「layer capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The low layer conductive film 3 and the upper layer conductive film 9 are not superposed in a vertical direction when no alignment error occurs and therefore the capacitance value of a capacitor 15 consisting of the low layer conductive film 3, the insulation layer 7, and the upper layer conductive layer 9 is small.例文帳に追加

アライメント誤差がない状態では、下層導電膜３と上層導電膜９が垂直方向で重なっていないので、下層導電膜３、絶縁層７及び上層導電膜９からなるキャパシタ１５の容量値は小さい。 - 特許庁

The thickness of the insulating layer covering the periphery of the gate electrode layer is partly increased, thereby reducing a parasitic capacitance formed by the gate electrode layer of the thin film transistor, and another electrode layer (another wiring layer) overlapping the gate electrode layer.例文帳に追加

また、ゲート電極層の周縁を覆う絶縁層の厚さを部分的に厚くすることにより、薄膜トランジスタのゲート電極層と、該ゲート電極層と重なる他の電極層（他の配線層）とで形成される寄生容量を低減する。 - 特許庁

When the alignment error occurs in an X direction occurs and the low layer conductive film 3 and then the upper layer conductive film 9' are superposed, the capacitance value of the capacitor 15 consisting of the low layer conductive film 3, the insulation layer 7, and the upper layer conductive layer 9 increases.例文帳に追加

Ｘ方向でアライメント誤差が生じて下層導電膜３と上層導電膜９’が垂直方向で重なると、下層導電膜３、絶縁層７及び上層導電膜９からなるキャパシタ１５の容量値が増加する。 - 特許庁

On the upper layer part and its neighboring layer part, a V_DD layer and a V_SS layer are arranged, and a parasitic capacitance is produced by capacitive coupling between the conductive layers CL1, CL2 and the V_DD layer, between the conductive layers CL1, CL2 and the V_SS layer, and between the conductive layers CL1, CL2.例文帳に追加

当該上層部分やその隣接層部分にはＶ_DD層及びＶ_SS層が配置されており、導電層ＣＬ１，ＣＬ２とＶ_DD層及びＶ_SS層との間、及び導電層ＣＬ１，ＣＬ２同士で容量結合して寄生容量が生じる。 - 特許庁

Signal wiring is provided, while facing a conductor layer which is connected to a reference potential, via an insulator layer, and capacitance between signal wiring and the conductor layer which faces this signal wiring is set greater than capacitance between adjacent signal wiring.例文帳に追加

基準電位に接続された導電体層に絶縁体層を介して信号配線を対向して設け、信号配線と該信号配線に対向する導電体層と間の容量が、隣合う信号配線間の容量より大きくする。 - 特許庁

The bandpass filter 1 includes: a first capacitance electrode 13 electrically connected to a resonance electrode 7; and a second capacitance electrode 15 electrically connected to the first capacitance electrode and facing the first capacitance electrode via a dielectric layer.例文帳に追加

また、これらの電極パターンの形状を変化させて共振周波数を小さくした場合、共振周波数と共振周波数の２倍の周波数帯域の間であって減衰量の小さい帯域が通過帯域から外れてしまうため、通過帯域における信号が大きく減衰してしまう。 - 特許庁

A capacitance element 400 constitutes a memory cell and a first diffusion layer 226 serving as a source and a drain is connected to the capacitance element 400 in a first transistor 200.例文帳に追加

容量素子４００はメモリセルを構成しており、第１トランジスタ２００は、ソース及びドレインとなる第１拡散層２２６が容量素子４００に接続している。 - 特許庁

Since the auxiliary capacitance semiconductor layer 37 of the auxiliary capacitance 24 contains the impurities at a high concentration, a leakage current is lowered to suppress the rate of dot defect generation.例文帳に追加

補助容量24の補助容量半導体層37の不純物が高濃度であるためリーク電流を低く抑え、点欠不良の点欠陥の発生率を抑制する。 - 特許庁

Also since the gate electrode layer 17D acts to add resistance components to gate/drain capacitance, capacitance reduction in the high-frequency region can be attained.例文帳に追加

