「layer capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, after reverse sputter etching, Ti and TiN are formed continuously as a contact layer, and further a dielectric film is formed on the capacitance formation region.例文帳に追加

次に、逆スパッタエッチングを行った後、連続してＴｉ及びＴｉＮを密着層として形成し、さらに容量形成領域に誘電体膜を形成する。 - 特許庁

Since the foamed layer 10 is provided between the wiring lines 4 and the finger, it is possible to reduce electrostatic coupling capacitance and suppress the formation of a capacitor.例文帳に追加

配線ライン４と指との間に発泡層１０が介在するので、静電結合容量が低減し、コンデンサの形成を抑制することができる。 - 特許庁

A gate electrode 38, an auxiliary capacitance line 36, and a reflecting layer 37 formed from an aluminum metal are formed at the same time on a thin film transistor substrate 31.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板３１上に、アルミニウム系金属からなるゲート電極３８、補助容量ライン３６および反射層３７を同時に形成する。 - 特許庁

In the multilayered capacitor 1, the terminal conductors 4A and 4B for connection with the internal electrode of a capacitance part comprises a baked layer.例文帳に追加

また、この積層コンデンサ１では、静電容量部の内部電極に接続される端子導体４Ａ，４Ｂが焼付層を含んで構成されている。 - 特許庁

To provide a carbonized material with a high capacitance density (F/cc), which is suitable for manufacturing an activated carbon for the electrode of an electric double-layer capacitor.例文帳に追加

高静電容量密度（Ｆ／ｃｃ）を有する，電気二重層キャパシタの電極用活性炭を生産する場合に好適な炭素化物を提供する。 - 特許庁

To prevent the capacitance from decreasing by preventing passivation of impurities in a lower electrode thereby controlling spread of a depletion layer in the lower electrode.例文帳に追加

下部電極中の不純物の不活性化を防止することにより、下部電極における空乏層の広がりを抑制し、キャパシタ容量の低減を防止する。 - 特許庁

To achieve improvement of quality especially under high temperature environment in an ESR (Equivalent Series Resistance) and an electrostatic capacitance as electric characteristics of an electric double layer capacitor.例文帳に追加

電気二重層コンデンサの電気特性であるＥＳＲと静電容量について、特に高温環境下における品質向上を達成する。 - 特許庁

Furthermore, an additional capacitor (Ca(i)-k) is provided which has the same laminated layer structure as that of the storage capacitance and is electrically connected to the data line.例文帳に追加

更に、この蓄積容量と同一の積層構造を有すると共に、データ線に電気的に接続された付加容量（Ｃａ（ｉ）—ｋ）を備える。 - 特許庁

In the conductive film 80 for relaying, the conductive film of the same layer as it is used as an electrode of the storage capacitance 70, and is used as a light shielding film.例文帳に追加

中継用導電膜８０は、それと同一層の導電膜が蓄積容量７０の電極として利用され、かつ、遮光膜として利用されている。 - 特許庁

At this point, capacitance is formed between the well and the diffusion layer, whose conductivity is opposite type to that of the well, so that current is restrained from changing sharply.例文帳に追加

このとき、ウェルとそのウェルと反対の導電型の拡散層との間に容量を有することになるので、電流の急激な変化を抑制する。 - 特許庁

Thus, the auxiliary capacitor semiconductor layer 17 is made into a conductor, the capacitance of the auxiliary capacitor 5 is increased, and the capacitor fluctuation of the auxiliary capacitor 5 is prevented.例文帳に追加

これにより、補助容量半導体層１７を導体化し、補助容量５の容量を大きくすると共に、補助容量５の容量変動を防止する。 - 特許庁

To suppress increase in the wiring capacitance due to the formation of a damage layer, when a low dielectric constant film is used as an interlayer dielectric to form a wiring trench.例文帳に追加

層間絶縁膜として低誘電率膜を用いて配線溝を形成する際のダメージ層の形成による配線間容量の増加を抑制する。 - 特許庁

An auxiliary capacitive element 160 is formed of a semiconductor layer 109 which is counter-arranged via a gate insulating film and an auxiliary capacitance line 162.例文帳に追加

補助容量素子１６０は、ゲート絶縁膜を介して対向配置される半導体層１０９と補助容量線１６２とによって構成される。 - 特許庁

A curved touch panel 13 of a capacitance type touch panel has a curved face-like touch surface T and a light scattering layer on the back surface.例文帳に追加

