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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > metal etching resistに関連した英語例文

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metal etching resistの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 127



例文

RESIST FOR METAL FOIL ETCHING, AND METAL FOIL PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

金属箔エッチッング用レジスト、及び金属箔パターン形成方法 - 特許庁

A wiring etching resist pattern 30 is formed on a metal foil 2, and checking etching resist patterns 31 are formed adjacent to the wiring etching resist pattern 30.例文帳に追加

金属箔2上に配線用エッチングレジストパターン30が形成され、配線用エッチングレジストパターン30の近傍に複数の検査用エッチングレジストパターン31が形成されている。 - 特許庁

The milling process is performed after an etching resist thin film layer 5 is formed on a surface of the metal layer.例文帳に追加

前記ミリング加工は金属層表面にエッチングレジスト薄膜層5を施した後に行なう。 - 特許庁

To provide a method for etching a metal layer using an imprinted resist material.例文帳に追加

インプリントレジスト材料を用いて金属層をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

例文

After the mask member are removed, the metal foil etching process is conducted with the electrolytic plating surface-layer NM as an etching resist.例文帳に追加

マスク材を除去した後に、電解メッキ表面層NMをエッチングレジストとした、金属箔のエッチング処理を行う。 - 特許庁


例文

Thus, etching residue in a metal layer due to a part of the resist is not solubilized, and short circuits between terminal pins 101 due to the residual etching can be avoided.例文帳に追加

そのため、レジストの未可溶化部分に起因する金属層のエッチング残り及びこれによる端子ピン101間の短絡が生じることがない。 - 特許庁

To provide resist for metal foil etching, which is heat drying type resist ink and can suppress the occurrence of a pinhole during etching processing using acid, and to provide a metal foil pattern forming method.例文帳に追加

熱乾燥型レジストインキであって、酸によるエッチング処理に際して、ピンホールの発生を少なくできる金属箔エッチング用レジストの提供、および金属箔パターン形成方法の提供。 - 特許庁

As etching masks in an etching process on a metal base 1, a permanent dry-film resist is used on one surface, and a removable dry-film resist or noble-metal plating for bonding is used on the other surface.例文帳に追加

金属基材1のエッチング工程で、エッチングマスクとして、片面に永久ドライフィルムレジストを用い、もう一方の面に剥離型ドライフィルムレジスト又はボンディング用の貴金属めっきを用いる。 - 特許庁

Then, the etching resist 22 are exposed and sensitized, whereby a hole having a diameter of 140 μm is bored in the etching resist 22 at a point where the through-hole 14 of a metal mask 13 is to be provided.例文帳に追加

次に、露光・感光を行なって、メタルマスク13の透孔14の形成予定箇所のエッチングレジスト22に、直径140μmの穴を開ける。 - 特許庁

例文

Otherwise a sequence of processes as follows is executed: (a) etching of the ITO film 4 under a resist pattern prior to post baking→(b) extension of the resist pattern by the post baking(c) etching of the metal film 5 under the resist pattern after the post- baking.例文帳に追加

または、(a)ポストベーク前のレジストパターンの下でのITO膜4のエッチング→ (b)ポストベークによるレジストパターンの拡大→ (c)ポストベーク後のレジストパターンの下での金属膜5のエッチング、という一連の工程を行なう。 - 特許庁

例文

When the metal layer 41 is formed as the gate electrode 17 by etching the resist 42 and the metal layer 41 by RIE, there is measured a change in plasma emission intensity emitted from impurities in the resist 42.例文帳に追加

レジスト42および金属層41をRIEにてエッチングして金属層41をゲート電極17とする際に、レジスト42中の不純物から放出されるプラズマ発光強度の変化を測定する。 - 特許庁

In the metal foil stacked body for etching, a resist layer by a resist liquid containing a polyester based resin and a hot-curing agent is formed on a part or the whole of metal foil.例文帳に追加

ポリエステル系樹脂及び加熱硬化型硬化剤を含むレジスト液によるレジスト層が金属箔の一部又は全部に形成されているエッチング用金属箔積層体に係る。 - 特許庁

A metal foil laminated body 1 for etching is characterized in that a resist layer 3a is formed on partial areas or the whole surface of a metal foil 2 by a resist liquid containing a polyester resin and an isocyanate hardening agent.例文帳に追加

ポリエステル系樹脂及びイソシアネート系硬化剤を含むレジスト液によるレジスト層3aが金属箔2の一部又は全部に形成されているエッチング用金属箔積層体1。 - 特許庁

METHOD AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIST, ETCHING RESIDUAL, AND METAL OXIDE FROM SUBSTRATE CONTAINING ALUMINUM AND ALUMINUM-COPPER-ALLOY例文帳に追加