また、ゲート電極層１７Ｄは、ゲート−ドレイン間容量に対して抵抗成分を付加するように作用するので、高周波領域での容量低減が可能となる。 - 特許庁

On the insulating film layer a2, the capacitance element pattern is provided with belt-like patterns b23, b24, and b25 in a projected shape to form a capacitance element C61 for adjusting characteristics.例文帳に追加

絶縁膜層ａ２上で、容量素子パターンに帯状パターンｂ２３，ｂ２４，ｂ２５を突き出し形状に設けて特性調整用の容量素子Ｃ６１を形成する。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor capable of obtaining high electrostatic capacitance from initial charge/discharge and obtaining high electrostatic capacitance even at a low temperature.例文帳に追加

初期の充放電から高い静電容量を得ることができるとともに、低温度下においても高い静電容量を得ることができる電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

Also a capacitor having a higher capacitance and a more stable temperature characteristic of capacitance than the conventional capacitor can be formed by applying the dielectric ceramic as a dielectric layer.例文帳に追加

また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、従来のコンデンサよりも高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 - 特許庁

The lower layer of the fuse element, the lower layer of the capacitance element, the intermediate layer and the first upper electrode, and upper layer and the second upper electrode, are formed respectively with the same material in the same thickness.例文帳に追加

ヒューズ素子の下層と容量素子の下部電極、中層と第１の上部電極、上層と第２の上部電極が、それぞれ同一の材料で形成され、かつ同一の厚さを有する。 - 特許庁

As a result, the depletion layer of the semiconductor layer is always held at the maximum width, the capacitance of the MIS construction is not changed and the auxiliary capacitance between the common signal line and the pixel electrode is not changed also and the gradation of a pixel is stabilized.例文帳に追加

このため、半導体層の空乏層が最大幅に常に保たれ、ＭＩＳ構造の容量が変化せず、コモン信号線と画素電極間の補助容量も変化せず、画素の階調が安定する。 - 特許庁

To obtain activated carbon which is suitable for the electrode material of an electric double layer capacitor in which high capacitance per unit volume can be obtained, and to provide an electric double layer capacitor of high capacitance using the same activated carbon.例文帳に追加

高い単位体積当りの静電容量が得られる電気二重層キャパシタ電極材料に適した活性炭を提供し、さらにこの活性炭を用いた高容量の電気二重層キャパシタを提供すること。 - 特許庁

In the method for measuring the capacitance of a depletion layer on the major surface of a wafer, capacitance of the depletion layer is measured while interposing a dielectric between major rear surface of the wafer and a rear surface electrode for mounting the wafer.例文帳に追加

ウェーハ主表面の空乏層容量を測定する方法であって、ウェーハの主裏面と該ウェーハを載置する裏面電極の間に誘電体を介在させた状態で空乏層容量を測定するようにした。 - 特許庁

As for the circuit capacitance, capacitance values are different between the pixel 20 whose alignment layer is rubbed from an opened end side toward a closed end side of the slit part, and the pixel 20 whose alignment layer is rubbed from the closed end part toward the opened end part.例文帳に追加

回路容量は、スリット部の開放端側から閉鎖端側へ向けて配向膜がラビングされた画素２０と、閉鎖端側から開放端側へ向けてラビングされた画素２０とで、互いに容量値が異なる。 - 特許庁

At a stage when a first conductor layer 12 is formed, capacitance is measured between the wiring pattern 22 of the first conductor layer and the inspection pad 16.例文帳に追加

第１導体層１２を形成した段階で、第１導体層の配線パターン２２と検査パッド１６の間で静電容量を測定する。 - 特許庁

Consequently, the pn junction area existing between the active layer 3 and the drain layer 6 is reduced, so that the output capacitance is reduced.例文帳に追加

これにより、活性層３とドレイン層６との間に存在するｐｎ接合面積が縮小されるので、出力容量が低減される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device capable of preventing generation of crystal defects in an active layer and a mirror layer and reducing element capacitance.例文帳に追加

活性層及びミラー層に結晶欠陥が生じるのを抑制しつつ、素子容量を低減させ得る半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Thereby, a decoupling capacitance C1 connected parallelly with the power source is formed between the P^+-type silicon layer and the N^+-type silicon layer 4.例文帳に追加

