「junction current」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor apparatus having a structure capable of suppressing a leakage current entailed by a pn-junction leakage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＰＮ接合リークに伴う漏れ電流の抑制を図った構造の半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device in which a threshold current I_th does not increase even if mounting is performed by junction down system.例文帳に追加

ジャンクションダウン方式でマウントを行なっても閾値電流Ｉ_thが大きくならない半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is not limited by the concentration of a diffusion layer and of which junction leak current is reduced enough.例文帳に追加

拡散層濃度に制約されず、接合リーク電流が十分に低減された半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction bipolar transistor having high-speed operation properties/high-current driving force, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高速動作性・高電流駆動力を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a PN junction diode having a high breakdown voltage (reverse-current is not likely to flow), and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

耐圧が高い（逆電流が生じにくい）ＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can reduce a junction leakage current and a narrow width effect and, to provide its manufacturing method.例文帳に追加

接合漏れ電流及び狭幅効果を減少させうる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the array comprises tunnel junction MRAM cells integrated in the semiconductor chip provided with a current source.例文帳に追加

一実施例では、アレイは、電流源を備えた半導体チップ内に集積されたトンネル接合ＭＲＡＭセルを含む。 - 特許庁

PN junction reverse leak current of a photodiode and pn junction reverse leak current of an MOS transistor are offset by deciding the conductivity type of the MOS transistor connected to the photodiode with a pn junction, and noise component is reduced as added to a signal charge due to photoelectric conversion.例文帳に追加

ＰＮ接合を有するフォトダイオードに接続されるＭＯＳトランジスタの導電型を決定することで、フォトダイオードのＰＮ接合逆方向リーク電流と、ＭＯＳトランジスタのＰＮ接合逆方向リーク電流を相殺し、光電変換による信号電荷に加算されるノイズ成分を低減する構成とする。 - 特許庁

When a switch 12 is turned on, a variable current source 10 raises a filament current in accordance with the potential rise of a junction point 50 of a CR time constant circuit 32.例文帳に追加

スイッチ１２をオンすると、ＣＲ時定数回路３２の接続点５０の電位の上昇に対応して可変電流源１０はフィラメント電流を上昇させる。 - 特許庁

According to the present invention, by forming a Schottky junction of a nitride semiconductor layer and a layer containing indium makes it possible to suppress the reverse leakage current in a Schottky junction and bring the ideal factor of forward current close to 1.例文帳に追加

本発明によれば、窒化物半導体層とインジウムを含む層とのショットキ接合を形成することにより、ショットキ接合の逆方向電流のリーク電流を抑制し、順方向電流の理想係数を１に近づけることができる。 - 特許庁

A diode for offsetting leak current is connected to a photo diode with pn junction, so that the pn junction backward leak current of the photo diode can be offset and noise elements conversion be also be reduced as added to signal charge through photoelectric.例文帳に追加

ＰＮ接合を有するフォトダイオードにリーク電流相殺用のダイオードを接続することで、フォトダイオードのＰＮ接合逆方向リーク電流を相殺し、光電変換による信号電荷に加算されるノイズ成分を低減する構成とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a leak current is not generated in a hetero-junction interface of SiGe/Si, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＳｉＧｅ／Ｓｉヘテロ接合界面に漏れ電流を生じない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel structure in a semiconductor device to eliminate or reduce leakage current and junction capacitance.例文帳に追加

リーク電流及び接合キャパシタンスを除去又は減少させるために、半導体デバイスにおける新規な構造体を提供する。 - 特許庁

As a result, leak current can be reduced under a state where breakdown strength at the pn junction of the constant voltage diode is set at a low level.例文帳に追加

その結果、定電圧ダイオードのｐｎ接合の耐圧を低く設定した状態で、リーク電流を低減することができる。 - 特許庁

In such a structure, when a gate voltage is applied, an off-current is reduced by the p-n junction within the channel.例文帳に追加

そのような構造において、ゲート電圧が印加されない場合には、チャネル内のｐ-ｎ接合によりオフ電流が削減される。 - 特許庁

In addition, compaction gate-current efficiency is enhanced by reverse biasing a source 11/a substrate 23 junction for the cell to be programmed.例文帳に追加

またプログラムされるセルのソース１１／基板２３接合を逆バイアルすることにより圧縮ゲート電流効率が向上する。 - 特許庁

Also, carrier injection through pn junction to a channel is carried out so that the deterioration of current driving capability can be prevented.例文帳に追加

また、ＰＮ接合を介してチャネルへキャリア注入が行われるので、電流駆動能力の低下を回避することができる。 - 特許庁

To realize a shallow junction for inhibiting the short channel effect in a MISFET by inhibiting the increase of current leak and resistance.例文帳に追加

