「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The blocking part 2 consists of an underground wall extending to a non-liquefaction layer G2 on the lower side of the liquefaction layer G1.例文帳に追加

阻止部２は、液状化層Ｇ１の下側の非液状化層Ｇ２まで達する地中壁からなる。 - 特許庁

There is provided a lamination structure 20 of AlGaInP system constituted, including a lower clad layer 11, a lower guide layer 12, an active layer 13, an upper guide layer 14, an upper clad layer 15 and a contact layer 16 on a substrate 10 in this order from the substrate 10 side.例文帳に追加

基板１０上に、下部クラッド層１１、下部ガイド層１２、活性層１３、上部ガイド層１４、上部クラッド層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含んで構成されたＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造２０を備える。 - 特許庁

The ferromagnetic layer 25 is divided into a lower layer 25a and an upper layer 25b in its lamination direction, and there is provided, between the lower layer 25a and the upper layer 25b, a ferromagnetic interlayer 28 which has a magnetism and has a greater electric resistance than that of the ferromagnetic layer 25.例文帳に追加

強磁性層２５は、その積層方向において下層２５ａと上層２５ｂとに分割され、その下層２５ａと上層２５ｂとの間には、磁性を有し、かつ、強磁性層２５よりも大きな電気抵抗を有する強磁性層間層２８が設けられている。 - 特許庁

Then, in the MBE device, a current constriction layer, a lower part clad layer, an active layer, and an upper-part clad layer are formed, while an upper-part DBR mirror and a contact layer are formed in the MOCVD device.例文帳に追加

続いて、ＭＢＥ装置内で、電流狭窄層、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を形成し、ＭＯＣＶＤ装置内で、上部ＤＢＲミラー、コンタクト層を形成する。 - 特許庁

The lower layer, namely the first interconnection layer 14, functions as a layer for heat radiation and is formed so that the area becomes larger than that of a die pad section 18A composed of the upper layer, namely the second interconnection layer 18.例文帳に追加

更に、下層の第１配線層１４は放熱用の層として機能して、上層の第２配線層１８から成るダイパッド部１８Ａよりも面積が大きく形成されている。 - 特許庁

While, Shore D hardness of the first layer 18a (a B layer) and the outer layer 20 is in a range of 20 to 50 and set lower than the inner layer 16 and the second layer 18b.例文帳に追加

その一方で、第１層１８ａ（Ｂ層）および外層２０のショアＤ硬度を２０〜５０の範囲内でかつ内層１６および第２層１８ｂに比して低く設定する。 - 特許庁

About an arbitrary high order layer group and its lower low order layer group, a high order layer relay server is selected based on the selection priority from a low order layer relay server in the low order layer group.例文帳に追加

任意の上位層グループとその下の下位層グループについては、上位層中継サーバーが、下位層グループの下位層中継サーバーから選定優先度に基づいて選定される。 - 特許庁

The upper layer 11 is the hardest of the three layers, the middle layer 12 is the softest, and the lower layer 13 is softer than the upper layer 11 and harder than the middle layer 12.例文帳に追加

上層１１は３層の中で最も硬質であり、中層１２は最も軟質であり、下層１３は上層１１よりも軟質であり中層１２よりも硬質である。 - 特許庁

A substrate 100 is overlaid with a lower clad layer 101, active layer 102, first upper clad layer 103, etching stop layer 104, and second upper clad layer 106 as a ridge in this order.例文帳に追加

基板１００上に、下クラッド層１０１、活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、リッジとしての第２上クラッド層１０６がこの順に積層されている。 - 特許庁

The resin sealing sheet includes a surface layer and an inner layer laminated on the surface layer, wherein the melting point of the surface layer is lower than that of the inner layer by ≥10°C.例文帳に追加

表面層と、前記表面層に積層された内層と、を含む樹脂封止シートであって、 前記表面層の融点は、前記内層の融点よりも１０℃以上低い、樹脂封止シート。 - 特許庁

Since the melting point of the resin layer 17 is lower than that of the sealing layer 15, the layer 17 absorbs thicknesses of the IC chip 20 and the sealing layer 15 as the layer 17 is easily distorted at the time of thermal pressing.例文帳に追加

樹脂中間層１７は樹脂封止層１５より低い溶融点をもち、熱プレス時に容易に変形してＩＣチップ２０および樹脂封止層１５の厚みを吸収する。 - 特許庁

A wiring layer HL of a top layer having a Cu layer 107 embedded in a trench hole 108 and a via hole 109 is formed on a wiring layer LL of a lower layer by the damascene method.例文帳に追加