これにより、Ｐ^＋型シリコン層とＮ^＋型シリコン層４との間に、電源に並列に接続されたデカップリング容量Ｃ１が形成される。 - 特許庁

To provide a polarizable electrode for an electric double layer capacitor exhibiting high capacitance during high speed charge/discharge, and to provide an electric double layer capacitor.例文帳に追加

高速充放電での静電容量が高い電気二重層キャパシタ用分極性電極および電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

When layout-arranging a compensation capacitance part of a semiconductor device having the internal power supply and the compensation capacitance part supplying power to the internal power supply, a rectangular region of a diffusion layer is arranged in a region configuring the compensation capacitance part.例文帳に追加

内部電源と、該内部電源に電源を供給する補償容量部を有する半導体装置の補償容量部のレイアウト配置の際に、補償容量部を構成する領域に拡散層の矩形領域を配置する。 - 特許庁

Thereby, a large level difference is not generated on the element substrate 20 even in such a state that a thick insulating layer 72 for capacitance is formed on the surface of the lower electrode 62 for capacitance, since the film thickness of the lower electrode 62 for capacitance is thin.例文帳に追加

従って、容量用下電極６２の表面に厚い容量用絶縁層７２が形成された状態においても、容量用下電極６２の膜厚が薄いので、素子基板２０上に大きな段差が発生しない。 - 特許庁

An array substrate of this liquid crystal device has auxiliary capacitance lines 52, auxiliary capacitance electrodes 61 which are oppositely disposed on the under layer of the auxiliary capacitance lines via gate insulating films 62 and, thereby, form auxiliary capacitance and connecting wiring 80 which connect pixel TFTs 75, pixel electrodes 53 and the auxiliary capacitance electrodes with each other.例文帳に追加

液晶表示装置のアレイ基板は、補助容量線５２と、ゲート絶縁膜６２を介して補助容量線の下層に対向配置されることにより補助容量を形成する補助容量電極６１と、画素ＴＦＴ７５、画素電極５３、及び補助容量電極を互いに連結する連結配線８０とを有している。 - 特許庁

The electrooptical device includes: transistors (30) provided for respective pixels; pixel electrodes (9) provided corresponding to the transistors; and a storage capacitance (70) electrically connected to the pixel electrodes and made of a first capacitance electrode (2), a second capacitance electrode (5) disposed opposite to the first capacitance electrode from an upper layer side and the capacitance insulating film (7) formed between the first and second capacitance electrodes.例文帳に追加

電気光学装置は、画素毎に設けられたトランジスタ（３０）と、トランジスタに対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極に電気的に接続されており、第１容量電極（２）、第１容量電極に上層側から対向配置された第２容量電極（５）、及び第１容量電極及び第２容量電極間に形成された容量絶縁膜（７）からなる蓄積容量（７０）とを備える。 - 特許庁

The additional capacitance 17C is formed as the same layer as the FET 17T, to it is formed between the electrode 14 and the FET 17T.例文帳に追加

付加容量はＦＥＴと同一層として、または第２の電極とＦＥＴの間に形成する。 - 特許庁

In addition, for a second metal layer 304 which forms the auxiliary capacitance 25, its potential is considered as fixed potential.例文帳に追加

また、補助容量２５を形成する第２の金属層３０４についてはその電位を固定電位とする。 - 特許庁

To provide a cylindrical electric-double layer capacitor having increased capacitance and superior durability.例文帳に追加

静電容量の増加を図られ，また優れた耐久性を有する円筒型電気二重層コンデンサを提供する。 - 特許庁

In addition, a large-capacitance capacitor can be formed by constituting the layer 101 of a material having a high dielectric constant.例文帳に追加

また、誘電体層を誘電率の高い材料で構成することで、大容量のコンデンサを形成できる。 - 特許庁

The auxiliary capacitance electrode 6 and a portion 6d thereof are provided on a top surface of an inter-layer insulating film 19.例文帳に追加

層間絶縁膜１９の上面には補助容量電極６及びその一部６ｄが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for forming a surface protective layer of a circuit board having a low capacitance between wiring conductors.例文帳に追加

