「made N」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the core parts Q1-Q24, n may be made different.例文帳に追加

コア部Ｑ_１〜Ｑ_２４において、ｎを異ならせてもよい。 - 特許庁

N^+-SiC Formed on the n^-drift layer is made a source layer, and a part of the n^-drift layer is made a channel region by forming a trench extending from the n^+ source layer to a predetermined depth of the n^-drift layer.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト層上に形成されたｎ^＋−ＳｉＣをソース層とし、ｎ^＋ソース層からｎ^-ドリフト層の所定深さまでトレンチ溝を形成することでｎ^-ドリフト層の一部をチャネル領域とする。 - 特許庁

A cosine code operation section 174 applies code operation to each sampling value S(tn)=I(tn)cosθ(tn)-Q(tn)sinθ(tn) outputted from a data rate conversion section 170 where a sign of a coefficient of the I(tn) is made constant.例文帳に追加

余弦符号操作部１７４は、データレート変換部１７０から出力される各サンプリング値Ｓ(t_n)＝Ｉ(t_n)cosθ(t_n)−Ｑ(t_n)sinθ(t_n)に対して、Ｉ(t_n)の係数を一定の符号とする符号操作を行う。 - 特許庁

The current having the frequency F_1 and the current value I_1 is made to flow into the superconductive wire material 1 of the n-th section (n is every integer satisfying 2≤n≤N), and a voltage value_1,1,n is acquired.例文帳に追加

第ｎ区間（ｎは２≦ｎ≦Ｎを満たすすべての整数）の超電導線材１に、周波数Ｆ_1および電流値Ｉ_1で電流を流し、電圧値Ｖ_1,1,nを得る。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor light emitting element includes a crack preventive layer 15 made of an n-type GaN having a lower dopant concentration than an n-type contact layer 4A between the n-type contact layer 4A made of the n-type GaN of the element obtained by laminating a group III nitride semiconductor and an n-type clad layer 5A made of an n type AlGaN.例文帳に追加

３族窒化物半導体を積層してなる発光素子のｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層４Ａとｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層５Ａとの間に、ｎ型コンタクト層４Ａよりもドーパント濃度が低いｎ型ＧａＮからなるクラック防止層１５を設ける。 - 特許庁

n) the date of publication of the application and the legal ground according to which the publication was made;例文帳に追加

(n) 出願の公開日及び出願公開をするための根拠となった法的理由 - 特許庁

Examples of the Gram-negative strains from which the blebs are made include N. meningitidis, M. catarrhalis and H. influenzae.例文帳に追加

ブレブ製造材料となるグラム陰性菌株の例はN. meningitidis、M. catarrhalis及びH. influenzaeなどである。 - 特許庁

The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。 - 特許庁

The pitch intervals P2, P3 are made n/(n-1) times or n/(n-2) times of the pitch interval P1.例文帳に追加

ピッチ間隔Ｐ２、Ｐ３とを、ピッチ間隔Ｐ１のｎ／（ｎ−１）倍又はｎ／（ｎ−２）倍とした。 - 特許庁

An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer.例文帳に追加

GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。 - 特許庁

After that, on the distortion inhibition layer 13, an n-type cladding layer 15 made of n-type Al_0.07Ga_0.9.3N is grown.例文帳に追加

続いて、歪抑制層１３の上に、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｎ型クラッド層１５を成長する。 - 特許庁

For this purpose, the dummy blocks 10 and 11 are made to have the same outline as the other blocks B_1 to B_N.例文帳に追加

ダミーブロック１０，１１と他のブロックＢ_1〜Ｂ_Nとは同じ形状とする。 - 特許庁

The N-type source region 16 is made smaller than the N-type drain region 18.例文帳に追加

Ｎ型ソース領域１６を、Ｎ型ドレイン領域１８に比して小さくする。 - 特許庁

In this case, both the n-offset 9 and the n-well region 2 can be made into current passages.例文帳に追加

この場合、ｎオフセット９とｎウェル領域２の両方を電流経路とすることができる。 - 特許庁

In the memory device, the bit lines B_1 to B_n and the plate electrode lines P_1 to P_n are both disposed in a row direction, and resistance values between both ends of the bit lines B_1 to B_n and resistance values between both ends of the plate electrode lines P_1 to P_n are made same.例文帳に追加

このメモリ装置において、ビット線Ｂ_1〜Ｂ_nとプレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nとを共に列方向に配置し、かつビット線Ｂ_1〜Ｂ_nの各々における両端間の抵抗値とプレート電極線Ｐ_1〜Ｐ_nの各々における両端間の抵抗値とを同一にする。 - 特許庁

When all temperatures of the measured temperature distribution T_n are within a threshold, a DC I_n+1 with a current value of the DC increased is determined, and the DC I_n+1 is made to flow again into the superconducting cable 1 for a certain period of time, and then, a temperature distribution T_n+1 is measured.例文帳に追加

