「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing an interlayer crosslinked clay porous body by which the object can be recovered by general filtration and washing and a mesoporous interlayer crosslinked clay porous body having a larger pore diameter than a conventional interlayer crosslinked clay porous body can easily be obtained at a low price.例文帳に追加

一般的な濾過洗浄により目的物を回収することが可能であり、しかも得られる多孔体の孔径が従来の層間架橋粘土多孔体よりも大きいメソポーラス層間架橋粘土多孔体を安価に且つ簡単に得ることのできる層間架橋粘土多孔体の製造方法を提供する。 - 特許庁

When an interlayer insulating film 22D is made of a positive type material, a predetermined region of a part of the interlayer insulating film 22D which is opposed to metal wiring layers 23 and 24 are exposed with an exposure amount less than exposure sensitivity such that the remaining film rate of the opposed parts is 0, and then the interlayer insulating film 22D is exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜２２Ｄがポジ型の材料からなる場合には、層間絶縁膜２２Ｄのうち金属配線層２３，２４との対向部分の残膜率がゼロとなる露光感度よりも低い露光量で上記対向部分の所定の領域を露光したのち層間絶縁膜２２Ｄを現像する。 - 特許庁

The electrical device includes an electrode layer 23; an interlayer insulation film 25 covering the electrode layer 23; a contact hole 27 formed in the interlayer insulation film 25 so as to expose a part of the electrode layer 23; and a wiring layer 31 formed in the surface of the interlayer insulation film 25, and at the same time, connected to the electrode layer 23 through the contact hole 27.例文帳に追加

電極層２３と、電極層２３を覆う層間絶縁膜２５と、電極層２３の一部が露出するように層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホール２７と、層間絶縁膜２５の表面に形成されると共に、コンタクトホール２７を介して電極層２３に接続された配線層３１とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes steps of forming interlayer insulating films 10, 14, 18 as silicon oxide films on an SOI layer 3 of an SOI wafer, and printing the wafer ID on the interlayer insulating films by applying a laser beam on the interlayer insulating films.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩウェハのＳＯＩ層３上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１０，１４，１８を形成する工程と、前記層間絶縁膜にレーザー光線を照射することにより、前記層間絶縁膜にウェハＩＤを印字する工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A lower layer Cu interconnect line 21 and an upper layer Cu interconnect line 41 are arranged through an interlayer dielectric 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１を介して下層Ｃｕ配線２１と上層Ｃｕ配線４１とを配置する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 16 is composed of a laminated layer of USG (undoped silicate glass) layer 16U and a silicon nitride film 16S.例文帳に追加

層間絶縁膜１６は、ＵＳＧ層１６Ｕと窒化シリコン膜１６Ｓとの積層膜からなる。 - 特許庁

The interlayer insulting film is polished by means of a CMP method until the diffusion protective film 26 is exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜１０ａを拡散防止膜２６の部分が露出するまでＣＭＰ法により研磨する。 - 特許庁

This interlayer insulating film laminated structure is provided with an SiC film 4, an SiOC film 5 and an SiO_2 film 6.例文帳に追加

層間絶縁膜積層構造は、ＳｉＣ膜４、ＳｉＯＣ膜５、及びＳｉＯ_２ 膜６を有する。 - 特許庁

In a thin film transistor, its foundational film, its gate insulation film, and its interlayer insulation film are formed out of silicon oxide films.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、下地膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜を酸化珪素膜で形成する。 - 特許庁

To provide a method for creating a virtual protocol "interlayer" between two protocol layers in a communication stack in a communication environment supporting a multi-layered protocol.例文帳に追加

通信スタック内の２つのプロトコル層の間に仮想プロトコル「中間層」を提供すること。 - 特許庁

The interlayer dielectric film is deposited all over from above the dielectric film sidewall and the bit line 11 is embedded.例文帳に追加

絶縁膜サイドウォールの上から全面に、層間絶縁膜を堆積して、ビット線１１を埋め込む。 - 特許庁

To surely prevent the diffusion of a material easily diffusible into an interlayer insulating film and is represented by a Cu-containing material into the interlayer insulating film and the peeling of the material, and at the same time, to reduce the interlayer capacity of wiring and to enable the wiring to maintain high oxidation resistance when the wiring is formed by using the material.例文帳に追加

Ｃｕを含有する材料に代表されるような層間絶縁膜に対する易拡散性の材料を用いて配線を構成した場合に、前記易拡散性の材料の層間絶縁膜への拡散や材料の剥離を確実に防止するとともに、層間容量を低減させ、しかも高い耐酸化性を保持する。 - 特許庁

