「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The nitride semiconductor device includes a nitride semiconductor stacked layer structure 5 in which an n^+-type GaN substrate 1, n^--type GaN layer 2, p-type GaN layer 3, and n^+-type GaN layer 4 are stacked in this order.例文帳に追加

この窒化物半導体素子は、ｎ^+型ＧａＮ基板１と、ｎ^-型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ^+型ＧａＮ層４が順に積層されてなる窒化物半導体積層構造部５とを備えている。 - 特許庁

Next, regarding a plurality of detected parts in an image indicated by the image information of the n-th page acquired in the step S3, the image information of the n-th page is compared with the image information about the (n+1)th page (a step S4).例文帳に追加

次に、ステップＳ３で取得したｎ枚目の画像情報で示される画像内の複数の検出箇所に関して、ｎ枚目の画像情報とｎ＋１枚目の画像情報とを比較する（ステップＳ４）。 - 特許庁

When a thread is generated in a processor of a processor 100-n's own (1≤n≤N) and the thread is the first one in a process, the processor 100-n generates a parallel execution time table 202 peculiar to the above process on a main storage device 200.例文帳に追加

プロセッサ１００−ｎ（１≦ｎ≦Ｎ）は、自プロセッサでスレッドが生成されると、それがプロセス中の最初のスレッドであれば、主記憶装置２００上に上記プロセス固有の並列実行時間テーブル２０２を生成する。 - 特許庁

Each nozzle is moved back and forth to shift n pieceses of moving loci drawn by n sets of solution supply nozzles practically by 1/n cycle in the transporting direction 30 in accordance with the transportation of the glass ribbon.例文帳に追加

ガラスリボンの搬送に伴ってｎ個の溶液供給ノズルにより描かれるｎ個の移動軌跡２１，２２が、搬送方向３０について実質的に１／ｎ周期ずつずれるように各ノズルを往復動させる。 - 特許庁

A p-type well region 4 and an n+ type drain region 2, away from each other, are formed in an n-type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11, and an n+ type source region 3 is formed in the p-type well region 4.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内には、ｐ形ウェル領域４と、ｎ^^^+形ドレイン領域２とが離間して形成され、ｎ^+形ソース領域３がｐ形ウェル領域４内に形成されている。 - 特許庁

When N/W number data is inputted by a scanner from an N/W label sheet in which plural bar codes are arranged (S109), whether the N/W number data of the same place exists in a memory table is discriminated (S111).例文帳に追加

複数のバーコードが配置されているＮ／ＷラベルシートからスキャナによりＮ／Ｗ番号データが入力された時は（S109）は、メモリテーブルに同地のＮ／Ｗ番号データが存在するかどうかの判別を行うようにする（S111）。 - 特許庁

A predetermined bit pattern recorded in a magnetic disk is composed of a first pattern of a cycle N (N is an even number) including eight magnetization reversals within one cycle and a second pattern subjected to magnetization reversal in each N/2 bit.例文帳に追加

前記磁気ディスクに記録された所定のビットパターンは、１周期内に８個の磁化反転を含む周期Ｎ（Ｎは偶数）の第１のパターンと、Ｎ／２ビット毎に磁化反転する第２のパターンとから構成される。 - 特許庁

On the top layer of the main surface 3a, an N well region 33 includes the drain N^+ region 32, and is formed deeper than the drain N^+ region 32 in the region in contact with the base P region 30.例文帳に追加

主表面３ａでの表層部においてＮウエル領域３３がドレインＮ^+領域３２を含むとともにベースＰ領域３０と接する領域にドレインＮ^+領域３２よりも深く形成されている。 - 特許庁

In this production process for 2,2,6,6-tetramethyl-piperidinne-N- oxyl, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine-N-oxyl is used as a catalyst in the oxidation of N-unsubstituted 2,2,6,6-tetramethyl piperidine with hydrogen peroxide.例文帳に追加

Ｎ−非置換−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンの過酸化水素による酸化において、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシルを触媒として使用する２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル化合物の製造方法。 - 特許庁

