「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The fragmentation is executed at a HARQ layer when the error metric is lower than a given threshold, and is executed at a MAC layer when the error metric is not lower than a given threshold.例文帳に追加

断片化を、誤り基準が所定閾値を下回る場合はＨＡＲＱ層で実行し、そうでない場合は、ＭＡＣ層で実行する。 - 特許庁

On the device substrate to which the transfer layer is thermally transferred, the lower electrode is formed, and on this lower electrode, the transfer layer is pattern-transferred.例文帳に追加

転写層が熱転写される装置基板上には、下部電極が形成されており、この下部電極上に転写層をパターン転写する。 - 特許庁

Further, the via is contacted with the side wall of the lower layer wiring at that time.例文帳に追加

さらにそのときビアが下層配線の側壁に接するようにする。 - 特許庁

A lower layer resist film 3b is formed by applying bake processing.例文帳に追加

ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜３ｂが形成される。 - 特許庁

The surface of the lower layer wiring is subjected to wet treatment, and a second barrier metal 22 is formed on the first barrier metal and the lower layer wiring.例文帳に追加

前記下層配線の表面をウェット処理し、前記第１バリアメタル上及び前記下層配線上に、第２のバリアメタル（２２）を形成する。 - 特許庁

A lower cladding layer 24 is formed on the cores and the intermediate cladding layers.例文帳に追加

コアおよび中間クラッド層の上に下部クラッド層２４を形成する。 - 特許庁

The electro-active lens assembly has an upper substrate layer with a planar upper surface and a lower substrate layer with a planar lower surface.例文帳に追加

電気駆動レンズアセンブリは上側の平表面を有する上側の基板層と、下側の平表面を有する下側の基板層とを有する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a lower layer wiring, which uses Cu as a metal for wiring, and the SiCN film formed on the lower layer wiring.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、Ｃｕを配線用金属とする下層配線と下層配線上に形成されたＳｉＣＮ膜を備える。 - 特許庁

The reflection LCD includes an upper glass substrate 1, a liquid crystal layer 2 and a lower glass substrate 3.例文帳に追加

上ガラス基板１、液晶層２および下ガラス基板３を含む。 - 特許庁

METAL PLATE HAVING HYDROPHILIC LOWER LAYER COATING FILM AND COATED METAL PLATE例文帳に追加

親水性に富む下層塗膜を設けた金属板及び塗装金属板 - 特許庁

The adhesive rubber part 12 includes an upper layer 12A which forms the upper side and a lower layer 12B which forms the lower side, with the core wires 11 as the boundary.例文帳に追加

接着ゴム部１２は、心線１１を境に上側を構成する上部層１２Ａと、下側を構成する下部層１２Ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a coating solution for forming a transparent electroconductive layer wherein the coating solution for forming the transparent electroconductive layer has a lower cost than that of a previous one and formation of the transparent electroconductive layer having a lower resistance and a lower reflectivity than that of the previous one is possible.例文帳に追加

従来の透明導電層形成用塗液より安価で、低抵抗、低反射率を有する透明導電層の形成が可能な透明導電層形成用塗液を提供すること。 - 特許庁

POWDER FOR LOWER LAYER OF COATING TYPE MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

塗布型磁気記録媒体の下層用粉末およびその製造法 - 特許庁

A second elastic layer 7 is disposed under the lower face of the strain-inducing plate 2.例文帳に追加

起歪板２の下面に第２弾性層７が配置されている。 - 特許庁

When viewed from the upper side of the upper conductor layer 30, the outer edge of the lower surface of the upper electrode 30a are arranged at the inner side of the lower conductor layer 10 without being contacted with the outer edge of the upper surface of the lower conductor layer 10.例文帳に追加

上部導体層３０の上方から見たときに、上部電極部分３０ａの下面の外縁は、下部導体層１０の上面の外縁に接することなく、その内側に配置されている。 - 特許庁

To improve a barrier layer disposed between a lower bump metal and a solder bump.例文帳に追加

下部バンプ金属と半田バンプとの間にあるバリア層を改善する。 - 特許庁

In a trench capacitor 301, an epitaxial layer 365 is provided at the lower part of the trench.例文帳に追加

トレンチキャパシタにおいて、トレンチ下部にエピタキシャル層が設けられている。 - 特許庁

A substrate is etched so as to satisfy the relation of lower-layer mask < intermediate mask at the etching rate in which the lower-layer mask and the intermediate mask are etched by using the lower-layer mask and the intermediate mask, so that contact holes are formed in the substrate.例文帳に追加

下層マスク及び中間マスクをマスクに用いて、下層マスク及び中間マスクがエッチングされるエッチング速度が、下層マスク＜中間マスク、を満たすように基板のエッチングを行い、基板内にコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Concave and convex faces 7a, 7b are formed on a dielectric layer 5 inside a lower surface conductor layer 3, namely, a lower surface 7 of a dielectric matching unit 5a.例文帳に追加

