「n-1」に関連した英語例文の一覧と使い方(150ページ目) - Weblio英語例文検索

The element structure comprises a sapphire C face substrate 1, a GaN buffer layer 11 grown under a low temperature, an undoped GaN layer 12, an Si doped n-GaN contact layer 21, a multiple quantum well MQW emission layer 3 having a plurality of well layers, an Mg doped p-AlGaN clad layer 22, and an Mg doped p-GaN contact layer 23.例文帳に追加

素子構造は、サファイアＣ面基板１、低温成長されたＧａＮバッファ層１１、無添加のＧａＮ層１２、Ｓｉ添加のｎ-ＧａＮコンタクト層２１、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層３、Ｍｇ添加のｐ-ＡｌＧａＮクラッド層２２、Ｍｇ添加のｐ-ＧａＮコンタクト層２３からなる。 - 特許庁

The transparent film is composed of 50-99 wt.% N-substituted maleimide-olefin copolymer having a specific structure and having ≥1×10^3 and ≤5×10^6 number-average molecular weight and 50-1 wt.% graft-modified 1,3-butadiene-styrene copolymer rubber obtained by grafting a styrene-acrylonitrile copolymer to 1,3-butadiene-styrene copolymer rubber particles.例文帳に追加

特定の構造を有する数平均分子量が１×１０^３以上５×１０^６以下であるＮ−置換マレイミド・オレフィン共重合体５０〜９９重量％、及び、１，３−ブタジエン・スチレン共重合体ゴム粒子にスチレン・アクリロニトリル共重合体をグラフト化してなるグラフト変性１，３−ブタジエン・スチレン共重合体ゴム５０〜１重量％からなる透明性フィルム。 - 特許庁

The drink bottle sterilizing apparatus 1 has a characteristic wherein sterilizing lamps 5 emitting high power pulse beams and a bottle transfer device 3 for transferring works such as the bottles B to effective irradiation areas of the lamps are provided and sterilization is made efficiently around the mouth/neck part N by ultraviolet rays and heat while discharge tubes 11 are effectively cooled down by operating winds of cooling units 4.例文帳に追加

また飲料ボトルの殺菌装置１は、高出力のパルス光を放出する殺菌ランプ５と、ランプの有効照射範囲にボトルＢ等のワークを移送するボトル移送装置３とを具え、紫外線と熱とによって口頸部Ｎの全周を効率的に殺菌し、照射中、放電管１１は冷却ユニット４の作動風によって効果的に冷却されることを特徴とする。 - 特許庁

In the GPS receiver for receiving signals from satellites 30(1) to 30(N) that are spectrum-diffused by diffusion codes of respective satellite, capturing accuracy of the GPS receiving signal is improved, by averting the effects in a transitional state, when starting a vehicle-mounted apparatus 19, measuring only the noise level of the ambient environment correctly and determining the threshold stably and correctly.例文帳に追加

衛星ごとの拡散コードによりスペクトラム拡散された衛星３０（１）〜３０（Ｎ）からの信号を受信するＧＰＳ受信機において、車載機器１９の立ち上がり時の過渡的な状態での影響を回避し、周囲環境のノイズレベルのみを正確に計測してしきい値レベルを安定かつ正確に決定し、ＧＰＳ受信信号の捕捉制度を向上するようにしたものである。 - 特許庁

A mask 11 for selective growth is formed on a sapphire substrate 1 as a substrate for growth, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order on an AlN buffer layer 2, and a mixed doped GaN layer 6a is formed on the p-type GaN layer 6.例文帳に追加

成長用基板であるサファイア基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されており、ｐ型ＧａＮ層６上には混合ドープＧａＮ層６ａが形成される。 - 特許庁

The control gate electrode 6 is formed in the laminated structure of an n-type polysilicon film 21a and a p-type polysilicon film 19a, and the p-type polysilicon film 19a is formed in the region sandwiched by the adjacent floating gate electrodes 4 to fill the region lower than the location at least on the principal front surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

