「junction current」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

OPTO-ELECTRONIC DEVICE USING DISABLED TUNNEL JUNCTION FOR CURRENT CONFINEMENT例文帳に追加

電流規制のために無効化されたトンネル接合を用いた光電子デバイス - 特許庁

A first PN junction diode is connected to the current detecting resistor.例文帳に追加

電流検出抵抗には、第１のＰＮ接合ダイオードが結合されている。 - 特許庁

To provide a junction barrier Schottky diode which can make compatible the reduction of a leakage current and the increase of an on-current while avoiding the reduction of a breakdown voltage of the junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードの耐圧を低下させることなく、リーク電流の低減とオン電流の増大を両立したダイオードを提供する。 - 特許庁

To reduce leakage current arising in a PN junction diode to control charge-up current that is connected to the PN junction diode through plasma treatment during wiring formation.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードに生じるリーク電流を低減し、ＰＮ接合ダイオードに接続される配線形成でのプラズマ処理によるチャージアップ電流を制御する。 - 特許庁

To decrease the resistance of a wiring without increasing a junction leakage current in which the increase in the leakage current is not allowed in a semiconductor storage device, in which the junction leakage current value is increased when a metal silicide film provided on an active region for reducing the resistance of the storage device is increased.例文帳に追加

半導体記憶装置の配線の低抵抗化のため活性領域上に設けられている金属シリサイド膜の厚さを増すと、接合リーク電流値が増大する。 - 特許庁

To suppress a leakage current between: a PN junction of source/drain regions; and a contact.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のＰＮ接合部とコンタクト間のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to improve junction leakage current characteristics by providing a silicide 130 having the uniform junction with the source/drain region.例文帳に追加

よって、ソース／ドレーン領域と均一な接合を有するシリサイド１３０を備えて接合漏れ電流特性を向上させられる。 - 特許庁

PN junction 12a exists in the selection transistor 12, as reverse bias is performed, a junction leak current i_L is made to flow.例文帳に追加

選択トランジスタ１２にはＰＮ接合１２ａが存在し、逆バイアスされていることから接合リーク電流ｉ_Ｌが流れる。 - 特許庁

When a current monitored by a current detecting unit 90 exceeds a threshold current, a gate voltage for turning on the junction field effect transistor (JFET) 32 is made larger than a built-in voltage for a PN-junction.例文帳に追加

電流検知部９０でモニタする電流が閾値電流を超えた場合、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）３２をターンオンするときのゲート電圧をＰＮ接合のビルトイン電圧より大きくする。 - 特許庁

ELECTROSURGICAL INSTRUMENT REDUCING CURRENT DENSITIES AT INSULATOR CONDUCTOR JUNCTION例文帳に追加

絶縁体と伝導体との接合部で電流密度を減少する電気外科用器具 - 特許庁

To provide a novel epitaxial wafer for a hetero-junction bipolar transistor and the hetero-junction bipolar transistor that can prevent the leak of a current adjacent to an emitter layer and improve a current gain.例文帳に追加

エミッタ層近傍における電流漏れを防止して電流利得を向上させることができる新規なＨＢＴ用エピタキシャルウェハ及びＨＢＴの提供。 - 特許庁

diode such that light emitted at a p-n junction is proportional to the bias current 例文帳に追加

バイアス電流と比例するそのようなその光がPN接合で放射されたダイオード - 日本語WordNet

To provide a semiconductor device where not only a junction leak current but a forward current characteristic are raised.例文帳に追加

接合リーク電流だけでなく順方向の電流特性が向上した半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Since an npn junction is formed between two adjacent detection elements, a current is not caused to flow between the detection elements.例文帳に追加

隣接する検出素子間ではｎ−ｐ−ｎ接合となり、電流が流れない。 - 特許庁

The laminated superconducting junction has the RSJ characteristics as the current-voltage characteristics.例文帳に追加

積層型超伝導接合は、その電流電圧特性としてＲＳＪ特性を備える。 - 特許庁

To suppress a junction leak current of a transistor having silicide layers in source and drain regions.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域にシリサイド層が設けられたトランジスタの接合リーク電流を抑制する。 - 特許庁

By spot light irradiation Lgt, the reverse current of the PN junction of the photodiode PD1 is increased.例文帳に追加

スポット光照射Lgtにより、フォトダイオードPD1のPN接合の逆方向電流は増大する。 - 特許庁

Therefore, the source/drain regions 6 can be reduced both in electric resistance and in junction leakage current.例文帳に追加

よって、ソース・ドレイン領域６の電気抵抗を低減し、接合リークを低減できる。 - 特許庁

The current Ayabekita Toll barrier (Ayabe Junction) is of a prefabricated structure intended specifically for temporary use. 例文帳に追加

現在の綾部北本線料金所（綾部JCT）はプレハブの仮設に近い作りとなっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To improve the performance of an element by reducing short channel effect and a junction leakage current.例文帳に追加

ショートチャンネル効果と接合漏洩電流を減少させ素子の性能を改良する。 - 特許庁

Even if the annealing temperature is 850°C, the low junction leakage current at an ultrathin junction formation part is materialized by the low sheet resistance of the silicide.例文帳に追加

アニーリング温度が８５０℃であったとしても、シリサイドの低シート抵抗によって、超浅接合形成部の低接合リーク電流が実現される。 - 特許庁

To reduce a leak current that occurs in a pn-junction region between a gate and a source in a trench type junction FET using a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板を用いた接合型ＦＥＴにおいて、ゲート・ソース間のｐｎ接合領域において生じるリーク電流を低減する。 - 特許庁

Accordingly, leakage current in a pn-junction caused by crystal defects can be reduced.例文帳に追加

