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layer capacitanceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 833件
Thus, the chip size of the semiconductor integrated circuit can be reduced and the characteristics of isolation between the upper layer element (capacitor or inductor) and the lower layer element (active element or passive element) can be improved without increasing parasitic capacitance.例文帳に追加
これにより、半導体集積回路のチップサイズを縮小でき、かつ寄生容量を増加させることなく、上層素子(コンデンサ、インダクタ)と下層素子(能動素子、受動素子)との間のアイソレーション特性を向上できる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which reduces capacitance between wiring in each wiring layer having a narrow wiring width and prevents separation between layers in each wiring layer having a wide wiring width, and therefore the assembling yield of which is improved.例文帳に追加
配線幅の小さい配線層では配線間容量を低減し、同時に配線幅が広い配線層では、層間膜剥離を防止し、組み立て歩留まりの向上された半導体装置を提供する。 - 特許庁
The stress relaxing treatment is an ion implantation 12 to the nitride film 11 to be a wet etching stop layer, before opening capacitance contacts 7 for connecting the charge storing lower electrode 14 to the diffused layer region 2.例文帳に追加
応力緩和処理は、電荷蓄積用下部電極14と拡散層領域2を接続する容量コンタクト7の開口に先立ち、ウェットエッチングストップ層となる窒化膜11に、イオン注入12を行う処理である。 - 特許庁
Moreover, bringng the active layer to have a higher resistance with a major current pass area inbewteen can reduce the attached capacitance formed by the active layer of an area where no current flows and improve the high frequency characteristic of the laser.例文帳に追加
さらに、活性層を、主たる電流通過領域を挟んで高抵抗化することにより、電流が流れない領域の活性層により形成される付加容量を低減して、レーザの高周波特性を改善する。 - 特許庁
The one pixel 1 in the organic EL display device using a simple matrix method consists of a transparent insulating substrate 2, an electrode 3 as one side of an additional capacitance, a transparent insulating film 4, an anode 5, a hole transfer layer 6, a light emission layer 7, an electron transport layer 8 and a cathode 9.例文帳に追加
単純マトリックス方式をとる有機EL表示装置の1つの画素1は、透明絶縁基板2、付加容量の片側の電極3、透明絶縁膜4、陽極5、ホール輸送層6、発光層7、電子輸送層8、陰極9から構成されている。 - 特許庁
To prevent a change in parasitic capacitance value added to a metal layer region with the passage of time by lessening electric charges accumulated in a semiconductor layer immediately below the metal layer region in an oscillator circuit which is required to stably provide the very precise frequency of oscillation.例文帳に追加
高精度な発振周波数の安定性が要求される発振回路において、金属層領域直下の半導体層の電荷蓄積を少なくし、時間の経過と共に金属層領域に付加された寄生容量値が変化することを抑制する。 - 特許庁
In an aperture part 22a of a black mask 22, the part of the auxiliary capacitance line 6 overlapping with the pixel electrode 2 serves as a reflection layer to form a reflection part, and the part of the pixel electrode 2 which is not overlapped with the auxiliary capacitance line 6 constitutes a permeable part.例文帳に追加
そして、ブラックマスク22の開口部22a内において、補助容量ライン6の画素電極2と重合する部分は反射層を兼ねることにより反射部を構成し、画素電極2の補助容量ライン6と重合しない部分は透過部を構成している。 - 特許庁
The movable contact 5 also plays a role of an electrode for detecting change of capacitance against the finger 30, and a distance between the movable contact 5 and the finger 30 can be short to make an air layer thin, thereby the change of capacitance can be detected at high sensitivity.例文帳に追加
可動接点5が、指30との間の静電容量の変化を検出するための電極として兼用される、可動接点5と指30との間の距離が短く、空気層を薄くできるため、高い感度で静電容量の変化を検出できる。 - 特許庁
To provide an electrostatic capacitance-type input device in which a first electrode, a second electrode, an inter-layer insulating film, a relay electrode, and peripheral wiring can be formed by three times in total of patterning formation and a method for manufacturing the capacitance-type input device.例文帳に追加
計3回のパターニング形成によって、第1電極、第2電極、層間絶縁膜、中継電極、および周辺配線を形成することのできる静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
A storage capacitance part 50 is provided with a common electrode 52 extending into pixel area P1 from the address wiring 10b of an adjoining pixel area P2, and the storage capacitance electrode 51 for storing electric capacity across the common electrode 52 with an interposed gate insulating layer.例文帳に追加