測定した温度分布T_nの全ての温度が閾値以下である場合、直流電流の電流値を増加させた直流電流I_n+1を決定し、直流電流I_n+1を超電導ケーブル1に改めて一定時間流して、温度分布T_n+1を測定する。 - 特許庁

A phase shift made through the phase shifter 18 is equivalent to λ/n (where λis oscillation wavelength, n>4), for instance, λ/8 (n=8).例文帳に追加

そして、位相シフト部１８における位相シフト量をλ／ｎ（ただし、λは発振波長、ｎ＞４）、例えばλ／８（ｎ＝８）に相当する量とする。 - 特許庁

On the porous n-type region 11n, an n-side electrode 13 is formed, and on the n-side electrode 13, a passivation film 14 made of silicon nitride is formed.例文帳に追加

ｎ側電極１３上には窒化シリコンからなるパッシベーション膜１４が形成されている。 - 特許庁

Incidentally, a wiring may be made in the (n+1) and (n-1) layers in the vertical direction and in the n and (n+1) layers in the horizontal direction.例文帳に追加

なお縦方向をｎ＋１、ｎ−１層、横方向をｎ、ｎ＋１層で配線しても構わないものとする。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

The photonic crystal is constituted of an active part 180 disposed within the resonator, a P clad 150 made of a P-type semiconductor and an N clad 160 made of an N-type semiconductor.例文帳に追加

フォトニック結晶は、共振器の内部に配置された活性部１８０、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１５０およびN型半導体からなるNクラッド１６０により構成されている。 - 特許庁

The n-type clad layer includes a first n-type clad layer made of AlGaInP and a second n-type clad layer made of AlInP, and the film thickness of the second n-type clad layer is 40-200 nm.例文帳に追加

ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 - 特許庁

Constant current of a predetermined magnitude is made to flow to a pixel P_0, constant currents of different magnitudes are made to flow to pixel P_1-pixel P_n, and the pixel P_0-pixel P_n emit light at a luminance according to the magnitudes of the constant currents.例文帳に追加

画素Ｐ_0に所定の大きさの定電流が流され、画素Ｐ_1〜画素Ｐ_nに互いに異なる大きさの定電流が流され、その定電流の大きさに応じた輝度で画素Ｐ_0〜画素Ｐ_nが発光する。 - 特許庁

When the number of the virtual plane P_1 on the one hand is made as L and the number of the virtual plane P_2 on the other hand is made as N, the ratio L/N of the both L and N is 0.5≤L/N≤2.0.例文帳に追加

一方の仮想平面Ｐ_1 の数をＬとし，他方の仮想平面Ｐ_2 の数をＮとしたとき，両者Ｌ，Ｎの比Ｌ／Ｎは０．５≦Ｌ／Ｎ≦２．０である。 - 特許庁

When an address ID that continues with the address ID of the sector N (1) can not be obtained even though an access is made to a sector N (2) (the first sector) after the sector processing of the sector N (1) is finished, an access is further made to a sector N (3).例文帳に追加

セクタＮ（１）のセクタ処理が終了して、セクタＮ（２）（第一のセクタ）にアクセスしたが、セクタＮ（１）のアドレスＩＤと連続したアドレスＩＤを得ることができなかった場合、さらにセクタＮ（３）にアクセスする。 - 特許庁

Further, the interval 3c is made N times the length of a tile (N: integer) or the length of the tile is made N times the interval between notches (N: interger).例文帳に追加

さらに隣接する切欠の間口間隔を、施工するタイル長さの整数倍、あるいはタイル長さを、隣接する切欠の間口間隔の整数倍とした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser wherein an n-n connection is prevented from being made between an n-type InP clad layer or an n-type InP contact layer and an n-type InP block layer so as to reduce a leakage current.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰクラッド層またはｎ型ＩｎＰコンタクト層と、ｎ型ＩｎＰブロック層との間でｎ−ｎ接続が起こるのを防いで、リーク電流を低減することのできる半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

An N-ary coding/N state LDPC coding part 112 generates an N-ary parity check bit according to an arithmetic operation for which N is a modulus for the information made into the N-ary symbol.例文帳に追加

Ｎ値化／Ｎ状態LDPC符号化部１１２は、上記Ｎ値シンボル化された情報を、Ｎを法とする演算にしたがって、上記Ｎ値パリティ検査ビットを生成する。 - 特許庁

A body layer 2 made of a p-type impurity region is formed on an n^- layer 6 made of an n-type impurity region.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域からなるＮ^-層６には、Ｐ型不純物領域からなるボディ層２が形成されている。 - 特許庁

The low refractive index layer 1131 is made of n-Al_0.9Ga_0.1As, and the high refractive index layer 1132 is made of n-Ga_0.5In_0.5P.例文帳に追加

低屈折率層１１３１は、ｎ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓからなり、高屈折率層１１３２は、ｎ−Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 - 特許庁

The low refractive index layer 1121 is made of n-AlAs, and the high refractive index layer 1122 is made of n-Ga_0.5In_0.5P.例文帳に追加

低屈折率層１１２１は、ｎ−ＡｌＡｓからなり、高屈折率層１１２２は、ｎ−Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 - 特許庁