したがって結晶欠陥に起因して発生するｐｎ接合のリーク電流を低減できる。 - 特許庁

To reduce a reverse leakage current at a pn junction part without increasing ON resistance.例文帳に追加

オン抵抗を増加させることなく、ｐｎ接合部分における逆方向リーク電流を低減する。 - 特許庁

To obtain a hetero-junction bipolar transistor which has high current amplification factor and is excellent in high frequency characteristics.例文帳に追加

高い電流増幅率を有し高周波特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタを得る。 - 特許庁

When an electric current flows to the P-N junction, infrared rays are emitted by recoupled minority carriers.例文帳に追加

このＰＮ接合部は、電流が流れると、少数キャリアの再結合で赤外線を発光する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is able to obtain reduction in the junction leakage current.例文帳に追加

接合リーク電流の低減が図られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A current flows through the pn junction because a voltage difference is generated in the chip, and the blue light is emitted.例文帳に追加

チップに電圧差が生じることでｐｎ接合部に電流が流れ、青色光を発する。 - 特許庁

To provide an acceleration sensor in which a junction leakage current is reduced, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

接合リーク電流の低減を図った加速度センサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A junction current of each LED are controllable to produce a predetermined illumination profile.例文帳に追加

各ＬＥＤの接合電流は、所定の照度プロファイルを生成するように制御することができる。 - 特許庁

In other words, a leak current generated on the Schottky junction interface and flowing to the cathode side can be interrupted.例文帳に追加

つまり、ショットキー接合界面で発生したリーク電流がカソード側に漏れるのを遮断できる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT CAPABLE OF REDUCING JUNCTION LEAKAGE CURRENT AND NARROW WIDTH EFFECT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

接合漏れ電流及び狭幅効果を減少させうる半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

To block the current conduction of a built-in PiN diode in a junction barrier Schottky (JBS) structure.例文帳に追加

接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）構造内のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する。 - 特許庁

By this invention, by forming the Schottky junction of the nitride semiconductor layer and the GZO layer 22, the leakage current of the reverse current of the Schottky junction is suppressed and the ideal coefficient of a forward current is brought close to 1.例文帳に追加

本発明によれば、窒化物半導体層とＧＺＯ層２２とのショットキ接合を形成することにより、ショットキ接合の逆方向電流のリーク電流を抑制し、順方向電流の理想係数を１に近づけることができる。 - 特許庁

The magnetic junction is configured such that the free layer is switchable between a plurality of stable magnetic states when a write current is passed through the magnetic junction.例文帳に追加

磁気接合は、磁気接合に書き込み電流が流されるときに自由層が複数の安定な磁気状態間で切替え可能であるように構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having the enough less short channel effect of a field effect transistor with less junction capacitance, and with a less junction leakage current.例文帳に追加

電界効果トランジスタの短チャネル効果が十分に小さく、且つ、接合容量および接合リーク電流も十分に小さい半導体装置を提供する。 - 特許庁

Ic, Rn and Φ0 are the critical current of the Josephson junction, the normal resistor and of the Josephson junction and the value of a single magnetic flux quantum.例文帳に追加

ここにＩｃ、Ｒｎ及びФ０はそれぞれ、ジョセフソン接合の臨界電流値、ジョセフソン接合のノーマル抵抗値及び単一磁束量子の値である。 - 特許庁

To provide a semiconductor hetero junction material for reducing electric resistance components appearing in the current-voltage characteristics of the semiconductor hetero junction material.例文帳に追加

半導体ヘテロ接合材料の電流−電圧特性に現れる電気抵抗成分を減少させる半導体ヘテロ接合材料を提供する。 - 特許庁

The first and second vertical bias layers of a tunnel junction sensor are electrically insulative, and a current conducted through the tunnel junction sensor is not shunted.例文帳に追加

トンネル接合センサの第１及び第２の縦方向バイアス層が、電気的に絶縁性で、トンネル接合センサを通じて導通する電流を分流しない。 - 特許庁

To provide a reference current generation circuit which does not require a P-N junction diode and in which the temperature dependence of circuit current becomes substantially zero.例文帳に追加

ＰＮ接合ダイオードを必要とせず、回路電流の温度依存性が概略零となる基準電流生成回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of coping with both of a high on-state current and a low junction leakage current in a source/drain diffusion layer.例文帳に追加

高いオン電流とソース／ドレイン拡散層における低い接合リーク電流を両立可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The compensation current application circuit 2 applies a current formed by amplifying leak current in a PN junction, to which inverse voltage is applied, to the band gap circuit 1 in the high temperature area.例文帳に追加

補償電流印加回路２は，高温域で，逆方向電圧の掛かったＰＮ接合のリーク電流を増幅した電流をバンドギャップ回路１に印加する。 - 特許庁

By using it so as to apply a reverse voltage to the pn junction, a constant current drive element for controlling current flowing by pinch-off current can be provided.例文帳に追加

ｐｎ接合に逆方向電圧を印加するように使用することで、ピンチオフ電流によって流れる電流を制御する定電流駆動素子を提供できる。 - 特許庁

On both outer side faces of the junction part 5a of the positive electrode current collector, a positive electrode current collecting member 4 having a chamfered part 4a of the positive electrode current collecting member is arranged and welded.例文帳に追加

正極集電体接合部５ａの両外側面に、正極集電部材面取り部４ａを有する正極集電部材４が配設されて溶接されている。 - 特許庁

A gate current limit resistor 445 is coupled to a gate input of the wide bandgap semiconductor junction gate transistor when used, and limits the gate current input to a gate of the junction gate transistor.例文帳に追加

ゲート電流制限抵抗器４４５は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、接合ゲートトランジスタのゲートに入力されるゲート電流を制限する。 - 特許庁