「junction current」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To simplify control of a data write-in current in a MRAM device formed by a magnetic memory cell having magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスにおいて、データ書込電流の制御を簡略化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having an elevated source/drain structure in which an occurrence of a junction leak current is reduced.例文帳に追加

接合リーク電流の発生が軽減されたエレベーテッド・ソース／ドレイン構造を有する半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

This makes it possible to eliminate PN junction between the drain region 15a and the high density P region 17 and decrease leakage current.例文帳に追加

このことによって、ドレイン領域１５ａと高濃度Ｐ領域１７間のＰＮ接合がなくなり、リーク電流を低減することができる。 - 特許庁

Current detecting resistors R1 are provided between a common junction on the low potential side of three inverters provided for every phase and a grounding terminal.例文帳に追加

電流検出抵抗Ｒ１は、各相ごとに設けられた３つのインバータの低電位側の共通接続点と接地端子間に設けられる。 - 特許庁

A square type lithium secondary battery 20 is provided with a positive electrode external terminal 5 having a junction part 5a of a positive electrode current collector protruding toward the lower part side.例文帳に追加

角型リチウム二次電池２０は、下部側に突出した正極集電体接合部５ａを有する正極外部端子５を備えている。 - 特許庁

To reduce a junction leakage current between silicon substrate and impurity diffused layer, in a semiconductor device equipped with a silicide layer.例文帳に追加

シリサイド層を備える半導体装置において、シリコン基板と不純物拡散層との間の接合リーク電流を低減することを目的とする。 - 特許庁

Hereby, it can eliminate the effect of the junction temperature of the switching element F1, so it can accurately detect the drive current of the inverter circuit 7.例文帳に追加

これにより、スイッチング素子Ｆ１のジャンクション温度による影響を排除できるので、インバータ回路７の駆動電流を正確に検出できる。 - 特許庁

To provide an AlGaN/GaN double hetero junction field effect transistor which suppresses the generation of a leakage current and has excellent pinch-off characteristics.例文帳に追加

リーク電流の発生を抑制し、良好なピンチオフ特性を有するＡｌＧａＮ／ＧａＮダブルへテロ接合電解効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a transverse junction field effect transistor wherein leakage current can be prevented and sufficient voltage-withstanding ability can be achieved.例文帳に追加

漏れ電流の発生を防止すると共に、十分な耐圧を実現することが可能な横型接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an amplifying circuit which does not easily generate electrostatic damage and operates by low current of electricity by constituting a quasi- enhancement mode hetero junction FET.例文帳に追加

疑似エンハンスメントモード・ヘテロ接合ＦＥＴで構成され、静電気破壊が起こりにくく、低電流で動作する増幅回路を提供する。 - 特許庁

Before the n--type drain layer 2A under a gate electrode 8 is thermally broken down, the surge current is released to a silicon substrate 1 through this p-n junction.例文帳に追加

ゲート電極８の下のＮ−型ドレイン層２Ａが熱破壊する前に、サージ電流は、このＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

To speed up the switching of a Schottky barrier diode having a super junction structure which flows a current in on-state and depletes in off-state.例文帳に追加

オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化する超接合構造を有するショットキーバリアダイオードの、高速スイッチング化を図る。 - 特許庁

To prevent cracks or the like generated in a junction using a lead free solder to a member plated with the current tin-lead plating or silver- containing plating.例文帳に追加

現行の錫−鉛めっきや銀を含有するめっきを施した部材の鉛フリーはんだを用いた接合におけるクラック等を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device in which the sheet resistance value of a silicide layer is suppressed and moreover the junction leak current is suppressed.例文帳に追加

シリサイド層のシート抵抗値が抑制され、さらに接合リーク電流の発生が抑制された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The input current Iin is supplied to a common junction of the MOS transistors Q1 and Q2, so that the output voltage depending on the input current Iin is obtained from the load resistor RL.例文帳に追加

そして、ＭＯＳトランジスタＱ１とＭＯＳトランジスタＱ２との共通接続部に入力電流Ｉｉｎを供給し、負荷抵抗ＲＬから入力電流Ｉｉｎに応じた出力電圧を得るようにした。 - 特許庁

Thus, when a gate rectifying current that is a forward current is generated, a potential drop is generated by the resistor 21 for gate voltage suppression, and a gate voltage of the Schottky junction FET 13 is reduced.例文帳に追加

これにより、順方向電流であるゲート整流電流が発生すると、ゲート電圧抑制用抵抗２１によって電位降下が生じ、ショットキー接合ＦＥＴ１３のゲート電圧が引き下げられる。 - 特許庁

The re-combination region 7 is formed only on a path, through which an electric current flows immediately after the passage of an electric current in the forward direction is started, of the PN boundary surface, which is a junction boundary surface between the drift layer 2 and the base region 3.例文帳に追加

