1016万例文収録!

「n-1」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オフ

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

n-1の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 7808



例文

(2) {Ni}/{Cr}≥0.15, where {Ni}=[Ni]+[Cu]+[N] and {Cr}=[Cr]+[Mo]; (3) 2.0≤[Ni]/[Mo]≤30.0; and (4) [C]×1,000/[Cr]≤2.5.例文帳に追加

≪P.I≫=[Cr]+3.3×[Mo]+16×[N]≧30・・・(1) {Ni}/{Cr}≧0.15・・・(2) 但し、{Ni}=[Ni]+[Cu]+[N]、{Cr}=[Cr]+[Mo] 2.0≦[Ni]/[Mo]≦30.0・・・(3) [C]×1000/[Cr]≦2.5・・・(4) - 特許庁

However, n, m, s, and k are assumed to be all integers not smaller than 1, and s<n, and k<n-s-1.例文帳に追加

但し、n、m、s及びkは全て1以上の整数で、s<n、k<n−s−1とする。 - 特許庁

Bmin=1,130×tn-5f×(tn-0.05) tn=cos-1(v/2 π×fm×a)/(θ×fm).例文帳に追加

B_min=1130×t_n−5f×(t_n−0.05) t_n=cos^-1(v/2π×f_m×a)/(π×f_m) - 特許庁

There is provided a recess part 14 on the reverse face of the n+-type GaAs substrate 1 just under the n+-type AlGaAs emitter layer 5.例文帳に追加

n^+型AlGaAsエミッタ層5直下部のn^+型GaAs基板1裏面には凹部14を有している。 - 特許庁

例文

Then a nut 23b-(n+1) is clamped onto the bolt 21b-(n+1) from the side of a side surface 25a, and a long nut 19a-(n+1) is clamped onto the bolt 17a-(n+1) from the side of a side surface 25b, to thereby fix the diagonal bolt segment 1-(n+1).例文帳に追加

側面25a側からナット23b−(n+1)をボルト21b−(n+1)に締め付け、側面25b側から長ナット19a−(n+1)をボルト17a−(n+1)に締め付けて、斜ボルトセグメント1−(n+1)を固定する。 - 特許庁


例文

If n is 0, exactly one line is read, regardless of the length of the line.例文帳に追加

n が 0 の場合、行の長さに関係なく正確に 1 行だけ読み出します。 - Python

n) figure or figures indicated by the applicant to be published.例文帳に追加

(n) 公開用として出願人によって指示された 1又は 2以上の図 - 特許庁

-Ar_1-(CR_1=CR_2)n- (1) [Ar_1 is an arylene group or the like.例文帳に追加

−Ar_1−(CR_1=CR_2)_n− (1) 〔Ar_1は、アリーレン基等。 - 特許庁

R_1COO(R_3O)_n-COR_2 (1) R_4COO(R_5O)_m-H (2).例文帳に追加

R_1COO(R_3O)_n−COR_2 (1) R_4COO(R_5O)_m−H (2) - 特許庁

例文

A storage device 1 stores n ratings and n scores.例文帳に追加

記憶装置1は、n個のレーティングと、n個の得点とを記憶する。 - 特許庁

例文

N: N+1 CHANNEL CODING METHOD AND DEVICE FOR THE SAME例文帳に追加

N:N+1チャンネル符号化方法及びそのための装置 - 特許庁

An insulating film N+1 is thereafter formed on the insulating film N.例文帳に追加

その後、絶縁膜Nの上に絶縁膜N+1を形成する。 - 特許庁

ERROR CORRECTING METHOD AND ITS DEVICE FOR N: N+1 CHANNEL CODE例文帳に追加

N:N+1チャンネルコード用誤り訂正方法及びそのための装置 - 特許庁

Here, m, n, x, q are positive integer and (x+1)>m, n>2q.例文帳に追加

但し、m、n、x、qは正の整数で、(x+1)>m、n>2^qとする。 - 特許庁

An n-side electrode 12 is arranged on the lower face of the n-type substrate 1.例文帳に追加

n型基板1の下面には、n側電極12が配置されている。 - 特許庁

Provided is N,N-dimethylpropionamide compound represented by formula (1), wherein, R is a methyl group or an ethyl group.例文帳に追加