下層の配線層ＬＬの上に、トレンチホール１０８及びビアホール１０９に埋め込まれたＣｕ層１０７を有する最上層の配線層ＨＬをダマシン法により形成する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the p-side contact layer and the light-emitting layer and includes a p-type layer with a p-type impurity concentration lower than that of the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。 - 特許庁

A solvent barrier layer 2 is provided under a surface layer silicone rubber 1 and further a lower rubber layer 3 having a hardness within the range of the rubber hardness of the surface layer silicone rubber is disposed under the solvent barrier layer.例文帳に追加

表層シリコンゴム１の下に溶剤バリア層２を設け、さらに溶剤バリア層の下に表層シリコンゴムのゴム硬度範囲内の硬度を有する下層ゴム層３を配置したこと。 - 特許庁

This body blood circulation promotion device includes the upper layer 2 having a second adhesive layer 22 and an exothermic agent 21, the lower layer 3 having a first adhesive layer 32, and release paper 4 covering the first adhesive layer 32.例文帳に追加

第２粘着層２２及び発熱剤２１を有する上層２と、第１粘着層３２を有する下層３と、第１粘着層３２を覆った剥離紙４とを備えている。 - 特許庁

The adhesive layer is disposed between the metal supporting layer and the pattern forming layer to couple the pattern forming layer to the metal supporting layer, and has a second thermal conductivity lower than the first thermal conductivity.例文帳に追加

接着層は、金属支持層とパターン形成層との間に配置してパターン形成層を金属支持層に固定させ、第１熱伝導率より低い第２熱伝導率を有する。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type clad layer, an active layer 38, a p-type clad layer and a p-type cap layer are sequentially laminated on an n-type substrate, and an (n) electrodes 44 is provided on a lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上に、ｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、活性層３８、ｐ型クラッド層、及びｐ型キャップ層を順次積層し、基板の下面にｎ電極４４を設ける。 - 特許庁

The waveguide consists of a substrate 14, lower clad layer 15, core layer 16 and upper clad layer 20 successively laminated on the substrate 14, and protective layer 24 applied on the upper clad layer 20.例文帳に追加

基板１４と、基板１４上に順に積層された、下部クラッド層１５とコア層１６と上部クラッド層２０と、上部クラッド層２０の上に配置された保護層２４とを有する。 - 特許庁

A breaker layer is provided between the first layer and the second layer and is so configured as to prevent or at least lower epitaxial growth of the second layer over the first layer.例文帳に追加

ブレーカー層が、第１層と第２層との間に与えられ、第１層上に第２層がエピタキシャル成長するのを妨げるか又は少なくとも低下させるように構成されている。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a lower cladding layer 32, an active layer 33, an upper cladding layer 34, and a contact layer 35 are formed on an opening 20A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０表面の絶縁層２０の開口２０Ａ上に、下部クラッド層３２と、活性層３３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層３５とが順に形成されている。 - 特許庁

For the purpose of that, a lower dielectric material layer 2, the recording layer 3, an upper dielectric material layer 4, a reflection film layer 5 and a protective dielectric material layer 6 are successively formed on the substrate 1 having a flat surface.例文帳に追加

そのために、表面が平坦な基盤１上に、下部誘電体層２、記録層３、上部誘電体層４、反射膜層５及び保護誘電体層６を順次に成膜する。 - 特許庁

The electronic device 100 includes a lower layer 108 made of a crystalline material, an upper layer 110 made of a crystalline material, and an n-graphene layer 102 positioned between the lower layer 108 and upper layer 110, the lower layer 108 and/or upper layer 110 being made of a high-relative-permittivity material having a high relative permittivity of ≥4.例文帳に追加

電子デバイス１００は、結晶性材料からなる下層１０８と、結晶性材料からなる上層１１０と、下層１０８と上層１１０との間に位置するｎ−グラフェン層１０２とを含み、下層１０８及び／又は上層１１０が４以上の比誘電率を有する高比誘電率材料からなる電子デバイスである。 - 特許庁

The electrostatic chuck comprises a base 1, a lower insulating layer 2 formed on the upper surface of the base 1 by flame spraying, an electrode layer 3 formed on the lower insulating layer 2, and an upper insulating layer 4 formed on the lower insulating layer 2 by flame spraying so that the electrode layer 3 is covered, where the opening ratio of the electrode layer 3 ranges from 5 to 80%.例文帳に追加

基台１と、この基台１の上面に溶射により形成された下部絶縁層２と、この下部絶縁層２の上に形成された電極層３と、この電極層３を被覆するように下部絶縁層２の上に溶射により形成された上部絶縁層４と、を具備する静電チャックであって、電極層３の開孔率を５〜８０％とする。 - 特許庁

