「minimum line width」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an exposure mask, which includes a plurality of mask portions for forming wiring lines, the mask portions arranged parallel to one another and each having a width equal to or less than the minimum line width dimension determined by the resolution of an exposure apparatus, and which can give a wiring pattern made of a resist material having the same height while preventing the pattern from partially thinning.例文帳に追加

露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形成された配線形成用マスク部分が複数平行に形成されているレジスト材料からなる配線パターンを部分的に細くならないように同一の高さに形成することができる露光用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a developer for circuit formation which achieves sharpness of line edges of a circuit pattern, narrowing of the minimum line width of the circuit pattern, image density capable of imparting satisfactory conductivity to the circuit pattern, and perfect prevention of toner scattering by an electrophotographic process, and to provide a circuit forming method using the same.例文帳に追加

本発明は、電子写真法により、回路パターンのラインエッジのシャープさ、回路パターンの最少ライン幅の狭幅化、回路パターンに十分な導電性を付与し得る画像濃度、トナー飛散の完全防止を実現する回路形成用現像剤及びそれを用いた回路形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A developing threshold being a light energy threshold necessary for development is set to a value at which the line width of a minimum pixel line becomes specified dimension decided by a pixel pitch, and an image forming condition (for example, developing bias or the photoreceptor sensitivity characteristic of an electrostatic latent image carrier) at the time of forming an image is adjusted to satisfy the set developing threshold.例文帳に追加

最小画素ラインのライン幅が画素ピッチにて定まる所定寸法となる値に、現像に必要な光エネルギー閾値である現像閾値を設定し、設定された現像閾値となるように画像形成時の作像条件（例えば、現像バイアス、或いは静電潜像担持体の感光体感度特性）を合わせ込む。 - 特許庁

The dummy features 14 are aligned with isolated edges of the features in a position away from the isolated edges by a prescribed distance in a line width equal to the above minimum size in such a way that the intensity of light at the dense edges of the features and that at the isolated edges are made nearly equal to each other.例文帳に追加

ダミーフィーチャー１４は複数のフィーチャーの密集エッジでの光の強さと孤立エッジでの光の強さがほぼ同一になるように、前記孤立エッジから所定距離離れた位置に前記最小寸法の線幅で前記孤立エッジに並べて配列される。 - 特許庁

The manufacturing method of a field effect transistor in which a functional film is formed over a substrate in a printing process including the following steps (1)-(3); the minimum width of a line or a space of the functional film is 1-50 μm and printing positional accuracy is 100 ppm or less.例文帳に追加

以下の工程（１）から（３）よりなる印刷工程により前記基板上へラインもしくはスペース最小幅が１から５０μｍであり、印刷位置精度が１００ｐｐｍ以下の機能性膜の形成を行うことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法としたもの。 - 特許庁

When an original pattern profile 1 which is to be transferred by the use of an electron beam projection exposure mask is divided into a plurality of pattern profiles that are complementary to each other, the original pattern profile 1 is divided into demarcations by the use of grids 2 whose size is determined on the basis of the minimum line width of the original pattern profile 1.例文帳に追加

電子線投影露光用マスクを用いて転写すべき原パターン形状１を、相補的な複数のパターン形状に分割するのにあたって、先ず、前記原パターン形状１を、その最小線幅を基準に一区画の大きさが決定された格子２を用いて分割する。 - 特許庁

Since actual waveforms reach respective high levels VIH and low levels VIL within the minimum pulse width before reaching the high level VIHH for adjustment and the low level VILL for adjustment and return from there, approximately the same waveforms as when they are free from influence of the characteristics of the transmission line 9 can be obtained.例文帳に追加

実際の波形は調整用ハイレベルＶＩＨＨ、調整用ローレベルＶＩＬＬまで到達せずに、最小パルス幅の間にそれぞれハイレベルＶＩＨ、ローレベルＶＩＬに到達し、そこから折り返していくので、伝送ライン９の特性の影響を受けない場合とほぼ同一の波形が得られる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a flash memory device, to decrease a cell size by forming a control gate within a minimum line width permitted in the fabrication process of a semiconductor memory device, and to efficiently obtain the operation characteristics of the device even in case of the decrease of the cell size.例文帳に追加

半導体メモリ素子の製造工程で許容される最小の線幅の内側の領域にコントロールゲートを形成して、セルサイズを縮小することが可能であると共に、セルサイズの縮小時にも素子の動作特性が効率的に確保されるようにしたフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

(d) Among plasma breeding chemical vapor deposition systems having cassette-to-cassette functions and load lock functions or systems designed to be connected to and used with equipment falling under (e), those that are used in the manufacture of semiconductor devices with a minimum line width of 180 nanometers or less 例文帳に追加

ニ　プラズマ増殖型の化学的気相成長装置であって、カセットツウカセット機能及びロードロック機能を有するもの又はホに該当するものに接続して使用するように設計したもののうち、最小線幅が一八〇ナノメートル以下の半導体素子の製造に使用されるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

Organic SOG films 6 and 13 of specific permittivity 3.0 or below are used for insulating the adjacent wirings from each other in a second wiring layer M2 and a third wiring layer M3 which are set minimum in line width and laid out short in length resting on a layout rule, by which the adjacent wiring layers can be lessened in interlayer capacitance between them.例文帳に追加

レイアウトルールの最小線幅で加工され、短距離引き回し配線である第２層配線Ｍ_2 および第３層配線Ｍ_3 では、隣接配線間の絶縁に比誘電率が約３. ０以下の有機ＳＯＧ膜６，１３を用いることによって、隣接配線間の層間容量を小さくする。 - 特許庁

In the exposure mask 1 where a doughnut pattern 3 and a plurality of long patterns 5 are provided on a thin film membrane 2 as an opening-like exposure pattern, a crosslinking pattern 7 thinner than the minimum line width of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5 is stretched across the opposite sides at the opening part of the doughnut pattern 3 and the long patterns 5.例文帳に追加

薄膜状のメンブレン２に開口状の露光パターンとしてドーナツパターン３および複数の長尺パターン５が設けられている露光マスク１であり、ドーナツパターン３および複数の長尺パターン５の開口部の対向辺間に、ドーナツパターン３および各長尺パターン５の最小線幅よりも細い線幅の架橋パターン７を掛け渡してなる。 - 特許庁