レジスト、エッチング残渣、及び金属酸化物をアルミニウム及びアルミニウム銅合金を有する基板から除去する方法及び組成物 - 特許庁

Thereafter, an etching mask forming process providing a resist film 36 having a prescribed pattern on the surface of the conductive metal film 32 is performed.例文帳に追加

その後、導電性金属膜32の表面に所定のパターンを有するレジスト膜36を設けるエッチングマスク形成工程を行なう。 - 特許庁

When the etching resist layer 21R' is stripped subsequently, a through hole 9 is formed in the metal plate 4.例文帳に追加

その後、エッチングレジスト層21R’を剥離すると、金属板4には、スルーホール9が形成される。 - 特許庁

RESIST INK FOR WET ETCHING, METHOD FOR FORMING PATTERN OF METAL LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING CIRCUIT BOARD例文帳に追加

ウェットエッチング用レジストインク、および金属層のパターン形成方法、および回路基板製造方法。 - 特許庁

Before forming the thin film of etching-resistant resin, a small-hole side resist film 2a on the metal thin plate is peeled off.例文帳に追加

また、エッチング耐蝕樹脂の薄膜を形成する前に、金属薄板上の小孔側レジスト膜2aを剥離すること。 - 特許庁

After that, by using isotropic wet-etching, a protrusive part of the metal layer 2 for the emitter is fabricated, and the resist 3 is peeled off.例文帳に追加

その後、等方性のウエットエッチングを用いて、エミッタ用金属層2の突起状部分を作製し、レジスト3を剥離する。 - 特許庁

Next, by anisotropic dry-etching, it is scraped from an opening part 3a of the resist 3 to the middle of the metal layer 2 for the emitter, and a recessed part is formed.例文帳に追加

次に、異方性のドライエッチングにより、レジスト3の開口部3aからエミッタ用金属層2の途中まで削り、凹部を形成する。 - 特許庁

The time point when the plasma emission intensity becomes substantially constant is assumed to be a final point of the etching of the resist 42 and the metal layer 41 by the RIE.例文帳に追加

プラズマ発光強度が略一定となった時点を、レジスト42および金属層41のRIEによるエッチングの終点とする。 - 特許庁

To process a metal film with superior dimensional accuracy without damaging a base gate insulating film by wet etching using a resist mask.例文帳に追加

レジストマスクを用いたウエットエッチングにより、下地のゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、寸法精度良く金属膜を加工する。 - 特許庁

An etching resist 28 having a thick first part 24 and a thin second part 26 is formed on a metal layer 22.例文帳に追加

金属層22上に厚い第1部分24と薄い第2部分26を有するエッチングレジスト28を形成する。 - 特許庁

Using the first resist layer 3 as a mask, etching of the metal layer 2 in an area A, which is an opening area, is performed.例文帳に追加

その第1レジスト層3をマスクとして、開口領域である領域Aの金属層2をエッチングする。 - 特許庁

The method carries out a patterning by forming a low-resistance metal film 5 and a low-dielectric constant film 7 and then dry-etching using a resist 9.例文帳に追加

低抵抗金属膜5、低誘電率膜7を成膜した後、レジスト9を用いてドライエッチングし、パターニングする。 - 特許庁

To solve such a problem that metal powder generated in a material for a shadow mask falls off in a resist tank and a pad of a transportation line, and consequently causes an etching failure.例文帳に追加

シャドウマスク材に発生する金属粉はレジスト槽や搬送ラインのパットにて脱落しエッチング不良が発生の原因となる。 - 特許庁

After patterning of a resist is carried out, wet etching of a laminated metal film aside from a part to become a negative electrode auxiliary wiring pattern 3 is carried out.例文帳に追加

レジストをパターニングした後、陰極補助配線パターン3となる部分以外の積層金属膜をウェットエッチングする。 - 特許庁

Next, a first etching-resistant resin layer 23 is formed on the first resist layer 21, and the recessed part 14 is formed on the metal substrate 20 by performing etching from the other surface 20B side of the metal substrate 20.例文帳に追加

次に第1のレジスト層21上に、第1の耐エッチング樹脂層23を設け、金属基板20の他面20B側からエッチングを施して、金属基板20に凹部14を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer 20 and the metal layer 22 are patterned by etching through the etching resist 28 to form wiring 30 from the metal layer 22, and a part under the wiring 30 of the semiconductor layer 20 is left as it is.例文帳に追加

エッチングレジスト28を介して、半導体層20及び金属層22をエッチングによってパターニングして、金属層22から配線30を形成し、半導体層20の配線30下の部分を残す。 - 特許庁