Of the laminated structure, the upper layer part of n-InP clad layer, an active layer, the lower-part p-InP clad layer, the AlInAs layer, the upper-part p-InP clad layer, and the p-GaInAs contact layer are formed as a stripe-like ridge 33.例文帳に追加

積層構造のうち、ｎ−ＩｎＰクラッド層の上層部、活性層、下部ｐ−ＩｎＰクラッド層、ＡｌＩｎＡｓ層、上部ｐ−ＩｎＰクラッド層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層は、ストライプ状リッジ３３として形成されている。 - 特許庁

This marking film comprising a coating film layer, a synthetic resin substrate layer, and an adhesive layer which are laminated in the order, wherein the coating film layer comprises an upper coating layer forming the surface of the film and a lower coating film layer adjacent to the substrate layer.例文帳に追加

マーキングフィルムは、塗膜層、合成樹脂基材層、粘着剤層がこの順に積層されてなり、塗膜層がフィルム表面を成す上塗膜層と基材層に隣接する下塗膜層の少なくとも２層からなる。 - 特許庁

The painting comprises a clear layer, formed on the topmost surface and an underlying layer formed on a lower layer of the clear layer, and the heights of the columnar projections may be larger than the thickness of the clear layer and smaller than the thickness of the sum with the thicknesses of the clear layer and underlying layer combined.例文帳に追加

塗装は、最表面に形成されたクリア層とクリア層の下層に形成された下地層とを含み、柱状突起の高さは、クリア層の厚みよりも大きく、クリア層と下地層を合わせた厚みよりも小さくてもよい。 - 特許庁

The total thickness of the electrode layer (the negative electrode layer 40), the SE layer 30, and the insulator 60 is equal to or lower than the total thickness of the electrode layer (the positive electrode layer 20, the negative electrode layer 40) and the SE layer 30 in the part other than the electrode dividing part.例文帳に追加

当該電極分断部における電極層（負極層40）とSE層30と絶縁体60との合計厚さは、電極分断部以外における電極層（正極層20、負極層40）とSE層30との合計厚さ以下である。 - 特許庁

The formation of the insulating layer 28 increases the interval between the monitor element 22 and lower shield layer 26 and even if a smear ring is formed on the lower shield layer, an electric connection can be prevented.例文帳に追加

前記絶縁層２８の形成により、モニター素子２２と下部シールド層２６との間隔は大きくなり、下部シールド層にスメアリングが生じても、電気的な接続を防止できる。 - 特許庁

A mean grain sizes of crystal grains of a lower site layer (preferably an antiferromagnetic layer 42) of the MTJ 40 is 30 nm or smaller, and a crystal array of the lower site layer is oriented randomly (not oriented).例文帳に追加

前記ＭＴＪ４０の下位層（好ましくは反強磁性層４２）の結晶粒の平均粒径を３０ｎｍ以下とし、且つ、その下位層の結晶配列をランダム配向（無配向）とする。 - 特許庁

To provide a pattern forming method in which even when a dislocation, turning, contraction, distortion or the like is caused to lower layer patterns, required upper layer patterns can be formed by aligning with the lower layer patterns.例文帳に追加

下層パターンにずれ、回転、収縮、歪み等が生じた場合であっても、下層パターンに位置合わせをして所望の上層パターンを形成しうるパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the extraction electrode layer 6a is formed within the recessed parts 3a of the lower shielding layer 3 in the state of being insulated from the lower shielding layer 3 by the thick insulating film 5.例文帳に追加

これにより、引き出し電極層６ａが、厚い絶縁膜５によって下部シールド層３に対して絶縁された状態で、下部シールド層３の凹部３ａ内に形成される。 - 特許庁

The antenna includes an antenna element part by printing a lower conductor layer 2 and an upper conductor layer 16, which overlaps the lower conductor layer 2, on a base sheet 1 using conductive paste in accordance with screen printing.例文帳に追加

基材シート１上にスクリーン印刷法で導電性ペーストを用いて下導体層２とそれに重なる上導体層１６を印刷してアンテナ素子部を有するものとした。 - 特許庁

By setting a transparent film through which solar light can transmit between the upper and lower layer parts of as container for a solvent, mixing of an upper layer medium and a lower layer medium is prevented.例文帳に追加

溶媒の容器の上層部と下層部の間に太陽光を透過させうる透明な膜を設けることにより、上層媒体と下層媒体が混合されることを妨げた。 - 特許庁

Then, the etching stop layer 14 positioned at the lower side of the hole section 15a is removed, and the lower layer wiring 13 is exposed for forming a via contact 20a and upper layer wiring 20b.例文帳に追加

