaxial wafer in a method for manufacturing a semiconductor wafer and the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハにおいて、エピタキシャルウェーハでも高い近接ゲッタリング効果を有すること。 - 特許庁

Due to this oxidation, hevy metal impurities on the wafer surface are captured by the silicon oxide film, to exhibit gettering effect.例文帳に追加

この酸化により、ウエハ表面の重金属不純物が前記酸化シリコン膜に捕獲され、ゲッタリング効果が得られる。 - 特許庁

Thereby, the crystal defects can be formed in the substrate of SOI ones at the side where the devices are formed, and the sufficient gettering effect can be obtained.例文帳に追加

このため、ＳＯＩ基板のうちデバイスが形成される側の基板に結晶欠陥を形成でき、十分なゲッタリング効果を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon single-crystal wafer that effectively exhibits gettering effect even on a thin film device.例文帳に追加

薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果が有効に発揮されるシリコン単結晶ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an epitaxial wafer and the same having a high close gettering effect even in an epitaxial wafer.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハにおいて、エピタキシャルウェーハでも高い近接ゲッタリング効果を有すること。 - 特許庁

To manufacture an epitaxial wafer reduced in epitaxial flaw density and excellent in intrinsic gettering effect.例文帳に追加

エピタキシャル欠陥密度を低減し、優れたＩＧ効果を発揮するエピタキシャルウェーハを製造することができる。 - 特許庁

Then, heating treatment is applied thereon to effect gettering of Ni from the CG silicon film 14 into the second silicon film 16.例文帳に追加

そして加熱処理を施し、ＣＧシリコン膜１４から第２のシリコン膜１６にＮｉをゲッタリングさせる。 - 特許庁

DZs having a sufficient depth inward from the surface of a wafer are combined with a high gettering effect in a bulk region of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面から内側に十分な深さのＤＺがウェーハのバルク領域での高いゲッタリング効果と結合される。 - 特許庁

To allow a uniform gettering effect to be obtained in a wafer plane even if a silicon wafer is cut from an ingot including a perfect region (P).例文帳に追加

パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハであっても、ウェーハ面内で均一なゲッタリング効果が得られる。 - 特許庁

Gettering effect is obtained by forming an extremely thin strain layer 100, and neither the memory function nor the transverse strength is deteriorated.例文帳に追加

極薄の歪み層１００を形成することでゲッタリング効果が得られ、メモリー機能が低下しないと共に、抗折強度も低下しない。 - 特許庁

To produce a gettering effect in the inside apart from the epitaxial layer surface without increasing the required man-hour.例文帳に追加

作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせる。 - 特許庁

To provide a processing method of a wafer in which a gettering sink effect is sustained while ensuring flexural strength.例文帳に追加

ゲッタリングシンク効果を維持し、抗折強度を確保することができるウエーハの加工方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a sufficient gettering effect in the surface of a substrate in which devices are formed in a plurality of substrates by treating the surface so as to form crystal defects therein.例文帳に追加

基板のうちデバイスが形成される側の表面に結晶欠陥形成されるようにし、十分なゲッタリング効果が得られるようにすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which makes it possible to obtain a sufficient gettering effect in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、十分にゲッタリング効果を得ることができる半導体基板を提供する。 - 特許庁

By extending an element separation region 4 along the gate electrode 2, occurrence of failure is prevented at a gate insulating film by the gettering effect.例文帳に追加

また、ゲート電極２に沿って素子分離領域４を延在させることで、ゲッタリング効果によりゲート絶縁膜における欠陥の発生を防ぐ。 - 特許庁

A DZ at a sufficient depth from the surface to the inside of a wafer is combined with high gettering effect in the bulk region of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面から内側に十分な深さのＤＺがウェーハのバルク領域での高いゲッタリング効果と結合される。 - 特許庁

To form a thin wafer which utilizes a gettering effect without causing variation in flexural strength and warpage in a semiconductor chip.例文帳に追加

抗折強度のバラツキおよび半導体チップの反りなどが生じることなしに、ゲッタリング効果を利用可能な薄いウェーハを形成する。 - 特許庁

To obtain an ingot having no point defect agglomerates and exhibiting intrinsic gettering(IG) effect when formed into a wafer.例文帳に追加

点欠陥の凝集体が存在しないことに加えて、シリコンウェーハにした場合にＩＧ効果を有するインゴットを得る。 - 特許庁

Even if metal ions are implanted in the semiconductor substrate, together with the hydrogen ions in the step of hydrogen ion irradiation, the effect of metal contamination can be suppressed by the gettering process.例文帳に追加

