「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

This heat resistant label 1 is formed by having a metal layer 102 between a ceramic layer 101 which is a surface layer for printing and a paste layer 103 provided on the lower layer side of the ceramic layer 101.例文帳に追加

印字される表面層であるセラミック層１０１と、該セラミック層１０１の下層側に設けられる糊層１０３との間に、金属層１０２が設けられた構造を備える耐熱ラベル１を提供する。 - 特許庁

An n-AlGaN clad layer 12 (a lower clad layer), a quantum-well active layer 14 (an active layer) and a p-AlGaN clad layer 16 (an upper clad layer) are laminated successively on an n-GaN substrate 11 (a semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ基板１１（半導体基板）上に、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１２（下部クラッド層）、量子井戸活性層１４（活性層）およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１６（上部クラッド層）が順次積層されている。 - 特許庁

The magnetic memory cell comprises a data layer (110), the soft reference layer (130) having lower magnetic energy than the data layer (110) has, and a spacer layer (120) disposed between the data layer (110) and reference layer (130).例文帳に追加

データ層（１１０）と、前記データ層よりも磁気エネルギーが低い軟らかい基準層（１３０）と、前記データ層（１１０）と前記軟らかい基準層（１３０）の間に配置されたスペーサ層（１２０）とを含む磁気メモリセル。 - 特許庁

The spin valve thin film element MR1 consists of an antiferromagnetic layer 122, fixed magnetic layer 123, nonmagnetic electrically conductive layer 124 and free magnetic layer 125, and is formed between a lower gap layer 129 on the substrate and an upper gap layer 127.例文帳に追加

また、このスピンバルブ型薄膜素子を備え、再生シールド間隔を厚くすることなく、前記スピンバルブ型薄膜素子と上部シールド層および下部シールド層との絶縁が確保しやすい薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

An inner layer ground electrode 401 is arranged on the substantially entire surface between the lower layer region and the intermediate layer region, and an inner layer ground electrode 402 is arranged on the substantially entire surface between the intermediate layer region and the upper layer region.例文帳に追加

下層領域と中間層領域との間には内層グランド電極４０１が略全面に配設され、中間層領域と上層領域との間には内層グランド電極４０２が略全面に配設される。 - 特許庁

A TMR element 3 has a free layer 11 formed on a lower gap layer 2, a tunnel barrier layer 12 formed on this free layer 11, and a pinned layer 13 formed on this tunnel barrier layer 12.例文帳に追加

ＴＭＲ素子３は、下部ギャップ層２の上に形成されたフリー層１１と、このフリー層１１の上に形成されたトンネルバリア層１２と、このトンネルバリア層１２の上に形成されたピンド層１３とを有している。 - 特許庁

To provide a production method of a catalyst for cleaning emission gas having a catalyst layer of a double layer structure comprised of the upper layer and the lower layer, wherein enhances the porosity of the upper layer is raised and the grain growth of a noble metal in the upper layer is suppressed.例文帳に追加

上層と下層の二層構造の触媒層をもつ排ガス浄化用触媒を製造するにあたり、上層の気孔率を高めるとともに、上層の貴金属の粒成長を抑制する。 - 特許庁

The optical waveguide 12 is constituted of a lower clad layer 17, a belt-like core layer 19 formed on the clad layer 17 and an upper clad layer 20 deposited on the clad layer 17 so as to enclose the core layer 19.例文帳に追加

光導波路１２は、下部クラッド層１７、下部クラッド層１７上に形成された帯状のコア層１９、及びコア層１９を囲んで下部クラッド層１７上に成膜された上部クラッド層２０から構成される。 - 特許庁

At each vibrating element, a first vertical electrode layer is connected with an upper electrode layer and an internal electrode layer, and a second vertical electrode layer is connected with a lower surface electrode layer and an internal electrode layer.例文帳に追加

