「layer capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To control Ni particle growth uniformly all over an internal electrode layer, to prevent spheroidizing of particles and break in an electrode effectively, and to curb decline in electric capacitance efficiently even if each inner electrode layer is reduced in thickness in particular and there is unevenness of particle distribution of nickel particles.例文帳に追加

特に内部電極層の各厚みが薄層化し、しかも、Ｎｉ粒子の粒度分布にバラツキがあったとしても、内部電極層の全体にわたり、均一に、Ｎｉの粒成長を抑制し、球状化、電極途切れなどを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制すること。 - 特許庁

To provide a small-sized semiconductor device which is manufactured in such a way that inter-electrode parasitic capacitance is kept low by thickening an insulating layer and an opening is formed precisely at the insulating layer, a manufacturing method for the semiconductor device, and a power module including the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層を厚くして電極間の寄生容量を低く抑えることができ、かつ、当該絶縁層に精度良く開口部を形成して作製される小型の半導体装置、その半導体装置の製造方法、及びその半導体装置を含むパワーモジュールを提供する。 - 特許庁

A thin film transistor 10 comprises a substrate 10, a gate electrode 30, gate dielectric layer 40, a source electrode 50, a drain electrode 60, and an organic semiconductor layer 70, wherein the gate dielectric layer 40 comprises a poly(4-vinylphenol-co-acrylonitrile)-based polymer which has a high dielectric constant and a high capacitance and is formed by coating or printing.例文帳に追加

基板１０、ゲート電極３０、ゲート誘電体層４０、ソース電極５０、ドレイン電極６０及び有機半導体層７０の薄膜トランジスター１０において、ゲート誘電体層４０を、高い誘電率と高いキャパシタンスを有し、かつコーティング法やプリンティング法で形成されるポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーで構成する。 - 特許庁

A metallic wiring 5, which is at a ground potential GND, is provided between the shield layer 3 on the surface of a semiconductor substrate 1 and an inductor 8 formed with a spiral metallic wiring while the metallic wiring 5 is connected to the shield layer 3 to lower a resistance value in the shield layer while reducing the parasitic capacitance between the inductor and shield layers.例文帳に追加

半導体基板１表面上のシールド層３と渦巻き状に形成された金属配線からなるインダクタ８との間に、接地電位ＧＮＤが与えられた金属配線５を設け、この金属配線５をシールド層３に接続することで、インダクタ−シールド層間の寄生容量を小さくしつつ、シールド層での抵抗値を低く抑える。 - 特許庁

This capacitance type pressure-sensitive sensor 1 includes: a positive electrode-side electrode layer 20; a negative electrode-side electrode layer 21; and the dielectric layer 22 comprising a pressure-sensitive part 220 put between the electrode layers 20 and 21 while being formed in a position where the electrode layers 20 and 21 overlap with each other in a front-to-rear direction.例文帳に追加

静電容量型感圧センサ１は、正極側電極層２０と、負極側電極層２１と、正極側電極層２０と負極側電極層２１との間に介装され正極側電極層２０と負極側電極層２１とが表裏方向に重複する位置に形成される感圧部２２０を有する誘電層２２と、を備える。 - 特許庁

In the reflection mode, a liquid crystal is laterally driven by a lateral electric field (a fringe electric field) generated between the comb-shaped electrodes 31b and a capacitance electrode (a data line) disposed on the lower layer side of the pixel electrode 31.例文帳に追加

反射モードにおいては、この櫛歯電極３１ｂと、画素電極３１の下層側に配した容量電極（データ線）との間に生じる横電界（フリンジ電界）によって、液晶を横電界駆動する。 - 特許庁

To aim at lowering of power consumption by restraining generation of reactive power due to interelectrode capacitance formed at a part closed by a dielectric layer and a partition wall between adjacent unit light-emitting regions.例文帳に追加

隣接する単位発光領域の間が誘電体層と隔壁によって閉じられている部分に電極間容量が形成されることによる無効電力の発生を抑制して、消費電力の低減を図る。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor that improves the efficiency of a polarization electrode and at the same time has large capacitance.例文帳に追加