Switch sections 5 (fuses 10-1 to 10-n) connect each of the plurality of nodes 3-1 to 3-(n+1) in the probe test, and each of the plurality of nodes 3-1 to 3-(n+1) is separated in the product state.例文帳に追加

スイッチ部５（ヒューズ１０−１〜１０−ｎ）は、プローブテスト時に複数の電源ノード３−１〜３−（ｎ＋１）の各々を接続し、製品時に複数の電源ノード３−１〜３−（ｎ＋１）の各々を分離する。 - 特許庁

The DMOS transistor contains an n^+ diffusion layer 21d as a source, a p-type diffusion layer 17e as a back gate region, and an n-type diffusion layer 67 in a low concentration as a drain and an n^+ diffusion layer 21e in a high concentration.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタは、ソースとなるｎ^＋拡散層２１ｄと、バックゲート領域となるｐ型拡散層１７ｅと、ドレインとなる低濃度のｎ型拡散層６７および高濃度のｎ^＋拡散層２１ｅとを含む。 - 特許庁

Two or more n pieces of first to n-th artifacts are set in the operation space of a moving mechanism having parameters to be calibrated.例文帳に追加

校正対象のパラメータを有する運動機構の操作空間内に、２以上のｎ個の第１乃至第ｎアーティファクトを設置する。 - 特許庁

Consequently, the image data of the different areas can be taken in parallel to be transferred to the memory blocks 0-N(3-0 to 3-N).例文帳に追加

したがって、異なる領域の画像データを並行して取り込んでメモリブロック０〜Ｎ（３−０〜３−Ｎ）に転送することが可能となる。 - 特許庁

The n-type GaN layer 15 in a hexagonal pyramid shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the opening part of the growth mask.例文帳に追加

成長マスクの開口部におけるｎ型ＧａＮ層１２上に六角錐形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる。 - 特許庁

To provide an optical bus in which the structure of branches is simple, an n-to-n bidirectional communication is possible, and a lot of transmission paths are unnecessary.例文帳に追加

分岐路の構造が簡単で多くの伝送路を必要としないｎ対ｎの双方向通信が可能な光バスを提供する。 - 特許庁

The illuminating device is constituted of n LEDs, which are disposed side by side by (n/6) from an A1 row to an A6 row in an up-and-down direction.例文帳に追加

照明装置をｎ個のＬＥＤで構成し、上下方向にＡ１列からＡ６列まで（ｎ／６）個ずつ並べて配設する（図４）。 - 特許庁

There are provided connected bodies E with quantity of n (n: Integer of two or more) formed by connecting one battery cell (b) with one capacitor cell (c) in parallel.例文帳に追加

１つのバッテリセルｂと１つのキャパシタセルｃとを並列に接続してなる結合体Ｅをｎ個（ｎは２以上の整数）備える。 - 特許庁

A light emission device is provided with a plurality of LEDs 3a, 3b, and 3c which are arrayed in a matrix of n×m (n, m; positive integers) pieces.例文帳に追加

ｎ個×ｍ個（ｎ、ｍは、それぞれ正の整数）のマトリクス状に配列された複数の各ＬＥＤ３ａ、３ｂ、３ｃを設ける。 - 特許庁

The n-type impurities are made to diffuse from the glass film 29 to the p-base region 24, and an n^+ source region 25 is formed in a self aligned manner.例文帳に追加

ガラス膜２９からｐベース領域２４へｎ型不純物を拡散させて、ｎ^+ソース領域２５をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

In the method for multiplication, 2n' bit multiplication utilizing n' bit multiplication and n' bit addition is used for the multiplication on the subfield of the finite field.例文帳に追加

本発明は、有限体の部分体上の乗算に、ｎ’ビット乗算と、ｎ’ビット加算を利用して２ｎ’ビット乗算を用いる。 - 特許庁

To provide a composition for an n-type thermoelectric element acquiring an n-type thermoelectric element of which electric conductivity in a low temperature region is good.例文帳に追加