各振動素子においては、上面電極層及び内部電極層に対して第１垂直電極層が接続され、下面電極層及び内部電極層に対して第２垂直電極層が接続される。 - 特許庁

The upper layer part 7T has a compression breaking strength smaller than that of the lower layer part 7B and its width WT is narrower than the width WB_1 of the upper face of the lower layer part 7B, and, when the bulkhead is viewed from the longitudinal direction, it is retracted from the edge of the upper face of the lower layer part 7B.例文帳に追加

上層部７Ｔは下層部７Ｂより小なる圧縮破壊強度を有し、幅Ｗ_T が下層部７Ｂの上面の幅Ｗ_B1より狭く、隔壁７を長手方向に見たとき、下層部７Ｂの上面の端より内側に設けられている。 - 特許庁

This absorber is composed of an upper absorptive paper layer part as an upper face a lower absorptive paper layer part as a lower face and a water absorptive mixed layer part containing a crushed plastic waste material, a crushed pulp waste material and a water-absorptive resin sandwiched between the upper and the lower paper layer parts.例文帳に追加

上面を形成する上部吸収性紙層部、下面を形成する下部吸収性紙層部、上部及び下部紙層部間にプラスチック廃材粉砕物、パルプ廃材粉砕物及び吸水性樹脂を含む吸水性混合層部を備える。 - 特許庁

An upper absorbable paper layer part for forming the upper surface and a lower absorbable paper layer part for forming the lower surface are provided, and an absorbable mixed layer part including waste plastic crushed material, waste pulp crushed material and absorbable resin is provided between the upper and lower paper layer parts.例文帳に追加

上面を形成する上部吸収性紙層部並びに下面を形成する下部吸収性紙層部を有し、上部及び下部紙層部間にプラスチック廃材粉砕物、パルプ廃材粉砕物及び吸水性樹脂を含む吸水性混合層部を備える。 - 特許庁

The warps constituting the upper side layer of a pair of double woven fabrics are disposed to pass through the upper side of the wefts constituting the lower layer, and the warps constituting the lower side layer of the double woven fabrics are disposed to pass through the lower side of the wefts constituting the upper layer.例文帳に追加

一組の二重織りの上側の層を構成する経糸は、下側の層を構成する緯糸の上側を通るように配置され、二重織りの下側の層を構成する経糸は、上側の層を構成する緯糸の下側を通るように配置されている。 - 特許庁

A catalyst for cleaning an exhaust gas comprises a lower catalyst layer 2 carrying at least one kind selected from the group consisting of Pt and Pd on a carrier containing ceria oxide and an upper catalyst layer 3 formed on the lower catalyst layer 2 wherein the lower catalyst layer 2 includes ceria oxide of 90 wt% or more.例文帳に追加

セリア系酸化物を含む担体にPt及びPdから選ばれる少なくとも一種を担持した下触媒層２と、下触媒層２上に形成された上触媒層３と、を有し、下触媒層２にはセリア系酸化物が90重量％以上含まれている。 - 特許庁

On the side of the coil end face 101E, the winding 201 is wound such that the side portion 201S of a lower layer winding and the side portion 201S of an upper layer winding come into surface contact at a position where the lower layer winding 201 and the upper layer winding 201 intersect and the layer of winding changes.例文帳に追加

コイルエンド面101E側において、下層の巻線201と上層の巻線201とが交差して巻線の層が変わる箇所で、下層の巻線の辺部201Sと上層の巻線の辺部201Sとが面接触するように巻線201が巻回されてなる。 - 特許庁

Each picture element consists of the lower layer part LL including wiring X, Y and M formed on the substrate 1, the upper layer part UL containing organic EL element OLED, and the middle layer part to electrically insulate the lower layer part LL and the upper layer part UL.例文帳に追加

各画素は、基板１上に形成された配線Ｘ，Ｙ，Ｍを含む下層部ＬＬと、有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤを含む上層部ＵＬと、下層部ＬＬ及び上層部ＵＬを互いに電気的に絶縁する中層部ＭＬとを含む。 - 特許庁