コーヒー豆の活性炭から形成した分極性電極１２、３２を金属素材からなる集電極１１、３１に付着させ負電極１と正電極３を構成し、その負電極１にマグネット２を埋設状態に設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor that is improved in electrical characteristics and increased in capacitance by forming a solid electrolyte layer composed of a dense and uniform conductive polymer in wound capacitor elements.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state electrolytic capacitor by which a solid-state electrolytic layer composed of fine uniform conductive molecules is formed into a winding type capacitor element and which has excellent electrical characteristics and large capacitance.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れ、かつ大容量の固体湖電解コンデンサを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The auxiliary capacitance is provided by a first transparent conductive pattern 39 on a gate insulating film 15 in a lower side of the thick type resin film 5, and a second transparent pattern 19 in a lower layer than the gate insulating film 15.例文帳に追加

補助容量が、厚型樹脂膜５より下層側で、ゲート絶縁膜１５上の第１透明導電パターン３９と、ゲート絶縁膜１５より下層の第２透明導電パターン１９とにより設けられる。 - 特許庁

This enables the capacitor structure X to stabilize the temperature characteristic, by lowering the temperature coefficient of the dielectric layer Y, to suppress the rate of the temperature change of electrical capacitance, in response to changes in the temperature.例文帳に追加

これにより、キャパシタ構造Ｘは、誘電体層Yの温度係数を下げることにより温度変化に応じた静電容量温度変化率の変化を抑制して温度特性を安定させることが可能になる。 - 特許庁

A semiconductor capacitance device 600 has a P type semiconductor layer 610, a N type well region 612 provided in the P type semiconductor, and a P type well region 614 provided in the N type well region 612.例文帳に追加

半導体容量装置６００は、Ｐ型半導体層６１０と、Ｐ型半導体層内に設けられたＮ型ウエル領域６１２と、Ｎ型ウエル領域６１２内に設けられたＰ型ウエル領域６１４と、を有する。 - 特許庁

The step of generating the variable-capacitance cell layout data includes a step of laying out the control wires to set resistance per unit length in the same wiring layer equal to that of the signal wire.例文帳に追加

前記可変容量セルレイアウトデータを生成するステップは、前記制御配線を、同一配線層内で単位長あたりの抵抗が前記信号配線のそれと同じになるように、レイアウトするステップを含んでいる。 - 特許庁

The capacitance insulating film 28 is constituted by using a lamination film wherein a first tantalum oxide film 28a, a first titanium oxide film 28b, a second tantalum oxide film 28c and a second titanium oxide film 28d are laminated in order from a lower layer.例文帳に追加

第１酸化タンタル膜２８ａ、第１酸化チタン膜２８ｂ、第２酸化タンタル膜２８ｃおよび第２酸化チタン膜２８ｄが下層から順に堆積された積層膜で容量絶縁膜２８を構成する。 - 特許庁

To obtain a MOS semiconductor device which enables a high speed operation without an electrostatic capacitance caused by a PN junction of a silicon substrate and an adjacent growing layer and has a structure for easy controlling in a manufacture step.例文帳に追加

シリコン基板と隣接する成長層とのＰＮ接合による静電容量がなく高速動作が可能であって、製造工程における制御が容易な構造を有するＭＯＳ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an activated carbon preferable to an electrode for an electric double layer whose capacitance per volume(F/ml) is large and the expansion of the electrode in voltage applying is reduced, and the electrode using it.例文帳に追加

体積当たりの静電容量（Ｆ／ｍｌ）大きく、且つ電圧印加時の電極の膨張を低減させた電気二重層用の電極に好適な活性炭及びそれを使用した電極を提供すること。 - 特許庁

A gate electrode 12 composed of an aluminum type metal which gets transparent on anodic oxidation, an auxiliary capacitance line 6 and the reflection layer 7 are simultaneously formed on a base insulating film 11 on a thin film transistor substrate 1.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板１上の下地絶縁膜１１上に、陽極酸化されると透明となるアルミニウム系金属からなるゲート電極１２、補助容量ライン６および反射層７を同時に形成する。 - 特許庁

To provide: a semiconductor wafer allowing a compound semiconductor layer to be thickly formed on a substrate, and capable of reducing parasitic capacitance generated in a buffer region; a semiconductor element; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

基板上に化合物半導体層を厚く形成することができ、バッファ領域内に生じる寄生容量を低減することができる半導体ウェーハ、半導体素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A laser beam is emitted to the capacitor electrodes 71a, 72a, 73a via a dielectric layer on the surface to trim the capacitance to divide the capacitor electrodes 71a, 72a, 73a by a trimming groove 80 of a closed loop.例文帳に追加