水素イオンの照射工程で、水素イオンと共に金属イオンが半導体基板中に打ち込まれても、ゲッタリング処理によって、金属汚染の影響を抑えることができる。 - 特許庁

Consequently, a slip length of the wafer 10 is suppressed and oxygen precipitate density on the device active layer side of the wafer 10 is increased to effectively generate the gettering effect to the thin film device.例文帳に追加

その結果、ウェーハ１０のスリップ長を抑制するとともに、ウェーハ１０のデバイス活性層側に酸素析出物密度を増加させ、薄膜デバイスに対して、ゲッタリング効果を有効に発生できる。 - 特許庁

According to this method, contamination due to heavy metal to be introduced in the device post-step is captured to the rear surface of the silicon substrate by a gettering effect of activated ion species.例文帳に追加

本発明によれば、活性化されたイオン種のゲッタリング効果によって、デバイス後工程で導入される重金属汚染がシリコン基板の裏面に捕捉される。 - 特許庁

To provide a silicon wafer manufacturing method capable of attaining low temperature and quick thermal annealing and suppressing the occurrence of slip and to provide a silicon wafer having a proximity gettering effect and sufficient wafer strength.例文帳に追加

シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハにおいて、熱処理の低温化又は短時間化を図りスリップの発生を抑制することができ、さらに近接ゲッタリング効果と十分なウェーハ強度を有すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor storage device which can obtain sufficient gettering effect, even when the width and thickness of an element is reduced which accompany the reduction of the element.例文帳に追加

素子の微細化にともない素子幅、素子厚が縮小されても十分なゲッタリング効果を得ることが可能な半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer by which the productivity of an epitaxial wafer having an excellent gettering effect can be improved by conducting a heat treatment efficiently.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハの製造において効率的に熱処理を行ないゲッタリング効果の優れたエピタキシャルウエーハの生産性を向上させるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer having a sufficiently ensured denuded zone in the vicinity of the surface of a wafer and having distribution of defects so controlled as to acquire a sufficient gettering effect within a bulk region of the wafer.例文帳に追加

ウェーハの表面近傍にデヌードゾーンが十分確保されていると共に、ウェーハのバルク領域内で十分なゲッタリング効果が得られるように制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

For the substance with high gettering effects, the substance with the value of oxygen gas adsorption energy of 145 kcal/mol or more is adequate, and Ta (tantalum) as the substance forming the magnetoresistive effect element is particularly preferred.例文帳に追加

ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのＴａ（タンタル）が好適である。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal which yields an epitaxial wafer which has no epitaxial defect and shows a good in-plane uniformity concerning oxygen precipitation density and an excellent IG (intrinsic gettering) effect, the epitaxial wafer and their manufacturing processes.例文帳に追加

エピタキシャル欠陥の発生がなく、酸素析出物密度の面内均一性が良好で、かつｌＧ（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）効果にすぐれたエピタキシャルウェーハが得られるシリコン単結晶とエピタキシャルウェーハ並びに製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing an epitaxial wafer which is free from epitaxial defects and excellent in IG (intrinsic gettering) effect and in which the in-plane uniformity of the density of oxygen deposits is good.例文帳に追加

エピタキシャル欠陥の発生がなく、酸素析出物密度の面内均一性が良好で、かつｌＧ（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）効果にすぐれたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

By setting the impurity concentration in the surface of this region 10 into a concentration of 1×1018 cm-3 to 5×1020 cm-3, a gettering effect is made to effectively work in a semiconductor device.例文帳に追加

この高濃度の不純物拡散領域１０の表面濃度を１×１０^18ｃｍ^-3から５×１０^20ｃｍ^-3とすることで、ゲッタリング効果を有効に働かせる。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate capable of easily removing a base plate by etching while sufficiently maintaining a gettering effect, and a solid state image pickup device using the semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲッタリング効果は十分に保持しつつ、エッチングによる基板の除去を容易に行うことができる半導体基板とこれを用いた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of heat-treating a semiconductor wafer in which a slip of a wafer reverse surface caused in a heat treating stage is reduced and gettering effect to a thin-film device during a heat treatment can be generated.例文帳に追加

熱処理工程で発生するウェーハ裏面のスリップの低減が図れ、熱処理時の薄膜デバイスへのゲッタリング効果も発生可能な半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

A polishing strain is reduced but not completely eleminated not to eliminate the gettering effect, and no chemical polishing solution such as CMP is used to require no cost for detoxification.例文帳に追加

研削歪みは減少するが、完全に除去されることはないため、ゲッタリング効果がなくなることはなく、また、ＣＭＰのように化学研磨液を使用することもないため、無毒化のためのコストもかからない。 - 特許庁