In a semiconductor device, upper-layer wiring, lower-layer wiring 2, and a via contact for connecting the upper-layer wiring to the lower-layer wiring 2 are provided, and the upper-layer wiring and via contact are formed, in such a way that the wiring and contact are connected to each other in a self-aligning way.例文帳に追加

半導体装置においては、上層配線と、下層配線２と、前記上層配線と下層配線２とを接続するビアコンタクトとが設けられ、前記上層配線と前記ビアコンタクトとがセルフアラインにより接続されて形成されている。 - 特許庁

The lower electrode 13 includes an oxygen non-containing layer 132 not containing oxygen in the lower layer side, an oxygen content gradually increasing layer 133 in which an oxygen content continuously increases toward the upper layer side, and an uppermost layer 131 containing oxygen.例文帳に追加

下部電極１３は、下層側に酸素を含有しない酸素非含有層１３２、上層側に向けて酸素含有率が連続的に増加する酸素含有率傾斜増加層１３３と、酸素を含有する最上層１３１とを備えている。 - 特許庁

The two layer bank 13 consists of a lower layer bank 14 and an upper layer bank 15 partitioning the color element regions A, and the lower layer bank 14 is provided so as to stretch out to the inside of the color element region A to form the step on the wall surface of the two layer bank 13.例文帳に追加

二層バンク１３は、下層バンク１４と色要素領域Ａを区画する上層バンク１５とからなり、下層バンク１４は、色要素領域Ａの内側に張り出すように設けられて、二層バンク１３の壁面に段差を形成している。 - 特許庁

The cushion material 16 may be constituted of a tuft cushion layer 13 of a three-layer laminated structure of two upper and lower base layers 11a and 11b and a tuft layer 12 by making the base layer 11 into two upper and lower layers and planting tufts on one base layer.例文帳に追加

クッション材１６は、基層１１を上下２層とし、その一方の基層に立毛を植設し、それらの上下２つの基層１１ａ・１１ｂと立毛層１２との３層積層構造の立毛クッション層１３によって構成してもよい。 - 特許庁

In the coating method, by which two coating layers of an upper layer and a lower layer are formed by applying the coating material on a substrate 20 from two slits of a nozzle 2, the coating of the upper layer is started after the coating layer 17 of the lower layer is previously formed.例文帳に追加

ノズルの２つのスリットから塗料を支持母材２０に塗布して上下２層の塗布層を形成する塗料塗布方法であって、先に下層の塗布層１７を形成した後に上層の塗布を開始するようにした塗料塗布方法である。 - 特許庁

This dielectric element, which is provided with a lower electrode, a dielectric layer and an upper electrode on a substrate, is formed into a dielectric element of a structure, where the electrode of at least either of the lower and upper electrodes of the element is formed as a Pt layer and at the same time, an Ru layer is used as the base layer of the Pt layer.例文帳に追加

基板上に下部電極、誘電体層、上部電極を備える誘電体素子において、少なくとも一方の電極をＰｔ層とするとともに、その下地層としてＲｕ層を用いて誘電体素子とする。 - 特許庁

This catalyst for purifying exhaust gas comprises the HC adsorbent layer 2 formed on the surface of a base material 1, a lower catalyst layer 3 carrying Pd and formed on the surface of the HC adsorbent layer 2, and an upper catalyst layer 4 carrying Pt and Rh and formed on the surface of the lower catalyst layer 3.例文帳に追加

基材１の表面に形成されたHC吸着材層２と、Pdを担持しHC吸着材層２の表面に形成された下触媒層３と、Pt及びRhを担持し下触媒層３の表面に形成された上触媒層４と、から構成した。 - 特許庁

Between the GaN buffer layer 22 and the lower AlGaN barrier layer 23, an AlGaN composition inclined layer 31, which is inclined so that the Al composition increases from the GaN buffer layer 22 to the lower AlGaN barrier layer 23, is located.例文帳に追加