そのコントロールゲート電極６は、ｎ型ポリシリコン膜２１ａとｐ型ポリシリコン膜１９ａとの積層構造とされ、ｐ型ポリシリコン膜１９ａは、隣接するフローティングゲート電極４によって挟まれた領域において、少なくとも半導体基板１の主表面の位置から下方の領域を充填するように形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 20 has an internal circuit 1 including an NMOS transistor 31, and an electrostatic protection circuit including a protection element 41 having a p-type well diffusion region 11 and a pair of n-type regions 12a and 12b opposed to each other at a predetermined mutual interval in the p-type well diffusion region 11.例文帳に追加

この半導体装置２０は、ＮＭＯＳトランジスタ３１を含む内部回路１と、ｐ型ウェル拡散領域１１と、そのｐ型ウェル拡散領域１１内において互いに所定の間隔を隔てて対向する一対のｎ型領域１２ａおよび１２ｂとを有する保護素子４１を含む静電気保護回路２とを備えている。 - 特許庁

The photosensitive composition for volume hologram recording contains organic-inorganic hybrid polymers which are prepared by copolymerization of organic silicon compounds expressed by general formula (1): RmSi(OR')n and organic monomers having ethylenically unsaturated double bonds as the structural components of the main chains, and/or their hydrolyzed polymerization condensation products organic metal fine particles having photopolymerizable reactive groups and a photopolymerization initiator.例文帳に追加

主鎖構成成分として下記一般式（１）で表記される有機ケイ素化合物とエチレン性不飽和二重結合を有する有機モノマーとを共重合させてなる有機−無機ハイブリッドポリマー及び／又はその加水分解重縮合物、光重合反応性基を有する有機金属微粒子、及び、光重合開始剤を含有する体積型ホログラム記録用感光性組成物である。 - 特許庁

After a p-type GaAlAs active layer 2 and an n-type GaAlAs clad layer 3 are successively subjected to liquid phase epitaxial growth on a p-type GaAs substrate 1 installed in a liquid phase epitaxial growth apparatus, heat treatment for raising the temperature again in the liquid phase epitaxial growth apparatus is directly carried out to manufacture the epitaxial wafer.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。 - 特許庁

In this field emission electron source 10, an electron injected from the n-type silicon substrate 1 is drift in the strong electric field drift part 6 and is emitted through the surface electrode 7 by disposing the surface electrode 7 in a vacuum and applying a direct current voltage to the surface electrode 7 treated as a positive electrode relative to the ohmic electrode 2.例文帳に追加

この電界放射型電子源１０では、表面電極７を真空中に配置し、表面電極７をオーミック電極２に対して正極として直流電圧を印加することにより、ｎ形シリコン基板１から注入された電子が強電界ドリフト部６をドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

In formula (1), n is an average value and is a positive number of 0-10; G is a glycidyl group; Rs are each independently a hydrogen atom, a 1-10C hydrocarbon group, or a halogen atom; a plurality of ms are each independently an integer of 0-3; and X is a hydrogen atom or a glycidyl group.例文帳に追加

式（１）（式中、ｎは平均値を示し、０〜１０の正数を表す。Ｇはグリシジル基を示し、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、またはハロゲン原子を示す。複数あるｍはそれぞれ独立して０〜３の整数を示す。Ｘは水素原子またはグリシジル基を示す。）で表されるエポキシ樹脂を合成し、これらを含むエポキシ樹脂組成物を調製し、これを硬化させることによる。 - 特許庁

This internal initializing circuit is provided with a voltage source 1, mutually serially connected plural P channel transistors 31-3n connecting respective sources with a well and commonly connecting gates to a ground part 2 and an N channel transistor 4 connecting a drain and a gate to the drain of the P channel transistor 3n.例文帳に追加