下面導体層３の内側の誘電体層５、すなわち、誘電体整合器５ａの下表面７に凹凸面７ａ，７ｂを設ける。 - 特許庁

An Au lower electrode 104 of the resonator is formed on the AIN layer 103.例文帳に追加

AlN層１０３上に共振器のAu下部電極１０４を形成する。 - 特許庁

RESIST COATING AND DEVELOPING DEVICE AND EDGE CUTTING METHOD FOR LOWER-LAYER ANTIREFLECTION FILM例文帳に追加

レジスト塗布現像装置、および下層反射防止膜のエッジカット方法 - 特許庁

Namely, the upper and lower electrodes holding a liquid crystal layer are short-circuited.例文帳に追加

すなわち、液晶層を挟む上下電極がショートした形になる。 - 特許庁

The lower gap layer 2 has high thermal conductivity because the lower gap layer 2 includes the AlN film 13.例文帳に追加

下部ギャップ層２がＡｌＮ膜１３を含むことにより、前記下部ギャップ層２の熱伝導率は従来に比べて非常に高いものとなっている。 - 特許庁

The lower end layer 2a is formed of AlGaN richer in Al than it.例文帳に追加

下端層２ａは、これよりもＡｌリッチなＡｌＧａＮにて形成する。 - 特許庁

A refraction index of the film of low refraction index is lower than that of the I layer.例文帳に追加

低屈折率膜の屈折率は、Ｉ層の屈折率よりも低い。 - 特許庁

The roof of this bay window has a two-layer structure of a lower roof 1 and an upper roof 2.例文帳に追加

出窓の屋根を下屋根１と上屋根２の２層構造とする。 - 特許庁

A solder ball 11 is arranged in a lower surface of a surface wiring layer 7.例文帳に追加

そして、表面配線層７の下面にはんだボール１１を配設する。 - 特許庁

The lower layer protocol is shared by both the 1st and 2nd passes and a multiplication/separation part for multiplexing/separating respective passes is formed between the lower and upper layer protocols.例文帳に追加

下位レイヤ・プロトコルは双方のパスが共用し、下位及び上位レイヤ・プロトコル間に各パスを多重・分離するための多重・分離部を設ける。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device 20 includes a lower DBR layer 21, a lower spacer layer 22, an active layer 23, an upper spacer layer 24, a current constriction layer 25, an upper DBR layer 26, and a contact layer 27 in sequence from the side of a substrate 10, wherein a columnar mesa part M1 including an optical outgoing window 28A is formed on the contact layer 27.例文帳に追加

半導体発光素子２０は、下部ＤＢＲ層２１、下部スペーサ層２２、活性層２３、上部スペーサ層２４、電流狭窄層２５、上部ＤＢＲ層２６およびコンタクト層２７を基板１０側から順に含むと共に、コンタクト層２７上に光射出窓２８Ａを含む柱状のメサ部Ｍ１を有する。 - 特許庁

The film has a polyester layer(A layer) of a melting point of 250°C or lower on one or both sides of a polyester layer(B layer) containing a polyester of a melting point of 250°C or lower and a laminated film layer(C layer) containing a polyester on the side opposite to the A layer or on one side of the A layer.例文帳に追加

融点が２５０℃以下のポリエステルを含有するポリエステルの層（Ｂ層）の片側もしくは両側に、融点が２５０℃以下のポリエステルの層（Ａ層）を設け、該Ａ層とは反対側にもしくはＡ層の片側に、ポリエステルを含有する積層膜層（Ｃ層）が設けられてなる積層ポリエステルフィルムである。 - 特許庁

The structure comprises an uppermost metal layer 7 composed of a conductive layer, an external terminal 9 composed of a conductive layer formed on the uppermost metal layer 7, and a lower metal layer 3 which is formed below the uppermost metal layer 7 and connected to the uppermost metal layer 7 through a via 5 with a number of protrusions 3a formed around the lower metal layer 3.例文帳に追加

導電層からなる最上層メタル７と、最上層メタル７上に形成された導電層からなる外部端子９と、最上層メタル７の下部に最上層メタル７とビア５を通して接続された下層メタル３とを備え、下層メタル３の周辺部に多数の凸形状３ａを有する。 - 特許庁

In the thin film EL element, a lower electrode layer 2, lower insulating layer 3, first buffer layer 51, luminous layer 4, second buffer layer 52, upper insulating layer 6, and upper electrode layer 7 are laminated in order on a glass substrate 1, and the El emission from the luminous layer 4 is output through the glass substrate 1.例文帳に追加

この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、第１バッファ層５１、発光層４、第２バッファ層５２、上部絶縁層６および上部電極層７を順次積層することにより形成されており、発光層４からのＥＬ発光はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁

Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a mounting substrate 10; a lower-layer chip 20 mounted on the mounting surface of the mounting substrate 10 while facing a surface opposite surface to an active surface of the lower-layer chip 20; and an upper-layer chip 30 mounted on an active surface of the lower-layer chip 20, while facing the active surface of the upper-layer chip.例文帳に追加

半導体装置は実装基板１０を備え、この実装基板１０の実装面と、能動面とは反対側の面とを対向させて実装された下段チップ２０と、この下段チップ２０の能動面に、能動面を対向させて実装された上段チップ３０とを備える。 - 特許庁

It is preferable that the heat seal layer is provided between the lower polyester film layer and the steel panel, the melting start temperature of the lower polyester film layer is higher than that of the upper polyester film layer, the steel panel is a plated panel, and the resin or thickness of the lower and/or upper polyester film layer is limited.例文帳に追加

下層ポリエステルフィルム層と鋼板の間にヒートシール層を有すること、下層ポリエステルの溶融開始温度が上層ポリエステルの溶融開始温度より低いこと、鋼板がめっき鋼板であること、また、下層および／または上層ポリエステルフィルム層の樹脂や厚みの限定が好ましい。 - 特許庁

A resistive element 1 is constituted of a lower layer wiring 1a formed on a semiconductor wafer, an upper layer wiring 1b formed so as to ride over lower layer wirings 1a neighbored mutually, and a via 1c electrically connecting the lower layer wiring 1a and the upper layer wiring 1b.例文帳に追加

抵抗素子１は、半導体ウエハ上に形成された下層配線１ａと、互いに隣接する下層配線１ａ同士の上方を跨ぐように形成された上層配線１ｂと、下層配線１ａ及び上層配線１ｂを電気的に接続するビア１ｃとから構成されている。 - 特許庁

The upper layer glass 32 has an upper ventilation port 32a communicating the upper and lower sides thereof with each other, and the lower layer glass 31 has a lower ventilation port 31a communicating the upper and lower sides thereof with each other.例文帳に追加

また、上層ガラス３２には、その上方と下方とを連通する上換気口３２ａが形成されており、下層ガラス３１には、その上方と下方とを連通する下換気口３１ａが形成されている。 - 特許庁

An upper-layer lead frame with a convex on an upper terminal lower surface and a lower-layer lead frame with a concave in a lower terminal upper surface are superposed and pressurized to insert the convex into the concave to fit together the upper and lower terminals.例文帳に追加

上端子の下面に凸部を有する上層リードフレームを、下端子の上面に凹部を有する下層リードフレームと重ね合わせ、加圧することによって、凸部を凹部に挿入し、上端子と下端子を勘合させる。 - 特許庁

The composite MIM capacitor further comprises an upper electrode 120 of the lower MIM capacitor situated within a lower interlayer dielectric, where the lower interlayer dielectric separates the lower interconnect metal layer from an upper interconnect metal layer.例文帳に追加

複合ＭＩＭキャパシタはさらに、下部層間誘電体内に位置する下部ＭＩＭキャパシタの上部電極１２０を含み、下部層間誘電体は下部相互接続金属層を上部相互接続金属層から隔てている。 - 特許庁

A lower-side shading layer 5 is composed of a first conductive layer and at least its part is used for the gate wiring.例文帳に追加

下側遮光層５は、第一の導電層からなり少なくとも一部がゲート配線に使用される。 - 特許庁

A lower layer Cu interconnect line 21 and an upper layer Cu interconnect line 41 are arranged through an interlayer dielectric 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１を介して下層Ｃｕ配線２１と上層Ｃｕ配線４１とを配置する。 - 特許庁

An upper layer story is formed of the wall type structure section 60, and a lower layer story is formed of the frame structure section 70.例文帳に追加

上層階を壁式構造部６０で形成し、下層階をラーメン構造部７０で形成する。 - 特許庁

The piezoelectric element of the present invention includes a substrate having a pair of opposed main surfaces, a lower electrode layer disposed on one main surface of the substrate, a piezoelectric layer disposed on the lower electrode layer, and an upper electrode layer disposed on the piezoelectric layer, the lower electrode layer being made of nickel acid lanthanum-based ceramics.例文帳に追加

本発明の圧電体素子は、一対の対向する主面を有する基板と、その基板の一方の主面上に配置した下部電極層と、その下部電極層上に配置した圧電体層と、その圧電体層上に配置した上部電極層とを有しており、下部電極層はニッケル酸ランタン系セラミックスからなる。 - 特許庁

Lower portions of the charge accumulation layers are covered by the tunnel insulation layer 35 and the block insulation layer 37.例文帳に追加

電荷蓄積層３６の下部は、トンネル絶縁層３５及びブロック絶縁層３７にて覆われている。 - 特許庁

A conductor layer 12 for grounding is formed on the lower surface of the layer 13 coming into contact with the substrate 11.例文帳に追加

前記シリコン基板１１に接する誘電体薄膜層１３に接地用導体層１２を形成する。 - 特許庁