ＧａＮ緩衝層２２及び下側ＡｌＧａＮ障壁層２３間には、Ａｌ組成がＧａＮ緩衝層２２から下側ＡｌＧａＮ障壁層２３に向けて増大するようにして傾斜した、ＡｌＧａＮ組成傾斜層３１を設ける。 - 特許庁

The capacitance insulating film has: a first layer (7a) containing hafnium oxide; a second layer (7b) formed in an upper layer of the first layer and containing alumina; a third layer (7c) formed in a lower layer of the first layer and containing alumina; and a fourth layer (7d) formed in an upper layer of the second layer and containing hafnium oxide.例文帳に追加

容量絶縁膜は、酸化ハフニウムを含む第１層（７ａ）と、第１層の上層に形成されており、アルミナを含む第２層（７ｂ）と、第１層の下層に形成されており、アルミナを含む第３層（７ｃ）と、第２層の上層に形成されており、酸化ハフニウムを含む第４層（７ｄ）とを有する。 - 特許庁

In the gate insulating layer 12, a lower layer 12a and an upper layer 12b of at least one layer or more laminated on the lower layer 12a are formed on the plastic substrate 10 in this order, and the lower layer 12a is composed of materials including carbon containing silicon oxide, and is formed by the vacuum ultraviolet light CVD method so that carbon density of the lower layer 12a is 15 to 40 atm%.例文帳に追加

ゲート絶縁層１２は、プラスチック基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは、炭素含有酸化シリコンを含む材料からなり、下部層１２ａの炭素濃度が、１５atm％以上４０atm％以下となるように真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 - 特許庁

To enable distinction as to whether a communication abnormality results from noise mixture in a communication line or from an abnormality of a power supply voltage of a lower layer control unit in a control apparatus which has the lower layer control unit that performs control of a load, an upper layer control unit that controls the lower layer control unit, and the communication line that performs communication between the upper layer control unit and the lower layer control unit.例文帳に追加

負荷の制御を行う下層制御部と、下層制御部を制御する上層制御部とを有し、上層制御部と下層制御部の間で通信を行う通信線を有する制御装置において、通信異常が通信線へのノイズ混入によるものなのか、下層制御部の電源電圧の異常によるものなのかを識別可能にする。 - 特許庁

A photoelectric converter includes: a plurality of lower electrode layers comprising a first lower electrode layer and a second lower electrode layer which are planarly arranged while being isolated in one direction; and a first laminated portion provided on the first lower electrode layer and comprising a first semiconductor layer having a first conductivity type and a second semiconductor layer having a second conductivity type which are laminated in the order.例文帳に追加

光電変換装置は、第１下部電極層と第２下部電極層とが一方向に離隔されて平面的に配置されている複数の下部電極層と、第１下部電極層の上に設けられた、第１導電型の第１半導体層と第２導電型の第２半導体層とが順に積層されている第１積層部とを備えている。 - 特許庁

Consequently, via resistance is sufficiently reduced since the reactive layer 14, which is formed between the conductive barrier membrane 13 and the lower layer wiring 12, does not exist in an interface where the lower surface of the via 17 joins with the lower layer wiring 12.例文帳に追加

よって、ビア１７下面と下層配線１２とが接合する界面において、導電性バリア膜１３と下層配線１２との間で形成される反応層１４が存在しないため、ビア抵抗を十分に下げることができる。 - 特許庁

On a lower side electron travel layer (3) of compound semiconductor material, a lower side electron supply layer (4) is arranged which is doped in n-type and comprises a compound semiconductor material whose electron affinity is smaller than that of the lower side electron travel layer.例文帳に追加

化合物半導体材料からなる下側電子走行層(3)の上に、ｎ型にドーピングされ、下側電子走行層よりも電子親和力の小さな化合物半導体材料からなる下側電子供給層(4)が配置されている。 - 特許庁

An intrusion producing agent having a smaller coeffct. of thermal expansion than a glaze for a lower layer and having a larger grain size than the glaze for the lower layer is compounded by 1 to 40 wt.% in the glaze for the lower layer.例文帳に追加