ＭＩＳ型ＦＥＴにおいて、短チャネル効果を抑えるための浅い接合をリーク電流と抵抗の増加を抑えて実現する。 - 特許庁

To provide a battery, having an electrode structure with proper junction conditions between electrodes and current collecting plates, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

極板と集電板との接合状態がよい電極構造体を備えた電池とその電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing the generation of junction leak current as well as improving the degree of movement of an electron or a hole.例文帳に追加

電子又はホールの移動度を向上でき、接合リーク電流の発生を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can suppress a short channel effect by a halo region, and also can suppress the generation of a junction leak current and an increase of a junction capacitance.例文帳に追加

ハロー領域により短チャネル効果を抑制し、且つ接合リーク電流の発生や接合容量の増加を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A pressure distribution becomes uniform by dispersing the pressure applied to the junction by the spacer to be transmitted to the junction, so that the real contact area of the interface between the electrolyte and a current collector is increased.例文帳に追加

締結部に加えられた圧力をスペーサによって分散して接合体に伝えることにより圧力分布が均一なものになり、電解質と集電体の界面の真実接触面積が増加する。 - 特許庁

This device is provided with current sources 45 and 46 for feeding current to a superconducting tunnel junction element 41 composed by sandwiching a tunnel barrier by two superconductive metallic thin films, and a voltage detector 43 detecting voltage pulses occurring in the superconducting tunnel junction element.例文帳に追加

２枚の超伝導金属薄膜でトンネル障壁を挟んで構成された超伝導トンネル接合素子４１に電流を流すための電流源４５，４６と、超伝導トンネル接合素子に発生する電圧パルスを検出する電圧検出器４３を備える。 - 特許庁

The disposed diode uses junction which is equivalent to the p-n junction between the source and bulk of the MOSFET and the bias voltage is applied to the back gate of the MOSFET by using a voltage generated across the anode and cathode of the diode when the diode is driven by a constant current having a certain current value.例文帳に追加

そのダイオードは該ＭＯＳＦＥＴのソースーバルク間のＰＮ接合と同等の接合を用い、配置したダイオードをある電流値で定電流駆動し、該ダイオードのアノードーカソード間に発生する電圧で該ＭＯＳＦＥＴのバックゲートにバイアスを与える。 - 特許庁

Even if crystal defects occur, the crystal defects are kept away from the passage of the base current and thereby the junction leakage current can be reduced between the collector and the base.例文帳に追加

そして、結晶欠陥が発生した場合でも、ベース電流の通過経路から結晶欠陥を離間させることで、コレクタ−ベース間の接合リーク電流を低減させることができる。 - 特許庁

To reduce leak current while ensuring a high current capacity in a semiconductor element where Schottky barrier and the rectifying part of a PN junction are arranged contiguously to each other.例文帳に追加

ショットキ障壁とＰＮ接合の整流部分とを隣接して配置した半導体素子において、高い電流容量を確保しつつ、漏れ電流を低減可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

To compose a current detection mechanism of compact and easy assemblability with the minimum number of components by utilizing the junction of a already existing tested current conductor wired in an instrument.例文帳に追加

機器内に配線される既存の被測定電流導体の接合部を利用し、最小の部品点数で小型かつ容易に組立可能な電流検出機構を構成すること。 - 特許庁

Consequently, since an interface state (interface state density) between the insulating film and the end of the pn junction is decreased, the leakage current is reduced and current properties are improved.例文帳に追加

これによって、絶縁膜とＰＮ接合の端部との間の界面準位（界面準位密度）が減少するので、リーク電流を低減し、電流特性を向上することができる。 - 特許庁

In a p-n junction structure (S1/S2), layers generating carriers associated with optical current by optical excitation are light detection layers (c) and (d).例文帳に追加

ｐｎ接合構造（Ｓ１／Ｓ２）中、光励起によって光電流に係るキャリアを発生する層が光検出層（ｃ、ｄ）である。 - 特許庁

Consequently, the occurrence of a junction leak can be suppressed by increasing the on-current by reducing parasitic resistance and improving the flatness of the Ni silicide film.例文帳に追加

これにより寄生抵抗を低減してオン電流を増加させ、Ｎｉシリサイド膜の平坦性を高めて接合リークを抑制する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction device increased in a relative amount of current along an edge part of a device, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

デバイスの縁部に沿って相対的な電流量を増大させた磁気トンネル接合デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reducing a junction leak current in a semiconductor device having a silicide region and a non-silicide region.例文帳に追加

シリサイド領域および非シリサイド領域を有する半導体装置において、接合リーク電流を低減する方法を提供する。 - 特許庁

Occurrence of a phenomenon that current flows in the reverse direction can be suppressed in SOFC 100 by the property of the PN junction.例文帳に追加