A method of manufacturing a crystal resonator includes forming metal films and resist films on both sides of a substrate; then patterning the outer form of the crystal resonator, respectively on the resist films on the front and rear sides of the substrate; and thereafter, removing the metal films exposed on both the sides of the substrate by etching, and then etching the crystal substrate.例文帳に追加

水晶振動子の製造方法において、基板の両面に金属膜、レジスト膜を形成した後、基板の表裏面のレジスト膜にそれぞれ水晶振動子の外形形状をパターニングし、その後、基板両面に露出した金属膜をエッチング除去、水晶基板のエッチングを行う。 - 特許庁

The resist mask 4 is used, the metal film 3 is subjected to dry etching, the amount of retreat of the resist mask 4 by dry etching is controlled, and a metal mask 5 is formed, where an open side face 5a has a first tilt angle to the film.例文帳に追加

このレジストマスク4を用い、金属膜3をドライエッチングするとともに、ドライエッチングによるレジストマスク4の後退量を制御して、開口側面5aが膜に対して第1の傾斜角度を有する金属マスク5を形成する。 - 特許庁

To provide a photo-polymerizable resin composition which has especially excellent high resolution and high adhesion as a resist material of an etching resist, a plating resist and so on in fields such as manufacturing of a printed wire board, a lead frame, and a semiconductor package, and metal precise working, and further which also has an excellent resist peeling property.例文帳に追加

印刷配線板、リードフレーム、半導体パッケージ等の製造、金属の精密加工等の分野において、エッチングレジスト、めっきレジスト等のレジスト材料として特に優れた高解像性と高密着性を有し、更にレジスト剥離性にも優れた光重合性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an etching component produced by wet etching after forming an etching resist pattern on a metal material, which prevents progress of side etch, that is, to provide an etching component of high aspect ratio and to provide a method for manufacturing the component.例文帳に追加

金属材料上にエッチングレジストのパターンを形成し、ウエットエッチングによって製造したエッチング部品であって、サイドエッチの進行を防いだ、即ち、高アスペクト比のエッチング部品、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The position synchronizing type decorative layer is easily produced by using a color resist when the shield pattern layer is formed by etching a conductive metal foil and diverting the resist pattern thereof.例文帳に追加

位置同調型装飾層は、シールドパターン層を導電性金属箔のエッチングで形成する際に着色レジストを使い、そのレジストパターンを流用すると、製造が容易である。 - 特許庁

To achieve etching working which secures the removal of resist ink, and can perform further thinning of foil while preventing the cutting of metal foil and the generation of coating-through in a coating stage of the resist ink.例文帳に追加

レジストインキの除去を確実にし、レジストインキの塗工工程で金属箔の切断や塗工抜けの発生を防止しつつ、更なる薄箔化が可能なエッチング加工とする。 - 特許庁

To provide a substrate which suppresses the peeling of a thermoplastic polymer and the permeation of a wet etching liquid and a plating liquid into a resist or into a boundary between a metal layer and the resist in a thermal nanoimprint process.例文帳に追加

熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、ウェットエッチング液やめっき液の、レジスト内や金属層とレジストとの界面への浸入を抑制する基板を提供する。 - 特許庁

Then, after the resist 202 on the membrane structure part is removed, the resist 203 is again formed on the outer periphery part of the through-hole and on the back surface of the substrate to remove the sheath metal layers 106, 107 of the membrane structure part by wet-etching thereof.例文帳に追加

続けて、メンブレン構造部のレジスト202を除去した後、貫通孔外周部及び基板裏面に再度レジスト203を形成して、メンブレン構造部のシースメタル層106、107をウエットエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition capable of providing a resist which improves shrinkage of a pattern in observation with SEM (scanning electron microscope) while retaining excellent dry etching resistance and does not require removal of metal.例文帳に追加

優れたドライエッチング耐性を維持したまま、SEM観察時にパターンの縮みが改良され、、金属を除去する必要がないレジストを提供し得るポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The method of forming the fine metal pattern comprises dry film resist thinning treatments (T1 to T4) which are carried out in a period from a process of coating the dry film resist on a board (a) to a process of carrying out an etching process (d).例文帳に追加

基板上にドライフィルムレジストを貼り付け(a)てから、エッチング(d)を行うまでの間に、ドライフィルムレジストの薄膜化処理(T1〜T4)を行う金属パターンの形成方法。 - 特許庁

The metal film 110 is selectively etched thereafter to be removed by a dry etching method such as reactive ion etching method, for example, using the resist pattern 111 as a mask.例文帳に追加