配線導体間の静電容量の低い回路基板に於ける表面保護層の形成法を提供する。 - 特許庁

Further, there is included in the device a varactor for generating a capacitance by the gate electrode 105 and the counter impurity layer 108.例文帳に追加

ゲート電極１０５とカウンター不純物層１０８とによって容量を生成するバラクタが含まれている。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR EVALUATING CAPACITANCE OF ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR例文帳に追加

電気二重層キャパシタの静電容量の評価方法及び電気二重層キャパシタの静電容量の評価装置 - 特許庁

The capacitance C of the electric double-layer capacitor in this case can be obtained by an expression of C=I×t/(E2-E1)(F).例文帳に追加

この場合の電気二重層コンデンサの容量Ｃは、Ｃ＝Ｉ×ｔ／（Ｅ２−Ｅ１）（Ｆ）で求めることができる。 - 特許庁

It is therefore possible to sharply increase capacitance as an electric double layer capacitor using the polarizable electrode.例文帳に追加

従って、この分極性電極を用いることで、電気二重層コンデンサとしての容量を大幅に増加できる。 - 特許庁

This capacitance type probe device is formed by working a laminated board of a silicon board/an insulating layer/a silicon board.例文帳に追加

静電容量式プローブデバイスは、シリコン基板／絶縁層／シリコン基板の積層基板を加工して形成される。 - 特許庁

The noise 69 affects a static capacitance C_3 formed between the lower shielding layer 43 and the slider body 25.例文帳に追加

ノイズ６９は下部シールド層４３とスライダ本体２５との間に形成される静電容量Ｃ_３に作用する。 - 特許庁

The upper polysilicon layer 18a2 is formed after the contact hole 71 is formed, and thereby the upper capacitance electrode 18a is obtained.例文帳に追加

コンタクトホール７１形成後に上層ポリシリコン層１８a2を形成して、上部容量電極１８ａが得られる。 - 特許庁

To easily conform to the standard/low temp. treating technology to improve the capacitance density and maintain a desired flatness by laying a dielectric material layer on lower electrodes and the surface of a dielectric layer and forming upper electrodes on the dielectric material layer.例文帳に追加

標準／低温処理技術と適合しキャパシタンスの密度を向上させる多層構造で使用されるＣＭＰと適合性を有するキャパシタ構造を提供すること。 - 特許庁

In order to reduce parasitic capacitance furthermore, a trench is formed in a current block layer formed of the high resistance Fe doped InP layer 28 and the n-type InP layer 29.例文帳に追加

また、より寄生容量を減らすことを目的として、高抵抗のＦｅドープＩｎＰ層２８、及びｎ型ＩｎＰ層２９により形成された電流ブロック層にはトレンチが形成されている。 - 特許庁

Since the oxide insulating layer for covering the peripheral portion of the oxide semiconductor layer is formed in the same step as that of the channel protecting layer, the parasitic capacitance can be reduced without increasing the number of steps.例文帳に追加

酸化物半導体層の周縁部を覆う酸化物絶縁層は、チャネル保護層と同一工程で形成されるため、工程数の増加なく、寄生容量を低減できる。 - 特許庁

The capacitance Q is adjusted by reducing the area of the third metal layer inserted between the second metal layer and making the substrate smaller than that of a metal layer constituting the MIM capacitor.例文帳に追加

第２の金属層−基板間に入れる第３の金属層面積をＭＩＭ容量を構成する金属層の面積より小さくすることによって容量のＱ値を調整する。 - 特許庁

The divided lands A, B, and C are closely connected with one another by capacitance which is formed by the power supply layer 67, the high-dielectric layer 68, and the conductive layer 69.例文帳に追加

電源層６７と高誘電体層６８と導電体層６９とによって形成された静電容量によって、区切られている各ランドＡ，Ｂ，Ｃ間が相互に密に結合されている。 - 特許庁

To reduce a parasitic capacitance of a bonding wire that extends from a lower-layer side semiconductor chip and passes through between lower-layer and upper layer semiconductor chips in a chip-stacked type semiconductor device.例文帳に追加

チップ積層型半導体装置において、下層側の半導体チップから延びて、下層および上層の半導体チップ間を通過するボンディングワイヤの寄生容量を低減する。 - 特許庁