内部初期化回路において、電圧源１と、それぞれのソースとウエルとが接続されるとともにゲートが共通に接地部２に接続されている互いに直列に接続された複数のＰチャネルトランジスタ３_１〜３_ｎと、Ｐチャネルトランジスタ３_ｎのドレインにドレインおよびゲートが接続されたＮチャネルトランジスタ４とを備える。 - 特許庁

This method for producing 3,4-dimethoxybenzenethiol of formula (3) is characterized by reacting sulfur monochloride with 3,4-dimethoxybenzene of formula (1) to give bis(3,4-dimethoxyphenyl)polysulfide of general formula (2) ((n) is an integer of ≥2) and reducing the bis(3,4-dimethoxyphenyl)polysulfide.例文帳に追加

一塩化硫黄と下記式（１）； で表される３，４−ジメトキシベンゼンとを反応させて下記一般式（２）； （式中、ｎは２以上の整数を表す。）で表されるビス（３，４−ジメトキシフェニル）ポリスルフィドとなし、次いで前記ビス（３，４−ジメトキシフェニル）ポリスルフィドを還元することを特徴とする下記式（３）； で表される３，４−ジメトキシベンゼンチオールの製造方法。 - 特許庁

The image forming device is provided with the fixing device 6, a running state discrimination means 7 which discriminates the running state of a recording material 1 rushing to the fixing nip area N of the fixing device 6, and a control means 8 which controls at least the nip attitude varying mechanism 3 of the fixing device 6 on the basis of discrimination information from the running state discrimination means 7.例文帳に追加

また、上述した定着装置６と、この定着装置６の定着ニップ域Ｎに突入する記録材１の走行状態を判断する走行状態判断手段７と、この走行状態判断手段７からの判断情報に基づいて定着装置６の少なくともニップ姿勢変動機構３を制御する制御手段８とを備えた画像形成装置をも対象とする。 - 特許庁

A metal thin film 110 is formed on the back face 1b with the irregularity formed thereon, and thereafter a drain electrode 11 including a silicide layer 111 is formed by irradiating the back face 1b side of the n^+ type substrate 1 with laser light in a condition where the product of photon energy and laser output is set to 1,000-8,000 eV mJ/cm^2.例文帳に追加

そして、凹凸が形成された裏面１ｂ上に金属薄膜１１０を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂ側に光子エネルギーとレーザ出力の積が１０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以上かつ８０００ｅＶ・ｍＪ／ｃｍ^2以下となるような条件でレーザ光を照射することでシリサイド層１１１を含むドレイン電極１１を形成する。 - 特許庁

In the case of N<M, the flag F=1 is set and the electrostatic charging state of toners for colors is beforehand restored only when the number L of image formation times in the monochromatic mode after the previous image formation (including the formation of reference patterns for image stabilization regulation) in the color mode is greater than a prescribed value P (Yes in S402 and No in S403).例文帳に追加

Ｎ＜Ｍである場合には、Ｍ≦２Ｎで、かつ、前回にカラーモードでの画像形成（画像安定化調整用の基準パターンの形成含む）後のモノクロモードでの画像形成回数Ｌが所定値Ｐよりも大きい場合にのみ（Ｓ４０２でＹｅｓ、Ｓ４０３でＮｏ）フラグＦ＝１にし、カラー用トナーの帯電状態を事前に回復させておく。 - 特許庁

The filter coefficient of the filter 1 is set to a simple positive integer, the sum of the filter coefficients is set equal to or lower than a level number of a multi- level D/A converter 2 in a latter stage, to eliminate arithmetic rounding errors, and by setting the re-quantized noise to be zero, superior S/N ratio, the dynamic range or total harmonics distortion rate.例文帳に追加

低域通過デジタルフィルタ１のフィルタ係数を簡単な正整数とし、フィルタ係数の総和を後段のマルチレベルＤ／Ａ変換器２のレベル数以下として演算丸め誤差をなくし、再量子化雑音をゼロとすることにより、優れたＳＮ比やダイナミック・レンジ、全高調波ひずみ率を得る。 - 特許庁

