「interconnection material」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PATTERNABLE LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AND ITS USE IN ULSI INTERCONNECTION例文帳に追加

パターナブル低誘電率材料およびＵＬＳＩ相互接続でのその使用 - 特許庁

An opening 14 for exposing the diffusion layer 13 and an interconnection trench 15 are made and filled with an interconnection material principally comprising a Cu interconnection member 16.例文帳に追加

この拡散層１３が露出する開孔１４及び配線溝１５が形成されており、主にＣｕ配線部材１６により配線材料が埋め込まれた構成となっている。 - 特許庁

The circuit board 100 comprises a substrate 1, first interconnection layer 2, the insulation layer 3, filling material 4, second interconnection layer 5, and via-hole 6.例文帳に追加

回路基板１００は、基材１、第１の配線層２、絶縁層３、充填材４、第２の配線層５、及びビアホール６を備える。 - 特許庁

LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND INTERCONNECTION STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME例文帳に追加

低誘電率材料、その製造方法、およびそれを含む相互接続構造、電子デバイス - 特許庁

Then, an interconnection material 56 is formed on the surface of the silicide electrode with the low carbon content.例文帳に追加

この後、炭素低含有シリサイド電極の表面に配線材５６を形成する。 - 特許庁

To improve characteristics of a semiconductor apparatus, specifically to reduce interconnection resistance, and to reduce diffusion of an interconnection material into a semiconductor layer which constitutes the semiconductor apparatus.例文帳に追加

半導体装置の特性の向上、特に、配線の低抵抗化、また、配線材料の半導体装置を構成する半導体層への拡散の低減を図る。 - 特許庁

A conductor material is accumulated in the TSV hole part so as to generate TSV interconnection 10.例文帳に追加

ＴＳＶ相互接続１０を生成するためにＴＳＶ穴部に導体材料を堆積する。 - 特許庁

The fuel cell is equipped with an electrolyte material 6, electrodes 4, 8 and interconnection sections 2, 10.例文帳に追加

電解質材料6、電極4, 8そして相互接続部2,10を持つ燃料電池が提供される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having the interconnection structure of a ferroelectric capacitor which can effectively suppress the reaction between Al which is a main interconnection material and Pt which is a main electrode material.例文帳に追加

主配線材料であるＡｌと主電極材料であるＰｔとの反応を効果的に抑制することができる強誘電体キャパシタの配線構造を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

An interconnection cavity is filled with a conductive material to provide a conductive interconnection between the conductive features at the first metal level M1 and those at the second metal level M2.例文帳に追加

その後、相互接続キャビティは、導電性物質で満たされ、第１の金属レベル(M1)及び第2の金属レベル(M2)の導電性フィーチャ間に導電性相互接続を与える。 - 特許庁

On a first insulation layer, a metal film for interconnection with aluminum as a chief material is formed by sputtering.例文帳に追加

第１絶縁層上にスパッタ法によるアルミニウムを主成分とする配線用の金属膜を形成する。 - 特許庁

In the process, interconnection metal is prevented from diffusing into material of a surrounding dielectric layer.例文帳に追加

相互接続金属が周囲の誘電層材内に拡散されるのを防止するための過程が開示される。 - 特許庁

The passivation layer is selected from material (for example: Ta) which is metallurgically stable when the passivation layer is bonded to interconnection material.例文帳に追加

このパッシベーション層は、相互接続材料にボンディングされたときに金属学的に安定した材料（例：Ｔａ）から選択される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent diffusion of Cu from a Cu interconnection to a low dielectric constant material (Low-k material) and can prevent an increase in resistance of the Cu interconnection.例文帳に追加

Ｃｕ配線から低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）絶縁膜へのＣｕの拡散を防止することができるとともに、Ｃｕ配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

There are provided an interconnection structure having a barrier material coverage range in which the barrier material thickness of the sidewall of the structure is larger than that of the bottom portion of the structure, and the method of manufacturing such interconnection structure.例文帳に追加

構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法が提供される。 - 特許庁

To form interconnection which passes through a diffusion barrier, an etching stop, and a dielectric material for electrical interconnection of a device in a dual damascene structure comprising vias, trenches, and a semiconductor device 300.例文帳に追加

ビア、トレンチ、及び半導体デバイス(300)のデュアルダマシン構造における電気的なデバイスの相互接続用の拡散バリア、エッチング停止、及び誘電体物質を通る相互接続を形成すること - 特許庁

To provide an interconnection structure having a barrier material coverage range in which the barrier material thickness of the sidewall of the structure is larger than that of the bottom portion of the structure, and to provide the method of manufacturing such interconnection structure.例文帳に追加

構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming an interconnection or an electrode without causing any damage on the foundation while preventing readhesion of dust to the electrode material, to provide an electronic device the interconnection or electrode of which is formed by the method of forming an interconnection or an electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