ＰＮ接合の性質によって、ＳＯＦＣ１００内において、逆方向の電流が流れる現象の発生が抑制され得る。 - 特許庁

To simultaneously suppress a reverse narrow channel effect and junction leak current between a source/drain region and the substrate of a MISFET.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴにおいて、逆狭チャネル効果と、ソース／ドレイン領域と基板との間での接合リーク電流と、を同時に抑制する。 - 特許庁

A source/ channel junction is made a heterojunction, by which a compound semiconductor device can be more enhanced in current amplification factor than a case, where a homojunction is used.例文帳に追加

ソース／チャネル接合をヘテロ接合とすることによって、ホモ接合の場合よりも、電流増幅率を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce layer resistance of gate electrodes by preventing an increase of a junction leak current.例文帳に追加

接合リーク電流の増加を防止し、ゲート電極の層抵抗を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction cell having perpendicular anisotropy and an enhancement layer that allows for a low current and a high surface density.例文帳に追加

低電流および高面密度を可能とする、垂直異方性および強化層を有する磁気トンネル接合セルを提供する。 - 特許庁

To provide a structure being capable of reducing off current of a field effect transistor mainly containing indium and including metal-semiconductor junction.例文帳に追加

インジウムを主要成分とし、金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。 - 特許庁

A specified current is caused to flow from a power source 22 to the evaporator 14 by bringing one junction of a Peltier element 21 into thermal contact and the other junction is, e.g. cooled to cool the interior 31a of a covered box 31 through a heat exchanger 25 such as absorbing fins attached to this junction.例文帳に追加

蒸発器１４には、ペルチェ素子２１の一方の接合部を熱的に接触させて、電源２２から所定の電流を流すことで、他方の接合部を例えば冷却し、その接合部に設けた吸熱フィン等の熱交換器２５を介して有蓋箱体３１の内部３１ａを冷却する。 - 特許庁

Furthermore, when a structure compounding a P-N junction and a Schottky junction is employed by further providing an anode electrode making Schottky connection with the n-type layer 1, such an effect as the voltage can be reduced when the current rises can be attained through Schottky junction.例文帳に追加

さらには、ｎ型層１とショットキー接続されるアノード電極をさらに設けることによって、Ｐ−Ｎ接合とショットキー接合とが複合してなる構造とすることで、ショットキー接合に由来する、電流立ち上がり時の電圧を小さくできるという効果も併せて得ることができる。 - 特許庁

In the memory cell, the current line 8 has a first function for passing a first current component 31 for heating the junction and a second function for passing a second current component 41 for switching the magnetization of the first magnetic layer 21.例文帳に追加

電流ライン８が、接合部を加熱するための第一の電流成分３１を流す第一の機能と、第一の磁気レイヤ２１の磁化を切り換えるための第二の電流成分４１を流す第二の機能とを有する。 - 特許庁

Moreover, it does not matter if the device is made into a state capable of receiving the point registration request, when the current position fulfills predetermined criteria (for example, the current position is an entrance, a junction, or the like, when the current position is on a toll highway).例文帳に追加

さらに、現在位置が予め定めた条件を満たす場合（例えば、現在位置が有料道路上のときは、入口または分岐点である等）に、地点登録要求を受け付ける状態にするようにしてもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which increase in sheet resistance of a gate electrode incident to heat treatment, and increase in junction current level due to junction breakdown can be suppressed; and to provide its fabrication process.例文帳に追加

熱処理に伴うゲート電極のシート抵抗値の上昇と、接合破壊により生じる接合リーク電流値上昇を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the metal-semiconductor junction is not formed by contact of the semiconductor film with the metal film, and deterioration of solar battery characteristics which is caused by increase of a leakage current based on the metal-semiconductor junction can be suppressed.例文帳に追加

このため、半導体層と金属膜の接触による金属・半導体接合が形成されることはなく、金属・半導体接合に基づくリーク電流の増大による太陽電池の特性低下を抑止できる。 - 特許庁

The arithmetic calculation part 21 refers to a junction temperature conversion table stored in a conversion table storage part 20 according to the voltage for measurement V from the arithmetic calculation part 15 and a driving current I from a driving current detection part 19, and calculates the junction temperature of the light source (LED).例文帳に追加

ジャンクション温度演算部２１は、演算部１５からの計測用電圧Ｖ、および駆動電流検出部１９からの駆動電流Ｉに従って、換算表記憶部２０に記憶されている、ジャンクション温度換算テーブルを参照し、光源（ＬＥＤ）のジャンクション温度を算出する。 - 特許庁