There is provided a thermoelectric element module 1 in which an n-type semiconductor 2 and a p-type semiconductor 3 are alternately connected by electrodes 4, 5 at ends of the semiconductors 2, 3 so as to be electrically in series, characterized in that the electrode 4 at the elevated temperature side contacts with the semiconductors 2, 3 through a plurality of contact projections 6 provided on a front surface of the electrode 4.例文帳に追加

ｎ型及びｐ型の半導体２，３がそれら端部で電極４，５によって電気的に直列となるよう交互に接続された熱電素子モジュール１において、高温となる側の電極４が、電極４の表面に設けられた複数の接触突起部６を介してこれら半導体２，３と接触していることを特徴とする熱電素子モジュール１を提供する。 - 特許庁

The ink jet printer 1 monitors residual quantity of ink in each ink cartridge and judges whether a first ink cartridge of ink end exists or not, and whether a second ink cartridge where the residual quantity of ink is less than S×(N-1) exists or not (N: number of loaded ink cartridges, S: quantity of ink being consumed by each ink cartridge every time when the ink cartridge is replaced).例文帳に追加

インクジェットプリンタ１は、各インクカートリッジのインク残量を監視し、インク切れの第１のインクカートリッジの有無の判別と、インク残量がＳ・（Ｎ−１）未満の第２のインクカートリッジの有無を判別する（Ｎ：装着されているインクカートリッジの個数、Ｓ：インクカートリッジの交換毎に各インクカートリッジで消費されるインク消費量）。 - 特許庁

In the conversion coefficient generation step, generated 2^N intermediate values are inputted, one intermediate value out of the m-th pair (m=1 to 2^N-1) of intermediate values determined in accordance with the conversion rule is weighted by the m-th weight coefficient and the weighted intermediate value is converted to generate the m-th pair of conversion samples.例文帳に追加

上記変換係数生成ステップは、生成された２^Ｎ個の中間値を入力とし、上記変換規則に従って定まった第ｍ対（ｍ＝１〜２^Ｎ−１）の中間値のうちの１つの中間値を第ｍ番目の重み係数で重み付けした上で変換演算を行い、第ｍ対の変換サンプルを生成する。 - 特許庁

The decorative sheet is obtained by applying an embossed pattern 4 to a sheet, which has a resin layer formed from a raw material based on a polypropylene resin wherein a boiling n-heptane extraction residual ratio or isotactic pendant ratio is 60-90%, by thermal embossing and the initial bending modulus of the resin layer 1 before thermal embossing formed from the raw material based on the polypropylene resin is 500-1,000 MPa.例文帳に追加

沸騰ｎーヘプタン抽出残率もしくはアイソタクティックペンタッド分率が６０〜９０％であるポリプロピレン樹脂を主成分とする原料から製膜された樹脂層１を具備するシートに熱エンボスにより凹凸模様４が施されおり、ポリプロピレン樹脂を主成分とする原料から製膜された熱エンボス前の前記樹脂層１の初期曲げ弾性率が５００〜１０００ＭＰａである。 - 特許庁

The excessive increase of Vch2 is prevented by modifying the voltage applied to string select line and/or to the bit line BL, or the pass voltage Vpass applied to the unselected word lines WL<i+1 through WL<n->, only if the selected word line WL <i> location (i) is equal or greater than a predetermined location number (x).例文帳に追加

選択ワードラインＷＬ＜ｉ＞の位置ｉが予め決定、又は記憶された位置ナンバｘより大きい、或いは同一である場合に、第２ローカルチャンネルＣｈ２電位の過度な上昇は、ストリング選択ライン、ビットラインＢＬ、又は非選択ワードラインＷＬ＜ｉ＋１〜ＷＬ＜ｎ−＞に印加されるパス電圧Ｖｐａｓｓを調整することによって防止される。 - 特許庁

