| 意味 | 例文 |
lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11223件
A second hardened layer 18 is formed on the lower layer of the crushed bulged portion 15 by plane rolling.例文帳に追加
押し潰された隆起部15の下層部には、平面転造による第2の加工硬化層18が形成される。 - 特許庁
To provide a double-layer sliding member having a lower sliding resistance value while securing full adhesive strength of a resin layer.例文帳に追加
樹脂層の接着力が十分に確保しつつ、摺動抵抗値をより小さくした複層摺動材とする。 - 特許庁
An electric wire 9 is wired, where the electric wire 9 connects the upper-layer block 4 to the lower-layer one 5 along the link arm 6.例文帳に追加
リンクアーム6に沿って上層のブロック4と下層のブロック5とを接続する電線9を配索した。 - 特許庁
A wiring pattern of the driver IC 2 for drive is formed in a lower layer of the heat radiation pattern 4 via an insulating layer.例文帳に追加
また、放熱パターン4の下層に、絶縁層を介して、駆動用ドライバIC2の配線パターンを形成する。 - 特許庁
A correction unit 242 corrects the lower layer evaluation value table based on the extended higher layer evaluation value table.例文帳に追加
補正部242は、拡張された上位階層評価値テーブルに基づいて、下位階層評価値テーブルを補正する。 - 特許庁
The core layer 140 is formed by piling up in order a lower SCH layer 141 made of InGaAsP, a Hall stop layer, an active layer 145 made of AlInGaAs, an electron stop layer 147, and an upper SCH layer 149 made of InGaAs from the side of the lower clad layer 130.例文帳に追加
コア層140は,下部クラッド層130側から,InGaAsPからなる下部SCH層141とホール停止層143とAlInGaAsからなる活性層145と電子停止層147とInGaAsPからなる上部SCH層149とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁
The core layer 140 has a structure, where, starting from the lower clad layer 130 side, a lower SCH layer 141 of InGaAsP, a hole-stopping layer 143, an active layer 145 of AlInGaAs, an electron-stopping layer 147 and an upper SCH layer 149 of InGaAsP are laminated in this order.例文帳に追加
コア層140は,下部クラッド層130側から,InGaAsPからなる下部SCH層141とホール停止層143とAlInGaAsからなる活性層145と電子停止層147とInGaAsPからなる上部SCH層149とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁
In the multilayer board, a conducive layer is not arranged between a first upper insulating layer and a second lower insulating layer, and also a third insulating layer is arranged between the first upper insulating layer and the second lower insulating layer in such a way that the concentration of a pressure from the first and second insulating layers is relaxed and that the conductor layer is not deformed.例文帳に追加
上下第1と第2の絶縁層の層間に導体層のみを配置するのではなくて、上下第1と第2の絶縁層からの圧力の集中を緩和し、導体層が変形しないように、上下第1と第2の絶縁層の層間に、第3の絶縁層を配置するようにした多層基板。 - 特許庁
The magnetoresistive effect element has a magnetoresistive effect film including pin layers 14a, 14b and a free layer 17 sandwiched between a lower shield layer 10 and an upper shield layer 19 wherein an antiferromagnetic layer 13 composed of an Mn based antiferromagnetic material is formed at a lower layer of the pin layer 14a through an Mn layer 22 on an interface.例文帳に追加
下部シールド層10と上部シールド層19との間に、ピン層14a、14bとフリー層17とを備える磁気抵抗効果膜が配された磁気抵抗効果素子であって、前記ピン層14aの下層に、界面にMn層22を挟んで、Mn系反強磁性材からなる反強磁性層13が設けられている。 - 特許庁
In the blanket with the adhesive having a supporting body layer comprising at least one woven cloth layer and the surface rubber layer being the printing surface layer and a printing surface and having an adhesive layer on the lower surface of the supporting body layer, the lower surface supporting body layer comprising the woven clothe is treated so that the dampening water and the cleaning agent do not permeate the same.例文帳に追加
少なくとも1層の織布からなる支持体層と印刷面となる表面ゴム層とを有し、支持体層の下面に粘着層を有する粘着剤付きブランケットにおいて、織布からなる下面支持体層を湿し水、洗浄剤が浸透しないように処理したことを特徴とする。 - 特許庁