曲面タッチパネル１３は、曲面状のタッチ面Ｔを有し、背面に光散乱層が設けられている静電容量方式のタッチパネルである。 - 特許庁

To provide an electric double layer capacitor having a high capacitance and excellent lifetime characteristics by enhancing the liquid contacting property of an electrode to an electrolytic solution.例文帳に追加

電極と電解液との接液性を向上させ、静電容量が高く且つ寿命特性の良好な電気二重層キャパシタを提供すること。 - 特許庁

To decrease parasitic capacitance between groove wirings by a simple method, by using a low-permittivity film with an Si-O base effectively as an inter-layer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜にＳｉ−Ｏベースの低誘電率膜が効果的に使用できようにし、簡便な方法で溝配線間の寄生容量を低減させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a carbon material for an electric double-layer capacitor electrode with a low internal resistance value and high capacitance per unit volume.例文帳に追加

内部抵抗値が小さく、単位体積当りの静電容量の大きい電気二重層キャパシタ電極用炭素材の製造方法を提供する。 - 特許庁

At a part (piezoelectric part 44) where the piezoelectric material part 41a and a second piezoelectric layer 5 are stacked, the sensitivity becomes high since electric capacitance increases.例文帳に追加

圧電材料部４１ａ、・・・と第２の圧電体層５とが積層している部分（圧電体部４４）においては、電気容量が増加するため感度が高くなる。 - 特許庁

To provide a penetration type laminated layer capacitor to obtain a circuit where a plurality of electrostatic capacitance elements are connected in parallel with only one element.例文帳に追加

１つの素子で複数の静電容量成分を並列接続する回路を実現することが可能な貫通型積層コンデンサを提供すること。 - 特許庁

To simultaneously satisfy permittivity and a temperature characteristic of capacitance even when the dielectric layer is made thin.例文帳に追加

誘電体層を薄層化しても、誘電率と容量温度特性とを両立できる誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A gate insulating film 51 is formed after the impurity ions are injected into the auxiliary capacitance semiconductor layer 37 so that no impurities are present in a gate insulating film 51.例文帳に追加

補助容量半導体層37に不純物イオンを注入した後にゲート絶縁膜51を形成し、ゲート絶縁膜51に不純物を存在させない。 - 特許庁

To prevent increase in capacitance resulted from high permittivity of a plasma silicon nitride film used for preventing a diffusion of Cu on the interconnection in the lower layer Cu.例文帳に追加

下層Ｃｕの配線上にＣｕの拡散防止のために用いているプラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止する。 - 特許庁

To provide a carbon porous body which stably and reproducibly exerts a high capacitance and is suitable as an electric double-layer capacitor electrode material.例文帳に追加

高い静電容量が再現性良く安定して発現可能な、電気二重層キャパシタ電極材料として好適な炭素多孔体を提供する。 - 特許庁

The InP layer 11 has a small dielectric constant and reduces the electrostatic capacitance between the pad section 18-1 and a third electrode film 19.例文帳に追加

このｉ型ＩｎＰ層１１は，誘電率が小さく，パッド部１８−１と第３電極膜１９との間の静電容量の低減に寄与する。 - 特許庁

To provide a capacitor electrode with a larger specific surface area than conventional capacitor electrodes and a high capacitance, and provide an electric double layer capacitor using the same.例文帳に追加

従来のキャパシタ電極よりも比表面積が大きく、高容量のキャパシタ電極並びにそれを用いた電気二重層キャパシタの提供。 - 特許庁

To provide an electrode material capable of obtaining an electric double layer capacitor having high capacitance and excellent cycle characteristics, and a complex used for the same.例文帳に追加

高い静電容量を有し、サイクル特性に優れた電気二重層キャパシタを得ることができる電極材料ならびにこれに用いる複合体の提供。 - 特許庁

To simultaneously satisfy relative permittivity and a temperature characteristic of capacitance even when the dielectric layer is made thin.例文帳に追加

誘電体層を薄層化しても、比誘電率と容量温度特性とを両立できる誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric double layer capacitor in which a conductive network is developed to all corners in polarizable electrodes and which has a small internal resistance and a high electrostatic capacitance.例文帳に追加

