「layer capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The interlayer insulating film 43 is laminated on the interlayer insulating film 42, and the interlayer insulating film 43 includes a recessed portion 43e reflecting the groove-like recessed portion 42e, in which a storage capacitance 55 is constituted by a first electrode layer 5a, a dielectric layer 40 and a second electrode layer 7a.例文帳に追加

また、層間絶縁膜４２には層間絶縁膜４３が積層され、層間絶縁膜４３において溝状凹部４２ｅが反映されてなる凹部４３ｅの内部で、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａが蓄積容量５５を構成している。 - 特許庁

A base metal layer 100 to form an auxiliary capacitance between the layer 100 and the drain electrode 112 of a TFT 127 that applies a voltage to a pixel electrode is formed in a planar state on a glass substrate 130; that is, the layer is formed without being patterned on the glass substrate 130.例文帳に追加

画素電極１１４に電圧印加するＴＦＴ１２７のドレイン電極１１２との間で補助容量を形成するための下地金属層１００が、ガラス基板１３０上に面状に形成、即ち、ガラス基板１３０上にパターンニングされない状態で形成される。 - 特許庁

To reduce the parasitic capacitance of the electrode pad of an element where a mesa stripe including an optical waveguide layer is buried by a semi-insulating InP based embedding layer having an upper surface consisting of a flat portion, an inclining portion and a fine growth portion and the electrode pad is formed on the embedding layer 4.例文帳に追加

光導波路層を含むメサストライプを、上面が平坦な平坦部、傾斜部及び微成長部からなる半絶縁性のＩｎＰ系埋込み層により埋め込み、埋込み層４上に電極パッドが形成された素子の電極パッドの寄生容量を小さくする。 - 特許庁

With regard to the noise components, signal line noise and IC noise are reduced by employing a multilayer structure of a first insulation layer, a semiconductor layer, and a second insulation layer at the intersection of a signal line and a switch TFT drive line, thereby reducing parasitic capacitance at the intersection of wiring.例文帳に追加

ノイズ成分においては、信号線とスイッチＴＦＴ駆動配線との配線交差部を第１の絶縁層、半導体層、第２の絶縁層の積層構造とすることにより、配線交差部で形成される寄生容量を低減し、信号線ノイズ、ＩＣICノイズを低減する。 - 特許庁

The lower side of a high dielectric member 4 having a specific dielectric constant of 20 or more with an electrode 5 provided at the upside is adhered through a resin layer 3 to a wiring conductor layer 2 formed on a dielectric substrate 1, to thereby form a capacitance element C1 with the wiring conductor layer 2 and the electrode 5 used as opposite electrodes and the high dielectric member 4 used as a dielectric for generating capacitance.例文帳に追加

誘電体基板１上に形成された配線導体層２上に、上面に電極５が設けられた比誘電率が２０以上の高誘電性部材４の下面を、樹脂層３を介して接着させたことにより、配線導体層２と電極５とを対向電極としかつ少なくとも高誘電性部材４を静電容量発生用の誘電体とする容量素子Ｃ１を形成した。 - 特許庁

Each pixel 20 has: the pixel electrode 160 and the common electrode 140 which are provided on one substrate of a pair of substrates and layered via the insulating film; an alignment layer disposed on an liquid crystal layer side of the pixel electrode 160 and the common electrode 140; and a circuit capacitance connected to a liquid crystal capacitance via the liquid crystal layer between the pixel electrode 160 and the common electrode 140.例文帳に追加

各画素２０は、一対の基板の一方の基板に設けられ、絶縁膜を介して積層された画素電極１６０と共通電極１４０と、画素電極１６０および共通電極１４０よりも液晶層側に配置された配向膜と、画素電極１６０と共通電極１４０との間の液晶層を介した液晶容量に接続された回路容量と、を有している。 - 特許庁

Since no impurities are present in the di-electric layer of the auxiliary capacitance semiconductor layer 37, deterioration in the characteristics of thin film transistors 23 for pixels, thin film transistors 25 for a p-type driving circuit, and thin film transistors 26 for an N-type driving circuit does not occur.例文帳に追加