Then, the former is made into a p-type conversion material, and the latter is made into an n-type conversion material, and they are subjected to p-n junction, so as to compose a thermoelectric element.例文帳に追加

そして前者はｐ型の変換材料、後者はｎ型の変換材料となり、これらをｐ−ｎ接合し、熱電変換素子が構成される。 - 特許庁

A current inhibition layer 12 made of a p-type GaN:Mg layer is interposed between a substrate 11 made of n-type GaN and an n-side contact layer 13.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮからなる基板１１とｎ側コンタクト層１３との間に、ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層からなる電流阻止層１２を介在させる。 - 特許庁

Then, design is made so that L satisfies the following equation 1: L≥(α×t×a×N)/(D_0×π×T).例文帳に追加

Ｌ≧（α×ｔ×ａ×Ｎ）／（Ｄ_０×π×Ｔ） ・・・式１ - 特許庁

This disc spring material is made of the silicon nitride plate the spring constant of which is more than 2 N/mm.例文帳に追加

バネ定数が２Ｎ／ｍｍ以上の窒化珪素板からなる板バネ材。 - 特許庁

The light source is made to have a component type and has N sets of the light emitting diodes.例文帳に追加

光源は、コンポーネント型にして、Ｎ個の発光ダイオードを有する。 - 特許庁

An n-th wiring layer 12 is made on the interlayer film layer 24.例文帳に追加

層間膜層２４の上層に第Ｎ層の配線層１２を形成する。 - 特許庁

The inner bond strength of a base paper is made to be 280-435 N×m/m^2.例文帳に追加

基紙の内部結合強度を２８０〜４３５Ｎ・ｍ／ｍ^２とする。 - 特許庁

A stripe trench 123 is made in an n silicon substrate 101.例文帳に追加

ｎシリコン基板１０１にストライプ状のトレンチ１２３を形成する。 - 特許庁

Furthermore, as the first member, use is made of the optical resin precursor composition prepared by mixing the first resin precursor having n_d<1.50 and n_F-n_C>0.003 under uncured condition and the second resin precursor having n_d<1.62 and n_F-n_C>0.010 under uncured condition.例文帳に追加

また、第１の部材に、未硬化の状態でｎ_d＜１．５０、ｎ_F−ｎ_C＞０．００３の第１の樹脂前駆体と、未硬化の状態でｎ_d＜１．６２、ｎ_F−ｎ_C＞０．０１０の第２の樹脂前駆体とを混合することにより調製した光学用樹脂前駆体組成物を用いる。 - 特許庁

At less than the measured critical current Ic_all, a constant-magnitude DC I_n is decided, the DC I_n is made to flow into the superconducting cable 1 for a certain period of time, and a temperature distribution T_n in a longitudinal direction of the current-conducting cable 1 is measured by the optical fiber 3o.例文帳に追加

測定した臨界電流Ic_all以下で、一定の大きさの直流電流I_nを決定し、直流電流I_nを超電導ケーブル1に一定時間流すと共に、この通電中のケーブル1の長手方向の温度分布T_nを光ファイバ3oにより測定する。 - 特許庁

When the variation dif(n)exceeds the second threshold c2(n), advance to processing of step S08 is made and after is allowed; and when the variation dif(n) is less than the second threshold c2(n), it is determined that there is no vehicle within the detection area RX (step S21).例文帳に追加

変化量ｄｉｆ（ｎ）が第２閾値ｃ２（ｎ）以上であれば、ステップＳ０８以降の処理に進み、変化量ｄｉｆ（ｎ）が第２閾値ｃ２（ｎ）未満であれば、感知エリアＲＸにおいて車両なしと判定する（ステップＳ２１）。 - 特許庁

If the n-type semiconductor substrate is defined as an emitter, the p-type impurity region is defined as a base and the n-type impurity region is defined as a collector, a DC current amplification factor hFE can be made into 100 or more.例文帳に追加

N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。 - 特許庁

Both pitches between the dummy block 10 and the block B_1, and between the dummy block 11 and the block B_N are made equal to the mutual pitches between adjacent ones of the blocks B_1 to B_N.例文帳に追加

ダミーブロック１０とブロックＢ_1との間隔及びダミーブロック１１とブロックＢ_Nとの間隔は他のブロックＢ_1〜Ｂ_N相互の間隔と同じにする。 - 特許庁

The cholesterol binder which is made of DAMP (N-(3-((2,4-dinitrophenyl)amino)propyl)-N-(3-aminopropyl)-methylamine), is used, and the cholesterol binding property of the DAMP is utilized, i.e., the DAMP binds to the cholesterol specifically, thereby sensing the cholesterol in a cell and a tissue.例文帳に追加

ＤＡＭＰ（N-(3-((2,4-dinitrophenyl)amino)-N-(3-aminopropyl)-methylamine)をコレステロール結合剤として用い、ＤＡＭＰのコレステロール結合性を利用して細胞や組織中のコレステロールを検出する。 - 特許庁