The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加
少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁
When a plurality of semiconductor layers are formed on a semiconductor substrate and a Schottky electrode is formed in a semiconductor layer surface, an upper layer semiconductor layer consisting of at least an InGaP layer or an InAlGaP layer, and a semiconductor substrate wherein a lower layer semiconductor layer consisting of a GaAs layer or an AlGaAs layer is formed immediately below the upper layer semiconductor layer, are prepared.例文帳に追加
半導体基板上に複数の半導体層が形成され、半導体層表面にショットキー電極を形成する際、少なくともInGaP層 又はInAlGaP層からなる上層半導体層と、上層半導体層直下にGaAs層又はAlGaAs層からなる下層半導体層が形成された半導体基板を用意する。 - 特許庁
The metal exterior case material is based on a cold rolled steel sheet as a ground, and has a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, a metal Cr or Cu layer, a Cu-Ni diffusion layer, an Ni layer, and a metal Cr layer from the lower layer side on the face corresponding to the case interior face.例文帳に追加
冷延鋼板を下地とし、ケース内面に相当する面に下層側から、Cu−Ni拡散層、Ni層、金属Cr、又はCu層、Cu−Ni拡散層、Ni層、金属Crを有する金属外装ケース用素材。 - 特許庁
This heat retaining sheet is formed by laminating at least a heat insulating layer 6, a body temperature reflecting layer 5 and a top sheet layer 3 made of a heat retaining material, sequentially from a lower layer, and an air bubble cushioning material layer 4 is preferably interposed between the top sheet layer 3 and the body temperature reflecting layer 5.例文帳に追加
下層から順次、少なくとも断熱層6と、体温反射層5と、保温素材からなるトップシート層3と、を積層してなり、好ましくは、トップシート層3と体温反射層5との間に、気泡性緩衝材層4が介在する。 - 特許庁
The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.例文帳に追加
バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層2、アンドープのコレクタ層4、Cドープのベース層5、ベース層5とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層7、Siドープの上部エミッタ層9、および、Siドープのエミッタ電極層10からなる。 - 特許庁
A semiconductor laser diode 10 is provided with a ZnO substrate 12, a pseudo-lattice matching layer 13, a lower clad layer 14, a light guide layer 21, an active layer 15, a light guide layer 22, an upper clad layer 16, and a contact layer 17 sequentially formed on the substrate.例文帳に追加
半導体レーザダイオード10は、ZnO基板12と、この基板上に順に形成される擬似格子整合層13、下部クラッド層14、光ガイド層21、活性層15、光ガイド層22、上部クラッド層16及びコンタクト層17とを備える。 - 特許庁
The upper surface of the lower electrode 61 and the lower surface of the piezoelectric layer 62 jointed to the upper surface of the lower electrode are treated so that the RMS variation of the height thereof is equal to 50 nm or smaller.例文帳に追加
下方電極61の上面及びこれと接合されている圧電体層62の下面は、高さのRMS変動が50nm以下である。 - 特許庁
Furthermore, the jointing film 7 has semiconductor characteristics and the height of the lower end of its conduction belt is lower than the lower end of the conduction belt of the electron transport layer 4.例文帳に追加
また、接合膜7は、半導体特性を有し、その伝導帯の下端の高さが、電子輸送層4の伝導帯の下端の高さより低い。 - 特許庁
The decorative sheet 1 has a lower layer 1A which is a thermoplastic resin sheet layer with an uneven pattern a formed, an intermediate layer 1B which is a transparent or translucent hot melt adhesive layer formed on the lower layer 1A to fill in the uneven pattern a, and an upper layer IC which is a transparent or translucent thermoplastic resin layer formed on the intermediate layer 1B.例文帳に追加
化粧シート1は、凹凸柄aが形成された熱可塑性樹脂シート層である下層1Aと、凹凸柄aを埋めるように下層1A上に形成された透明又は半透明なホットメルト接着剤層である中間層1Bと、中間層1B上に形成された透明又は半透明な熱可塑性樹脂層である上層1Cとを有する。 - 特許庁
