「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

When corresponding points of feature points included in one of the matching images cannot be extracted from the other matching image, the block images adjacent in the parallax generation direction are combined to specify new block images 61a (m, (n-1)-(n+1)), 62a (m, (n-1)-(n+1)), respectively.例文帳に追加

そして、一方のマッチング画像に含まれる特徴点の対応点が、他方のマッチング画像から抽出できなかった場合には、視差の発生方向に隣接するブロック画像同士を結合し、新たなブロック画像６１ａ（ｍ、（ｎ−１）−（ｎ＋１））、６２ａ（ｍ、（ｎ−１）−（ｎ＋１））をそれぞれ規定する。 - 特許庁

The green laminate is such a laminate as to be a piezoelectric device after baking, in which n (n is integer of three or larger) pieces of plate-like piezoelectric sheets of piezoelectric materials, (n-1) pieces of plate-like internal electrodes, and n pieces of plate-like adhesive layers are stacked in a stacking direction.例文帳に追加

グリーン積層体は、ｎ枚（ｎは３以上の整数）の圧電材料からなる平板状の圧電シートと、（ｎ−１）枚の平板状の内部電極と、ｎ枚の平板状の接着層と、が積層方向に積層された、焼成後に圧電デバイスとなる積層体である。 - 特許庁

A protective diode, wherein an N-well (drain N-well) 11 for protective measures is formed in the drain of an N-channel MOS transistor to be used for electrostatic breakdown measures of a semiconductor device, and a guard ring N-well 17 surrounding the protective diode are formed in a P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置の静電破壊対策として使用するためのＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレインに保護対策用のＮウェル（ドレインＮウェル）１１をいれた保護ダイオードと、この保護ダイオードの周囲を囲むガードリングＮウェル１７をＰ型半導体基板１に形成する。 - 特許庁

In the semiconductor layer constituting the percutaneous treatment member layer 10, N type or P type or both N type and P type semiconductor powder is mixed in an adhesive or the like, and a P type semiconductor layer 3, an N type semiconductor layer 5 or the semiconductor layer of mixed N type and P type are stacked.例文帳に追加

経皮治療部材層１０を構成する半導体層は、接着剤等にＮ型またはＰ型または両者混合の半導体パウダーを混入させ、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層５、またはＮ型とＰ型とを混合させた半導体層としてこれらを積層する。 - 特許庁

The method for designing the semiconductor circuit device sets the distance SP04 from a central line 121 of an n-type region 106 for contact in an n-well 112 to an n-well end 101' in a cell comprising the n-well 112 and a p-well 113 to the ditance without the transistor coming under the influence of a resist.例文帳に追加

Ｎウェル１１２およびＰウェル１１３を備えたセルにおいて、Ｎウェル１１２内のコンタクト用Ｎ型領域１０６の中心線１２１からＮウェル端１０１’までの距離ＳＰ０４をトランジスタがレジストからの影響を受けないだけの距離に設定する。 - 特許庁

There is provided a production method of producing an N,N-dimethylcarbamoylmethyl p-(p-guanidinobenzoyloxy)phenylacetate-hydrochloride by reacting N,N-dimethylcarbamoylmethyl p-hydroxyphenylacetate with p-guanidinobenzoic acid chloride in acetonitrile or a mixture solvent of acetonitrile and ethyl acetate in the presence of a base.例文帳に追加

アセトニトリル、またはアセトニトリルと酢酸エチルとの混合溶媒中で、塩基の存在下、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチルｐ−ヒドロキシフェニルアセテートと、ｐ−グアニジノ安息香酸クロリドとを反応させることを特徴とするＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチルｐ−（ｐ−グアニジノベンゾイルオキシ）フェニルアセテート・塩酸塩の製造方法。 - 特許庁

A reagent for detecting the fungus and/or the bacterium comprises UDP-N-acetyl-D-glucosamine or N-acetylglucosamine or any other compounds contained in a metabolic pathway of a cell wall constituent component of the fungus or the bacterium containing the same in the pathway or a derivative thereof as the tracer.例文帳に追加

UDP-N-アセチル-D-グルコサミンもしくはN-アセチルグルコサミンまたはそれを経路内に含む真菌もしくは細菌の細胞壁構成成分の代謝経路内に含まれる他のいずれかの化合物あるいはその誘導体をトレーサーとして含有してなる、真菌および／または細菌の検出用試薬。 - 特許庁

The pixel array of an image sensor is provided with: a pixel group for detecting an image signal having N×M (N and M are natural numbers) unit pixels; and flicker noise detecting pixel columns which are arrayed in the ends of rows of the pixel group in order to detect the average luminance of the constitutive pixel rows.例文帳に追加

N×M(N、Mは自然数)の単位画素を有する画像信号を検出する画素群と、フリッカ雑音を検出するために、前記画素群の行方向の端部に配列されて構成画素行の平均輝度を検出するフリッカ雑音検出用の画素列とを備えている。 - 特許庁