コンデンサ電極７１ａ，７２ａ，７３ａの容量をトリミングするには、表面の誘電体層を介してレーザを照射することで電極７１ａ，７２ａ，７３ａを閉ループのトリミング溝８０で分割する。 - 特許庁

To provide an activated carbon for an electric double-layer capacitor, the activated carbon having high capacitance density per volume in each of aqueous and non-aqueous electrolytic solutions and excellent discharge and charge characteristics under a large current.例文帳に追加

水溶液系あるいは非水溶液系の電解液のそれぞれにおいて、体積あたりの容量密度が高く、大電流での充放電特性に優れた電気二重層キャパシタ用活性炭を提供すること。 - 特許庁

Since deficiency of oxygen in the Ta_2O_5 dielectric film can be repaired while controlling oxidation of an underlying layer by performing post-heat-treatment of the Ta_2O_5 dielectric film in an inert atmosphere, variation in the capacitance of the capacitor due to hysteresis and voltage can be reduced.例文帳に追加

Ｃｕ配線とＴａ_２Ｏ_５誘電体膜の間にＴａからなる反応防止層を挿入することにより、Ｃｕの拡散と酸化を抑制できるため、キャパシタのリーク電流密度を低減することができる。 - 特許庁

The capacitance insulating film 15 is arranged from a part positioned on an upper surface of the upper layer electrode in the aperture to a part surrounding the aperture, and forms a recessed part U1 which corresponds to the aperture part.例文帳に追加

容量絶縁膜１５は、開口部内の上層電極の上面に位置する部分から開口部を囲む部分に亘って設けられており、容量絶縁膜１５は、開口部に対応する凹部Ｕ_1を形成する。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor, which is superior in electrical characteristics and is large in capacitance, by a method wherein a solid electrolyte layer consisting of conductive molecules, which are dense and even, is formed in the interior of a wound capacitor element, and a method of manufacturing the capacitor.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

For increasing the storage capacitance of a capacitor produced in a semiconductor integrated circuit device, storage electrodes 14 with a thick thickness and metal wirings 15 in a peripheral circuit region are doubled with a conductive film which is made of the same metal material and prepared in the same layer as both the storage electrode 14 and the metal wirings 15.例文帳に追加

キャパシタの蓄積容量を増加するために厚さの厚い蓄積電極１４と周辺回路部の金属配線１５を同一層内に設けた同一金属材料の導電膜で兼用する。 - 特許庁

To provide an electronic component having high electrostatic capacitance and a high breakdown voltage even when an internal electrode layer is made thin and multi-layered, and having a suppressed dielectric loss (tanδ).例文帳に追加

内部電極層を薄層化および多層化した場合であっても、高い静電容量および破壊電圧を得ることができ、しかも、誘電損失（ｔａｎδ）を抑制することができる電子部品を提供すること。 - 特許庁

To present a new guideline for proper doping conditions for increasing a capacitance or working voltage limit by doping or the like, in an electric double layer capacitor using a carbon nano tube for a polarization electrode.例文帳に追加

カーボンナノチューブを分極性電極に用いた電気二重層キャパシタにおいて、ドーピング等により静電容量や使用電圧範囲の増大を図るための適正なドーピング条件について新たな指針を提示する。 - 特許庁

To provide a method for the production of a porous carbon material having high electrical capacitance and high energy density and suitable as an electrode material for an electric double layer capacitor by an industrially applicable alkali activation method.例文帳に追加

アルカリ賦活法により工業的にも実施しうる方法であり、電気二重層キャパシタ用電極材料として好適な、静電容量が高く、高エネルギー密度の多孔質炭素材料を得る方法の提供。 - 特許庁

To provide a dielectric porcelain composition which can make the high temperature load life compatible with capacitance temperature characteristics even when a dielectric layer of an electronic component is made thin, and which has satisfied reliability.例文帳に追加

電子部品の誘電体層を薄層化した場合であっても、高温負荷寿命と容量温度特性とを両立することが可能で、十分な信頼性を有する誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁

A load capacity due to a diffusion layer capacitance of MNa2 and MNa3 is applied to DBL1 and DBL2 and accordingly a delay time from a decode start signal TDEC to a dummy bit line signal SDBL is set.例文帳に追加