下地にダメージを与えず、また、電極材料のゴミの再付着も防止される配線又は電極の形成方法と、この配線又は電極の形成方法により配線又は電極を形成する電子デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A second flat interconnection layer 18 on the first flat interconnection layer 14, consists of a dielectric film 26 having a higher elastic modulus than that of a dielectric material in the first flat interconnection layer 14, and an electrical conduction via 28 passing through the dielectric film 26.例文帳に追加

第１の平坦な相互接続層１４上の第２の平坦な相互接続層１８は、第１の平坦な相互接続層１４の誘電体材料より高い弾性係数を有する誘電体膜２６と、誘電体膜２６を通る導電バイア２８とからなる。 - 特許庁

As a material of the interconnection 30, a material which allows easy transmission of laser light used for laser bonding (for example, aluminum, gold, or copper) can be used.例文帳に追加

配線３０の材料としては、レーザ接合に用いるレーザ光を透過しやすい材料（例えばアルミニウム、金、又は銅を用いることができる。 - 特許庁

A first insulating film including a vacancy forming material and comprising a low permittivity material is formed on a diffusion protective film 2 formed on a lower layer interconnection 1.例文帳に追加

下層配線１上に形成された拡散防止膜２の上に、空孔形成材を含み低誘電率材料からなる第１の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The transfer electrode 31 is conducted with an overlying interconnection layer 8 through a conductive material in the contact hole 9a.例文帳に追加

転送電極３１は、コンタクトホール９ａ内の導電材料を介して上層の配線層８と導通している。 - 特許庁

To provide an interconnection structure with improved adhesion between a noble metal liner and dielectric material adjacent thereto.例文帳に追加

貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料との間の付着性を向上させた相互接続構造を提供する。 - 特許庁

The method includes a CVD step using copper as the material of the interconnection conductor substance together with the catalyst.例文帳に追加

ここに開示された発明は、触媒と共に銅を配線導電体物質の原料とするＣＶＤ工程を含む。 - 特許庁

The wiring pattern 8 is formed in the interconnection region 4 by using an ink containing a conductive material.例文帳に追加

その配線パターン８は、配線領域４内において導電性の材料を含むインクを用いて形成されている。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE ELEMENT, INSULATING RESIN MATERIAL, AND PRODUCTION OF MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD USING THE SAME例文帳に追加

感光性樹脂組成物、感光性エレメント、絶縁樹脂材料及びそれを用いた多層配線基板の製造方法 - 特許庁

To provide an inter-layer insulating varnish for multi-layer interconnection, an insulating material, a multi-layer interconnection board using it, and manufacturing method therefor, of high heat-resistance of solder and surface smoothness, capable of thinner substrate and higher density.例文帳に追加

半田耐熱性や表面平滑性が高く、基板の薄型化、高密度化が可能な多層配線用層間絶縁ワニス、絶縁材料、これを用いた多層配線板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the bottom of the insulation layer 3, the filling material 4 embedded in the insulation layer 3 on the top face side of the substrate 1 (or the first interconnection layer 2) is exposed and the substrate 1 (or the first interconnection layer 2) is in direct contact with part of the filling material 4.例文帳に追加

絶縁層３の底部では、基材１（または第１の配線層２）の上面側において絶縁層３に充填された充填材４が剥き出しになり、基材１（または第１の配線層２）は充填材４の一部と直に接している。 - 特許庁

A first interconnection 22 comprises a conductive material arranged in a wiring groove 31 formed on the viahole in the porous insulating film.例文帳に追加

第１配線２２は、多孔質絶縁膜内のビア上に形成された配線溝３１内に配設された導電材料からなる。 - 特許庁

To provide a dielectric material having a low dielectric constant (low k) and not requiring a number of mask layers or processing steps as a dielectric material used for an interconnection structure of integrated circuits.例文帳に追加

集積回路の相互接続構造に用いる誘電体であって、数多くのマスク層や処理工程を必要としない低誘電率を有する誘電体を提供する。 - 特許庁

Capacitors and interconnection structures for silicon carbide are provided having an oxide layer, a layer of dielectric material, and a second oxide layer on the layer of dielectric material.例文帳に追加

酸化膜層、誘電体材料層及び誘電体材料層の上に第２酸化膜層を有する、炭化ケイ素用のコンデンサ及び内部接続構造が提供される。 - 特許庁

According to the invention, there is provided the interconnection structure having the barrier material thickness (w_t) of the sidewall of the structure larger than the barrier material thickness (h_t) of the bottom portion of the structure.例文帳に追加

本発明によると、構造底部のバリア材料厚（ｈ_ｔ）より厚い、構造側壁のバリア材料厚（ｗ_ｔ）を有する相互接続構造体が提供される。 - 特許庁

The power supply line 21 and interconnection 22 of the flexible wiring material 2 are electrically connected to the power supply line 11, signal lines 12, ground interconnection 13, etc. of the printed circuit board 1, respectively, by inserting the flexible wiring material 2 into the connector 3 located on the printed circuit board 1.例文帳に追加