While an anti-reflection film 9 and a resist pattern 10 are formed on the second interlayer dielectric 8, a capacitor hole 11 is formed between the surface of the second interlayer dielectric 8 and a position-controlled bottom face 11a in the first interlayer dielectric 5 through the stopper film 7 by dry etching process using the resist pattern 10 as a mask.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜８上に反射防止膜９とレジストパターン１０を形成し、このレジストパターン１０をマスクとしたドライエッチングにより第２の層間絶縁膜８の表面からストップ膜７を貫通して第１の層間絶縁膜５内に、底面１１ａの位置が制御されたキャパシタホール１１を形成する。 - 特許庁

Further the interlayer insulating layer 20 can have a base insulating layer 24 and a cap insulating layer 28.例文帳に追加

層間絶縁層２０は、さらに、ベース絶縁層２４およびキャップ絶縁層２８を有することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of suppressing generation of a voids in an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜中のボイドの発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

After that, the part of the interlayer film 6 on the scribe line 4s is selectively removed, so as to have the interlayer film 6 on the scribe line 4s removed or left with a thickness of not thicker than 5 nm when the interlayer film 6 on the protruding patterns 4 in the chip region 1a is removed by polishing in the next process.例文帳に追加

その後、次に行われる研磨によってチップ領域１ａ内の凸パターン４上における層間膜６が除去された時点で、スクライブライン４ｓ上の層間膜６が除去されるかまたは５ｎｍ以下の膜厚で残るように、スクライブライン４ｓ上の層間膜６の一部を選択的に除去する。 - 特許庁

To obtain a printed board having via holes which exhibit a high reliability of interlayer connection and its manufacture method.例文帳に追加

層間接続信頼性に優れたビアホールを有するプリント基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A metallic film 293 covering the interlayer insulating film 152 is formed while filling the apertures 32a with the film 293.例文帳に追加

開口３２ａを充填しつつ、層間絶縁膜１５２を覆う金属膜２９３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device not requesting a grinding work for flattening the upper surface of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜上の平坦化のための研磨加工が不要である半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical recording medium which achieves stable and high-quality recording characteristics with less interlayer crosstalk.例文帳に追加

層間クロストークが小さく安定して高品質な記録特性が得られる光記録媒体を提供する。 - 特許庁

Insulating films 17 and 18 are formed on the first interlayer insulating film 13 and a lower layer wiring 16.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１３及び下層配線１６上に絶縁膜１７，１８が形成されている。 - 特許庁

The gate pattern is formed by patterning a gate electrode pattern 57b covering the peripheral circuit region, a second gate interlayer insulating film 64b which is formed on the gate electrode pattern and thicker than the first gate interlayer insulating film 64a and a second conducting film 69 formed on the second gate interlayer insulating film.例文帳に追加

又、ゲートパターンは周辺回路領域を覆うゲート電極パターン５７ｂ、ゲート電極パターンの上に形成され、第１ゲート層間絶縁膜６４ａより厚い第２ゲート層間絶縁膜６４ｂ、及び第２ゲート層間絶縁膜の上に形成された第２導電膜６９をパターニングして形成する。 - 特許庁

The multilayer structure has the upper-layer wiring 14 formed on the lower-layer wiring 12 via an interlayer insulating film 13.例文帳に追加

下層配線１２上に層間絶縁膜１３を介して上層配線１４が形成されている。 - 特許庁

The second conductive interlayer insulating film 6 and the second conductive layer 7 are interconnected in common with the neighboring memory cell column.例文帳に追加

導電層間絶縁膜６、第二導電層７は、隣接するメモリセルカラムに共通の配線となる。 - 特許庁

To provide a TFT interlayer dielectric film material which can form a thick film.例文帳に追加

誘電率が低く、厚膜を形成することができるＴＦＴ層間絶縁膜材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed wiring board for obtaining an interlayer connector having a high connecting reliability.例文帳に追加

接続信頼性の高い層間接続体を得るためのプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The contact hole has a diameter larger than an interval between the wirings 14 in the same layer as the interlayer oxide film 12.例文帳に追加

コンタクトホールは、層間酸化膜１２と同じ層に、配線１４の間隔より大きな径を有する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 108 is formed so as to cover a TFT (thin film transistor) on the plastics substrate 300.例文帳に追加