ＤＢＬ１，ＤＢＬ２には、ＭＮａ２，ＭＮａ３の拡散層容量に伴う負荷容量が付加され、これに応じてデコード起動信号ＴＤＥＣからダミービット線信号ＳＤＢＬまでの遅延時間が設定される。 - 特許庁

In this structure, capacitance electrodes 6 are provided on a part of segment electrodes composing the picture elements via a dielectric layer 5, and supplementary capacitance is formed between a part of the segment electrodes 13 of each picture element and the common electrode 23 of each pixel by electrically connecting the capacity electrodes 6 with the common electrodes 23 via conductive particles 7.例文帳に追加

この構成で、画素を構成するセグメント電極の一部の上に誘電体層５を介して容量電極６が設けられ、その容量電極６とコモン電極２３とを導電粒７を介して電気的に接続することにより、各画素の一部のセグメント電極１３とコモン電極２３との間に補助容量が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device including a capacitive element includes: metal wiring 200a and a lower electrode 200b each including an aluminum alloy film 102 and an upper-layer barrier film 103 including a high-melting-point metal film; a capacitance insulating film 104 formed on the lower electrode 200b; and an upper electrode 105 formed on the capacitance insulating film 104.例文帳に追加

本発明は、容量素子を有する半導体装置であって、アルミニウム合金膜１０２と、高融点金属膜を含む上層バリア膜１０３とを含む金属配線２００ａおよび下部電極２００ｂと、下部電極２００ｂ上に形成された容量絶縁膜１０４と、容量絶縁膜１０４上に形成された上部電極１０５とを有する。 - 特許庁

In a capacitance element region 1 on a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, a wiring layer of the semiconductor device is not formed in an upper region of a forming position of the semiconductor element on a first interlayer dielectric 8 to cover this capacitance element, and dummy patterns 2, 2a to be dummy wiring layers are formed at a peripheral of the upper region.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体基板上の容量素子領域１において、この容量素子を被覆する第１層間絶縁膜８上であって上記半導体素子の形成位置の上部領域には半導体装置の配線層が形成されず、上記上部領域の周辺部にダミー配線層となるダミーパターン２，２ａが形成される。 - 特許庁

When an object comes in contact with the integument 7, the piezoelectric material layer 3 is deformed to have a voltage changed between the center conductor 2 and the intermediate conductor 4, and, when an object approaches the integument 7, a stray capacitance increases between the object and the outermost conductor 6 to have a capacitance changed between the intermediate conductor 4 and the outermost conductor 6.例文帳に追加

外皮７に物体が接触したときには圧電材料層３が変形して中心導体２と中間導体４との間における電圧が変化し、外皮７に物体が接近したときには物体と最外導体６との間で浮遊静電容量が増加して中間導体４と最外導体６との間における静電容量が変化する。 - 特許庁

A second differential transmission path 120 comprises second surface patterns 121a-121c formed in the conductive layer CON1, and dummy through holes 123a and 123b that are connected only to the second surface patterns 120a-120c, to adjust the capacitance of the second differential transmission path 120 according to the capacitance of the through 113a or the like.例文帳に追加

第２の差動伝送路１２０は、導体層ＣＯＮ１に形成された第２の表面パターン１２１ａ〜１２１ｃと、第２の表面パターン１２１ａ〜１２１ｃにのみ接続され、スルーホール１１３ａ等の容量に応じて第２の差動伝送路１２０の容量を調整するために設けられたダミースルーホール１２３ａ、１２３ｂとを有する。 - 特許庁

A parallel flat plate type capacitor, which comprises conductive patterns provided on the respective opposing conduction layers and an insulating layer held by those conductor patterns, is provided on the printed wiring board, and the correlation relationship between an opposed area of the parallel flat plates and capacitor electrostatic capacitance is utilized to measure the capacitor electrostatic capacitance, thereby the displacement amount between the opposing conduction layers is nondestructively measured.例文帳に追加

対向する各導体層に設けた導体パターン及びそれら導体パターンで挟まれた絶縁層からなる並行平板型コンデンサーをプリント配線板に設け、並行平板の対向面積とコンデンサー静電容量の相関関係を利用して、コンデンサーの静電容量を測定することで、非破壊で対向する導体層間のずれ量を測定する。 - 特許庁