分極性電極内部の隅々まで導電ネットワークが発達し、内部抵抗が小さく、静電容量の高い電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

The low permittivity layer 22 contains a number of independent closed pores to reduce the capacitance components between the conductor patterns 18, 20.例文帳に追加

前記低誘電率層２２は、多量の独立閉気孔を含有しており、導体パターン１８，２０間の静電容量結合性成分を低減させることができる。 - 特許庁

A Ru silicide layer 25 is formed on the surfaces of plugs 22 in through-holes 19 piercing lower parts of lower electrodes 28 of information storing capacitance elements C and a Ru silicon nitride layer 26 is formed on the Ru silicide layer 25 surface.例文帳に追加

情報蓄積用容量素子Ｃの下部電極２８の下部に形成されたスルーホール１９内のプラグ２２の表面にはＲｕシリサイド層２５が形成され、Ｒｕシリサイド層２５の表面にはさらにＲｕシリコンナイトライド層２６が形成されている。 - 特許庁

The upper capacitance 18a is deposited separately on a lower polysilicon layer 18a1 and an upper polysilicon layer 18a2, and the lower polysilicon layer 18a1 is formed on the dielectric film 17 before a contact hole 71 is formed and protects the dielectric film 17.例文帳に追加

上部容量電極１８ａは下層ポリシリコン層１８a1と上層ポリシリコン層１８a2とに分けて成膜され、コンタクトホール７１形成前に下層ポリシリコン層１８a1が誘電体膜１７上に形成されて誘電体膜１７を保護する。 - 特許庁

The semiconductor light receiving element also includes, on the waveguide region 101, a light absorbing region 102 having a second pin structure consisting of a clad layer 102a, a light absorbing layer 102b and a contact layer 102c, and having a smaller electric capacitance than the waveguide region 101.例文帳に追加

また、導波路領域１０１上に、クラッド層１０２ａと、光吸収層１０２ｂと、コンタクト層１０２ｃからなる第２のｐｉｎ構造を有し、導波路領域１０１よりも電気容量が小さい光吸収領域１０２を備える。 - 特許庁

The capacitor comprises a dielectric oxide film layer 12 on the surface of an anode valve metal foil 11 having electrode lead-out parts 11A and a capacitance forming part 11B, a solid electrolyte layer 13 and an anode collector layer 14 provided in this order.例文帳に追加

電極引き出し部１１Ａと容量形成部１１Ｂとを有する陽極用弁金属箔１１の表面に誘電体酸化皮膜層１２が設けられ、さらに、固体電解質層１３、陰極用集電体層１４が順に設けられる。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises: a first insulation layer 4 formed on a semiconductor substrate 1; a contact plug 9 formed in the first insulation layer 4; and a capacitance element 20 that is electrically connected to the contact plug 9 and consists of a lower electrode 12, a capacitance insulating film 18, and an upper electrode 19.例文帳に追加

半導体基板１の上に形成された第１の絶縁層４と、該第１の絶縁層４に形成されたコンタクトプラグ９と、該コンタクトプラグ９と電気的に接続され、下部電極１２、容量絶縁膜１８及び上部電極１９からなる容量素子２０とを備えた半導体記憶装置である。 - 特許庁

The inductance of a wire is computed from printed board design data 103; the capacitance is computed between the power supply plane layer and the ground plane layer; and the relation is computed between the impedance between the power supply pin and the ground pin of the IC and the frequency from the characteristics of the bypass capacitor, the inductance of each wire, and the capacitance between the plane layers.例文帳に追加

プリント基板設計データ１０３から配線のインダクタンスのを計算し、電源プレーン層とグランドプレーン層間の静電容量を計算し、バイパスコンデンサの特性と、各配線のインダクタンスとプレーン層間の静電容量から、ＩＣの電源ピンとグランドピンとの間のインピーダンスと周波数との関係を計算する。 - 特許庁

This manufacturing method of a laminated ceramic capacitor using the conductive paste can manufacture, with a high yield, the laminated ceramic capacitor that can prevent drop of capacitance by the internal electrode breakage even when the internal electrode and a dielectric layer are each formed into the thin layer, is large in obtained capacitance and hardly causes a short failure.例文帳に追加

そして、この導電性ペーストを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法は、内部電極および誘電体層を薄層化した場合でも、内部電極切れによる静電容量の低下が防止でき、得られる静電容量も大きく、ショート不良が少ない積層セラミックコンデンサを歩留まり良く製造することができる。 - 特許庁

A 1st level difference correcting layer 31 is arranged on the upper surface of a gate insulating film 7 between a gate line 2 and an auxiliary capacitance line 3, and a 2nd level difference correcting layer 32 is arranged on the upper surface of the gate insulating film 7 and a pixel electrode 6 on the opposite side of the auxiliary capacitance line 3 of the gate line 2.例文帳に追加

ゲートライン２と補助容量ライン３との間におけるゲート絶縁膜７の上面には第１段差修正層３１が設けられ、ゲートライン２の助容量ライン３とは反対側におけるゲート絶縁膜７および画素電極６の上面には第２段差修正層３２が設けられている。 - 特許庁

Consequently, the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced, because a capacitance region and a wiring region can be formed simultaneously in the same layer without increasing the number of steps for forming the capacitance region and, in addition, the number of manufacturing steps can also be reduced.例文帳に追加

その結果、キャパシタンス領域形成用の工程を増やすことなく、同一層内にキャパシタンス領域と配線領域を同時に形成することが出来、かつ製造工程の削減も可能となるため、製造コストを低減することが出来る。 - 特許庁

Then, the width of a depletion layer 6 is adjusted, by controlling reverse bias applied between the p-type region 2 and the n-type region 3 and a positive voltage applied to the gate electrode 5, thus making the capacitance value of the semiconductor variable capacitance capacitor changed.例文帳に追加

そして、Ｐ型領域２およびＮ型領域３間に加える逆バイアスと、ゲート電極５に加える正の電圧とを制御して空乏層６の幅を調節することで、半導体可変容量コンデンサの容量値を変化させる。 - 特許庁

A holding capacitance element is formed by holding a dielectric film for the holding capacitance formed of the bottom part of the recessed part 3a of the interlayer insulating film 3 between the extended part of the thin film semiconductor layer 4 from the drain area of the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴのドレイン領域を延長させた薄膜半導体層４の部分と保持容量配線２との間に、層間絶縁膜３の凹部３ａの底部からなる保持容量用誘電膜を挟んで、保持容量素子を構成する。 - 特許庁

In pixel layout structure for forming the auxiliary capacitance 25 over the two adjacent pixels on the same pixel column, a first metal layer 302 which forms the auxiliary capacitance 25 is electrically connected to an anode electrode 307B of an organic EL element 21B.例文帳に追加

同一画素行上で隣り合う２つの画素に跨って補助容量２５を形成する画素レイアウト構造において、補助容量２５を形成する第１の金属層３０２を有機ＥＬ素子２１Ｂのアノード電極３０７Ｂと電気的に接続する。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁

Since a metallic material film is formed on a semiconductor layer such as Si substrate, a material for constituting a semiconductor layer, such as a silicon oxide film, is tends to be difficult to formed, so a dielectric film with a large capacitance per unit area, which comprises a base material layer such as MgO layer with high dielectric constant as well as crystalline CeO2 layer, is provided.例文帳に追加

つまり、Ｓｉ基板などの半導体層の上に、金属材料の膜が形成されていることで、シリコン酸化膜等の半導体層を構成する材料の酸化膜が形成されにくいので、比誘電率の高いＭｇＯ層などの下地層及び結晶性ＣｅＯ_2 層を含む単位面積当たりの容量の大きい誘電体膜が得られる。 - 特許庁

To make a high speed operation possible with small power consumption by reducing the junction capacitance of a diffusion layer region and a shallow well region, related to a DTMOS wherein lengthening of a gate depletion layer is suppressed and driving current is increased.例文帳に追加

ゲート空乏層の伸びを抑制して駆動電流を大きくしたＤＴＭＯＳにおいて、拡散層領域と浅いウエル領域の接合容量を低減し、より低消費電力で、高速動作を可能にする。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor and a method of manufacturing the same which reduce the internal resistance of the electric double-layer capacitor, increase capacitance density, and keep satisfactory productivity.例文帳に追加

電気二重層キャパシタの内部抵抗を低くしかつその容量密度を高くし、並びにその生産性を良好に保つことのできる電気二重層キャパシタ及び該電気二重層キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