To enhance a flexural strength, to require no detoxification process, to maintain a gettering effect at the time of polishing the grinding surface of a wafer, in order to prevent a lowering in quality of a device.例文帳に追加

ウェーハの研削面を研磨する場合において、抗折強度を高めつつ、無毒化処理を不要とし、ゲッタリング効果を維持してデバイスの品質を低下させないようにする。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal wafer which well displays the gettering effect by avoiding the abuses of the conventional IG method, contains little impurity or crystal strain on the surface layer at the device forming side and has gettering sites compactly existing in the wafer interior, without deteriorating various characteristics such as intensity characteristic, electric resistance characteristics, etc.例文帳に追加

従来のＩＧ法による弊害が回避され、ゲッタリング効果を良好に発揮できるシリコン単結晶ウエハを提供すること、デバイス形成側面の表層には不純物や結晶歪みがほとんど存在せず、しかも強度特性、電気抵抗特性等の諸特性を損なうことなくウエハ内部（バルク）にゲッタリングサイトが密に存在するシリコン単結晶ウエハを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film transistor array substrate wherein mobile ions are prevented from infiltrating into a semiconductor layer via gettering effect, neutralization, or the like when a low-grade glass is used for building the substrate.例文帳に追加

本発明は、低級なガラスを基板として使用する時にゲッタリング効果又は中和などの作用を介してモバイルイオンが半導体層に浸透することを防止できるようにした薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-vaporizing type getter, a display device to have the getter and their manufacturing method wherein gettering effect is superior, an air tight container inside in the display device of plane display device or the like can be maintained in a high vacuum state, and besides, mounting is easy, and the risk of polluting the inside is also less.例文帳に追加

ゲッタリング効果に優れ、特に平面表示装置などの表示装置における気密容器内部を高真空状態に保つことができ、しかも取り付けが容易で、内部を汚染するおそれも少ない非蒸発型ゲッターと、そのゲッターを具備する表示装置と、それらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a SOI (silicon insulator) substrate and a method for manufacturing the same by which a stable gettering effect is obtained, the number of manufacturing processes is reduced, a time for manufacturing the SOI substrate is reduced, and the film thickness of a SOI layer is controlled easily and which are suitable for manufacturing the SOI substrate having a thin-film SOI layer.例文帳に追加

安定したゲッタリング効果が得られ、製造工程数の削減、ＳＯＩ基板の製造時間の短縮が図れ、ＳＯＩ層の膜厚制御が容易で、薄膜のＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板の製造に好適なＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

As the result, the stable gettering effect is obtained on the entire surface of the wafer, the number of manufacturing processes of the SOI substrate is reduced, the time for manufacturing the SOI substrate is reduced, the film thickness of a SOI layer is controlled easily, and the method is suitable for manufacturing the SOI substrate having the thin-film SOI layer 10A.例文帳に追加

その結果、ウェーハ全面で安定したゲッタリング効果が得られ、ＳＯＩ基板の製造工程数が削減され、ＳＯＩ基板の製造時間が短縮され、ＳＯＩ層１０Ａの膜厚制御が容易で、薄膜のＳＯＩ層１０Ａを有するＳＯＩ基板の製造に好適となる。 - 特許庁

To provide a silicon wafer that is made free from a Grown-in defect, has high gettering effect, prevents BMD from being deposited in a device active region, and is improved in thermal strength of the device active region.例文帳に追加

Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の無欠陥化や、高いゲッタリング効果を備え、かつ、デバイス活性領域におけるＢＭＤの析出を防止することができ、更に、デバイス活性領域の熱的強度を向上させることができるシリコンウェーハが提供される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-resistivity CZ silicon wafer which can prevent deterioration of resistivity due to development of a oxyfen donor and has a high gettering-effect, the high-resistivity CZ silicon wafer manufactured by its method, a SOI wafer used with the high-resistivity CZ wafer as a base wafer.例文帳に追加

酸素ドナーの発生による抵抗率の低下を防ぎ、かつ高いゲッタリング効果を有する高抵抗率ＣＺシリコンウエーハを製造する方法、およびその方法により製造された高抵抗率ＣＺシリコンウエーハならびに、この高抵抗率ＣＺウエーハをベースウエーハとして用いて得られるＳＯＩウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a silicon wafer capable of effectively exercising a gettering effect also in a thin film device while having BMD (Bulk Micro Defect) in a shallow region of, for example, ≤10 μm from a surface layer with high density, but having no defect in an extreme surface layer functioning as a device active layer.例文帳に追加

表層から例えば１０μｍ以内までの浅い領域にＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）が高密度で存在するが、デバイス活性層として機能する極表層には欠陥が存在せず、薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果を有効に発揮しうるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