補助容量半導体層37の誘電体層には不純物が存在しないため、画素用薄膜トランジスタ23、Ｐ型駆動回路用薄膜トランジスタ25およびＮ型駆動回路用薄膜トランジスタ26の特性劣化を発生させない。 - 特許庁

To provide a polarizable electrode for an electric double layer capacitor, which has good characteristics when exposed to air at high temperature and prevents decline in capacitance and increase in internal resistance, and also to provide an electric double layer capacitor using the same.例文帳に追加

高温における放置特性が良好、かつ静電容量の低下及び内部抵抗の上昇を防止可能な電気二重層キャパシタ用分極性電極及びそれを用いた電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

To provide a compound heterobipolar transistor of a structure, wherein the recombination between a base layer and an emitter layer is suppressed and a reduction in the amplification factor of a current can be prevented without increasing the junction capacitance between a base and an emitter and a leakage current so much, and the manufacturing method of the transistor.例文帳に追加

ベース・エミッタ間の接合容量やリーク電流をあまり増加させずに、再結合を抑制して電流増幅率の低下を防ぐことができる化合物ヘテロバイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a porous carbon material for a non-aqueous electric double layer capacitor which has high capacitance per volume of an electrode and low expansion of volume in charging, and a manufacturing method thereof and the non-aqueous electric double layer capacitor.例文帳に追加

電極の体積当たりの静電容量が高く、かつ充電時の体積膨張の低い、非水系電気二重層キャパシタ用多孔質炭素材料およびその製造方法ならびに非水系電気二重層キャパシタを提供する。 - 特許庁

For example, in a reflection type liquid crystal display panel, the lower layer electrode 11b and the upper layer electrode 16d of the auxiliary capacitance having ≥50% area of a reflection electrode 18a is disposed below the reflection electrode (pixel electrode) 18a.例文帳に追加

例えば反射型液晶表示パネルの場合、反射電極（画素電極）１８ａの下方に、反射電極１８ａの５０％以上の面積となる補助容量の下層電極１１ｂ及び上層電極１６ｄを配置する。 - 特許庁

Since the surface of the polarizable electrode layer is embossed, the polarizable electrode layer is compressed effectively and a volume capacitance as high as 17 F/cm^3 or above can be attained.例文帳に追加

このように、本発明では分極性電極層の表面をエンボス加工していることから、分極性電極層が効果的に圧縮され、その結果、１７Ｆ／ｃｍ^３以上の高い体積容量を達成することが可能となる。 - 特許庁

The storage capacitance electrode 51 and the pixel electrode 31 are connected via a conductive through-hole 33 penetrating through the upper insulating layer, and the storage capacitance electrode 51 and a source electrode 43 of a thin film transistor part 40 are integrally formed out of the same metallic film via wiring 53.例文帳に追加

蓄積容量電極５１と画素電極３１とが上層絶縁層を貫通する導電性貫通孔３３により接続され、かつ蓄積容量電極５１と薄膜トランジスタ部４０のソース電極４３とが配線５３を介して同一金属膜で一体に形成されている。 - 特許庁

When viewed in stacking direction of a dielectric layer 32, capacitance formation parts 48 and 51 of the first and fourth internal electrodes 42 and 45 do not overlap each other, while capacitance formation parts 49 and 50 of the second and third internal electrodes 43 and 44 do not overlap each other.例文帳に追加

誘電体層３２の積層方向で見たとき、第１および第４の内部電極４２および４５の各々の容量形成部４８および５１が重なり合わず、第２および第３の内部電極４３および４４の各々の容量形成部４９および５０が重なり合わない。 - 特許庁

To provide an electrode plate for a capacitance type touch panel, including a structure allowing easy and accurate alignment between a plurality of patterns when sequentially forming each layer of the electrode plate for the capacitance type touch panel including a plurality of layers including the patterns from a transparent base material side.例文帳に追加

パターンを含む複数の層からなる静電容量式タッチパネル用電極板の各層を透明基材側から順次形成していく際に、複数のパターン間の正確な位置合わせを容易に行うことを可能にする構造を有する静電容量式タッチパネル用電極板を提供すること。 - 特許庁