蓄積容量部50は隣接する画素領域P2のアドレス配線10bから画素領域P1内に延びる共通電極52と、ゲート絶縁層を挟んで共通電極52との間で静電容量を蓄積する蓄積容量電極51とを備える。 - 特許庁
Hereby, the whole metal layer 13 is not one continuous conductor, and a bad influence on the capacitance sensor 53 is suppressed, and the metallic decoration surface is widened furthermore than hitherto without lowering the detection function of the capacitance sensor 53.例文帳に追加
これにより、金属層13全体が1枚の連続した導電体ではなくなり、静電容量センサ53への悪影響が抑えられ、静電容量センサ53の検出機能を低下させずに、金属調の装飾面を従来より広くすることができる。 - 特許庁
A detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased, so that the signal charge detection part of the charge transfer device is improved in charge-voltage conversion efficiency and detection sensitivity.例文帳に追加
浮遊拡散層からなる検出容量が低減されるので、電荷転送装置の信号電荷検出部の電荷電圧変換効率、検出感度が向上する。 - 特許庁
The base layer 10 is thereby made thin while reducing the parasitic capacitance and parasitic resistance incident to sealing-down resulting in a semiconductor device exhibiting excellent high speed response.例文帳に追加
その結果、ベース層10の薄膜化と、微細化による寄生容量及び寄生抵抗の低減を両立させ、高速応答性に優れた半導体装置となる。 - 特許庁
To provide an electric double-layer capacitor, having a high capacitance and reduced ESR by enhancing the contact of a valve metal to a polarizable electrode, and a structure of less liquid leakage.例文帳に追加
液漏れがしにくく、弁金属と分極性電極との接触を高めて、高容量でESRを小さくした電気二重層キャパシタを提供することを目的とする。 - 特許庁
The capacitance insulating film has laminated films in which a first metal oxide film and a second metal oxide film are alternatively laminated so that the first metal oxide film contacts with the adhesive layer.例文帳に追加
容量絶縁膜は、第1の金属酸化膜が密着層に接するように、第1の金属酸化膜と第2の金属酸化膜を交互に積層した構造を備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a microelectronic device without causing failure of the device by a short circuit, due to reduced capacitance bonding between a microelectronic device body and a sealing layer.例文帳に追加
マイクロエレクトロニクスデバイス本体と封止層との静電容量結合が少なく、かつ短絡によるデバイスの故障がないマイクロエレクトロニクスデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
The spread of a depletion layer is enlarged to reduce the value of a parasitic capacitance C1, and flowing out of a signal out of the extended electrode 43 to a ground potential GND is prevented.例文帳に追加
空乏層の広がりを拡大することで寄生容量C1の値を減じ、拡張電極43から接地電位GNDへの信号の流出を防止する。 - 特許庁
To improve the reliability of insulating property, high temperature load life or the like without deteriorating the dielectric characteristic and the temperature characteristic of the static capacitance even when the dielectric layer is thinly layered.例文帳に追加
誘電体層をより薄層化しても、誘電特性や静電容量の温度特性を損なうことなく、絶縁性や高温負荷寿命等の信頼性を向上させる。 - 特許庁
To increase capacitance without changing the thickness of a dielectric layer.例文帳に追加
誘電層の厚みを変えることなく、静電容量を高めることができる誘電体粉末及びその製造方法並びに該誘電体粉末を用いたコンデンサ付き回路基板を提供する - 特許庁
To provide an active carbon composition for an electrode of an electric double layer capacitor that can improve its capacitance per unit weight and unit volume, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
電気二重層キャパシタの単位重量及び単位体積当たりの静電容量を高める電極用活性炭組成物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To accurately measure the capacitance of an electric double-layer capacitor functioning as an auxiliary power source of a fixing heater in an image forming apparatus, with a simple constitution, and to judge the service life of the capacitor.例文帳に追加
画像形成装置における定着ヒータの補助電源としての電気二重層コンデンサの容量を簡単な構成で精度良く測定し、その寿命を判断する。 - 特許庁
To provide a capacitor structure which improves capacitance density, while being adaptable to standard/low temperature processing techniques, and has adaptability to CMP (chemical mechanical polishing) used in multi-layer structures.例文帳に追加
標準/低温処理技術と適合しキャパシタンスの密度を向上させる多層構造で使用されるCMPと適合性を有するキャパシタ構造を提供する。 - 特許庁
A porous carbon material having a specific surface area of ≥1,000 m2/g and usable as an electrode material for an electric double layer capacitor having high electrical capacitance can be produced by the process.例文帳に追加
比表面積が1000m^2 /g以上である多孔質炭素材料も得られ、静電容量の大きい電気二重層キャパシタ用電極材料となる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a solid electrolyte capacitor having a large capacitance and a conductive high polymer layer of high conductivity by a manufacturing process of good controllability.例文帳に追加