下記式(1)で表されるN,N−ジメチルプロピオンアミド化合物。 - 特許庁

The adding frequency of N×1 is twice and the adding frequency of N×0 is once.例文帳に追加

N×1の加算回数は、2回、N×0の加算回数は、1回である。 - 特許庁

The n number of partition plates may be arranged to form a passage constitution of (n+1) layers.例文帳に追加

仕切り板をn枚配置して、(n+1)層の通路構成としてもよい。 - 特許庁

Subsequently, a frame number n is changed to (n+1) (step S8).例文帳に追加

続いて、フレーム番号nをn+1に変更する(ステップS8)。 - 特許庁

The screen GUI 2 has first to n-th display ranges QAL (1)-(n).例文帳に追加

画面GUI2は、第1〜第n表示範囲QAL(1)〜(n)を有する。 - 特許庁

In the above, when (j) equals to (n), the (n+1)th device corresponds to the receiving unit [2].例文帳に追加

ここで、jがnのとき、第(n+1)装置は受信装置[2]に対応する。 - 特許庁

To provide a method for reducing the content of nitrosamines (e.g., N'-nitroso nornicotine, 4-(methyl nitrosoamino)-1-(3-pyridyl)-1-butanone, N'-nitroso anatabine, and N'-nitroso anabasine) in tobacco.例文帳に追加

タバコ中のニトロソアミン(例えば、N'-ニトロソノルニコチン、4-(メチルニトロソアミノ)-1-(3-ピリジル)-1-ブタノン、N'-ニトロソアナタビン、N'-ニトロソアナバシン)の含量を削減する方法が提供される。 - 特許庁

Every n (1≤n<N) preforms 1 out of the N preforms 1 molded simultaneously in a transfer station 200 are delivered to the receiving part 304 of a blow molding station 300 (N/n) times.例文帳に追加

移送ステーション200で同時成形されたN個のうちのn(1≦n<N)個ずつ(N/n)回に分けプリフォーム1をブロー成形ステーション300の受取部304に受渡す。 - 特許庁

A composition 1 having fluidity before or in the use thereof is poured or applied to a navel recessed portion N and, after the composition 1 is solidified, the solidified composition 1 is removed from the navel recessed portion N in the state accompanied with dirt in the navel recessed portion N.例文帳に追加

使用前又は使用の際に流動性がある組成物1を、へそ凹部Nに流し込むか又は塗布し、該組成物1が固化した後、この固化物1を、該へそ凹部N内の汚れを同伴させた状態で、該へそ凹部Nから取り出す。 - 特許庁

Then a level SENSE[I:n] of the digital output lies 33-1 to 33-n in response to the logic of the digital signals DL1[I:n] to DLm[I:n] is selected lower than at least any operating voltage of the comparators 30-1 to 30-m and the latches 31-1 to 31-m.例文帳に追加

そして、デジタル信号DL1[1:n]〜DLm[1:n]の論理に応じたデジタル出力線33-1〜33-nの電位振幅SENSE[1:n]を、コンパレータ30-1〜30-m、およびラッチ31-1〜31-mの少なくとも一方の動作電圧より小さくしたことを特徴としている。 - 特許庁

In the formula, X is fucose, n is 1 or 0, m is 1 or 0, and n+m=1.例文帳に追加

式中、Xはフコースであり、nは1又は0、mは1又は0であり、n+m=1である。 - 特許庁

The s_i+1(n) is used for a complex progression s_i+1(n) for a succeeding correction step i+1.例文帳に追加

このs_i+1(n)が次の補正ステップi+1の複素数列s_i+1(n)となる。 - 特許庁

The above numerical formula (1): 1<PD<MD (1) [wherein, PD=Mw/Mn, and MD=G(n)×Mw+H(n)].例文帳に追加

1<PD<MD (1)[式中、PD=Mw/Mn、MD=G(n)×Mw+H(n)] - 特許庁

When the number M of available processors fulfills the relation of N(N+1)+1≤M≤(N+1)^2-1 (S212-YES), the force matrix of vertical (N+1) and horizontal (N+1) is used (S216).例文帳に追加