The frequency variable oscillator is provided with a semiconductor chip 11 with a feedback circuit B11 formed therein, a SAW vibrator W11 and a variable capacitance capacitor C11 are layered on the semiconductor chip 11, and a thin film piezoelectric substance layer 14 constituting the SAW vibrator W11 is used to form the variable capacitance capacitor C11.例文帳に追加

周波数可変発振器には、帰還回路Ｂ１１が形成された半導体チップ１１が設けられるとともに、ＳＡＷ振動子Ｗ１１および可変容量コンデンサＣ１１は半導体チップ１１上に積層され、ＳＡＷ振動子Ｗ１１を構成する薄膜圧電体層１４を用いることで、可変容量コンデンサＣ１１を形成する。 - 特許庁

The matching circuit 16 comprises: a coil electrode 60 formed on a principal plane of an eighth dielectric layer S8 and constituting an inductance component; a first capacitor electrode 62 formed on a principal plane of a seventh dielectric layer S7 and constituting a capacitance component; and a second capacitor electrode 64 formed on a principal plane of a sixth dielectric layer S6 and constituting the capacitor component.例文帳に追加

マッチング回路１６は、第８の誘電体層Ｓ８の主面に形成され、インダクタンス成分を構成するコイル電極６０と、第７の誘電体層Ｓ７の主面に形成され、キャパシタンス成分を構成する第１の容量電極６２と、第６の誘電体層Ｓ６の主面に形成され、キャパシタンス成分を構成する第２の容量電極６４とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing floating capacitance and capable of achieving high speed and low power consumption by forming an element on a GaAs layer formed above a cavity in a GaAs device, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＧａＡｓデバイスにおいて、空洞上に浮遊するＧａＡｓ層に素子形成を行うことにより、浮遊容量を抑え、高速化・低電力化を図ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a porcelain of dielectrics and its production process capable of enhancing specific dielectric constant, and to provide a laminated ceramic condenser capable of enhancing capacitance without thinning layer of dielectrics to achieve high fidelity.例文帳に追加

比誘電率を大きくすることができる誘電体磁器及びその製法を提供し、誘電体層を薄層化することなく静電容量を大きくすることができ、信頼性を向上できる積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁

Consequently, transferring electric charges to the electric charge detection region within a range of the reverse bias voltages wherein the growth of the depletion layer is slow can solve the task above, because the voltage dependence of the electric charge detection region on its capacitance is small within the range.例文帳に追加

従って、空乏層の伸び方が緩やかな電圧範囲で電荷検出領域への電荷転送を行えば、その範囲では電荷検出領域の容量の電圧依存性が小さいので、上記課題を達成できる。 - 特許庁

Further, it is provided with a relay layer (71) functioning as the pixel potential side capacitive electrode of a storage capacitance (70) and a capacity line (300) including a fixed potential side capacitive electrode arranged facing it through a dielectric film (75).例文帳に追加

更に、蓄積容量（７０）の画素電位側容量電極として機能する中継層（７１）と、これに誘電体膜（７５）を介して対向配置された固定電位側容量電極を含む容量線（３００）とを備える。 - 特許庁

This metallic resin cover 55 constitutes a portion of an outer wall of the door handle 50 in which a detection electrode 53D of the capacitance sensor 53 is provided, and which can detect a human touch, and the outer surface is covered with a metal layer 13.例文帳に追加

本発明に係る金属調樹脂カバー５５は、静電容量センサ５３の検知電極５３Ｄを内蔵して人の接触を検出可能なドアハンドル５０の外壁の一部を構成し、外面を金属層１３にて覆われている。 - 特許庁

The first electrodes 11 have an electrode layer 11b in which an open part 11a is formed at least in a part of a region which is overlapped with the pixel electrodes 14, thus the deterioration in a display quality due to a parasitic capacitance is suppressed.例文帳に追加

第１電極１１は、画素電極１４と重なる領域の少なくとも一部に開口部１１ａが形成された電極層１１ｂを有しており、それによって、寄生容量に起因する表示品位の低下が抑制される。 - 特許庁

To provide a capacitor-embedded printed circuit board that can minimize deviations in contact area between a second electrode and a dielectric layer, so that ultimately, errors in capacitance may be reduced; and to provide a method thereof.例文帳に追加

本発明は、第２電極の誘電層に接する面積の偏差を最小化することができ、結果的に、キャパシタの静電容量の誤差を減らすことができるキャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