A V-ribbed belt 1 includes a twine core 4 of 4,000 to 8,000 total deniers of a polyester fiber filament group, whose main group unit is ethylene-2,6-naphthalate, twined together, a belt tensile elastic modulus of 22,000 to 30,000 N/ribs, and 5 to 20 pts.wt. of a cotton short fiber in a compressed part 6.例文帳に追加

Ｖリブドベルト１がエチレン−２，６−ナフタレートを主たる構成単位とするポリエステル繊維フィラメント群を撚り合わせた総デニール数４，０００〜８，０００の撚糸の心線４をもち、２２，０００〜３０，０００Ｎ／リブのベルト引張弾性率を有し、さらに圧縮部に綿短繊維を５〜２０重量部含有したＶリブドベルトである。 - 特許庁

As for the inkjet printer with a nozzle check function 1, when middle reliability and low reliability are set as reliability of nozzle check, nozzle check is not performed basically during consecutive label printing for a plurality of labels, but counted number N of passing times in consecutive printing exceeds first and second passing-time thresholds N1 and N2, interruption for nozzle check is performed even in the middle of printing.例文帳に追加

ノズルチェック機能付きインクジェットプリンタ１では、ノズルチェックの信頼度として中間信頼度、低信頼度が設定されている場合には、基本的に、複数枚の連続ラベル印刷中にノズルチェックが行われないが、連続印刷のカウントパス数Ｎが第１、第２パス閾値Ｎ１、Ｎ２を超えると、印刷途中であってもノズルチェックの割り込みが掛かる。 - 特許庁

This Pachinko game machine 1 equipped with prize ball discharging control means controlling operation of a prize ball unit is to be provided with a control content of effecting an increase in prize balls for paying out the number of balls more than an initially determined number N, when more than a plurality of game balls hit general prize winning holes 30a to 30d within an effective time for prize ball increase.例文帳に追加

賞球ユニットの作動を制御する賞球排出制御手段が備えられたパチンコ遊技機１にあって、賞球増加有効時間内に、一般入賞口３０ａ〜３０ｄに複数個以上の遊技球が入賞した場合には、初期規定個数Ｎより多い数の賞球を払い出す賞球増加を行う制御内容を備えることとした。 - 特許庁

The mobile phone terminal is constituted so as to change automatically the mode (mode A, mode B, mode C, ..., mode N, ...) of the mobile phone terminal after inputting the password code in accordance with the contents of a plurality of certification information of password code 2_1, 2_2, ..., 2_n and used when releasing the security lock of the mobile phone terminal 1.例文帳に追加

開示される携帯電話端末は、携帯電話端末１のセキュリティロックの解除時に利用する複数登録されている暗証コード２_１，２_２，・・・，２_ｎの認証情報の内容に応じて、暗証コード入力後の携帯電話端末の動作時のモード（モードＡ，モードＢ，モードＣ，・・・，モードＮ，・・・）を自動的に変更するように構成されている。 - 特許庁

The ZnSe-based light-emitting element formed on a compound semiconductor substrate 1 has an active layer 4, positioned between an n-type ZnMgSSe clad layer 3 and a p-type ZnMgSSe clad layer 6 and has a barrier layer 5, having a band gap larger than the band gap of the p-type ZnMgSSe clad layer between the active layer 4 and the p-type ZnMgSSe clad layer 6.例文帳に追加

化合物半導体基板１に形成され、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間に位置する活性層４を備え、活性層４とｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層６との間にｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するバリア層５を有する。 - 特許庁

Mountain climbing type AF scanning is performed so as to focus, thereafter, AF data near around the focal position is fetched, then, the mean value of the data is calculated, and the difference of the successively fetched AF data from the mean value is calculated, and it is discriminated whether the difference exceeds or below change decision levels 1 (n×δ) and 2 (m×δ).例文帳に追加