A second pressure sensitive adhesive layer 27 having an adhesion lower than that of the first adhesive layer 26 is formed on the outside of the first pressure sensitive adhesive layer 26.例文帳に追加
第1粘着剤層26の外方に第1粘着剤層26よりも粘着力の弱い第2粘着剤層27を形成する。 - 特許庁
Between the lower shielding layer 43 and the upper shielding layer 44, a potential change based on the noise 69 is evaded by an action of the conductor layer 57.例文帳に追加
導体層57の働きで下部シールド層43および上部シールド層44の間ではノイズ69に基づく電位差の変化は回避される。 - 特許庁
In the image forming apparatus, the main conveyance path R2 is in an upper layer, the re-conveying path R5 is in a middle layer and the inverting conveyance path R4 is in a lower layer.例文帳に追加
画像形成装置においては、主搬送路R2が上層、再搬送路R5が中層、反転搬送路R4が下層となっている。 - 特許庁
The anti-cavitation layer is constituted of a lower protective layer 5, an interlayer 6 and an upper protective layer 7, thereby enhancing the durability thereof.例文帳に追加
該耐キャビテーション層を下部保護層5、中間層6、上部保護層7によって形成することにより、耐久性を向上させることができる。 - 特許庁
The upper and lower surfaces of the second layer are made in contact with the first and third layers respectively, and the side face of the second layer is made in contact with an oxidized layer containing oxygen and aluminum.例文帳に追加
また、第2の層の上面及び下面は第1及び第3の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 - 特許庁
However, the intermediate layer 130 is fixed to the lower layer 150 in an outer peripheral area O, and the intermediate layer 130 is not fixed thereto in a central area C.例文帳に追加
ただし、中間層130と下層150とが外周領域Oでは固定されていて中央領域Cでは固定されていない。 - 特許庁
The bottom part 2 is made to be a two-layer structure, its upper layer part 21 is set as a heavy weight adjusting tank, and a lower layer part 22 is set at a weight tank.例文帳に追加
前記の底部2を2層構造とし、その上層部21を重量錘物調整タンクとし、下層部22を重錘用タンクとする。 - 特許庁
A magnetic layer 14 is formed on the lower layer of the diaphragm 17, and a magnet layer 16 is arranged around the heating element 30.例文帳に追加
そして、上記ダイヤフラム17の下層に磁性層14が形成され、上記発熱体素子30の周囲に磁石層16が配置されている。 - 特許庁
The intermediate layer 4 shows in-surface magnetization at 140°C or lower and cuts off the exchange coupling of the recording layer 5 and the reproduction layer 3.例文帳に追加
中間層4は140℃以上で面内磁化を示すので再生時に記録層5と再生層3の交換結合力を遮断する。 - 特許庁
Each of the light-emitting cells comprises a first conductive-type upper semiconductor layer, an active layer and a second conductive-type lower semiconductor layer.例文帳に追加
この複数の発光セルは、それぞれが第1の導電型上部半導体層、活性層、第2の導電型下部半導体層を有する。 - 特許庁
The bottom face of the silicon substrate 5 is connected to solder balls 40 for heat dissipation via an internal heat dissipation layer 2 and a lower layer heat dissipation layer 35.例文帳に追加
なお、シリコン基板5の下面は、内部放熱層2および下層放熱層35を介して放熱用半田ボール40に接続されている。 - 特許庁
A gate electrode 53 in a gate trench 31 includes: a polysilicon layer 51; and a tungsten layer 52 for a gate, having lower resistance than the polysilicon layer 51.例文帳に追加
ゲートトレンチ31内のゲート電極53を、ポリシリコン層51と、ポリシリコン層51よりも低抵抗のゲート用タングステン層52とで構成する。 - 特許庁
A lower DBR (distributed Bragg reflector) layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 are sequentially layered on an n-InP substrate 11.例文帳に追加
n−InP基板11上に下部DBR層1、コア層2、上部DBR層3、誘電体多層膜6が順次積層される。 - 特許庁
This film capacitor is constituted, by covering a support board 1 with a lower electrode layer 2, a thin film dielectric layer 3, and an upper electrode layer 4 in this order.例文帳に追加
支持基板1上に下部電極層2、薄膜誘電体層3、上部電極層4を順次被着してなる薄膜コンデンサである。 - 特許庁
A lower side core layer 33 is vertically extended from the above of a first magnetic material layer 31 to be formed above a magnetoresistance effect element layer 22.例文帳に追加
下部コア層33が、第1の磁性材料層31上から垂直に延び、磁気抵抗効果素子層22上にまで形成されている。 - 特許庁
The perforated tube 18 is set so that its lower end reaches in a sludge layer 10 through a floating sludge layer 12, and slightly embedded in the sludge layer.例文帳に追加
多孔管18は、浮遊ヘドロ層12を貫通して、その下端がヘドロ層10内に到達して、若干埋没するようにセットされる。 - 特許庁
A dielectric layer 3A and an upper metal layer 4 that are patterned using the same mask are provided on the lower metal layer 2B.例文帳に追加
下層金属層2Bの上には、同一のマスクを用いてパターニングされた、誘電体層3Aと、上層金属層4とが設けられている。 - 特許庁
The surface-emitting semiconductor laser has a lower multilayer film reflecting mirror, an n-type contact layer, an active layer, a p-type contact layer, and an upper multilayer film reflecting mirror.例文帳に追加
面発光レーザは、下部多層膜反射鏡、n型コンタクト層、活性層、p型コンタクト層、及び、上部多層膜反射鏡を備える。 - 特許庁
The lower electrode, constituted of a conductive layer and a conductive layer oxide film obtained by oxidizing the conductive layer, is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上に、導電層と、前記導電層を酸化させた導電層酸化膜とより構成された下部電極を形成する。 - 特許庁
At this time, the respective layers are formed to a thickness below 20 mm and the layer on the lower side of the antiferromagnetic substance layer 200 is thinner than the layer of the upper side.例文帳に追加
このとき、それぞれの層が、20nm以下の厚さに形成され、反強磁性体層200の下側の層は、上側の層より薄い。 - 特許庁
The nanoindenter hardness of the second layer 82 at the outmost side is regulated so as to be lower than that of the first layer 81 of an intermediate layer.例文帳に追加
最表層側の第2層(82)のナノインデンタ硬度は、中間層側の第1層(81)のナノインデンタ硬度よりも低くなるように成形される。 - 特許庁
The source electrode 28 has the two layer structure of a lower metal layer 28a constituted of Cr and an Al metal layer 28b in order from the bottom.例文帳に追加
ソース電極28は、下から順に、Crからなる下層金属層28aおよびAl系金属層28bの2層構造となっている。 - 特許庁
A rupture line 12 extending along a lower end part of both side surfaces of the surface sheet layer laminated on the decorative layer, is formed on the surface sheet layer.例文帳に追加
化粧層に積層された表面シート層の両側面の下端部に沿って延びる破断ライン(12)を表面シート層に形成する。 - 特許庁
The organic semiconductor layer 3 has the laminating structure such that an upper organic semiconductor layer 3B is formed on a lower organic semiconductor layer 3A.例文帳に追加
有機半導体層3は、下部有機半導体層3Aの上に上部有機半導体層3Bが形成された積層構造を有している。 - 特許庁
An elastic modulus of a core insulation layer is made lower than that of an insulation layer on a side for mounting the semiconductor chip and of an insulation layer on a side for connecting a mother board.例文帳に追加
コア絶縁層を、半導体チップを実装させる側の絶縁層及びマザーボード接続側の絶縁層より低弾性率とした。 - 特許庁
The upper-layer data have a sub key for specifying a coordinates value in a lower layer by prescribed calculation other than a coordinates value in an upper layer.例文帳に追加
上位層データは、上位層での座標値の他に、所定の計算によって下位層での座標値を特定するための副キーを備える。 - 特許庁
The LED chip 4 comprises a lower clad layer 12, an active layer 13, and an upper clad layer 14 formed sequentially on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
LEDチップ4は、半導体基板11の上に、下クラッド層12、活性層13、および上クラッド層14が順に形成されてなる。 - 特許庁
The semiconductor device includes a circuit layer having an active element formed in a Si substrate and also includes a SiC layer provided in the lower side of the circuit layer.例文帳に追加
Si基板に形成された能動素子からなる回路層と、前記回路層の下側に設けられたSiC層と、を有する半導体装置など。 - 特許庁
An insulator layer 2 made of alumina is formed on an AlTiC substrate 1, and a lower yoke part layer 3 is formed on this insulator layer 2.例文帳に追加
アルティックの基板1の上にアルミナよりなる絶縁層2が形成され、この絶縁層2の上に下部ヨーク部分層3が形成されている。 - 特許庁
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