この後、レジストパターン111をマスクとし、例えばリアクティブイオンエッチングなどのドライエッチング法により金属膜110を選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

Next, a second etching-resistant resin layer 24 is formed on the second resist layer 22, and the opening 11 is formed by performing etching from the one surface 20A side of the metal substrate 20.例文帳に追加

次に第2のレジスト層22上に、第2の耐エッチング樹脂層24を設け、金属基板20の一面20A側からエッチングを施して、開孔11を形成する。 - 特許庁

To provide a wet etching method where a correct pattern shape and excellent dimensional precision can be obtained by increasing adhesion between a metal-deposited layer and a resist ink for wet etching.例文帳に追加

金属蒸着層とウェットエッチング用レジストインクとの密着性を高めることにより、正確なパターン形状ならびに優れた寸法精度を得ることを可能にするウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the method for forming a pattern comprising the steps of: pattern-stacking resist ink for wet etching on a metal-deposited layer provided on a base material; thermally drying the resist ink; and forming a pattern composed of a metal-deposited layer by wet etching, the resist ink comprises a binder resin and a compound (A) having a specified fundamental skeleton.例文帳に追加

基材上に設けた金属蒸着層上に、ウェットエッチング用レジストインクをパターン積層し、次いで、該レジストインクを熱乾燥させ、しかるのち、ウェットエッチングにより金属蒸着層からなるパターンを形成させるパターン形成方法において、該レジストインクが、バインダー樹脂と、特定の基本骨格を持つ化合物(A)を含有するパターン形成方法。 - 特許庁

Then, first dry etching is made to the metal film 24 using a first resist mask 30, further second dry etching is made to the metal film 24 using a second resist mask 31, and dry etching is made twice at the overlapped machining region [C] between a scanning line 12 and an auxiliary capacity line 18, and between a gate electrode 26 and a gate electrode 27.例文帳に追加

次いで第1のレジストマスク30を用いて金属膜24に1回目のドライエッチングを行い、更に第2のレジストマスク31を用いて金属膜24に2回目のドライエッチングを行い、走査線12と補助容量線18間、及びゲート電極26とゲート電極27間の重複加工領域[C]にてドライエッチングを2回実施する。 - 特許庁

In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable.例文帳に追加

半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをRIEアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁

A first metal film 2 and a second metal film 3 are formed by successively laminating them on a substrate 1 and a plating frame resist 4 having a prescribed pattern is formed on the second metal film 3 using a dry etching method.例文帳に追加

基板1上に第1の金属膜2と第2の金属膜3とを順次積層して形成し、第2の金属膜3上に、ドライエッチング法を用いて所定のパターンのめっきフレームレジスト4を形成する。 - 特許庁

After obtaining a metal-insulator compound member by forming metal layers 3, 4 on the both main surfaces of an insulator 2, an etching resist 6 is formed on all over or a part of the metal layer 3 for forming a circuit.例文帳に追加

絶縁体2の両主面に金属層3、4を形成して金属−絶縁体複合部材を得た後に、回路形成用の金属層3の全面または一部にエッチングレジスト6を形成する。 - 特許庁

To provide a photopolymerizable resin composition having high resolution and excellent as a resist material of an etching resist, a plating resist or the like in fields of producing a printed wiring board, a lead frame, a semiconductor package or the like and precision metal machining.例文帳に追加

印刷配線板、リードフレーム、半導体パッケージ等の製造、金属の精密加工等の分野において、エッチングレジスト又はめっきレジスト等のレジスト材料として優れた高解像性を有する光重合性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

The method further comprises the steps of then removing etching residue of a bottom Mo layer 51 by plasma etching under the same resist pattern 9, and removing a protrusion 54 of a top Mo layer 53 at an end face of the pattern of the three-layer metal film (first stage of second etching).例文帳に追加

次いで、同一のレジストパターン9下で、プラズマエッチングにより、ボトムMo層51のエッチング残りを除去するとともに、三層金属膜のパターンの端面におけるトップMo層53の突き出し部54を除去する(第2のエッチングの第1段階)。 - 特許庁

例文

In the circuit board on which a single layer metal film or a multilayer metal film is formed, a resist film pattern is formed on the board using a photoengraving, and then a recess is formed at the lower part of a resist film end by wet-etching the single layer metal film or the multilayer metal film taking the resist film as a mask.例文帳に追加

基板上に単層金属膜あるいは多層金属膜が形成されている基板において、基板上にレジスト膜のパターンを写真製版技術を用いて形成した後に、前記レジスト膜をマスクとして単層金属膜あるいは多層金属膜のウエットエッチングによりレジスト膜端の下部に窪みを形成する。 - 特許庁

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