下層釉薬より小さい熱膨脹係数を有しかつ同釉薬より大きい粒度を有する貫入発生剤を下層釉薬に１重量％から４０重量％配合したセラミック製品の装飾用釉薬組成物である。 - 特許庁

A substrate 13 harder than the lower layer elastic body 12 is bonded to the under surface of the lower layer elastic body 12 by fitting between projections 121, 122 on the under surface of the lower layer elastic body 12 and recessed parts 131, 132 on the upper surface of the substrate 13.例文帳に追加

下層弾性体１２の下面に、下層弾性体１２より硬質の基板１３が、下層弾性体１２の下面の凸部１２１，１２２と基板１３の上面の凹部１３１，１３２との嵌合によって接合されている。 - 特許庁

Since the back end portion 34a of a lower magnetic pole layer 34 is formed in the recessed part 32c, the length dimension L2 of the lower magnetic pole layer 34 in a height direction (illustrated Y direction) is made large to be able to make the volume of the lower magnetic pole layer 34 large.例文帳に追加

下部磁極層３４の後端部３４ａが凹部３２ｃ内に形成されるため、下部磁極層３４のハイト方向（図示Ｙ方向）長さ寸法Ｌ２を大きくして、下部磁極層３４の体積を大きくすることができる。 - 特許庁

In a treatment chamber, a first layer surrounding a substrate 1 is formed inside a first layer cover 11 and a lower external cup 5; and a second layer is formed between the first layer cover 11 and the lower external cup 5, and between the first layer cover 11 and a second cover 12 outside the first layer.例文帳に追加

処理室内において、第１層カバー１１及び下外カップ５の内側には基板１を取り囲む第１の層が形成され、第１の層の外側には第１層カバー１１及び下外カップ５と第２層カバー１２との間に第２の層が形成されている。 - 特許庁

The absorber is equipped with a lower absorbent layer 2 containing a pulp fiber and a highly absorbent polymer and an upper absorbent layer 3 which overlies the lower absorbent layer 2 and is made of a nonwoven fabric containing the highly absorbent polymer, and the lowermost layer of the upper absorbent layer 3 has the fiber density higher than the uppermost layer.例文帳に追加

パルプ繊維及び高吸収性ポリマーを含む下部吸収層２と、下部吸収層２上に積層され、高吸収性ポリマーを含む不織布からなる上部吸収層３とを具備し、上部吸収層３の最下層がその最上層よりも繊維密度が高い吸収体。 - 特許庁

On the MEMS structure 1, a first etching groove 7a penetrating an electric conductor lower layer 2, an insulator lower layer 3, and an electric conductor middle layer 4; and a second etching groove 7b penetrating an electric conductor upper layer 6, an insulator upper layer 5, and the electric conductor middle layer 4 are formed.例文帳に追加

ＭＥＭＳ構造体１には、導電体下層２と絶縁体下層３と導電体中間層４を貫通する第１エッチング溝７ａと、導電体上層６と絶縁体上層５と導電体中間層４を貫通する第２エッチング溝７ｂが形成されている。 - 特許庁

The memory element comprises a lower electrode, an n+ interface layer formed on the lower electrode, a buffer layer formed on the n+ interface layer, an oxide layer which has a variable resistance characteristics and is formed on the buffer layer, and an upper electrode formed on the oxide layer.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成されたｎ＋界面層と、ｎ＋界面層上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されて可変抵抗特性を有する酸化物層と、酸化物層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁

In the method for fabricating the diamond substrate, an SiC layer is formed on the lower surface of a diamond film layer for preventing the diamond film layer from being deformed in the process of forming the diamond substrate, and then a semiconductor layer is formed on the diamond film layer or directly formed on the lower surface of the SiC layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板を形成する工程でダイヤモンド・フィルム層の変形を防止するためダイヤモンド・フィルム層の下部表面にＳｉＣ層が形成され、次に半導体層がダイヤモンド・フィルム層の上に形成されるか、またはＳｉＣ層の下部表面に直接形成される。 - 特許庁