山登りでＡＦスキャンを行い、合焦した後、その合焦位置近辺のＡＦデータを取り込んで平均化した値を算出し、この平均値に対し、順次取り込んでいるＡＦデータの差分量を算出し、その差分量が変化判定レベル１（ｎ×δ），２（ｍ×δ）に対し大きいか否かの判断を行う。 - 特許庁

A herbicide comprising a herbicidal triazolinone compound represented by general formula (1) (wherein, X and Y may be same or different and are each a halogen atom, a lower alkyl group, a lower haloalkyl group, a lower alkoxy group or a lower haloalkoxy group; and n and m represent each an integer of 0 or 1-5) as an active ingredient is applied in the direct sowing cultivation of the paddy rice.例文帳に追加

水稲の直播栽培において、一般式（１） （ＸおよびＹは同一または相異なってもよく、ハロゲン原子、低級アルキル基、低級ハロアルキル基、低級アルコキシ基、低級ハロアルコキシ基であり、ｎおよびｍは０または１〜５の整数を示す）で示される除草性トリアゾリノン化合物を有効成分として含有する除草剤を施用する。 - 特許庁

Disclosed is a high-strength thick steel plate having a chemical composition comprising 0.01 to 0.12% C, ≤0.50% Si, 0.4 to 2% Mn, ≤0.05% P, ≤0.008% S, 0.002 to 0.05% Al, ≤0.01%例文帳に追加

C：0.01〜0.12％、Si≦0.50％、Mn：0.4〜2％、P≦0.05％、S≦0.008％、Al：0.002〜0.05％、N≦0.01％、Nb：0.003〜0.1％、残部はFeと不純物からなる化学組成で、〔C＋（Mn／6）＋（Cu／15）＋（Ni／15）＋（Cr／5）＋（Mo／5）＋（V／5）〕：0.32〜0.40％、板厚中心部において、フェライト組織分率≧80％、有効結晶粒径≦25μmで、しかも、板厚1／4位置における45゜方向の（321）面、（211）面及び（110）面のＸ線強度比の和と板厚中心部における45゜方向の（321）面、（211）面及び（110）面のＸ線強度比の和との算術平均値が3.3以下である高強度厚肉鋼板。 - 特許庁

In the monitoring device for monitoring a plant on the basis of measured data obtained by an on-site measurement device 1 placed on each site in a plant, a noise measurement system 9 is provided, wherein electromagnetic noise N on each site in the plant is detected and each level is determined, and if it is determined that any noise level has exceeded a prescribed acceptable level, the fact is notified.例文帳に追加

プラントの各現場に設置の現場計測器１で得られる計測データに基づいてプラントの監視を行うようになっているプラント監視装置について、プラントの各現場における電磁的なノイズＮを検出するとともにそのレベルを判定できるようにされ、その判定でノイズが所定の許容レベルを超えているとされた場合にそのことを報知するようにされたノイズ計測系９を設ける。 - 特許庁

Immediately before the execution of a calendar process by a pair of calendar rolls 2 made of a combination of metal rolls, the tension of 10 to 500 N/mm^2 (per unit sectional area) is applied in the width direction of a traveling magnetic recording medium raw sheet, and the magnetic recording medium raw sheet 1 is used for the calendar process in the state of substantially no wrinkles.例文帳に追加

金属ロール同士の組み合わせからなる一対のカレンダーロール２にてカレンダー加工する直前に、走行する磁気記録媒体原反１の幅方向に１０〜５００Ｎ／ｍｍ^2（単位断面積当り）の張力を付与して、磁気記録媒体原反１を実質的にシワのない状態で前記カレンダー加工に供する。 - 特許庁

A radio information providing system 1 is composed of a GS server 10a installed in each of a plurality of gas stations and connected to a network N by a high-speed cable communication line and a client terminal 20a connected to the GS server 10a by a wireless communication network within the prescribed area of each of gas stations.例文帳に追加