再結合領域７は、ドリフト層２とベース領域３との接合界面であるＰＮ界面のうち、順方向通電開始直後に電流が流れる経路上にのみ形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein leakage current is reduced to decrease the junction breakdown voltage due to the leak current so that an operating power supply can be turned on even if it has a high voltage.例文帳に追加

リーク電流を減少させ、リーク電流による接合降伏電圧を減少させて動作電源が高電圧でも投入が可能な半導体素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a current collector for bipolar secondary battery which is light in weight compared with a metallic foil current collector, and prevents liquid junction between a positive electrode layer and a negative electrode layer in the bipolar electrode.例文帳に追加

金属箔集電体に較べて軽量であるとともに、双極型電極内の正極層と負極層との間の液絡を防ぐことができる双極型二次電池用の集電体を提供する。 - 特許庁

Output current of the constant current conduction means 3 is reduced when forward voltage V drops to a prescribed voltage threshold, or when a junction temperature corresponding to forward voltage V rises to a prescribed temperature threshold, by using the forward voltage V in constant correlation with the temperature (junction temperature) of the pn junction of the LED element 1.例文帳に追加

この順方向電圧ＶがＬＥＤ素子１のｐｎ接合部の温度（ジャンクション温度）と一定の相関関係を持つことを利用し、該順方向電圧Ｖが所定の電圧閾値まで低下したとき、あるいは、順方向電圧Ｖに対応するジャンクション温度が所定の温度閾値まで上昇したとき、定電流通電手段３の出力電流を減少させる。 - 特許庁

When a polysilicon film 21 is doped with a dopant that diffuses into the junction layer of the transistor, dopant diffused into a polysilicon film spreads into a junction layer 12 in a subsequent process, whereby a reduction in depth of the junction layer caused by overetching at the formation of a contact hole and a junction leakage current caused by misalignment at the formation of a contact hole can be compensated.例文帳に追加

また、トランジスタの接合層コンタクトで接合層にドーピングされたドーパントをポリシリコン膜２１にドーピングさせて使用する場合、後続の工程時にポリシリコン膜内にドーピングされたドーパントが接合層１２に広がってコンタクトホール形成時の過度蝕刻にともなう接合層の深さの減少、コンタクトホールの形成時の誤整列等による接合漏洩電流問題を補償できる。 - 特許庁

To provide a hetero-junction semiconductor device which is equipped with a passivation film and capable of inhibiting a leakage current that occurs at the end face of a junction between semiconductor layers, and solving problems, such as moisture invasions, a lack of heat dissipation, etc, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体層間の接合の端面におけるリーク電流を抑え、かつ、水分の侵入や放熱不足の問題を解消できるパッシベーション膜を備えたヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Since the pocket region 181, inside the high concentration impurity region 170, is located in a region shallower than a lower end surface 173 of the high-concentration impurity region 170, the junction capacitance and the junction leakage current are reduced.例文帳に追加

高濃度不純物領域１７０内のポケット領域１８１がこの高濃度不純物領域１７０の下端面１７３よりも浅い領域に位置しているので、接合容量および接合リーク電流が減少する。 - 特許庁

To provide an on-chip detector using a resistor shunt inherent Josephson junction device making use of an integrated resistive element (shunt resistor) that splits current flowing into the inherent Josephson junction of copper oxide high-temperature superconductor.例文帳に追加

銅酸化物高温超電導体の固有ジョセフソン接合に流れる電流を分流する抵抗素子（シャント抵抗）を内蔵させ、それを利用する抵抗シャント固有ジョセフソン接合装置を用いたオンチップ検出器を提供する。 - 特許庁

To prevent a short-circuit and an increase in junction leakage current in a semiconductor device with a structure in which a part of a contact hole is disposed on an element isolation region.例文帳に追加

コンタクトホールの一部が素子分離領域上に配置された構造の半導体装置において、短絡及び接合漏れ電流の増大を抑制する。 - 特許庁

To provide a junction field effect transistor capable of easily controlling a threshold voltage and capable of easily controlling a saturation current density of a channel.例文帳に追加

閾値電圧を容易に制御することができ、チャネルの飽和電流密度を容易に制御することができる接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A junction transistor J11 causes a starting current to flow to the power terminal Vcc from the high-voltage input terminal VH, and charges the capacitor for stabilizing the voltage.例文帳に追加

接合型トランジスタＪ１１は、高電圧入力端子ＶＨから電源端子Ｖｃｃに起動電流を流して電圧安定用のコンデンサを充電する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of controlling a current flowing through a magnetic tunnel junction device according to temperature during data reading operation.例文帳に追加