プリント回路板１上のコネクタ３にフレキシブル配線材２を挿入することで、フレキシブル配線材２の電源配線２１および配線２２をそれぞれプリント回路板１の電源配線１１、信号配線１２、グラウンド配線１３等に電気接続する。 - 特許庁

Preferably, interconnection of the circuits between the blades is made possible, by forming the discs out of an insulating base material with a conductive pad thereon.例文帳に追加

好ましくは、上に導電性パッドを有する絶縁基板材料でディスクを形成して、ブレード間の回路の相互接続を可能にする。 - 特許庁

An interconnection structure 102 includes at least one flow channel 104 initially defined by a removable sacrificial material 110.例文帳に追加

相互接続部構造１０２は、除去可能な犠牲材料１１０により当初規定される少なくとも１つの流路１０４を含む。 - 特許庁

To provide a gate interconnection material thin etching composition for forming an excellent profile, for a thin-film transistor liquid crystal display.例文帳に追加

薄膜トランジスタ液晶表示装置用として、優れたプロファイルが形成できるゲート配線材料薄エッチング組成物を提供する。 - 特許庁

A passage 37 penetrates through the dielectric material layer 36 while the end part 34 of the electric interconnection unit 33 is connected to the inductor 21.例文帳に追加

通路３７は誘電体材料層３６を貫通し、かつ、電気相互接続部３３の端部３４をインダクタ２１に接続している。 - 特許庁

To provide an electrical connector for coaxial cables that reduces manufacture, material, and mounting costs and achieves a strong environment-sealing interconnection.例文帳に追加

製造、材料、及び取り付けコストを低減し、強力な環境シール相互接続を実現した同軸ケーブルの電気コネクタを提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has such an interconnection structure that an insulation film 2 is formed on a substrate 1 and then an interconnection film 3 made of ordinary temperature superconductive material, chief of which is Cu, Nb3Sn, V3Ga, V3le, BiCa, CuO, and Sr, is formed on the insulation film 2 and then another insulation film 4 is formed on the interconnection film 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、基板１の上に絶縁膜２が形成され、その上にＣｕ、Ｎｂ_3Ｓｎ、Ｖ_3Ｇａ、Ｖ_3Ｇｅ、ＢｉＣａ、ＣｕＯ、Ｓｒを主成分とする常温超電導材料からなる配線膜３が形成され、その上に絶縁膜４が形成された配線構造を有する。 - 特許庁

The substrate of the TFT element 1 is manufactured, by pasting thin films having predetermined interconnection layers in layers or by depositing thin films, made of a high molecular material in layers and then forming predetermined interconnection layers.例文帳に追加

ＴＦＴ素子１基板は、予め定める配線層を有する薄膜を積層状態に貼着する方法、または高分子材料から成る薄膜を積重して予め定める配線層を形成する方法によって製造される。 - 特許庁

To provide an electrical interconnection device for preventing the polymer material of an elastomer column from shifting to a contact surface and preventing one portion of the polymer material from adhering to the contact surface permanently.例文帳に追加

エラストマ支柱のポリマ材料が接触面に移行したり、ポリマ材料の一部が接触面に永久的に接着されたりするおそれがない電気的相互接続デバイスの提供。 - 特許庁

This invention comprises a method for making a template of an air gap in a semiconductor interconnection insulator 9 by adding the fullerene 11 to a dielectric material 10.例文帳に追加

フラーレン１１を誘電材料１０に加えることによって半導体相互接続絶縁体９の中に空隙を型取りする方法。 - 特許庁

A method of forming the fuel cell assembly includes the steps of providing the interconnection structure having at least one flow channel, depositing the sacrificial material into the flow channel, depositing an electrode or an electrode/electrolyte material upon the interconnection structure and the sacrificial material, and processing the fuel cell so as to remove the sacrificial material.例文帳に追加

燃料電池アセンブリを形成する方法は、少なくとも１つの流路を有する相互接続部構造を提供する工程と、流路の中へ犠牲材料を付着させる工程と、相互接続部構造及び犠牲材料の上に電極又は電極／電解質材料を付着させる工程と、犠牲材料を除去するように燃料電池を処理する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an interlayer insulating film as materially one film using same insulating material in locations where arrangement densities of interconnection differ each other and causing parasitic capacitances each corresponding to the arrangement density of the interconnection in the each location, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

１の層間絶縁膜について、配線の配置密度が異なる場所に同じ絶縁材料を使用し、且つ、配線の配置密度に対応した寄生容量を有する半導体装置或いは半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electric interconnection unit 33 is extended from one side of the first conductive material layer 30 toward the center of the first conductive material layer 30 and is terminated at an end part 34 positioned at the center of the first conductive material layer 30.例文帳に追加

電気相互接続部３３は第１導電材料層３０の一方側から第１導電材料層３０の中心に向かって延在し、第１導電材料層３０の中心に位置する端部３４を終端としている。 - 特許庁