次に、孔部１５ａの下側に位置するエッチング停止層１４を除去し、続いて下層配線１３を露出した後にビアコンタクト２０ａ及び上層配線２０ｂを形成する。 - 特許庁

In a preferred embodiment, the dielectric stack further includes a lower template layer 103 having a crystalline structure, wherein the lower template layer 103 underlies and contacts the upper template layer 104.例文帳に追加

好適な具体例では、誘電体スタックは更に結晶構造を有する下部テンプレート層１０３を含み、下部テンプレート層１０３は上部テンプレート層１０４の下にありこれに接触する。 - 特許庁

The capacitor 4 comprises the lower conductor layer 10, the dielectric film 20 arranged on the lower conductor layer 10, and the upper conductor layer 30 arranged on the dielectric film 20.例文帳に追加

キャパシタ４は、下部導体層１０と、下部導体層１０の上に配置された誘電体膜２０と、誘電体膜２０の上に配置された上部導体層３０とを有している。 - 特許庁

A lower layer metal 3 and an uppermost layer metal 7 are connected through a via 5 and a slit 11 is made in the lower layer metal 3 while inclining by 45° from the amplitude direction of an ultrasonic wave.例文帳に追加

下層メタル３と最上層メタル７をビア５で接続し、下層メタル３にはスリット１１を設け、そのスリット１１は超音波の振幅方向に対して４５度傾けている。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed on the silicon layer 6 as a lower layer insulating film 7a, and an aluminum oxide film is formed on the lower layer insulating film 7a as an intermediate insulating film 7b.例文帳に追加

シリコン層６上に下層絶縁膜７ａとしてシリコン酸化膜を形成し、下層絶縁膜７ａ上に中間絶縁膜７ｂとしてアルミニウム酸化物膜を形成する。 - 特許庁

The elastic block 1 is a laminate of tubular bodies 2 as surface layers, a rubber powder-containing layer 3 on the lower side of the tabular bodies 2 and a vulcanized rubber layer 4 on the lower side of the layer 3.例文帳に追加

弾性ブロック１は、表層の板状体２と板状体２の下側の粉末ゴム含有層３と粉末ゴム含有層３の下側の加硫ゴム層４との積層体である。 - 特許庁

To reduce a parasitic capacitance of a bonding wire that extends from a lower-layer side semiconductor chip and passes through between lower-layer and upper layer semiconductor chips in a chip-stacked type semiconductor device.例文帳に追加

チップ積層型半導体装置において、下層側の半導体チップから延びて、下層および上層の半導体チップ間を通過するボンディングワイヤの寄生容量を低減する。 - 特許庁

An interval L of the upper-layer routing lines 7 is set to (2W+D) obtained by adding an interval D of the lower-layer routing lines 6 to the double of a line width W of the lower-layer routing lines 6.例文帳に追加

上層引き回し線７の間隔Ｌは、下層引き回し線６の線幅Ｗの２倍に該下層引き回し線６の間隔Ｄを加えた値（２Ｗ＋Ｄ）となっている。 - 特許庁

The sand cover structure at the water bottom comprises the lower sand cover layer of finely granulated blast furnace slag and the upper sand cover layer formed on the lower sand cover layer with other sand cover material than the finely granulated blast furnace slag.例文帳に追加

細粒高炉水砕スラグによる下部覆砂層と、細粒高炉水砕スラグ以外の覆砂材により前記下部覆砂層の上に形成された上部覆砂層とを有する。 - 特許庁

Fibers constituting the lower layer 3 of the nonwoven fabric contain a larger quantity of titanium oxide than fibers constituting the upper layer 2, or the fibers constituting the lower layer 3 do not contain titanium oxide.例文帳に追加

この不織布は、下層３を構成する繊維が、上層２を構成する繊維よりも、酸化チタンを多く含んでいるか、あるいは下層３を構成する繊維が酸化チタンを含んでいない。 - 特許庁

The dielectric comprises a lower dielectric layer made of photosensitive composition and an upper dielectric layer made of photosensitive composition formed on the lower dielectric layer.例文帳に追加

本発明の誘電体は、感光性組成物からなる下側誘電体層と、感光性組成物からなり、上記下側誘電体層の上に形成された上側誘電体層とを含む。 - 特許庁

When the lower layer substrate 26 is superposed on an upper layer substrate 27, a superposition control part 14 controls pressure applied in the upward direction of the lower layer substrate 26 on the basis of the control information.例文帳に追加

また、重ね合わせ制御部１４は、下層基板２６を、その上層基板２７と重ね合わせる際に、下層基板２６の上方向に加える押圧を、制御情報に基づいて制御する。 - 特許庁