データの読出し動作時に、磁気トンネル接合素子に流れる電流を温度に応じて制御することが可能な半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated superconducting junction that uses a superconducting material, namely magnesium diboride, and has RSJ characteristics as current-voltage characteristics.例文帳に追加

超伝導物質である二硼化マグネシウムを用い、電流電圧特性としてＲＳＪ特性を有する積層型の積層型超伝導接合を提供する。 - 特許庁

To provide a JFET (junction field effect transistor) which easily realizes normally off, while securing high conductance and where leakage current is small even at high temperatures, and to provide a method for manufacturing the JFET.例文帳に追加

高コンダクタンスを確保しつつノーマリーオフを容易に実現し、かつ高温でも漏洩電流の少ないＪＦＥＴおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, since the selective transistor can be cut off surely, a undesirable current can be prevented from flowing into the selective transistor (and MTJ(magnetic tunnel junction) cell).例文帳に追加

これにより、選択トランジスタを確実に遮断できるので、望ましくない電流が選択トランジスタ（およびＭＴＪセル）を流れることを防止できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can improve current inductive capability, without causing drop in the junction breakdown voltage (JBV).例文帳に追加

ジャンクジョンブレークダウン電圧（ＪＢＶ）の低下なしで電流誘導能力を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which transistor characteristics can be enhanced by suppressing generation of junction leakage current, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

本発明は、接合リーク電流の発生を抑制し、トランジスタ特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, when the flash memory operates, the leakage current flowing between the drain line/source line in the junction element separating region can be suppressed.例文帳に追加

これにより、フラッシュメモリの動作時に、上記接合素子分離領域においてドレイン線／ソース線間にリーク電流が流れてしまうのを抑制することができる。 - 特許庁

To provide an element having a high MR ratio and capable of obtaining stable tunnel current in a magneto-resistive element utilizing ferromagnetic tunnel junction.例文帳に追加

強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗素子において、高いＭＲ比を有し、しかも安定したトンネル電流を得ることのできる素子の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an MOS transistor, which suppresses punch-through current and avoids increasing the source drain junction capacitance and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

パンチスルー電流を抑制し、ソース・ドレインの接合容量を増大させないＭＯＳトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The excellent current constriction can be obtained by Schottky junction through the compound layer 115 of the second upper clad layer 109 and the p site electrode 114.例文帳に追加

第２上クラッド層１０９とｐ側電極１１４との化合物層１１５を介したショットキー接合により優れた電流狭窄性が得られる。 - 特許庁

Therefore, a surge current gets away to a silicon substrate 1 through the P-N junction before the N^--type drain layer 2 underlying a gate electrode 6 is thermally broken.例文帳に追加

このため、ゲート電極６の下のＮ−型ドレイン層２が熱破壊する前に、サージ電流はこのＰＮ接合を通ってシリコン基板１に逃げる。 - 特許庁

But, if the junction structure is abnormal, a time is taken for starting to flow the forward current after applying the forward voltage to the LED 1.例文帳に追加

接合構造が異常な場合は、ＬＥＤ１に順方向電圧が印加されてから、順方向電流が流れ始めるまでに時間を要する。 - 特許庁

In this way, the current flow reaching the light emitting section is controlled in the light emitting device 1 wherein the p-n junction 17 acts as the light emitting section.例文帳に追加

これにより、ｐ−ｎ接合部１７を発光部とする発光素子１において、発光部に至る通電電流の流れを制御することができる。 - 特許庁

Therefore, a drift layer to which a current is made to flow in an on state and depleted in an off state can be formed easily by using a parallel p-n junction layer.例文帳に追加

これにより、オン状態では電流を流し、オフ状態では空乏化するドリフト層を並列ｐｎ接合層によって容易に形成することができる。 - 特許庁

Thereby, the leakage current occurring from the unevenness of the junction surface between the insulating layer 15 and the backside of the photoelectric conversion portion 10 can be reduced.例文帳に追加

これにより、絶縁層１５と光電変換部１０の裏面との接合面の不均一さから生じるリーク電流を低下させることができる。 - 特許庁

To remedy the junction leakage current of a MOSFET against which the depth reduction of a diffused layer is contrived.例文帳に追加

本発明は、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴにおいて、接合リーク電流を改善できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a highly reliable semiconductor device in which generation of a junction leak current is suppressed by suppressing diffusion of metal.例文帳に追加

金属の拡散を抑えることによって、接合リーク電流の発生を抑制するとともに信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a substrate leakage current by suppressing the inflow of electric charge from a sub-collector layer of a hetero-junction bipolar transistor to a half-insulating substrate.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのサブコレクタ層から半絶縁性基板への電荷の流入を抑制することにより、基板リーク電流を低減する。 - 特許庁