静電容量が高く、高導電率の導電性高分子層を備えた固体電解コンデンサを、制御性のよい製造工程により製造できる方法の提供。 - 特許庁
To prevent the capacitance from decreasing by preventing an HSG film from being chipped when a lower electrode is formed thereby controlling spread of a depletion layer in the lower electrode.例文帳に追加
下部電極形成時におけるHSG膜のけずれを防止することにより、下部電極における空乏層の広がりを抑制し、キャパシタ容量の低減を防止する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of reducing capacitance of an electrode and suppressing formation of a depletion layer beyond, downward, the lower end of the electrode.例文帳に追加
電極の容量の低減を図るとともに、電極の下端部よりも下方にまで空乏層が形成されるのを抑制することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a dual damascene interconnection which is able to sufficiently protect a surface of an underlayer conductive layer, has a high reliability performance and a lower interconnect capacitance.例文帳に追加
下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁
To provide a MOS transistor of nanometer scale that has reduced parasitic capacitance and junction leakage current by forming an SSR epi-channel, a silicon epi-layer, and a reverse spacer.例文帳に追加
SSRエピチャネルとシリコン・エピ層そしてリバース・スペーサを形成することで寄生抵抗及び接合漏洩電流が減少されたナノメートルスケールのモストランジスタを提供する。 - 特許庁
Furthermore, since the impurity doped region 11 is formed reaching the upper face of the box layer 2, the junction capacitance between source and drain regions 12 does not increase.例文帳に追加
しかも、不純物導入領域11はBOX層2の上面に到達して形成されるため、ソース・ドレイン領域12の接合容量が増加することもない。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an excellent carbon material for an electric double-layer capacitor electrode which has a high capacitance per unit volume and is free from limitations on raw materials.例文帳に追加
原料の制約を受けず、単位体積当たりの静電容量が高い優れた電気二重層キャパシタ電極用炭素材料の製造方法を提供する。 - 特許庁
Since stray capacitance is not formed between the intermediate layer 23f of the circuit board and the conductive pattern 23a provided with the input terminal G, the decline of the sensitivity is suppressed.例文帳に追加
回路基板の中間層23fと入力端子Gを有する導電パターン23a間に浮遊容量が形成されないため感度の低下が抑制される。 - 特許庁
To reduce the capacitance of a pad electrode, and improve the adhesive strength of a connective terminal to the pad electrode when forming the connective terminal on an upper pad layer in a semiconductor device.例文帳に追加
パッド電極の容量を低減し、かつ上部パッド層上に接続端子を形成した場合パッド電極と接続端子との密着強度を向上させること。 - 特許庁
In a case of an image sensor, an output line deteriorates in performance with an increase in its capacitance, so that a shield layer is not provided near to the output lines 142 and 200.例文帳に追加
イメージセンサの場合、出力線の容量増加は直ちに性能低下に結びつくため、出力線142,200の上下近傍にはシールド層を設けない。 - 特許庁
Accordingly, a capacitance value of the pn junction area may become lower than that of the convention method in which the n-type impurity diffusing layer is provided in direct on the surface of the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加
したがって、N型不純物拡散層をP型半導体基板の表面に直接設けていた従来に比べ、PN接合部の容量値が小さくなる。 - 特許庁
To reduce substantial capacitance connections present in a front-end structure up to first metal interconnect layer including a device substrate in a semiconductor device, such as a MOSFET, etc.例文帳に追加
MOSFET等の半導体デバイスにおいて、デバイス基板を含む第1メタル・インターコネクト層までのフロントエンド構造に存在する顕著な容量結合を縮減する。 - 特許庁
To provide a method of producing an electric double layer capacitor electrode material which has excellent durability and exhibits stably high capacitance by an industrially advantageous method.例文帳に追加
工業的に有利な方法で、耐久性に優れ、安定的に高い静電容量を発現する電気二重層キャパシタ電極材料を製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming wiring of a semiconductor device, with which the parasitic capacitance between conductive layer patterns is decreased and can make the operation characteristics of the device stabilized.例文帳に追加
導電層パターン間の寄生キャパシタンスを減少させてデバイスの動作特性を安定化させるにことができる半導体デバイスの配線形成方法を提供する - 特許庁
By utilizing a low dielectric constant material for the dielectric layer 14 and shortening the length of the internal electrodes 16, 18, floating capacitance is reduced and crosstalk can be reduced.例文帳に追加
また、誘電体層14に低誘電率材料を利用し、かつ、内部電極16,18の長さを短くすることで浮遊容量を小さくしてクロストークを低減できる。 - 特許庁