使用可能なプロセッサ数Mが、N・(N+1)+1≦M≦(N+1)^2−1の関係を満たすときには(S212−YES)、縦(N+1)・横(N+1)の力マトリクスを使用する(S216)。 - 特許庁

is a digit from 1 to 9, may be used to indicate just the text that 例文帳に追加

は 1 から 9 までの数字を使用して、 n - JM

The Equation 1: L_n=L_1+0.01(n-1)(2n-15).例文帳に追加

式1:L_n=L_1+0.01(n−1)(2n−15) - 特許庁

In formula (1), (n) is an integer of 1 to 3.例文帳に追加

(式中、nは1〜3の整数である。) - 特許庁

Especially, the magnetic powder of magnetoplumbite is expressed by Expression (1): AO-n(Fe_1-X-YM_xM'_y)_2O_3.例文帳に追加

AO・n(Fe_1-X-YM_xM'_y)_2O_3…(1)。 - 特許庁

In a lamp diagnosis device provided with a N-P-N type transistor 15 supplying minute current to a stop lamp 1 and a computer 10 diagnosing the stop lamp 1 based on voltage applied to the stop lamp 1, the N-P-N transistor 15 intermittently supplies the minute current.例文帳に追加

本発明は、ストップランプ1に微電流を入力するn-p-n型トランジスタ15と、ストップランプ1に加えられている電圧に基づいてストップランプ1を診断するコンピュータ10と、を備えたランプ診断装置において、n-p-n型トランジスタ15を、前記微電流を断続的に入力するようにした。 - 特許庁

In step S_2, the positions of alignment marks of a target layer X_n (1≤n≤M) and an alignment layer Y_n are measured, by using the superposition measuring instrument to obtain measured data A_n.例文帳に追加

S_2 で重ねあわせ測定器を使ってターゲット層X_n (1≦n≦M)及びアライメント層Y_n のアライメント・マークの位置を測定して測定データA_n とする。 - 特許庁

An ultraviolet application unit (UV) is provided with the same number of photosensors 72(1)-72(n) for individually monitoring the emission state of a plurality of (n) ultraviolet lamps 64(1)-64(n) in a lamp chamber 66.例文帳に追加

この紫外線照射ユニット(UV)では、ランプ室66内に複数(n)個の紫外線ランプ64(1)〜64(n)の発光状態をそれぞれ個別的に監視するための同数の光センサ72(1)〜72(n)が設けられている。 - 特許庁

Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加

化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁

To provide a pharmaceutically useful anhydrous crystalline form of N-[1-(2- ethoxyethyl)-5-(N-ethyl-N-methylamino)-7-(4-methylpyridin-2-yl-amino)-1H- pyrazolo[4,3-d]pyrimidine-3-carbonyl]methanesulfonamide.例文帳に追加

医薬として有用な無水結晶形態のN-[1-(2-エトキシエチル)-5-(N-エチル-N-メチルアミノ)-7-(4-メチルピリジン-2-イル-アミノ)-1H-ピラゾロ[4,3-d]ピリミジン-3-カルボニル]メタンスルホンアミドの提供。 - 特許庁

The thining control signal generating section 40 outputs a thining control signal which employs the input pixel data as the output pixel data when the output position count Y_n falls between the input position counts X_n and X_n+1.例文帳に追加

間引き制御信号作成部40は、出力位置カウント値Y_nが、入力位置カウント値X_nとX_n+1との間に入る場合に、入力画素データを出力画素データとして採用する間引き制御信号を出力する。 - 特許庁

Each of unit processing sections U[n] creates a processing coefficient sequence Ge_n comprised of coefficient values Ge[1]_n to Ge[K] for each frequency from stereo acoustic signals SIN_L and SIN_R.例文帳に追加

各単位処理部U[n]は、周波数毎の係数値Ge[1]_n〜Ge[K]で構成される処理係数列Ge_nをステレオ形式の音響信号SIN_Lおよび音響信号SIN_Rから生成する。 - 特許庁