本発明に係る無線情報提供システム１によれば、複数のガソリンスタンドに設置され、高速な有線通信回線によりネットワークＮに接続されたＧＳサーバ１０ａと、前記ガソリンスタンドの所定エリア内において、無線通信ネットワークによりＧＳサーバ１０ａに接続されたクライアント端末２０ａとから構成される。 - 特許庁

In addition, the lookahead part 44 adjusts the data transfer size when the audio data of m pieces of channels (m is an integer of 1-n) is transferred between the external memory 1 and the buffer memory 45 depending on m pieces of channels processed by the arithmetic unit 30 among the audio data of n pieces of channels.例文帳に追加

さらに、先読み部４４は、ｎ個のチャネルのオーディオデータのうち演算装置３０によって処理されるｍ個のチャネル（ただし、ｍは１以上、ｎ以下の整数）に応じて、ｍ個のチャネルのオーディオデータを外部メモリ１とバッファメモリ４５の間で転送する際のデータ転送サイズを調整する。 - 特許庁

A fuse reset signal FRST is directly supplied to program circuits 40-0 to 40-n out of program circuits 40-0 to 40-2n to which a defective address is programmed, and a delay fuse reset signal FRST1 generated in a delay circuit 36 is supplied to program circuits 40-(n+1) to 40-2n.例文帳に追加

不良アドレスがプログラムされた各プログラム回路４０−０〜４０−２ｎのうち、プログラム回路４０−０〜４０−ｎにはヒューズリセット信号ＦＲＳＴを直接供給し、プログラム回路４０−ｎ＋１〜４０−２ｎには遅延回路３６にて生成した遅延ヒューズリセット信号ＦＲＳＴ１を供給する。 - 特許庁

The steel strip consisting of martensitic steel comprises, by weight, ≤0.12% C+N, ≤1% Si, ≤7% Mn, 2 to 24% Ni, 2 to 16% Cr and ≤2.5% Mo.例文帳に追加

マルテンサイト系鋼からなる鋼帯において、重量％で、Ｃ＋Ｎ：０．１２％以下、Ｓｉ：１％以下、Ｍｎ：７％以下、Ｎｉ：２〜２４％、Ｃｒ：２〜１６％、Ｍｏ：２．５％以下とし、各成分の重量百分率で表した下記の式で定義されるＮｉ−Ｂａｌ値およびＭｓ値をそれぞれ、Ｎｉ−Ｂａｌ≧１．２、Ｍｓ≧−２８とする。 - 特許庁

Each of the network mail substitution means 41, 42,..., 4n corresponds to any one of the work stations 1, 2,..., n and the control means 40 makes individual mail substitution means corresponding to the work station to be a mail transmitting source and the work station to be a transmission destination to execute the substitutive processing of mail exchange processing.例文帳に追加

ネットワークメール代行手段４１，４２，…，４ｎはいずれかのワークステーション１，２，…，ｎに対応し、ネットワーク制御手段４０は、メールの送信元のワークステーションおよび送信先のワークステーションに対応するネットワークメール代行手段間で、メール交換処理の代行処理を実行させる。 - 特許庁

In the nitride based semiconductor light emitting element 1 comprising an n-type semiconductor layer 103, a light emitting layer 104, a p-type semiconductor layer 105, metal film layers 108 and 109, and a plating metal plate 110 formed in this order, the metal film layers and the plating metal plate are formed partially on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

少なくともｎ型半導体層１０３、発光層１０４、ｐ型半導体層１０５、金属膜層１０８，１０９、メッキ金属板１１０がこの順序で積層されてなる窒化物系半導体発光素子１において、前記金属膜層、及び前記メッキ金属板が前記ｐ型半導体層上に部分的に形成された構成としている。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