低温域における電気伝導性が良好なｎ型熱電素子を得ることができるｎ型熱電素子用組成物を提供する。 - 特許庁

In the silicon layer 4, an NPN transistor (composed of a p-type well region 6, an n+-type region 7, and a deep n+-type region 10) is formed.例文帳に追加

ｎ^- 型シリコン層４にはＮＰＮトランジスタ（ｐウェル領域６、ｎ^+ 型領域７、ディープｎ^+ 領域１０）が形成されている。 - 特許庁

Hereafter in the same manner, comparison is sequentially performed up to the n-th event, and when the n-th event coincides, a result signal 11 is outputted from the counter 9.例文帳に追加

以下同様に順次第ｎイベントまで比較され、第ｎイベントが一致するとカウンタ９から結果信号１１が出力される。 - 特許庁

In a reception data control unit 20, on the other hand, final N-bit data transmitted by M times of transmission are received as transmission data of N bits.例文帳に追加

一方、受信データ制御部２０では、Ｍ回に分けて送信された最後のＮビットデータをＮビットの送信データとして受信する。 - 特許庁

When the number of multiplexing is N, it is possible to reduce an instantaneous noise power to 1/N, and to suppress the deterioration in the quality of a radio line.例文帳に追加

多重数をＮとした時に瞬時的な雑音電力を１／Ｎに減じることができ、無線回線の品質低下を抑制する。 - 特許庁

In the case of the nut N being coated with resin, a spring holding type sensor pin pressed by the nut N is provided at the front face of the conduction sensor.例文帳に追加

ナットＮが樹脂コートされている場合には、導通センサの前面にナットＮにより押圧されるスプリング保持式のセンサピンを設ける。 - 特許庁

In "β=α" or "β=α+n", after "β=α+n" is displayed, then β may be rapidly subtracted from "β=α" to be displayed.例文帳に追加

「β＝α」又は「β＝α＋ｎ」で、「β＝α＋ｎ」を表示した後で「β＝α」にβを急に減じて表示することもある。 - 特許庁

By contrast, the duty D_1(N) and the duty D_3(N) are made asymmetric with respect to a line in a direction orthogonal to the straight line.例文帳に追加

これに対して、前記直線に直交する方向の線に関しては、デューティＤ_1（Ｎ）とデューティＤ_3（Ｎ）は非対称となっている。 - 特許庁

Accordingly, the audio data corresponding to the frame number (N+1) and subsequent frames can be played backed continuously from the frame number N, which are stored in the audio cache memory 4a.例文帳に追加

よって、オーディオキャッシュメモリ４ａに格納された第Ｎフレームに連続して、第（Ｎ＋１）フレーム以降の音声データを再生できる。 - 特許庁

During oversampling, an N-bit digital value of an analog signal is obtained at an N time step in first A/D conversion processing.例文帳に追加

オーバーサンプリングを行う際に、１回目のＡ／Ｄ変換処理では、Ｎ回のステップでアナログ信号についてＮビットのデジタル値を求める。 - 特許庁

In a location information database 41, the location information IDs "10-1" to "10-n" and charging information 41-1 to 41-n are stored.例文帳に追加

位置情報データベース４１には、位置情報ＩＤ“１０−１”〜“１０−ｎ”と課金情報４１−１〜４１−ｎとが格納されている。 - 特許庁

The housing 2 has a plurality of openings 7 formed in the shape of a matrix, totaling to M×N (both M and N are integers of 2 or larger).例文帳に追加

筐体２は、各面にＭ×Ｎ個（Ｍ、Ｎとも２以上の整数）のマトリックス状に形成された複数の開口７を有する。 - 特許庁

To obtain an apelin which can be used for preventing and treating various diseases by cleaving a peptide bond of a fused protein which is prepared by linking a (modified) apelin to the N-terminal of a protein having cysteine in its N-terminal.例文帳に追加

