「n-1」に関連した英語例文の一覧と使い方(156ページ目) - Weblio英語例文検索

Concerned M×(N+1) pixels on an SRAM101 are read out, smoothing is performed by a pattern matching circuit 102, the 1st line is outputted as VDATA1 by a horizontal synchronizing signal LSYNC1, and the 2nd line is temporarily stored on a FIFO memory 103 by the horizontal synchronizing signal LSYNC1 and afterwards outputted as VDATA2 by a horizontal synchronizing signal LSYNC2.例文帳に追加

ＳＲＡＭ１０１におけるの注目画素のＭ×（Ｎ＋１）画素の読み出しを行い、パターンマッチング回路１０２により、平滑化処理を行い、１ライン目は水平同期信号ＬＳＹＮＣ１によりＶＤＡＴＡ１として出力し、２ライン目は水平同期信号ＬＳＹＮＣ１により一度ＦＩＦＯメモリ１０３に蓄えられた後、水平同期信号ＬＳＹＮＣ２によりＶＤＡＴＡ２として出力する。 - 特許庁

The signal phase converter 104 creates phase information Ipm for obtaining phase modulating signals corresponding to data A of (m+1) bits that are converted from data M (multi-valued signals of n-ary) of m bits obtained by grouping the data Din into m bits and changed in value for each one clock, and outputs a control voltage Vct that is furthermore converted from the phase information Ipm.例文帳に追加

信号位相変換器１０４は、データＤinをｍビット毎に区切って得られたｍビットのデータＭ（ｎ値の多値信号）を変換した、１クロック毎に値が変化したｍ＋１ビットのデータＡに対応した位相変調信号を得るための位相情報Ｉpmを生成し、この位相情報Ｉpmをさらに変換した制御電圧Ｖctを出力する。 - 特許庁

This multi-branch optical coupler is constituted by arranging (n-1) (n: odd number larger than 7) piece of peripheral fibers around one center fiber symmetrically about the center and heating, fusing, and drawing them and each peripheral fiber is structured by alternately arranging a fiber 2 having a core and a clad and a fiber 3 having no core similarly to the center fiber 1.例文帳に追加

多分岐光カプラにおいて、１本の中心ファイバの回りにｎ−１本（ｎは７以上の奇数）の周辺ファイバが中心対称に配置され、加熱、溶融、延伸されてなり、周辺ファイバは、中心ファイバ１と同じようにコアおよびクラッドを有するファイバ２と、コアを有しないファイバ３とが互い違いに配置された構造を持つ。 - 特許庁

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を２０以下として成長させるようにした。 - 特許庁

The paste composition is a paste composition for forming a catalyst layer in which (2) a hydrogen ion conductive polymer electrolyte and (3) a solvent are blended into (1) an aqueous dispersion of catalyst carrier carbon particles, the solvent is at least one kind of solvents selected from a group composed of propylene glycol, ethylene glycol, diethylene glycol and N-methylpyrrolidone.例文帳に追加

本発明の触媒層形成用ペースト組成物は、（１）触媒担持炭素粒子の水分散液に（２）水素イオン伝導性高分子電解質及び（３）溶剤を配合した触媒層形成用ペースト組成物であって、溶剤がプロピレングリコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール及びＮ−メチルピロリドンからなる群より選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type MIS transistor 100A which is formed on a semiconductor substrate 1 and has a full silicide gate electrode 24A which is made into full silicide with nickel, and a p-type MIS transistor 100B having a full silicide gate electrode 24B which is made into full silicide with nickel.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１の上に形成され、ニッケルによりフルシリサイド化されたフルシリサイドゲート電極２４Ａを有するｎ型ＭＩＳトランジスタ１００Ａと、ニッケルによりフルシリサイド化されたフルシリサイドゲート電極２４Ｂを有するｐ型ＭＩＳトランジスタ１００Ｂとを有している。 - 特許庁

The additive is produced by a process which includes oxidizing a raw cellulosic material with an oxidizing agent in the presence of (1) an N-oxyl compound and (2) a bromide, an iodide or a mixture thereof to prepare an oxidized cellulose and subjecting the oxidized cellulose to wet pulverization to convert the cellulose into nanofibers.例文帳に追加

この添加剤は、（１）Ｎ−オキシル化合物、及び（２）臭化物、ヨウ化物又はこれらの混合物の存在下で、酸化剤を用いてセルロース系原料を酸化して酸化されたセルロースを調製し、該酸化されたセルロースを湿式微粒化処理してナノファイバー化させることを含む方法により製造される。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte cell comprises a positive pole, a negative pole capable of occluding and releasing lithium ion, and a nonaqueous electrolyte including lithium ion.例文帳に追加

正極と、リチウムイオンを吸蔵又は放出可能な負極と、リチウムイオンを含む非水電解液とからなる非水電解液電池において、前記非水電解液は、下記一般式（１）； （Ｒ^1 Ｏ）_3 Ｐ＝Ｎ−ＳＯ_2 −Ｒ^2 （１） ｛式中、Ｒ^1 はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい次式；ＣＨ_3-( ＯＣＨ_2 ＣＨ_2 ）_n-(ｎは１〜５の整数を示す）を示し、Ｒ^2 はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、又はハロゲン原子、アルコキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基を示す。 - 特許庁

In formula (1), R_1, R_2, and R_3 are each a 1 to 4C alkyl group; m is desirably an integer of 0 to 5; n is desirably an integer of 3 to 10; and M is desirably Li.例文帳に追加

工程１：下式（１）で表される化合物の存在下に、共役ジエンモノマー又は共役ジエンモノマーと芳香族ビニルモノマーとを重合させて、アルカリ金属末端を有する活性重合体を製造する工程工程２：該活性重合体と、下式（２）で表されるヘテロ環化合物を反応させて、両末端が変性された変性重合体ゴムを製造する工程式（１）において、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３はＣ１〜Ｃ４のアルキル基が、ｍは０〜５の整数が、ｎは３〜１０の整数が、ＭはＬｉが好ましい。 - 特許庁

A field effect transistor uses carbon nanotubes as channels, wherein the drain electrode and the source electrode are connected in series with a plurality of carbon nanotubes, and carbon nanotubes 1, in contact with the gate via a gate insulating layer, are doped to have an n-type or a p-type, and carbon nanotubes 2, in contact with the source and drain electrodes, are doped in a complementary fashion with the carbon nanotubes 1.例文帳に追加

本発明に係る電界効果型トランジスタは、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接しているカーボンナノチューブ１がｎ型またはｐ型にドーピングされて、ソースおよびドレイン電極と接触しているカーボンナノチューブ２がカーボンナノチューブ１とは相補的にドーピングされていることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the III-V compound semiconductor layer containing N atoms includes a step of growing semiconductor crystals constituting the III-V compound semiconductor layer on a semiconductor substrate to form an epitaxial wafer 1 and an annealing step of heat-treating the semiconductor crystals at a temperature higher than its growth temperature while applying a load to the crystals by putting a weight 104 on the epitaxial wafer 1.例文帳に追加

Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を製造する方法であって、III−Ｖ族化合物半導体層を構成する半導体結晶を半導体基板上に成長させてエピタキシャルウェハ１を形成する工程と、エピタキシャルウェハ１上におもり１０４を載せることで該半導体結晶に対して荷重を付与しつつ、該半導体結晶に対しその成長温度より高い温度で熱処理を行うアニール工程とを備える。 - 特許庁

In the general formula (1), Ar represents a substituted or unsubstituted benzothiophene ring group, naphthothiophenes ring group, dibenzothiophene ring group, thienothiophene ring group, dithienobenzene ring group, benzothiazole ring group, naphthothiazole ring group, benzoisothiazole ring group, naphthoisothiazole ring group, phenothiazine ring group, phenoxathiin ring group, dithianaphthalene ring group, thianthrene ring group, thioxanthene ring group, and bithiophene ring group, and n is 1 to 4.例文帳に追加

（上記一般式（１）中、Ａｒは、置換もしくは非置換の、ベンゾチオフェン環基、ナフトチオフェン環基、ジベンゾチオフェン環基、チエノチオフェン環基、ジチエノベンゼン環基、ベンゾチアゾール環基、ナフトチアゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、ナフトイソチアゾール環基、フェノチアジン環基、フェノキサチイン環基、ジチアナフタレン環基、チアントレン環基、チオキサンテン環基、ビチオフェン環基を示す。ｎは、１ないし４である。） - 特許庁

An RNA-protein complex 1 comprises a base RNA2 having base sequences (boxB sequence, RRE sequence) 23, 24 derived from an RNA-protein complex 1 interaction motif; and fusion proteins 3, 4 containing amino acid sequences 31, 41 derived from RNA-protein complex interaction motif binding to protein (N peptides, Rev proteins) 30, 40 and the base sequences nonconvalently and specifically.例文帳に追加

ＲＮＡ−蛋白質複合体１相互作用モチーフ由来の塩基配列（ｂｏｘＢ配列、ＲＲＥ配列）２３，２４を有する基盤ＲＮＡ２と、蛋白質（Ｎペプチド、Ｒｅｖ蛋白質）３０，４０と前記塩基配列に非共有結合的に、かつ特異的に結合するＲＮＡ−蛋白質複合体相互作用モチーフ由来のアミノ酸配列３１，４１とを含む融合蛋白質３，４とを含んでなるＲＮＡ−蛋白質複合体１。 - 特許庁

In the device 1 for adding an audio signal, when no microphone plug 1000 is inserted, the gain of an amplifier circuit in its input stage 10 can be reduced from (R1+R2)/R1 to 1, whereby the output noise level Vn can be remarkably reduced as the number of input terminals where no microphone plug is inserted is increased, thereby increasing the S/N ratio of an audio signal.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るオーディオ信号加算装置１においては、マイクロフォンのプラグ１０００が挿入されていないときには、その入力段１０における増幅回路のゲインを（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ１倍から１倍に低減することができるから、マイクロフォンのプラグが挿入されていない入力端子が多いほど、出力ノイズレベルＶｎを大幅に減らすことができ、オーディオ信号のＳＮ比を向上させることができる。 - 特許庁

A cyclic fluorine compound represented by formula [1] (wherein, n is 1-3) is reacted with a silyl enol ether compound represented by formula [2] (wheren, R^1, R^2 and R^3 are each a 1-10C alkyl group or a 6-10C aryl group) in the presence of fluoride ions.例文帳に追加

ただし、式中、ｎは１〜３、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ^４は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基又は炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ^５とＲ^６は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基若しくは炭素数６〜１０のアリール基、又は、Ｒ^４とＲ^５若しくはＲ^５とＲ^６が、−（ＣＨ_２）ｍ−でつながった環状構造、ｍは、１〜８である。 - 特許庁

In the liquid droplet discharging head 1 for discharging the sample solution, a portion of the inner wall of the liquid droplet discharging head 1, that is brought into contact with the sample solution, is coated with a copolymer including a hydrophilic homopolymer or a hydrophilic monomer, including 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, N-vinyl pyrrolidone, polyethylene glycol, polyethylene glycol acrylate, or polyethylene glycol methacrylate, and the like.例文帳に追加

試料溶液を吐出するための液滴吐出ヘッド１であって、液滴吐出ヘッド１の内壁のうち、試料溶液が接触する部位が、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールアクリレート又はポリエチレングリコールメタクリレート等を含む親水性ホモポリマー又は親水性モノマーを含むコポリマーにより被覆されている液滴吐出ヘッドにより課題を解決する。 - 特許庁

To provide an oxide catalyst which can exhibit a high selectivity for especially (meth)acrylic acid and (meth)acrylonitrile and can persist in that property.例文帳に追加

式(1) のＭｏ_1Ｖ_aＳｂ_bＮｂ_cＺ_dＯ_n・・(1) （式中、Ｚはタングステン、クロム、チタン、アルミ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、硼素、インジウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、ビスマス、イットリウム、ガリウム、希土類元素、アルカリ土類金属の１種以上の元素を表し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｎはＭｏに対するＶ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｚ、Ｏの原子比を表し、０．１≦ａ＜０．４、０．１＜ｂ≦０．４、０．０１≦ｃ≦０．３、０≦ｄ≦１であり、但し、ａ＜ｂであり、ｎは他の元素の原子価によって決まる数である。）で表される組成を含む、プロパン又はイソブタンの気相接触酸化反応または気相接触アンモ酸化反応に用いる酸化物触媒。 - 特許庁

A lithium ion conductive material includes compound represented by a formula (1) (in the formula, n is an integer of 0 or 1; R1, R2, R3 and R4 are each hydrogen atom, or 1-5 alkyl radical).例文帳に追加

リチウムイオン導電性物質中に式（１）で表される化合物を含有し、（ａ）式（１）で表される化合物のＲ^１ ，Ｒ^２ ，Ｒ^３ およびＲ^４ であらわされる置換基のうち、いずれか１つのみがアルキル基であるか、（ｂ）負極構成材料の一部としてカルボキシル基または水酸基を有する化合物を含有するか、（ｃ）非水電解液として、プロピレンカーボネートおよびエチレンカーボネートの混合溶媒に、低粘度溶媒として鎖状カーボネートを含有するかのいずれかの構成を有するリチウム二次電池とした。 - 特許庁

The photosensitive layer contains at least one of the compounds shown by formula (I), wherein R^1 and R^4 each represent H, alkyl or aryl; R^2 represents halogen, alkyl or alkoxy; R^3 represents H, alkyl, aryl or a heterocyclic group; n represents an integer of 0 to 5; X represents O or S; and a substituent of each group is halogen, aryl or alkoxy.例文帳に追加

感光層が、下記一般式（Ｉ）、（式（Ｉ）中、Ｒ^1およびＲ^4は、水素原子、アルキル基、またはアリール基を表し、Ｒ^2は、ハロゲン原子、アルキル基、またはアルコキシ基を表し、Ｒ^3は水素原子、アルキル基、アリール基、または複素環基を表し、ｎは０〜５の整数を表し、Ｘは酸素原子またはイオウ原子を表し、置換基はハロゲン原子、アリール基またはアルコキシ基を表す）で示される化合物の少なくとも一種を含有する。 - 特許庁

The dialog device 2 obtains the latest current information through a communication network N from a current information providing server 1 storing various current information, updates the dialog information for dialog with the user, which is previously stored in a storage device 26, according to the latest current information obtained from the current information providing server 1, and responds to asking from the user according to the latest dialog information stored in the storage device 26.例文帳に追加

対話装置２は、各種時事情報を格納している時事情報提供サーバ１から、通信ネットワークＮを介して最新の時事情報を取得し、記憶装置２６に予め格納されていた、ユーザと対話を行うための対話情報を、時事情報提供サーバ１から取得した最新の時事情報に基づいて更新し、ユーザからの問いかけに対して、記憶装置２６に格納された最新の対話情報に基づいて応答する。 - 特許庁

To provide a method for preparing an acid addition salt of a quinazolinone compound with a higher purity by inhibiting production of an N-oxide form of quinazolinone.例文帳に追加

式（２）（式中、環Ａ^1はベンゼン環等を、Ｒ^1、Ｒ^2は水素原子等を、Ｘは酸素原子等を、Ｙはアルキル基等を表わす。Ｚ’は下記式（式中、Ｗは炭素数１〜６のアルキレン基を、Ｒ^3、Ｒ^4は水素原子等を表わす。）で示される基等を表わす。）で示されるキナゾリノンのＮ−オキシド体の生成をより抑え、より純度よく式（１）（式中、環Ａ^1、Ｒ^1、Ｒ^2、ＸおよびＹは上記と同一の意味を表わし、Ｚは下記式（式中、Ｗ、Ｒ^3およびＲ^4は上記と同一の意味を表わす。）で示される基または下記式（式中、環Ａ^2およびＲ^5は上記と同一の意味を表わす。）で示される基を表わす。）で示されるキナゾリノン化合物の酸付加塩を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The polymer semiconductor includes a polythiophene having an M_n from about 1,000 to about 400,000 Daltons and is derived from benzodithiophene monomer segments shown in a structural formula (1) and at least one divalent linkage providing compound selected from the group consisting of an aromatic or heteroaromatic electron acceptor compound (X) and an aromatic or heteroaromatic compound (Y) and combinations thereof.例文帳に追加

ポリマー半導体は、ポリチオフェンを含み、前記ポリチオフェンは、約１，０００から約４０万ダルトンのＭ_ｎを持ち、構造式（１）で示されるベンゾジチオフェンモノマーセグメントと、芳香族または複素環式芳香族電子受容体化合物（Ｘ）、芳香族または複素環式芳香族化合物（Ｙ）、およびこれらの組み合わせから成る群より選ばれる、少なくとも１つの二価結合基となる化合物と、から誘導され、式中、Ｒ_１およびＲ_２は、水素原子、炭化水素基、ヘテロ原子、およびこれらの組み合わせから成る群より独立して選ばれる側鎖である。 - 特許庁

The modified pyrroloquinoline quinone glucose dehydrogenase of which the 99-th amino acid residue G of pyrroloquinoline quinone glucose dehydrogenase (PQQGDH) represented by SEQ ID NO 1, or the hundredth amino acid residue G of pyrroloquinoline quinone glucose dehydrogenase (PQQGDH) represented by SEQ ID NO 3 is replaced with the amino acid sequence TGZN (in this formula, Z is SX, S or N; and X is an arbitrary amino acid residue).例文帳に追加

配列番号１で表されるピロロキノリンキノングルコース脱水素酵素（ＰＱＱＧＤＨ）の９９番目のアミノ酸残基Ｇまたは配列番号３で表されるピロロキノリンキノングルコース脱水素酵素（ＰＱＱＧＤＨ）の１００番目のアミノ酸残基Ｇが、アミノ酸配列：ＴＧＺＮ（式中、ＺはＳＸ、ＳまたはＮであり、Ｘは任意のアミノ酸残基である）で置き換えられている、改変型ピロロキノリンキノングルコース脱水素酵素が開示される。 - 特許庁

The output buffer 3 is formed by using a P channel transistor 1 as a transistor which inputs an input signal at its gate electrode and the source potential of an N channel transistor forming a NAND gate 8 as a precedent-stage driver is switched by a switch circuit 11 to make the level of the signal inputted to the gate electrode of the P channel transistor lower in a test than in normal use.例文帳に追加

出力バッファ３を、入力信号がそのゲート電極に入力されるトランジスタにＰチャネルトランジスタ１を用いて形成し、前段ドライバとしてのＮＡＮＤゲート８を形成しているＮチャネルトランジスタのソース電位を、スイッチ回路１１で切り替えることにより、上記Ｐチャネルトランジスタのゲート電極に入力される信号のレベルを、テスト時には通常使用時よりも低いレベルとするようにしたものである。 - 特許庁

The cationic resin aqueous solution is obtained by reacting a poly(N-alkyldiallylamine)-acid adduct with an epihalohydrin, further reacting an inorganic acid with the product, and converting the epoxy group into a halohydrin group, and has <1% content of DCP in 20% of a solid component of the cationic resin aqueous solution.例文帳に追加

ポリ（Ｎ−アルキルジアリルアミン）酸付加塩とエピハロヒドリンを反応させ、ついで無機酸を反応させ、ついでエポキシ基をハロヒドリン基に転化させて得られる陽イオン性樹脂水溶液の固形分２０％におけるＤＣＰの含有量が１％未満であり、かつ、上記樹脂水溶液と塩基を反応させた樹脂を使用して得られる紙が下記式で求められる紙の湿潤引張強さ残留率（ＪＩＳ Ｐ−８１３５に基づく測定）が１５％以上となることを特徴とする陽イオン性樹脂水溶液。 - 特許庁

There are provided the billet for the seamless steel tube which contains ≤0.05% C, 0.10 to 1.00% Si, 0.1 to 1.5% Mo, 20.0 to 30.0%例文帳に追加

C≦0.05%、Si：0.10〜1.00%、Mn：0.1〜1.5%、Cr：20.0〜30.0%、Ni：5.0〜11.0%、Mo：2.5〜4.0%、Al：0.001〜0.100%およびN：0.05〜0.50%を含有し、残部がＦｅおよび不純物からなり、不純物中のS≦0.010%、P≦0.040%であって、ビレット半径をR_0、ビレットの穴繰り半径をX、ビレット横断面の中心から任意の偏析部位置までの距離をR、該位置でのMoの偏析度をSとしたとき、ビレットに穴繰り加工を施さない場合は(1)式の関係を満足し、また、穴繰り加工を施す場合は、(2)式の関係を満足する継目無鋼管用ビレット、および該ビレットを用いて製造された継目無鋼管である。 - 特許庁

The electroconductive polymer has a structure of formula (1) (wherein R is an alkyl group having ≥4 carbon atoms which is bound to the β-carbon in a thiophene ring; X and X' are each independently an element chosen from the group consisting of H, Cl and Br; and n is the repeating number of thiophene rings).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される構造を有する導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．４以下であり、重量平均分子量（Ｍｗ）から求められるチオフェン環の平均繰り返し数（ｎ）が３０以上８６以下であり、且つ、隣り合うアルキルチオフェン環同士の結合様式の９２％以上が立体規則性を示すようにする。 - 特許庁

The developing solution for the photosensitive lithographic printing plate used after the photosensitive lithographic printing plate is image exposed is an alkali aqueous solution containing at least a compound represented by general formula (1) :R_1-O-(R_2-O)_n-SO_3^-X^+.例文帳に追加

アルミニウム支持体上に、少なくとも付加重合可能なエチレン性不飽和結合を含有する化合物、光重合開始剤、及び高分子結合材からなる光重合型感光性樹脂組成物の感光層を有する感光性平版印刷版を画像露光した後使用する感光性平版印刷版用現像液が、少なくとも下記一般式（１）で表される化合物を含有するアルカリ水溶液であることを特徴とする感光性平版印刷版用現像液。 - 特許庁

An image-pickup region formed by a photo diode 1, a vertical transfer channel 2, and a vertical transfer electrode 98 on it, and a wiring region formed by a wiring 6 for applying a vertical transfer electrode voltage formed at the periphery of the image-pickup region are provided on an N-type silicon wafer 11.例文帳に追加

Ｎ型シリコン基板１１上に、フォトダイオード１と垂直転送チャネル２とその上の垂直転送電極９が形成された撮像領域と、この撮像領域の外周部であって、垂直転送電極電圧印加用配線６の形成された配線領域とを備え、撮像領域では、Ｎ型シリコン基板１１と垂直転送電極９との間にシリコン窒化膜１６が形成され、配線領域ではＮ型シリコン基板１１と垂直転送電極９との間にはシリコン窒化膜１６が形成されていない。 - 特許庁

These crystal polymorphs of β phase, γ phase, δ phase, and εphase are obtained by acting a solvent selected from the group consisting of diethylene glycol dimethyl ether, N-methyl pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, dimethylacetamide, and dimethylformamide on a compound represented by formula (1), or a tautomer, cis/trans isomer, or tautomeric cis/ trans isomer, and reprecipitating it.例文帳に追加

ジエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、ジメチルアセトアミド及びジメチルホルムアミドから成る群より選択される溶媒を、式（１） で表される化合物、又は式（１）で表される化合物の互変異性体、シス／トランス異性体もしくは互変異性シス／トランス異性体に作用させ、再沈殿させることにより、ベータ相、ガンマ相、デルタ相及びエプシロン相の結晶多形が得られる。 - 特許庁

In the lithium ion secondary battery, a nonaqueous electrolyte contains 10 ppm or more of cyclic siloxane represented by (1), fluorosilane represented by (2), a compound represented by (3), a compound having S-N bonding, a nitrate, a nitrite, a monofluorophosphate, difluorophosphate, an acetate and/or a propionate; and a negative active material contains a metal oxide containing titanium capable of absorbing and releasing lithium ions.例文帳に追加

非水系電解液が（１）で表される環状シロキサン、（２）で表されるフルオロシラン、（３）で表される化合物、Ｓ−Ｆ結合を有する化合物、硝酸塩、亜硝酸塩、モノフルオロリン酸塩、ジフルオロリン酸塩、酢酸塩及び／又はプロピオン酸塩を１０ｐｐｍ以上含有し、負極活物質がリチウムを吸蔵、放出が可能であるチタンを含有する金属酸化物を含有する負極活物質であるリチウムイオン二次電池。 - 特許庁

This sputtering target, having 1×10^-4 to 1.5×10^4 Ω.cm for electrical resistivity at 25°C, is obtained by sintering a raw material mixture, containing substantially ZnS and at least one dopant element selected from the group consisting of Al, In, Ag, Cu, N, Li, Na and Cl.例文帳に追加

実質的にＺｎＳと、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ、Ｌｉ、Ｎａ及びＣｌからなる群から選択される少なくとも１種のドーパント元素とを含有する原料混合物を焼結して得られるターゲットであって、該ターゲットの２５℃における電気抵抗率が１×１０^−４〜１．５×１０^４Ω・ｃｍであることを特徴とする、ＤＣスパッタリングの可能な光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット、さらには、これらを用いて作成した光ディスク保護膜により提供。 - 特許庁

This aqueous suspension state agrochemical composition contains the ethyl=2-chloro-5-(4-chloro-5-difluoromethoxy-1-methylpyrazol-3-yl)-4-fluorophenoxyacetate and isopropylammonium=N-(phosphonomethyl) glycinate, further the surfactant, and 1 kind or ≥2 kinds selected from the group consisting of potassium sulfite, hydrogen potassium sulfite, rongalite, sodium dithionite, cysteine and 1-thioglycerol as additives.例文帳に追加

エチル＝２−クロロ−５−（４−クロロ−５−ジフルオロメトキシ−１−メチルピラゾール−３−イル）−４−フルオロフェノキシアセタート及びイソプロピルアンモニウム＝Ｎ−（ホスホノメチル）グリシナートを含有し、さらに界面活性剤、及び亜硫酸カリウム、亜硫酸水素カリウム、ロンガリット、亜ジチオン酸ナトリウム、システイン及び１−チオグリセロールからなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を添加物として含有する農薬水性懸濁状組成物。 - 特許庁

In the moving image decoding apparatus comprising the variable length decoding processing part 102 for performing the decoding processing of the moving image compression encoded data, the motion compensation processing part 103 and a control part 101 for controlling the processing parts, the control part 101 sets the control parameter of the motion compensation of the (N+1)th macroblock to the motion compensation processing part 103.例文帳に追加

動画像圧縮符号化データの復号処理を行う可変長復号処理部１０２と、動き補償処理部１０３と、これらの処理部を制御する制御部１０１とを備えた動画像デコード装置において、可変長復号処理部１０２によるＮ番目のマクロブロックの復号処理と並行して、制御部１０１が動き補償処理部１０３に対してＮ＋１番目のマクロブロックの動き補償の制御パラメータ設定を行う。 - 特許庁

A molecular compound is prepared from a tetrakisaryl compound represented by the general formula [X is (CH2)n or p-phenylene; Y is hydroxy, carboxy, or optionally substituted amino; and R1 and R2 are each H, a lower alkyl, optionally substituted phenyl, a halogen, or a lower alkoxy] and a polymer having hydrogen bonding sites such as a polyether, a polyalcohol, or a polyamine.例文帳に追加

一般式（式中、Ｘは、（ＣＨ_2）ｎ又はｐ−フェニレン基を表し、Ｙは、水酸基、カルボキシル基、置換基を有してもよいアミノ基を表し、Ｒ^1、Ｒ^2は、それぞれ水素原子、低級アルキル基、置換されていてもよいフェニル基、ハロゲン原子、又は低級アルコキシ基を示す。）であらわされるテトラキスアリール系化合物と、ポリエーテル類、ポリアルコール類、ポリアミン類などの水素結合部位を有するポリマーとから分子化合物を調製する。 - 特許庁

In the oscillation start detection circuit for detecting oscillation start when transmitting output from an oscillation inverter 1 to an internal circuit, a transmission gate 11 where output from the oscillation inverter 11 is inputted is provided, thus utilizing a dead zone voltage that is generated by applying middle potential to the gate of the P-channel type MOS transistor and the N-channel type MOS transistor of the transmission gate 11.例文帳に追加

本発明は、発振インバータ１からの出力を内部回路に伝達する際の発振開始を検知する発振開始検知回路において、前記発振インバータ１からの出力が入力されるトランスミッションゲート１１を設け、当該トランスミッションゲート１１のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲートに中間電位を印加することにより発生する不感帯電圧を利用するものである。 - 特許庁

The surface acoustic wave filter comprises first and second IDT electrodes juxtaposed on a piezoelectric substrate, and a multi-strip coupler and a grating reflector, spaced apart from the first and second IDT electrodes where the distance D between the centers of the first and second IDT electrodes and a period P of the first and second IDT electrodes satisfy the relation D=nP+P/4 (n=0, 1, 2...).例文帳に追加

圧電基板に第１及び第２ＩＤＴ電極を併置すると共に、該第１及び第２ＩＤＴ電極と距離をおいてマルチストリップカップラーとグレーティング反射器とを配置した弾性表面波フィルタであって、前記第１及び第２ＩＤＴ電極の中心間距離Ｄが第１及び第２のＩＤＴ電極の電極周期Ｐの Ｄ＝ｎＰ＋Ｐ／４ （ｎ＝０，１，２，・・） として弾性表面波フィルタを構成する。 - 特許庁

The optical guide G has a semiconductor lower guide layer 11 having an undoped first lower portion 11a adjoining the central area and an n-type doped second lower portion 11b adjoining the lower coating layer 1, and an upper semiconductor guide layer 12 having an undoped first upper portion 12a adjoining the central area and a p-type doped second upper portion 12b adjoining the upper coating layer 2.例文帳に追加

光学ガイドＧはさらに、中央領域に隣接するドープされていない第１の下方部分１１ａと、下方被覆層に隣接するｎ型のドープされた第２の下方部分１１ｂとを有する半導体下方ガイド層１１と、中央領域に隣接するドープされていない第１の上方部分１２ａと、上方被覆層に隣接するｐ型のドープされた第２の上方部分１２ｂとを有する半導体上方ガイド層１２とを有する。 - 特許庁

A remote machine 100 for collecting local machine logs from a plurality of local machines 3001-300n equipped with memories 3201-320n for storing local machine logs generated due to prescribed generation factors through a network N is provided with a CPU 110 for collecting the local machine logs stored in a memory 3201 of the local machine 3001 only when the priority of the local machine 3001 is higher than preset priority.例文帳に追加

所定の発生要因により生成されるローカルマシンログを格納するメモリ３２０_1 〜３２０_n をそれぞれ備える複数のローカルマシン３００_1 〜３００_n からネットワークＮを介してローカルマシンログを収集するリモートマシン１００は、たとえば、ローカルマシン３００_1 の優先度が、あらかじめ設定された優先度以上である場合にのみ、当該ローカルマシン３００_1 のメモリ３２０_____1 に格納されたローカルマシンログを収集するＣＰＵ１１０を備えている。 - 特許庁

The high strength thick steel plate having excellent arrest properties in the Z direction has a chemical composition comprising 0.01 to 0.12% C, ≤0.50% Si, 0.4 to 2% Mn, ≤0.05% P, ≤0.008% S, 0.002 to 0.05% Al, ≤0.01%例文帳に追加

C：0.01〜0.12％、Si≦0.50％、Mn：0.4〜2％、P≦0.05％、S≦0.008％、Al：0.002〜0.05％、N≦0.01％、Nb：0.003〜0.1％を含み、〔C＋（Mn／6）＋（Cu／15）＋（Ni／15）＋（Cr／5）＋（Mo／5）＋（V／5）〕：0.32〜0.40を満たし、残部はFeと不純物の化学組成を有し、板厚中心部における有効結晶粒径≦25μmで、C断面における板厚1／4位置を中心として、Z方向で特定長さを有する任意の直線と交差する有効結晶粒の粒界数NzとC方向で前記と同じ特定長さを有する任意の直線と交差する有効結晶粒の粒界数Ncとの比Nz／Ncが1.05以上のＺ方向のアレスト特性に優れた高強度厚肉鋼板。 - 特許庁

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light.例文帳に追加

基板１の上面に、ＧａＡｓ系化合物半導体の単結晶薄膜から成るｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５を積層してなる発光素子２を備え、該発光素子２に通電しながら活性層４内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子２を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子２の活性層４に、Ｚｎを不純物として１×１０^19個／ｃｍ^3〜２×１０^20個／ｃｍ^3の密度でドーピングする。 - 特許庁

In the general formula (I), Q_1 represents aryl which may have a substituent; Q_2 represents arylene which may have a substituent; M represents a counter ion; X represents H, 1-18C alkyl which may have a substituent (nonadjacent carbon atoms in the alkyl may be replaced by oxygen atoms), methacryl or acryl; m represents an integer of 1 or 2; and n represents an integer of 1-4.例文帳に追加

ただし、一般式（Ｉ）において、Ｑ_１は、置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｑ_２は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表し、Ｍは、対イオンを表し、Ｘは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基（アルキル基中の隣接しない炭素原子が酸素原子に置き換わっていてもよい）、メタクリル基、又はアクリル基を表し、ｍは、１又は２の整数を表し、ｎは、１〜４の整数を表す。 - 特許庁

This silicon single crystal ingot is characterized by pulling it out using Czochralski method from a molten silicon liquid 7 obtained by doping nitrogen N to a polysilicon, having 1×1013-1.2×1015 atoms/cm3 nitrogen concentration and setting ≤200 min passing time through 1,100-700°C temperature zone for solving the unevenness of the BMD density on the wafer surface caused by the OSF ring.例文帳に追加

ポリシリコンに窒素をドーピングしたシリコン融液からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その結晶中の窒素濃度は１×１０^１３〜１．２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、結晶育成中に結晶が体験する１１００〜７００℃の温度領域の通過時間を２００分以下となるようにし、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。 - 特許庁

This method for producing the conjugate comprises (a) incubating the first polypeptide in the presence of a heterobifunctional crosslinker comprising an N-hydroxysuccinimide ester group and maleimide group connected through a polyethylene oxide spacer and represented by formula (1), (b) removing the excessive heterobifunctional crosslinker and then (c) incubating the reactional product in the step (b) with the second polypeptide comprising at least one sulfhydryl group.例文帳に追加

(ａ) 上記第一のポリペプチドを、ポリエチレンオキシドスペーサーを介して連結した下記式（１）のＮ−ヒドロキシスクシンイミドエステル基及びマレイミド基からなるヘテロ二機能性クロスリンカーの存在下にインキュベートし、(ｂ) 過剰のヘテロ二機能性クロスリンカーを除去し、ついで(ｃ) 工程（ｂ）の反応生成物を少なくとも１個のスルフヒドリル基からなる上記第二のポリペプチドとインキュベートする。 - 特許庁

Wherein A is a fluorine-containing polymerizable monomer; n is an integer of 0-2; m is an integer of ≥1; Y is H or F; T is carbonyl; and R_f is a fluoropolymer group and optionally combined with another chain of the fluorocarbon polymeric composition having hydrophilic functional groups.例文帳に追加

式：−［Ｒ_ｆ］_ｔ−Ｔ−ＣＨ_２−Ｔ−Ｒ_ｆ”−Ｔ−ＣＨ_２−Ｔ−［Ｒ_ｆ］_ｔ−の親水性官能基を有し、それぞれのＲ_ｆ基を介して式：のフルオロカーボンポリマー組成物のＣＹと共有結合している架橋フルオロカーボンポリマー組成物（Ａは、フッ素含有重合性モノマー；ｎは０〜２の整数；ｍは１以上の整数；Ｙは水素又はフッ素であり；Ｔはカルボニルであり；Ｒ_ｆはフルオロポリマー基であり親水性官能基を有する前記フルオロカーボンポリマー組成物の別の鎖と任意に結合する）。 - 特許庁