Serial data 101 inputted to a data distribution circuit 1 are distributed to one of n pieces of the cells for which 512 bits are one unit on this memory 3 specified by an address 102 and the data are stored in the address specified by a bit address generator 2 for moving the address by one bit each by a clock 102.例文帳に追加

データ振分け回路１に入力されたシリアルデータ１０１をアドレス１０２で指定されたメモリ３上の５１２ビットを一単位としたｎ個のセルのうちの一つのセルに振分け、クロック１０２によって１ビットずつアドレスを移動するビットアドレス発生器２の指定するアドレスにデータを格納する。 - 特許庁

By providing digital multipliers 2 and 2' between a mapping circuit 1 for converting transmission data to a required QAM modulation system and the digital/analog converters 4 and 4' and multiplying a predetermined coefficient to the data to be transmitted, the input level of the digital/analog converter is raised and thus, the S/N of the spectrum of modulator output is improved.例文帳に追加

伝送データを所要のＱＡＭ変調方式に変換するマッピング回路１とディジタル−アナログ変換器４、４' 間にデジタル乗算器２、２' を設け、伝送するデータに予め定めた係数を掛け合わせることでディジタル−アナログ変換器の入力レベルを上げ、これによって、変調器出力のスペクトラムのＳ／Ｎ比を向上せしめることを特徴とする。 - 特許庁

A data pad row P is formed by arranging a train of data pads 1, 2,..., n in a straight line and a plurality of data latch circuits 21 which latch signals from the data pads is arranged in an area 20 between two straight line 11 and 12 which are drawn through both ends of the pad row P perpendicularly to the row P.例文帳に追加

複数のデータパッド１、２、……、ｎを一直線上に並べてデータパッド列Ｐを形成し、前記データパッド列Ｐの両端上を通り列Ｐに直角な２本の直線１１と１２に挟まれる領域２０内に前記データパッドからの各信号をラッチする複数のデータラッチ回路２１を配置する。 - 特許庁

A thin film is formed by a PECVD method etc., using, as a raw material, a cyclosiloxane composition comprising a cyclosiloxane compound expressed by general formula (1) (where R represents an alkyl group of a straight chain or branch chain with C1-3, and (n) represents 3 or 4) and a nitrone derivative or nitroxide radical derivative.例文帳に追加

一般式（１）（式中、Ｒは炭素数１〜３の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｎは３または４を示す）で表される環状シロキサン化合物、およびニトロン誘導体またはニトロキシドラジカル誘導体から成る環状シロキサン組成物を原料として、ＰＥＣＶＤ法等により薄膜を製造する。 - 特許庁

A transcoder 1 calculates a reference conversion coefficient α_1 based on a ratio of an overall target bitrate T of a second stream and an input overall bitrate S of a first stream and calculates a variation coefficient from the overall target bitrate T of the second stream and an output average bitrate C_n of the converted second stream in an Nth term.例文帳に追加

トランスコーダ１は、第２のストリーム全体の全体目標ビットレートＴと第１のストリーム全体の入力全体ビットレートＳとの比に基づいて基準変換係数α_１を算出し、第２のストリーム全体の全体目標ビットレートＴと、第Ｎ期間の変換済みの第２のストリームの出力平均ビットレートＣ_ｎとから変動係数を算出する。 - 特許庁

When the host 2 reads the sector data, a data switching means 11 outputs (N + 1)th sector data (sector data read by a host computer in the next place) read out of the second memory to the error correcting means, simultaneously when outputting Nth sector data read out of the first memory to a system bus.例文帳に追加

ホスト２がセクタデータをリードするときには、データ切換手段１１において、第１のメモリから読み出したＮ番目のセクタデータをシステムバスに対し出力すると同時に、第２のメモリから読み出したＮ＋１番目のセクタデータ（ホストコンピュータが次にリードするセクタデータ）をエラー訂正手段に対し出力する。 - 特許庁