To actualize one or more of high capacitance, little electrode expansion, and excellent long time stability in an electric double layer capacitor using a non-porous carbon material for an electrode.例文帳に追加
非多孔性炭素材を電極に用いる電気二重層キャパシタにおいて、高い静電容量、少ない電極膨張、優れた長期安定性の一つ以上を実現する。 - 特許庁
To provide a process for manufacturing a solid electrolytic capacitor in which an electrolyte layer is formed by oxidation polymerization and a high capacitance emergence rate is attained.例文帳に追加
酸化重合法による電解質層の形成が可能であり、しかも高い容量出現率が得られる固体電解コンデンサの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To obtain: a capacitor with a large static capacitance having a new dielectric structure in which a dielectric layer is formed using a titanium oxide nanosheet; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
チタン酸化物ナノシートを用いて誘電体層を形成した新規な誘電体構造を有する静電容量の大きなコンデンサ及びその製造方法を得る。 - 特許庁
On a semiconductor substrate comprising a base 1 and an epitaxial layer 2, first and second variable-capacitance diode elements VCD(A) and VCD(B) are formed.例文帳に追加
基材1とエピタキシャル層2からなる半導体基板上に、第1の可変容量ダイオード素子VCD(A)と第2の可変容量ダイオード素子VCD(B)を形成する。 - 特許庁
The resin filler 40 for external layer through holes is made of titanate or perovskite-family materials, thus increasing permittivity and achieving large capacitance as a capacitor.例文帳に追加
外層スルーホール用樹脂充填剤40が、チタン酸塩又はペロスカイト系材料から成るため、誘電率が高く、コンデンサとして大きな容量を持つことができる。 - 特許庁
In the other version, a capacitor (185) comprises a folded bottom plate, which uses an available space and therefore increases its capacitance, a dielectric layer and a top plate.例文帳に追加
別のバージョンではキャパシタ(185)が、利用可能空間を利用し、したがってそのキャパシタンスを増大させる、折り畳まれたボトム・プレート、誘電層およびトップ・プレートを含む。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a polarizable electrode capable of developing larger capacitance with the same size as prior art, and an electric double layer capacitor using the method.例文帳に追加
従来と同じ大きさで、より大きな容量を発現し得る分極性電極の製造方法と、それを用いた電気二重層コンデンサを提供すること。 - 特許庁
To provide activated carbon most suitably applied to an electric double layer capacitor capable of yielding a large capacitance at a low material cost, or to other similar usage.例文帳に追加
大きな静電容量を得ることができるとともに原料費も安い電気二重層キャパシタ用、その他の類似の用途に供するのに最適な活性炭を提供する。 - 特許庁
To provide a method for efficiently manufacturing highly functional activated carbon with a simple structure at a low cost, and to provide an activated carbon manufactured by the method and an electrical double layer capacitance using the activated carbon as an electrode.例文帳に追加
高機能活性炭を安価に容易な工程により効率的に製造する方法、及びその活性炭、それを電極に使用した電気二重層コンデンサを得る。 - 特許庁
The thickness (dair) of an air layer (21) between metallizing films (19, 19) mutually, which are rolled or laminated, is regulated so as to have a predetermined thickness (dair) capable of obtaining a desired electrostatic capacitance.例文帳に追加
捲回または積層された金属化フィルム(19,19)同士の間の空気層(21)の厚み(dair)を、所望の静電容量が得られる所定の厚み(dair)になるように調整する。 - 特許庁
The minute capacitance element includes: first and second metal electrodes having respective opposite facets, facing each other, formed on an insulator layer to define a first gap therebetween; and a shield electrode which is formed on the insulator layer, can be connected to an externally applied potential, and defines a slit confining a coupling capacitance within the first gap.例文帳に追加
微小容量素子は、絶縁層上に成膜されかつそれぞれが互いに対向して第1間隙を画定する対向面を有する第1及び第2金属電極と、絶縁層上に成膜されかつ外部電位に接続可能でありかつ第1間隙内において結合容量制限スリットを画定するシールド電極と、からなる。 - 特許庁
In an electret capacitor microphone in which a series capacitance is connected between an impedance conversion circuit on a circuit substrate and a back surface electrode or a vibrating membrane forming a capacitor microphone, the series capacitance is formed by a resin layer forming the electret capacitor microphone and metal electrodes provided on both sides of the resin layer.例文帳に追加
回路基板上のインピーダンス変換回路とコンデンサマイクロホンを形成する背面電極または振動膜との間に直列容量を接続したエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、前記直列容量は前記エレクトレットコンデンサマイクロホンを形成する樹脂層とその樹脂層の両面に設けられた金属電極によって形成されている。 - 特許庁
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