A material selecting unit 36 selects, from the multiple sets of material data S, a set of material data S[n] corresponding to the feature fk of a set of feature data F[n], for each set of feature data F[1] to F[N].例文帳に追加

素材選択部36は、複数の素材データSのうち特徴データF[n]の特徴量fkに応じた素材データS[n]を特徴データF[1]〜F[N]の各々について選択する。 - 特許庁

The polyphosphoric acid contains essentially an anion represented by either: (P_nO_3n+1)^(n+2)- (n=1-100) or by: (P_nO_3n)^n- (n=1-100).例文帳に追加

前記ポリリン酸は、(P_nO_3n+_1)^(n+2)-(n=1〜100)で表わされる陰イオン、もしくは、(P_nO_3n)^n-(n=1〜100)で表わされる陰イオン、の少なくともいずれか一方を含有する。 - 特許庁

The glycogen synthase kinase 3β inhibitor comprises a compound represented by the general formula: S=C=N-(CH_2)_n-S(O)_m-R (wherein, R is a lower alkyl group; m is 1 or 2; and n is an integer of 2-10) as an active ingredient.例文帳に追加

一般式:S=C=N-(CH_2)_n-S(O)_m-R(Rは低級アルキル基、mは1または2、nは2〜10の整数である)で表される化合物を有効成分とすることを特徴とする。 - 特許庁

On the other hand, 2N sets of multipliers 112 extracts correction coefficients a(-N), a(-N+1), ..., a(N) from a correction coefficient storing section 113 and multiply individual correction coefficients for the respective digital signals b(-N), b(-N+1), ..., b(N).例文帳に追加

一方、2N個の乗算器112が、補正係数保存部113から補正係数a(−N)、a(−N+1)…a(N)を抽出し、それぞれのデジタル信号b(−N)、b(−N+1)…b(N)に対して個別の補正係数を乗算する。 - 特許庁

To avoid problems as described above, one would use n=1 to avoid upsetting such broken devices. 例文帳に追加

n は 1 から 8 の間で指定する。 n=1 以上の値を使用しないようにすれば、このようないかれた機械にひどい目にあわされずにすむだろう。 - JM

Error correction data for the series of data 1-n separated into respective physical storage areas are stored in the other physical storage area n+1 as data p1.例文帳に追加

各物理記憶領域に分離された一連のデータ1〜データnに対するエラー訂正データを別の物理記憶領域n+1にデータp1として格納する。 - 特許庁

The aqueous solution contains at least one kind of secondary amine compound represented by general formula [1]: R-NH-(CH_2)_n-OH.例文帳に追加

一般式〔1〕: R-NH-(CH_2)_n-OH(式中、Rは炭素数1〜4の直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基を表し、nは3〜5から選ばれる。 - 特許庁

On the other hand, a combined signal C_i (i=1, 2,..., n) from the input signal E_i (i=1, 2,..., n) is detected between the comblike electrode 2B and the facing electrode 3.例文帳に追加

一方、櫛型電極2Bと対向電極3との間では、入力電気信号E_iからの結合信号C_i (i=1, 2,…, n)も検出される。 - 特許庁

Undope GaN of 3 mm having the principal surfaces of (11-20) surfaces are formed on a substrate, then, AlN of 1 nm, n-type Al_0.25Ga_0.75N of 25 nm and n-type GaN of 50 nm are formed thereon.例文帳に追加

基板上に(1 1 -2 0)面を主面とするアンドープのGaNが3mm、その上に、AlNが1nm、n型Al_0.25Ga_0.75Nが25nm、n型GaNが50nm形成されている。 - 特許庁

例文

The n-type semiconductor substrate held between the n+ cathode layer 2 and an n+ anode layer 3 becomes an n- drift layer 1.例文帳に追加

n^+ カソード層2とn^+ アノード層3に挟まれたn型半導体基板がn^- ドリフト層1となる。 - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
  
この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。
  
Copyright 2001-2004 Python Software Foundation.All rights reserved.
Copyright 2000 BeOpen.com.All rights reserved.
Copyright 1995-2000 Corporation for National Research Initiatives.All rights reserved.
Copyright 1991-1995 Stichting Mathematisch Centrum.All rights reserved.
  
Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill.
The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License.
Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS