「n-1」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Additionally, each of the wireless devices 1 to 8 calculates "n" distances between the own device and "n" wireless devices based on the positions of own device and "n" wireless devices.例文帳に追加

そして、各無線装置１〜８は、自己の位置とｎ個の無線装置の位置とに基づいて自己とｎ個の無線装置との間のｎ個の距離を演算する。 - 特許庁

Electrodes 1, 2, 3 for applying n-phase AC voltage, where n is at least 2, are arranged on a specimen table 9, and a circuit for applying the n-phase AC voltage is arranged.例文帳に追加

試料台９に、ｎ＝２以上のｎ相交流電圧を印加する電極１、２、３を設け、ｎ相交流電圧を印加する回路を設ける。 - 特許庁

In the processes 1_-1-1_-N, horizontally polarized wave antennas 2_-1-2_-N and vertically polarized wave antennas 3_-1-3_-N are disposed alternately in order.例文帳に追加

工程１_−１〜１_−Ｎには、水平偏波アンテナ２_−１〜２_−Ｎと垂直偏波アンテナ３_−１〜３_−Ｎが順番および交互に配設されている。 - 特許庁

Frames are read from an HDD at the data speed of m/n times (m, n are integers, and m/n>1) the speed at the recording operation.例文帳に追加

ＨＤＤからフレームを記録時のｍ／ｎ倍（ｍ、ｎは整数で、ｍ／ｎ＞１）のデータ速度で読み出す。 - 特許庁

The yoke 113 has n/m number of pole tooth 115 in an angle range θ of 360°/m where (m) is a divisor of (n) except 1 and (n).例文帳に追加

ヨーク１１３は、３６０°／ｍ（ｍは１及びｎを除くｎの約数）の角度範囲θ内にぞれぞれｎ／ｍ個の極歯１１５を有する。 - 特許庁

The value 1 is added to the control variable (n) (S5), and it is determined whether a newly obtained control variable (n) is larger than N or not (S6).例文帳に追加

制御変数ｎに１を加算し（Ｓ５）、新たに得られた制御変数ｎがＮよりも大きいか否かを判別する（Ｓ６）。 - 特許庁

(In the formulae, Ph is a benzene ring such as phenyl, phenylene or the like m≥0, n≥0, m+n≥1, P≥0).例文帳に追加

Ph(OH)-[HC(Ph)-(Ph)OH)]_m[CH_2-(Ph)-CH_2-(Ph)OH]_n-H………………(2) Ph(OH)-[CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)]_p-CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)……(3) （式中Phは,フェニル、フェニレン等ベンゼン核残基であり、ｍ≧０、ｎ≧０で、ｍ＋ｎ≧１、ｐ≧０である） - 特許庁

A diode is formed by the p+ area 2, the n+ area 3, an n- substrate area 1 which is between the p+ area 2 and the n+ area 3.例文帳に追加

このｐ^+ 領域２とｎ^+ 領域３およびｐ^+ 領域２とｎ^+ 領域３に挟まれたｎ^- 基板領域１で、ダイオードが形成される。 - 特許庁

The optimum polarization state for entering each probe #n (1, ..., N) is stored as control information of the probe #n in a storage part 305.例文帳に追加

各プローブ♯ｎ（１，…，Ｎ）に入射するのに最適な偏光状態を、プローブ♯ｎの制御情報として記憶部３０５に格納しておく。 - 特許庁

The image processing apparatus stores each of lines (n-th line, (n+1)th line, (n+2)th line,...) by packing the data toward greater addresses.例文帳に追加

画素データの各ライン（ｎライン、（ｎ＋１）ライン、（ｎ＋２）ライン・・・）を番地の大きいアドレス側に詰めて格納する。 - 特許庁

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is a number of 1 to 7].例文帳に追加

Ｒ−Ｏ−（Ｃ_3Ｈ_6Ｏ_2）_n−Ｈ （Ｉ）（式中、Ｒは炭素数６〜２２の炭化水素基を、ｎは１〜７の数を示す。） - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.例文帳に追加

Ｎ^+型基板１の上に、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３、Ｎ^+型層５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The cellulose ester film contains 5-30 mass% compound expressed e.g. by formula (1); (R^n-X^n-)_n-R based on the cellulose ester.例文帳に追加

下記式（１）等で表される化合物をセルロースエステルに対し５〜３０質量％含有するセルロースエステルフィルム。 - 特許庁

Then, second characteristic data N(n), A(n), indicating an objective characteristic relative to the game character, is recognized by the control part 1.例文帳に追加

そして、ゲームキャラクタに対する客観的な特性を示す第２特性データＮ（ｎ），Ａ（ｎ）が、制御部１に認識される。 - 特許庁

Selectors 22-1-22-n are arranged corresponding to N-sets of output ports P#1-P#N of the matrix switch 21 to conduct N:1 select control.例文帳に追加

セレクタ２２−１〜２２−ｎは、マトリクススイッチ２１のＮ個の出力ポートＰ＃１〜Ｐ＃Ｎに対応して配置され、Ｎ：１のセレクト制御を行う。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ^+型４Ｈ−ＳｉＣ基板１の上に、ｎ型バッファー層２と、ｎ^-型ドリフト層３と、ｐ型ベース層５とが、この順に積層されている。 - 特許庁

N,N-bis-(2,2,6,6-tetramethylpiperidin-N-oxyl-4-yl)-amine-(meth)acrylamide compound is represented by formula (1).例文帳に追加

下記式（１）で表されるＮ，Ｎ−ビス−（２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジン−Ｎ−オキシル−４−イル）−アミン−（メタ）アクリルアミド化合物。 - 特許庁

Then, if it is determined that the error edq(n+2) is not more than the threshold eth, the subsequent voltage vector V(n+1) is used as the present voltage vector V(n).例文帳に追加

そして、以下であると判断される場合には、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）とする。 - 特許庁

When a lens group, including the air negative lens L_n, is denoted as a lens group G_n and the nearest moving group on the enlargement side of the air negative lens L_n is denoted as a lens group G_p, (1): -2.0<Fn/Fw<-0.5,例文帳に追加

ただし、Fw、Fn、Fpは各々、ワイド端でのズームレンズ全体、ワイド端での空気負レンズＬ_ｎ、レンズ群Ｇ_ｐ、の焦点距離。 - 特許庁

A MOSFET 1 is provided with an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p well 21, an n^+ source region 22, and an insulation layer 35.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。 - 特許庁

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

The phase shifter is constituted by substituting for an (n)th branch between B and C of a 90° hybrid 1 with a branch number (n) (n=4 in Fig.) by a PIN diode 2.例文帳に追加

分岐数ｎ（図ではｎ＝４）の９０度ハイブリッド１の第ｎ分岐ＢＣ間をＰＩＮダイオード２で置換して移相器とする。 - 特許庁

The photodetection part 10 included in the solid-state imaging apparatus 1 is obtained by two-dimensionally arraying the M×N pixel parts P_1,1-P_M,N in M-rows and N-columns.例文帳に追加

固体撮像装置１に含まれる受光部１０は、Ｍ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列されたものである。 - 特許庁

A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p-well 21, an n^+source region 22, and an insulating layer 35.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐウェル２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、絶縁層３５とを備えている。 - 特許庁

The N-alkyl-N'-alkoxyalkyl imidazolium salt is expressed by general formula 1 ((n) is 1-6; R1 is a 1-4C alkyl or H; R2 is a 1-12C alkyl; and A is an anion).例文帳に追加

一般式１で表されるＮ−アルキル−Ｎ’−アルコキシアルキルイミダゾリウム塩化合物。 - 特許庁

In the equation (1), n_MD is a refractive index in surface longitudinal direction, n_TD is a refractive index in surface width direction and n_ZD is a refractive index in surface vertical direction.例文帳に追加

ｆｎ＝（ｎ_MD＋ｎ_TD）／２−ｎ_ZD ・・・ 式（１）（ｎ_MDは面長手方向屈折率、ｎ_TDは面幅方向屈折率、ｎ_ZDは面垂直方向屈折率） - 特許庁

YmSiXn (1) wherein Y is an organic functional group, X is a hydrolyzed group, m and n are each an integer of 1-3, and they satisfy n+m=4.例文帳に追加

Ｙ_m ＳｉＸ_n （１） （但し、Ｙは有機官能基、Ｘは加水分解基、ｍおよびｎはそれぞれ１〜３の整数であって、ｍ＋ｎ＝４を満足する。） - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+ 型シリコン基板１の上に、ｎ^- 型シリコン層２、ｎ^+ 型シリコン層３、ｎ^- 型シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

R-CONH-(CH_2)_n-NHCO-R [1] (wherein n is an integer of 1-6; and R is a straight-chain aliphatic group).例文帳に追加

Ｒ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ_2）_n−ＮＨＣＯ−Ｒ ［１］（式中、ｎは１〜６の整数を表す。Ｒは直鎖の脂肪族基を表す。） - 特許庁

The wind number S_n is represented by M+(2^-1±2^-2 ...±2^-n) in which M is an integer and n is set as equal to or larger than four by the wind number setting means.例文帳に追加

該巻数設定手段により、Ｍを整数としたとき巻数Ｓ_ｎ をＭ＋（２^−１±２^−２・・・・・±２^−ｎ）とし、ｎを４以上に設定する。 - 特許庁

In a counting response message to be transferred from a node #5 to a node #1, a total count value n (n=2) and a node ID list (#5, #6) are registered.例文帳に追加

ノード＃５からノード＃１へ転送される計数応答メッセージには総計数値n＝２およびノードIDリスト（＃５，＃６）が登録されている。 - 特許庁

N pieces of machining cells are used for machining a workpiece, and N+1 (however, N is a number of two or more) pieces of workpiece fixtures are used for fixing the workpiece.例文帳に追加

ワークを加工するための加工セルＮ個と、ワークを固定するワーク固定治具Ｎ＋１個（但しＮの個数は２以上）とを用いる。 - 特許庁

The control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (13) or the control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (14).例文帳に追加

そしてステップ〔１３〕でプログラムアクセス（PGN #n）の制御指令が発行されるか、ステップ〔１４〕でプログラムアクセス（PGN #1）の制御指令が発行される。 - 特許庁

In formula (1), R^1 represents a heterocyclic group; R^2 represents a hydrogen atom or a substituent; X^1 represents -N= or -C(R^3)=; and R^3 represents a hydrogen atom or a substituent.例文帳に追加

〔式中、Ｒ^1はヘテロ環基を表し、Ｒ^2は、水素原子又は置換基を表す。 - 特許庁

A selector 10 fixes an output signal SEL of a cumulative addition result as 1 when the n frequency-division counter 3 becomes M_n, resets the n frequency-division counter, the n+1 frequency-division counter and the cumulative adder 7 and sets the output signal SEL as 0 when the n+1 counter 6 becomes Mn+1.例文帳に追加

セレクタ１０はｎ分周カウンタ３がＭ_ｎとなった場合に累積加算結果の出力信号ＳＥＬを１に固定し、ｎ＋１カウンタ６がＭｎ＋１となった場合にｎ分周及びｎ＋１分周カウンタ及び累積加算器７をリセットし、出力信号ＳＥＬを０に設定する。 - 特許庁

The formula (1) is expressed by N_z=(n_x-n_z)/(n_x-n_y).例文帳に追加

Ｎ_Ｚ＝（ｎ_ｘ−ｎ_ｚ）／（ｎ_ｘ−ｎ_ｙ） （１）式中、ｎ_ｘ及びｎ_ｙは、波長５５０ｎｍの光に対する面内の主屈折率を表し、ｎ_ｘ≧ｎ_ｙを満たす。 - 特許庁

The color difference data Cr(n) of the target pixel P(n) is replaced by the color difference data CrB(n) close to achromatic color (closest to 0 value) among the pixels P(n), P(n-1), and P(n+1).例文帳に追加

すなわち、注目画素Ｐ（ｎ）の色差データＣｒ（ｎ）を、画素Ｐ（ｎ）、Ｐ（ｎ−１）、Ｐ（ｎ＋１）の中で無彩色に近い（最も０値に近い）色差データＣｒＢ（ｎ）に置換する。 - 特許庁

In the order of sending bytes from the cell loss detecting circuit, a sequence number generating circuit 12 generates a sequence number N of N=N+1 in the case of no loss or of N=N+M in the case of presence of loss.例文帳に追加

シーケンス番号生成回路１２は、セル損失検出回路からのバイトの送出順に、損失が無い場合はＮ＝Ｎ＋１、損失が有る場合はＮ＝Ｎ＋Ｍのシーケンス番号Ｎを生成する。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and then a prediction current ide(n+2) and idq(n+2) are calculated in step S14 while using a subsequent voltage vector V(n+1) as the present voltage vector V(n).例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）として、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

The signal source is provided with a 1:N frequency divider (6) connected to the local oscillator, the frequency divider supplies two orthogonal square wave signals (Id and Qd) of a frequency Fo/N and here, the N is equal to 2 or 4×n and the (n) represents an integer.例文帳に追加

この信号源は：局部発振器に接続された１:Ｎ分周器（６）を備え、この分周器は周波数ｆo/Ｎの２つの直交方形波信号（Id、Qd）を供給し、ここで、Ｎは２もしくは４×ｎに等しく、ｎは整数を表す。 - 特許庁

An optical demultiplexer section 110 demultiplexes an optical signal outputted from a light source 100 into n-sets of signals, which receive intensity modulation at 1st n-th intensity modulation sections 210-1 to n on the basis of 1st to n-th input signals 1 to n.例文帳に追加

光源１００から出力された光信号は、光分岐部１１０でｎ分岐された後、第１〜第ｎの強度変調部２１０−１〜ｎにおいて、第１〜第ｎの入力信号１−ｎに基づき強度変調される。 - 特許庁

The film thickness of the organic compound layer satisfies a relationship of the following equation (1): d_1<d_2< ..., <d_n, wherein d_1 denotes the film thickness of a first organic compound layer, d_2 denotes the film thickness of a second organic compound layer, and d_n denotes the film thickness of an n-th organic compound layer.例文帳に追加

ｄ_1＜ｄ_2＜・・・＜ｄ_n （１）（式（１）において、ｄ_1は、第１有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_2は、第２有機化合物層の膜厚を表す。ｄ_nは、第ｎ有機化合物層の膜厚を表す。） - 特許庁

The GaP light emitting device 1 has a structure of laminating an n-type GaP buffer layer 11, an n-type GaP layer 12, an N dope n-type GaP layer 13, and a p-type GaP layer 14 on an n-type GaP mono-crystal substrate 10.例文帳に追加

ＧａＰ発光素子１は、ｎ型ＧａＰ単結晶基板１０上に、ｎ型ＧａＰバッファ層１１、ｎ型ＧａＰ層１２、Ｎドープｎ型ＧａＰ層１３、ｐ型ＧａＰ層１４が積層された構造を有する。 - 特許庁

When a CPU 104 can be increased in communication speed, as an automatic phase adjustment procedure, a phase shift value CLK-DLY=n is set immediately after a vertical synchronous interrupt, and when the next vertical synchronous interrupt is generated, a phase shift value CLK-=n+1 is set, and then video detection data VIDEO-DATA(n) are read.例文帳に追加

ＣＰＵ１０４の通信速度が速くできる場合、自動位相調整の手順として、垂直同期割込直後に位相シフト量CLK_DLY = nを設定し、次の割込が垂直同期発生したときに位相シフト量CLK_DLY = n+1を設定した後映像検出データVIDEO_DATA(n)を読み込む。 - 特許庁