「hFE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Hence in a state that the substrate W in the HFE is exposed to the air, the majority of the HFE stuck to the substrate already vaporizes and then the fine pattern is not loaded by the surface tension of the HFE.例文帳に追加

したがって、ＨＦＥから気中に基板Ｗが露出した状態では、基板Ｗに付着していたＨＦＥの大半が既に蒸発しているので、ＨＦＥの表面張力によって微細パターンに負荷がかかることがない。 - 特許庁

The oligonucleotide can be produced by amplifying an HFE gene using the nucleotide mismatch at or near the 3' terminal of the detection primer with an amplifying primer specific to human hemochromatosis gene and designing in a manner to enable the discrimination of a wild-type allelic gene and a single nucleotide polymorphism possible to generate in the exon of (HFE) gene.例文帳に追加

本発明の方法は、血色素症遺伝子（HFE）に特異的な増幅プライマーと検出プライマーの3‘末端または3’末端近傍のヌクレオチドミスマッチとを使用して、HFE遺伝子を増幅し、野生型対立遺伝子と（HFE）遺伝子のエクソン2および4に生じる可能性のある単一ヌクレオチド多型とを識別する。 - 特許庁

Then, the steam of a liquid of mixture of the HFE and IPA is supplied to the surface of the wafer W.例文帳に追加

その後、ＨＦＥとＩＰＡの混合液の蒸気をウエハＷの表面に供給する。 - 特許庁

An HFE is supplied in a short time to the surface of a wafer W subjected rinsing treatment using DIW.例文帳に追加

ＤＩＷによるリンス処理が行われたウエハＷの表面にＨＦＥを短時間供給する。 - 特許庁

To reduce the area of the emitter of a bipolar transistor, and to also restrain reduction in hfe.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのエミッタ面積を小さくすること共に、ｈｆｅの低下を抑制する。 - 特許庁

Consequently, the fine pattern is prevented from being collapsed due to the surface tension of the HFE.例文帳に追加

その結果、ＨＦＥの表面張力に起因する微細パターンの倒壊を防止できる。 - 特許庁

To reduce an emitter area of a bipolar transistor and prevent hfe of the transistor from decreasing.例文帳に追加

バイポーラトランジスタのエミッタ面積を小さくすること共に、ｈｆｅの低下を抑制する。 - 特許庁

After the substrate surface Wf covered with an IPA liquid is supplied with an HFE liquid to replace the IPA liquid with the HFE liquid so that the entire substrate surface Wf is covered with the HFE liquid, a high-temperature nitrogen gas is supplied to the substrate back surface Wb to heat the substrate W, and the HFE liquid is removed from the substrate surface Wf.例文帳に追加

ＩＰＡ液で覆われた基板表面ＷｆにＨＦＥ液を供給してＩＰＡ液をＨＦＥ液で置換して基板表面Ｗｆの全部がＨＦＥ液で覆われた後に、高温窒素ガスが基板裏面Ｗｂに供給されて基板Ｗが加熱されるとともに、基板表面ＷｆからＨＦＥ液が除去される。 - 特許庁

The sensitivity of this circuit is determined by the resistance value of the return resistor 14 and the hfe of the Tr 12.例文帳に追加

この回路の感度は、帰還抵抗１４の抵抗値と、Ｔｒ１２のｈ_feで決まる。 - 特許庁

The substrate W is heated up to a temperature above the boiling point of the HFE, so that the HFE in contact with the substrate W and fine pattern boils to vaporize.例文帳に追加

基板Ｗは、ＨＦＥの沸点以上の温度に加熱された状態であるので、基板Ｗ及び微細パターンに接触しているＨＦＥは沸騰して気化する。 - 特許庁

A liquid film LF1 of a HFE solution (a first treatment solution) is formed on a substrate surface Wf and further a liquid film LF2 of a DIW (a second treatment solution) is formed on the liquid film LF1 of the HFE solution.例文帳に追加

基板表面Ｗｆ上にＨＦＥ液（第１処理液）の液膜ＬＦ１が形成され、さらにＨＦＥ液の液膜ＬＦ１上にＤＩＷ（第２処理液）の液膜ＬＦ２が形成される。 - 特許庁

Thus, the current flowing to the TR Q4 depends on the hfe and similarly, the current flowing to the TR Q3 has dependence on its hfe.例文帳に追加

従って、トランジスタＱ４に流れる電流はｈｆｅに依存し、同様にして、トランジスタＱ３に流れる電流もｈｆｅ依存性を有することになる。 - 特許庁

The capacity C of the capacitor for bypass is increased by the current amplification factor hfe of the transistor 5 and is acted onto the amplifier circuit main body 1 as [hfe×C].例文帳に追加

バイパス用コンデンサの容量Ｃをトランジスタ５の電流増幅率ｈfeにより増大させ、[ｈfe×Ｃ]として増幅回路本体１に作用させる。 - 特許庁

The substrate is heated continuously until the HFE liquid is all removed from the substrate surface Wf through drying processing (removal processing).例文帳に追加

この基板加熱は、乾燥処理（除去処理）によってＨＦＥ液が基板表面Ｗｆから全部除去されるまで継続される。 - 特許庁

As a result, change in the frequency characteristic of the amplifier circuit depending on the hfe can be prevented.例文帳に追加

その結果、ｈｆｅのばらつきによって回路の周波数特性が変化することを防止することが可能となる。 - 特許庁

This corrector current is carried from an arithmetic amplifier 13 to a return resistor 14 (resistance value R5), and the output voltage Vout is changed by i0×hfe×R5.例文帳に追加

このコレクタ電流が演算増幅器１３から帰還抵抗１４（抵抗値Ｒ_5）に流れ、出力電圧Ｖ_OUTはｉ_O×ｈ_fe×Ｒ_5だけ変化する。 - 特許庁

hFE of the PNP phototransistor Tr1 is restrained by mechanically polishing 17 a rear of the substrate 1 or disposing a polysilicon film.例文帳に追加

また、基板１の裏面をメカニカル研磨１７するか、またはポリシリコン膜を設けてＰＮＰトランジスタＴｒ１のｈＦＥを抑制する。 - 特許庁

Furthermore, since the volatility of the HFE is high, quick drying can be realized and throughput be also improved.例文帳に追加

またＨＦＥは揮発性が高いため、迅速な乾燥処理を行うことができ、スループットの向上が図れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a bipolar transistor that changes a current amplification factor hFE characteristic after production.例文帳に追加

製造後に電流増幅率ｈＦＥ特性を変化させることができるバイポーラトランジスタを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To enable improvement of a current amplification factor hFE even when the depth and concentration of an impurity region are limited by the specifications of a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) circuit.例文帳に追加

ＣＭＯＳ回路側の仕様で不純物領域の深さや濃度が制約を受けるような場合でもｈＦＥの向上を可能とする。 - 特許庁

When a base current IBQ6 is supplied to the transistor Q6, the current of IBQ ×hFE is supplied to the transistors Q6 and Q21.例文帳に追加

トランジスタＱ６にベース電流ＩＢＱ６が流れると、ＩＢＱ６×ｈFEの電流が、トランジスタＱ６とＱ２１に流れる。 - 特許庁

To suppress the change of frequency characteristic caused by dispersion in hfe of transistors(TRs) constituting an amplifier.例文帳に追加

増幅装置を構成するトランジスタのｈｆｅのばらつきに起因する周波数特性の変化を抑制する。 - 特許庁

According to this structure, desired current amplification factor (hFE) for the lateral pnp transistor 1 can be realized by adjusting the value of the base current.例文帳に追加

この構造により、ベース電流値が調整され、横型ＰＮＰトランジスタ１の所望の電流増幅率（ｈＦＥ）を実現することができる。 - 特許庁

To secure stable multiplication factor without being influence by variation of hfe resulting from a semiconductor material or the like.例文帳に追加

半導体材料に起因するｈｆｅのばらつきなどに影響されることなく、安定した増倍率を確保する。 - 特許庁

To provide a Darlington transistor, which has a full current amplifica tion factor hFE even at a high current region and also to low in cost, and the manufacturing method of the transistor.例文帳に追加

大電流域でも十分なｈ_FEを有するとともに、安価なダーリントントランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing drop of the breakdown voltage between the emitter and the collector, and suppressing drop and variation of a current gain hFE.例文帳に追加

エミッタとベース間の耐圧の低下が抑制され、電流増幅率ｈＦＥの低下と変動が抑制される半導体装置を提供する。 - 特許庁

A control unit 61 heats one part of the substrate W below the liquid level of HFE by a heating unit 55 when moving the substrate W in the HFE from a processing position to an upper position by a lower holding mechanism 29 and an upper holding mechanism 43.例文帳に追加

制御部６１は、ＨＦＥ中の基板Ｗを処理位置から上方位置へ下部保持機構２９及び上部保持機構４３により移動させる際に、ＨＦＥの液面よりも下方にある基板Ｗの一部位を加熱ユニット５５により加熱する。 - 特許庁

After the DIW is supplied, HFE is supplied to the surface of the substrate W to push out the DIW for replacement with the HFE while the space between the surface of the substrate W and the counter surface 8 is kept liquid-tight by the DIW.例文帳に追加

ＤＩＷの供給が行われた後、基板Ｗの表面と対向面８との間の空間がＤＩＷによって液密に保たれた状態で、基板Ｗの表面にＨＦＥを供給し、ＤＩＷを押し出してＨＦＥに置換させる。 - 特許庁

Relation between the cutting amount of Si and hFE at the contact hole 73 for emitter is predetermined and the cutting amount of Si in the contact hole is evaluated by measuring hFE at the evaluation stage of product in the fabrication stage.例文帳に追加

予め、このエミッタ用のコンタクトホール７３におけるＳｉの削れ量とｈＦＥとの関係を求めておき、製造工程における製品の評価段階でｈＦＥを測定することにより、評価用コンタクトホールにおけるＳｉの削れ量を評価する。 - 特許庁

When a fluorine based solvent, i.e., HFE (hydrofluoroether), is supplied from a nozzle 50 for ejecting a drying agent while rotating a cleaned substrate W held on a rotor 30, pure water on the substrate W is shaken off by a centrifugal force and the HFE evaporates quickly together with water drops entering a fine pattern formed on the substrate W.例文帳に追加

洗浄処理の終了した基板Ｗを、ローター３０に保持して回転させながら、乾燥剤吐出ノズル５０からフッ素系溶剤であるＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）を供給することにより、基板Ｗ上の純水は、回転による遠心力によって振り切られ、ＨＦＥは基板Ｗ上に形成された微細パターン内部に入り込んだ水滴とともに速やかに蒸発する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a bipolar transistor outputting a large current without drop in DC amplification factor (Hfe) even when the basic bipolar transistor is enlarged in the longitudinal direction of an emitter, without need of taking the influence of Hfe drop into consideration in a design stage, and to provide the designing method of the same.例文帳に追加

基本となるバイポーラトランジスタをエミッタの長手方向に大きくしても、直流電流増幅率（Ｈｆｅ）の低下しない大電流を出力するバイポーラトランジスタを備え、かつ、設計段階において、Ｈｆｅ低下の影響を考慮する必要のない半導体装置及びその設計方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Thus, in manufacturing the semiconductor device in which the non-volatile semiconductor storage device and a lateral type PNP transistor are mixedly mounted on an identical semiconductor substrate, the ultraviolet ray is irradiated after wafer processing, or after the characteristic inspection of the non-volatile semiconductor storage device, and even if hfe is lowered by the irradiation of the ultraviolet ray on the L-PNP transistor, the lowered hfe can be recovered.例文帳に追加

これにより、不揮発性半導体記憶素子とラテラル型ＰＮＰトランジスタとを同一の半導体基板に混載した半導体装置の製造において、ウェハ加工後や不揮発性半導体記憶素子の特性検査後に行う紫外線照射により、Ｌ−ＰＮＰトランジスタに紫外線が照射されることでｈｆｅが低下しても、低下したｈｆｅを回復させることができる。 - 特許庁

Then HFE is supplied as a rinse liquid from the upper nozzle 64 and the lower nozzle 14 to both the faces Wa and Wb of the wafer W as the rotation of the wafer W is kept, to start rinsing for the wafer W using the HFE (hydrofluoro ether), and the hydrofluoric acid on the surface of the wafer W is rinsed away.例文帳に追加

次に、ウエハＷの回転は維持されたまま、上ノズル６４および下ノズル１４よりリンス液としてのＨＦＥのウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに供給されて、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）によるウエハＷのリンスが開始され、ウエハＷ表面のふっ酸が洗い流される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for making high hFE and low base resistance compatible in the semiconductor device mounting a horizontal bipolar transistor on a semiconductor substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板上に横型バイポーラトランジスタを搭載した半導体装置において、高いｈＦＥと低いベース抵抗を両立させることができるような優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing with a low cost which can adjust with high precision only the Zener voltage Vz of a Zener diode without giving an influence to the current amplification factor hFE of a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの電流増幅率ｈＦＥに影響を与えることなく、ツェナーダイオードのツェナー電圧Ｖｚのみを高精度に調整することのできる、低コストの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a VP circuit for driving a MOSFET Tr3, hFE of a phototransistor Tr4 is increased by using the SiGe layer as a base region 7a of the phototransistor Tr4.例文帳に追加

さらに、ＭＯＳＦＥＴＴｒ３を駆動するＶＰ回路において、フォトトランジスタＴｒ４のべ一ス領域７ａにＳｉＧｅ層を用いてフォトトランジスタＴｒ４のｈＦＥを高くする。 - 特許庁

The HFE maintains its liquid state, the liquid to be frozen is frozen and the surface Wf of the substrate is frozen except the inside of the pattern gap and the neighbor region.例文帳に追加

その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結する。 - 特許庁

An intrusion prevention liquid is supplied to a surface Wf of a substrate, then a liquid to be frozen is supplied to the surface Wf of the substrate to allow a HFE to remain in a patten gap and in the vicinity of the pattern.例文帳に追加

基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。 - 特許庁

Hydrofluoroether (HFE) is used as an organic solvent for example, reducing attraction producing among patterns as much as possible and preventing pattern failure.例文帳に追加

このような有機溶剤としては、例えばハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）を用いることにより、パターン間に生じる引力を極力低減させ、パターン倒れを防止することができる。 - 特許庁

On the other hand, it is possible to obtain desired hFE and switching characteristics by actively making variable the potential energy of the free carrier (positive hole) utilizing the variable electric potential insulating electrode.例文帳に追加

一方、可変電位絶縁電極を利用し、自由キャリア（正孔）のポテンシャルエネルギーを積極的に可変することで、所望のｈＦＥやスイッチング特性を得ることができる。 - 特許庁

Then, a pnp transistor T4 is provided, where its collector is connected between the emitters of the npn transistors T1, T2 and the constant current source 10, and the pnp transistor T4 compensates variations in hFE in the pnp transistor T3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮ型トランジスタＴ１、Ｔ２のエミッタと定電流源１０の間にコレクタが接続され、ＰＮＰ型トランジスタＴ３のｈＦＥの変動を補償するためのＰＮＰ型トランジスタＴ４が設けられる。 - 特許庁

To achieve drying using HFE (hydrofluoroether) as a solvent for drying adaptively to spin drying which is widely employed for existent CMP apparatuses etc.例文帳に追加

既存のＣＭＰ装置等で広く採用されているスピン乾燥に対応させて、乾燥用溶剤としてＨＦＥを使用した乾燥を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of facilitating obtaining the semiconductor device with a smaller number of processes, wherein a plurality of bipolar transistors having different DC current amplification factors (hfe) is mixedly mounted.例文帳に追加

異なる直流電流増幅率（ｈｆｅ）を有する複数のバイポーラトランジスタを混載した半導体装置を、簡易且つ工程数が少なく得られる半導体装置の製造方法を提供すこと。 - 特許庁

If the n-type semiconductor substrate is defined as an emitter, the p-type impurity region is defined as a base and the n-type impurity region is defined as a collector, a DC current amplification factor hFE can be made into 100 or more.例文帳に追加

N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。 - 特許庁

Droplets of HFE being a low-surface-tension liquid having lower surface tension relative to that of the pure water is hit against the surface of the wafer W covered with the pure water with the pure water jetted from the treatment liquid nozzle 3.例文帳に追加

さらに、処理液ノズル３から純水を吐出させた状態で、純水よりも表面張力が低い低表面張力液体であるＨＦＥの液滴を、純水で覆われたウエハＷの表面に衝突させる。 - 特許庁