To provide an SOI-MOSFET operating as a high driving current low parasitic capacitance with a low substrate bias coefficient by varying the substrate depletion layer capacitance when a variable threshold voltage CMOSFET is realized and the threshold voltage is increased by a high substrate bias coefficient during standby.例文帳に追加

閾値電圧可変ＣＭＯＳＦＥＴを実現する際、基板空乏層容量を変化させ、動作時に、低い基板バイアス係数で高駆動電流かつ低寄生容量のデバイスとして動作し、待機時に、高い基板バイアス係数により、閾値電圧を高くするＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To improve yields in an active matrix substrate, its manufacturing method, an optoelectronic device and its manufacturing method by reducing damage on an insulation layer of storage capacitance caused by an ion implantation while maintaining necessary specific resistance on the lower electrode of the storage capacitance.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置とその製造方法において、蓄積容量の下部電極において必要な比抵抗値を確保しながらイオン注入に起因する蓄積容量の絶縁膜へのダメージを低減させて歩留まりを向上させること。 - 特許庁

The slit 41 closed by the lower electrode layer 2 and the upper electrode 3 makes a cavity 5, a part of which is filled with a static capacitance medium 6, thereby the common electrode 22 and the opposite electrodes 32 and 33 are immersed in the static capacitance medium 6.例文帳に追加

そして、下部電極層２と上部電極層３とにより閉塞されたスリット４１をキャビティ５として、そこにはその容積の一部を占めるように静電容量媒体６が注入され、これにより共通電極２２及び対向電極３２，３３が静電容量媒体６に浸漬されている。 - 特許庁

The electrostatic capacitance CTL per unit area of an existence region of development contributing toner in which toner contributing to a development exists adjacently to a photoreceptor drum surface in a developing area, is made larger than the electrostatic capacitance CPC per unit area of a photosensitive layer 1P.例文帳に追加

現像領域における感光体ドラム表面に隣接し現像に寄与するトナーが存在している現像寄与トナー存在領域の単位面積あたりの静電容量Ｃ_ＴＬを、感光層１Ｐの単位面積あたりの静電容量Ｃ_ＰＣよりも大きくする。 - 特許庁

To solve a problem that the capacitance is shifted from a specified value due to the effect of an excessive capacitance being formed at the outer circumferential edge part as the wiring board incorporating a capacitive element is reduced in size and profile even if variation in the facing area of a capacitive element electrode layer is suppressed.例文帳に追加

容量素子内蔵配線基板の小型化・低背化に伴い、容量素子電極層の対向する面積の変化を抑えたとしても外周縁部分で生じる余分な静電容量成分の影響のため、静電容量値が所定の値からずれてしまう。 - 特許庁

Since the capacitance insulating film comprises the laminate film consisting of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers having a great barrier height, and the hafnium oxide film 103 of the second layer having a great dielectric constant, it is possible to materialize the capacitor having a small leakage current and a large capacitance.例文帳に追加

容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４と、誘電率の大きな第２層のハフニウム酸化膜１０３との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 - 特許庁

Further since capacitance per layer can be adjusted by changing an interval d between the internal electrodes 16, 18, the number of laminated layers of the internal electrodes 16, 18 can be optimized, contact defects of the internal electrodes 16, 18 with the external electrodes 22, 24 can be suppressed and the capacitance dispersion can be reduced.例文帳に追加

更に、内部電極１６，１８の間隔ｄを変えて一層当たりの容量を調整することができるため、内部電極１６，１８の積層数を最適化することで、内部電極１６，１８と外部電極２２，２４のコンタクト不良を抑制し、容量のばらつきを低減することができる。 - 特許庁

The lower electrodes of the capacitance elements C1, C3 are formed of a common conductor pattern Me1a and connected to the potential V1, and the lower electrodes of the capacitance elements C2, C4 are formed of a conductor pattern Me1b in the same layer as the conductor pattern Me1a and connected to the potential V2.例文帳に追加

容量素子Ｃ１，Ｃ３の下部電極は共通の導体パターンＭｅ１ａにより形成されて電位Ｖ１に接続され、容量素子Ｃ２，Ｃ４の下部電極は導体パターンＭｅ１ａと同層の導体パターンＭｅ１ｂにより形成されて電位Ｖ２に接続されている。 - 特許庁

To provide an electric double layer capacitor having a high capacitance per volume with a low deterioration in capacitance even for a long period continuous applying of high voltage of not less than 3 V, that is, the high withstand voltage characteristic of not less than 3 V, especially improved withstand voltage characteristic of not less than 3.3 V.例文帳に追加

電気二重層キャパシタの体積当り容量の高容量化と同時に、３Ｖ以上の高電圧の長期間連続印加に対しても容量劣化の小さい、即ち３Ｖ以上の耐電圧特性、特に３．３Ｖ以上の耐電圧特性を改善し、両立させること。 - 特許庁

The electrode metal material where an active carbon layer is deposited and formed is utilized for the double-layer electrode of an electric double-layer capacitor, and carbon particles that are included in the surface compensates for the continuity between the active carbon layer and a valve metal electrode, thus preventing the internal resistance of the electrode from increasing even if the surface oxidation of the valve metal occurs, and maintaining capacitance.例文帳に追加

電極金属材料は、活性炭層が被着形成されて、電気二重層キャパシタの二重層電極に利用され、表面に含まれる炭素粒子が、活性炭層と弁金属電極との導通を補償するので、弁金属の表面酸化によっても、電極の内部抵抗は増加せず、静電容量も保持される。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which reduces a parasitic capacitance generated between an umbrella part of a gate electrode of T-type structure and a diffusion layer, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加

Ｔ型構造のゲート電極の傘部と拡散層の間に生じる寄生容量を低減した電界効果トランジスタ及びその電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate increase in junction capacitance and disadvantages in microminiaturization by having a high concentration impurity layer interposed between two gates in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴに関するもので、２個のゲート間に高濃度不純物層が存在することにより、接合容量が増加する点と、微細化が不利である点とを解消することを課題とする。 - 特許庁

Furthermore, a clearance L1 between the resistsor 25 and an epitaxial layer 3 is enlarged to reduce the parasitic capacitance in the resistor 25 and improve the high-frequency characteristic of the semiconductor device.例文帳に追加

更に、抵抗体２５とエピタキシャル層３との離間距離Ｌ１を広げることで、抵抗体２５での寄生容量を低減し、半導体装置の高周波特性を向上させることができる。 - 特許庁

Thus, even when the insulating layer 23 is made thin to about 1 μm thickness, pinholes, leaking or the like between the common electrode and the pixel electrode can be prevented and a larger auxiliary capacitance can be obtained.例文帳に追加

かくすることにより、絶縁層23を1μm程度にまで薄くしても、コモン電極と画素電極の間のピンホール、リーク等を防止することができ、より大きな補助容量が得られる。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor, which has a large capacitance, a low electrical resistance, and a rated voltage of ≥2.6 V and the performance of which is stabilized, even if the capacitor is used over a long period.例文帳に追加

容量が大きく、電気抵抗が小さく、長期的に使用しても性能が安定している２．６Ｖ以上の定格電圧を有する電気二重層キャパシタの提供。 - 特許庁

The inter-layer insulating film 4 has a recess 10 formed reaching the capacitance lower electrode 3, and a capacitive insulating film 5A is formed on a bottom surface and a wall surface of the recess 10.例文帳に追加

層間絶縁膜４には、容量下部電極３に達する凹部１０が形成されており、凹部１０の底面及び壁面のそれぞれの上に容量絶縁膜５Ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a dual-damascene interconnect capable of sufficiently protecting a surface of a lower conductive layer, high in reliability, and small in interconnect capacitance.例文帳に追加

下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a semiconductor device having a capacitance element and a second transistor provided over a first transistor, an offset region being provided in a semiconductor layer of the second transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、第２のトランジスタの半導体層にはオフセット領域が設けられた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In an upper pattern layer 83 of the display panel 10, formation areas of the light-receiving transistor Tr21 and the holding capacitance element C1 are selectively formed with openings 110.例文帳に追加