プラスチック基板３００上のＴＦＴを覆うように層間絶縁膜１０８が形成されている。 - 特許庁

To prevent an interlayer insulating film from coming off by reducing stress by a surface protection film.例文帳に追加

表面保護膜による応力を低減することにより、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止する。 - 特許庁

To prevent an interlayer insulating film from coming off by reducing stress by a mold resin.例文帳に追加

モールド樹脂による応力を低減することにより、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed with interlayer insulating films and a wiring layer on the semiconductor substrate surface in which an element region is formed.例文帳に追加

特に側面から外部取出しを行うに際し、半導体装置の信頼性の向上をはかる。 - 特許庁

Then, a hole section 15a and a wiring groove 15b are successively subjected to patterning to the second interlayer insulating film 15.例文帳に追加

次に、第２の層間絶縁膜１５に孔部１５ａ及び配線溝１５ｂを順次パターニングする。 - 特許庁

An interlayer insulating film 6 whose Young's modulus is 7 or more GPa and whose specific inductive capacity is less than 3 is used.例文帳に追加

また、層間絶縁膜６は、ヤング率が７ＧＰａ以上で比誘電率が３未満のものを用いる。 - 特許庁

An interlayer film layer 24 is made via a barrier film 22 on a first n-1 wiring layer 10.例文帳に追加

第Ｎ−１層の配線層１０の上にバリア膜２２を介して層間膜層２４を形成する。 - 特許庁

Further, a second interlayer insulating film 10 covering the first wiring layer 9 is formed on the top face of the first interlayer insulating film 7 and on the top face of the first wiring layer 9, and a second wiring layer dummy pattern (first dummy wiring pattern) 11 is formed on the top face of the second interlayer insulating film 10.例文帳に追加

また、前記第一層間絶縁膜７の上面上及び前記第一配線層９の上面上には、前記第一配線層９を被覆する第二層間絶縁膜１０が形成され、前記第二層間絶縁膜１０の上面上には第二配線層ダミーパターン（第一ダミー配線パターン）１１が形成されている。 - 特許庁

A sidewall of a contact hole 41 is covered with a seal film 42 which is more precise than the interlayer insulation film 18.例文帳に追加

コンタクト孔４１の側壁は、層間絶縁膜１８より緻密なシール膜４２で覆われている。 - 特許庁

To provide a highly heat-resistant and pressure-proof laminated hose excellent in interlayer adhesive force under a high temperature atmosphere.例文帳に追加

高温雰囲気下での層間接着力が優れた高耐熱，耐圧性積層ホースを提供する。 - 特許庁

To improve stability of tracking servo by a tracking error signal which gets rid of effect of an interlayer stray light.例文帳に追加

層間迷光の影響を排除したトラッキングエラー信号により、トラッキングサーボの安定性を向上させる。 - 特許庁

Above and below the hydrogen barrier layer 32, interlayer insulating films 34 and 30 comprising O3-TEOS film are formed.例文帳に追加

また、水素バリヤ層３２の上下には、Ｏ_3 −ＴＥＯＳ膜からなる層間絶縁膜が成膜されている。 - 特許庁

A first metal wiring layer 7 that consists of an Al alloy layer is formed on a first interlayer insulating layer 5.例文帳に追加

第１層間絶縁層５上にＡｌ合金層からなる第１メタル配線層７を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 40 and an interlayer insulating film 41 are sequentially deposition-formed, after forming a metal silicide film.例文帳に追加

金属シリサイド膜を形成後、シリコン窒化膜４０と層間絶縁膜４１を順次堆積形成する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of a metal to an interlayer insulating film from a metal gate electrode when or after being formed.例文帳に追加

形成時または形成後のメタルゲート電極からの層間絶縁膜への金属の拡散を防止する。 - 特許庁

An interlayer insulation film and an insulation film are formed on the substrate 1 so as to cover the TFTs.例文帳に追加

そのＴＦＴを覆うように基板１上に層間絶縁膜および絶縁膜が形成される。 - 特許庁

To prevent electrostatic breakdown of a metal line or an interlayer insulation film by improving electrostatic resistance.例文帳に追加

耐静電性を向上させ、金属配線や層間絶縁膜の静電破壊を防止することを目的とする。 - 特許庁

POLYESTER FILM WHICH IS HIGHLY ADHESIVE TO POLYVINYL BUTYRAL AND IS INTENDED FOR USE AS INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS AND LAMINATED GLASS MADE THEREOF例文帳に追加

ポリビニルブチラール易接着性合わせガラス中間膜用ポリエステルフィルムおよびそれからなる合わせガラス - 特許庁