新規生理活性ペプチド（アペリン）を工業的かつ大量に製造するのに有利な製造法を提供する。 - 特許庁

The dehydrogenation and isomerization of the n-butane are carried out in the one stage by using a catalyst comprising a chromium compound supported on a zirconia-based oxide superacid.例文帳に追加

ジルコニア系酸化物超強酸にクロム化合物を担持させた触媒を用いて、n-ブタンの脱水素・異性化を一段で行わせる。 - 特許庁

To provide a method for producing homoallyl alcohol or homoallyl hydrazide, comprising allylating a ketone or an N-acylhydrazone in the presence of a catalytic amount of indium.例文帳に追加

触媒量のインジウムを用いてケトン又はN-アシルヒドラゾンをアリル化するホモアリルアルコール又はホモアリルヒドラジドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A slab having a composition containing ≤0.02% Al and 0.0050 to 0.0250% N, and in which N/Al is controlled to ≥0.3 is subjected to hot rolling so as to satisfy FDT: ≥800°C and is thereafter coiled at CT: ≤750°C.例文帳に追加

Al：0.02％以下、Ｎ：0.0050〜0.0250％を含み、かつＮ／Alを0.3 以上としたスラブをFDT ：800 ℃以上とする熱延後、CT：750 ℃以下で巻き取る。 - 特許庁

In this constitution, capacitance of the n-MOS 301, 302 is set to smaller capacitance than capacitance of the n-MOS 205, 204.例文帳に追加

この構成において、ｎ−ＭＯＳ３０１、３０２の容量は、ｎ−ＭＯＳ２０５、２０４の容量よりも小さく設定されている。 - 特許庁

The CCD sensor having (N) lines (N is a natural mumber of 100 or more) of pixels enabling TDI in a line traversing direction is prepared.例文帳に追加

行横断方向にＴＤＩ動作が可能なＮ行（Ｎは１００以上の自然数）の画素を有するＣＣＤセンサを準備する。 - 特許庁

Then the client PC 1002 deletes a key pair consisting of an n-th encryption key and the n-th decryption key included in the business form data 300.例文帳に追加

そして、帳票データ３００に含まれているｎ回目の暗号鍵とｎ回目の復号鍵とからなる鍵ペアを削除する。 - 特許庁

Further, a voltage limit transistor 404-n-m is given, and a potential applied to the write-in transistor 401-n-m is relaxed.例文帳に追加

さらに電圧制限トランジスター４０４−ｎ−ｍを付与し、書込みトランジスター４０１−ｎ−ｍに印加される電位を緩和する。 - 特許庁

An n^+ type semiconductor region 18 is formed in a part of the n^- type semiconductor layer 14 above the thick film dielectric layer 38.例文帳に追加

厚膜誘電体層３８の上方においてｎ^−型半導体層１４の一部にｎ^＋型半導体領域１８を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type impurity area 26 constituting a collector area, in a prescribed depth from a surface of an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１の表面から所定の深さに、コレクタ領域を構成するｎ型の不純物領域２６を備える。 - 特許庁

An n-side electrode 17 with a pin hole 17a formed in its center part is formed on the n-type semiconductor layer 13 and the reflection layer 16.例文帳に追加

ｎ型半導体層１３および反射層１６上に中央部にピンホール１７ａを有するｎ側電極１７を形成する。 - 特許庁

When n≥N is not satisfied, a transportation means is travelled by X seconds in S7 and dirt of the transportation means is removed by the cleaning card.例文帳に追加

ｎ≧Ｎではないと、Ｓ７において搬送手段をＸ秒だけ走行させクリーニングカードによって搬送手段の汚れを除去する。 - 特許庁

In data communication mode, an FIR filter 61 generates a false echo signal y(n) by using the determined filter coefficient w_i(n).例文帳に追加

データ通信モードにおいて、ＦＩＲフィルタ−６１は、決定されたフィルタ係数ｗ_i（ｎ）を用いて、擬似エコー信号ｙ（ｎ）を生成する。 - 特許庁