表示パネル１０上の上部パターン層８３において、受光用トランジスタＴｒ２１および保持容量素子Ｃ１の形成領域に、選択的に開口１１０が設けられている。 - 特許庁

The diaphragm 16 is formed larger in size than that of the fixed electrode layer 12 and a shield metal 33 is placed between them because a parasitic capacitance is caused by the diaphragm 16 as one configuration.例文帳に追加

振動膜１６は、固定電極層１２よりもそのサイズが大きく形成され、振動膜１６を一構成として寄生容量が発生するため、この間にシールドメタル３３を配置する。 - 特許庁

To provide a carbonaceous material for the polarized electrode of an electric double-layer capacitor for obtaining high capacitance with a small amount of variation, and to provide a method for manufacturing the polarized electrode.例文帳に追加

ばらつきが少なくかつ高い静電容量を得ることができる電気二重層キャパシタの分極性電極用炭素材および分極性電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a solid-state electrolytic capacitor in which a solid-state electrolytic layer composed of fine uniform conductive high molecules is formed into a winding type capacitor element and which has excellent electrical characteristics and large capacitance.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサを得る。 - 特許庁

To decrease inhomogeneous irregular display caused by stray capacitance due to an insulating layer between a metal reflector and an ITO electrode in a reflection type liquid crystal display panel.例文帳に追加

反射型の液晶表示パネルにおいて、金属反射板とＩＴＯ電極間の絶縁層による浮遊容量により発生していた不均一の表示むらを低減できる。 - 特許庁

The capacitor of a matching circuit built into an RFIC 15 is constituted by using parasitic capacitance generated between the dummy bump pad 18 of the RFIC 15 and the GND layer of the RFIC 15.例文帳に追加

ＲＦＩＣ１５に組み込まれる整合回路のキャパシタを、ＲＦＩＣ１５のダミーバンプパッド１８とＲＦＩＣ１５のＧＮＤ層との間に出来る寄生容量使って構成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a capacitor in which a step for forming the conductive layer for a storage node electrode can be simplified and a high capacitance and a low leak current can be realized.例文帳に追加

ストレージノード電極用導電層の形成工程を単純化でき、高いキャパシタの容量と低いリーク電流を実現することができるキャパシタの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic capacitance type touch sensor which enhances detection precision of an object, without using a shield layer, and a display device and electronic equipment provided with the touch sensor.例文帳に追加

シールド層を用いずに物体の検出精度を向上させることが可能な静電容量型のタッチセンサ、並びにそのようなタッチセンサを備えた表示装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

When the thickness and the dielectric constant of the dielectric layer are called d and ε, the dielectric capacitance C=f (d, ε) is varied in the direction crossing discharge channels.例文帳に追加

本発明によれば、誘電体層の厚さをｄ、誘電率をεとした誘電体層のキャパシタンスＣ＝ｆ（ｄ，ε）を放電チャネルに対し交差する方向で変化させる。 - 特許庁

To provide an electric double layer capacitor having high capacitance per unit volume and achieving industrial production easily, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

単位体積当たりの静電容量が高い電気二重層キャパシタの工業的生産を容易に実現することができる電気二重層キャパシタおよびその製造方法提供する。 - 特許庁

A capacitor having superior frequency characteristics and capacitance achievement rate can be obtained by forming a precise conductive polymer layer, by polymerizing the high concentration polymerization solution at a high temperature.例文帳に追加

高濃度の重合溶液を高温で重合させることにより、導電性高分子層を緻密に形成し、周波数特性と容量達成率の優れたコンデンサを得ることができる。 - 特許庁

To suppress flickers caused by low power consumption and parasitic capacitance accumulated in switching elements and wiring at the time of inverting the polarity of a voltage applied to a liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶層に印加される電圧の極性を変化させる際、低消費電力、かつ、スイッチング素子や配線内に蓄積された寄生容量の影響によるフリッカーを抑える。 - 特許庁