The V-ribbed belt 10 is formed by embedding core wires 13 in the body, along the longitudinal direction of the velt and by comprising, on the back face, canvas 15 of a stretch layer 12, an adhesive layer 14 placed on the lower layer of the stretch layer 12 and further a compression layer 16 placed on the lower layer thereof.例文帳に追加

Ｖリブドベルト１０は、ベルト長手方向に沿って本体内に心線１３を埋設し、背面に伸張層１２である帆布１５と、この伸張層１２の下層に配置される接着層１４と、さらにその下層に配置される圧縮層１６とを備えて構成されている。 - 特許庁

The clock signal wiring layer 44 may comprise the uppermost wiring layer in a plate shape, or may comprise the wiring layer which is lower than the top layer, almost in a plate shape having an opening part 44a for achieving the connection between the lower layer side and the upper layer side.例文帳に追加

クロック信号配線層４４を、プレート形状を有し最上層の配線層から構成させてもよいし、また、下層側と上層側との接続を達成するための開口部４４ａを有する略プレート形状とし、最上層より下層の配線層から構成させてもよい。 - 特許庁

A stress relaxation layer 5 comprising a material of which the storage modulus is smaller than that of the upper cladding layer 4 is formed between the upper cladding layer 4 and the lower cladding layer 2 on at least one part of the region with which the upper part cladding layer 4 and lower part cladding layer 2 are brought into contact with each other.例文帳に追加

上部クラッド層４と下部クラッド層２が接する領域の少なくとも一部において、上部クラッド層４と下部クラッド層２の間に、上部クラッド層４より貯蔵弾性率が小さい材料からなる応力緩和層５が設けられていることを特徴としている。 - 特許庁

A first electrode 14 of the vertical alignment mode liquid crystal display device has a lower conductive layer 11, a dielectric layer 12 covering the lower conductive layer 11 and an upper conductive layer 13 arranged on the liquid crystal layer 30 side of the dielectric layer 12 per pixel region.例文帳に追加

垂直配向モードの液晶表示装置が有する第１電極１４は絵素領域毎に、下層導電層１１と、下層導電層１１を覆う誘電体層１２と、誘電体層１２の液晶層３０側に設けられた上層導電層１３とを有する。 - 特許庁

In a part where the first part 13A of the upper magnetic pole layer 13 and a lower magnetic pole layer 8 oppose each other through a recording gap layer 9, the first part 13A, the recording gap layer 9 and a part of the lower magnetic pole layer 8 on the recording gap layer 9 side are set equal to one another in width.例文帳に追加

上部磁極層１３の第１の部分１３Ａと下部磁極層８とが記録ギャップ層９を介して対向する部分では、第１の部分１３Ａ、記録ギャップ層９および下部磁極層８の記録ギャップ層９側の一部の幅が等しくされている。 - 特許庁

In a portion where the first portion 13A of the upper magnetic pole layer 13 and a lower magnetic pole layer 8 are confronted with a recording gap layer 9 therebetween, the widths of the first portion 13A, of the recording gap layer 9 and of a portion of the lower magnetic pole layer 8 at a side of the recording gap layer 9 are made equal.例文帳に追加

上部磁極層１３の第１の部分１３Ａと下部磁極層８とが記録ギャップ層９を介して対向する部分では、第１の部分１３Ａ、記録ギャップ層９および下部磁極層８の記録ギャップ層９側の一部の幅が等しくされている。 - 特許庁

The thin film EL element is formed by sequentially stacking, on a glass substrate 1, a lower electrode layer 2, a lower insulation layer 3, the luminescent layer 4, an upper insulation layer 5 and an upper electrode layer 6, and EL light emission 7 of the luminescent layer 4 is outputted through the glass substrate 1.例文帳に追加

この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、発光層４、上部絶縁層５および上部電極層６を順次積層することにより形成されており、発光層４のＥＬ発光７はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