The transparent moisture barrier film is formed by sequentially laminating a silicon oxynitride layer (1) on a resin substrate and further a silicon oxynitride layer (2) on the layer (1), wherein an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (1) is smaller than an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (2).例文帳に追加

樹脂基材上に窒化酸化珪素層 、さらにその上に窒化酸化珪素層 の順に積層し構成された透明水蒸気バリアフィルムにおいて、窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)が窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)よりも小さいことを特徴とする透明水蒸気バリアフィルム。 - 特許庁

To provide a cord reel device for a telescopic boom device capable of using a cord reel body used in an N stage type telescopic boom device in common in an N+1 stage type telescopic boom device.例文帳に追加

Ｎ段式の伸縮ブーム装置で使用されるコードリール本体を、Ｎ＋１段式の伸縮ブーム装置において共用化し得る伸縮ブーム装置用コードリール装置を提供する。 - 特許庁

In a reverse conduction type semiconductor device B1, an n^+ type trench gate electrode adjacent region 20 formed in an IGBT element region J1 is not formed in a diode element region J2.例文帳に追加

逆導通型の半導体装置Ｂ１では、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１に形成されているn^+型のトレンチゲート電極隣接領域２０が、ダイオード素子領域Ｊ２に形成されていない。 - 特許庁

In an alignment synchronous circuit included in a receiving device, alignment marker detection circuits 110-0 to 110-(n-1) detect an alignment marker included in a line 0 to a line (n-1).例文帳に追加

受信装置に含まれる整列同期回路において、アライメントマーカ検出回路１１０−０〜１１０−（ｎ−１）がライン０〜ライン（ｎ−１）に含まれるアライメントマーカを検出する。 - 特許庁

In the computer system, at least one computer 10 having master-slave relation with a computer included in another group is included in each of N (N is an integer ≥2) groups.例文帳に追加

Ｎ（Ｎは２以上の整数）個のグループの各グループ（１〜Ｎ）には、他のグループに含まれるコンピュータと主従関係を有するコンピュータ１０が少なくと一つ含まれるシステムである。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, a base layer part of an epitaxial layer 3 forms an N^- type region 4, and a P-type body region 5 in contact with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^-型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

This plastic screw grommet has a head part 1 having the screwing-in hole 10 of the tapping screw N, and a leg part 2 expansively opened or deflected in by screwing-in of the tapping screw N.例文帳に追加

タッピングねじＮのねじ込み穴１０を備えた頭部１と、タッピングねじＮのねじ込みにより拡開され又は撓み込みを阻止される脚部２とを備えたプラスチック製のスクリュグロメットである。 - 特許庁

In normal cases, learning of only the multipoint learning value AGdp (n) is permitted in the multipoint learning region n, and learning of only the basic learned value AG (i) is permitted in the other regions.例文帳に追加

通常時には多点学習領域ｎでは多点学習値ＡＧｄｐ（ｎ）の学習のみを許可し、それ以外の領域では基本学習値ＡＧ（ｉ）の学習のみを許可する。 - 特許庁

Then whether or not the number N of the detected defective pixels exceeds a prescribed number N0 (10 in this embodiment) is decided (step S7) and in the case of N≤N0, address data are stored in a RAM (step S8).例文帳に追加

そして、欠陥画素の検出数Ｎが所定数Ｎ_0(本例では、１０)を越えたか否かを判断し（ステップＳ７）、Ｎ≦Ｎ_0の場合は、アドレスデータをＲＡＭに記憶する（ステップＳ８）。 - 特許庁

In the shift lock mechanism for the AMT shift lever device, the R, N and D ranges and the M+, M and M- ranges are arranged in the shift direction, respectively, and D and M are arranged adjacent to each other in the select direction.例文帳に追加

Ｒ、N、DのレンジとＭ+、Ｍ、Ｍ−のレンジとがそれぞれシフト方向に配置され、ＤとＭとがセレクト方向に隣接配置されたＡＭＴシフトレバー装置のためのシフトロック機構である。 - 特許庁

In the inkjet head 1, "n" line-type inkjet nozzles 2 which are nozzles 4 for discharging a liquid material arranged in a single line, are juxtaposed in such a way that the position of the nozzle 4 is deviated by 1/n pitch of a nozzle pitch P1.例文帳に追加

液状材料を吐出するノズル４を一列に配設したｎ個のライン型インクジェットノズル２を、ノズル４の位置をノズルピッチＰ１の１/ｎピッチ分ずらして、並列に配設した。 - 特許庁

N gauge rail way models that faithfully reproduced the railway layout of Fukuchiyama Station at that time were created in 1997 by Fukuchiyama City in celebration of its 60th anniversary, and they are displayed in "Poppo Land" Fukuchiyama Railway Hall. 例文帳に追加

福知山市が市制60周年を記念して1997年（平成9年）に制作した、当時の福知山駅線路配置を忠実に再現したNゲージ鉄道模型が展示されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In which place per rotation of the motor every signal waveform in an n-cycle portion appears in the detection signal is specified on the basis of N/2 pieces of the magnetic pole origins.例文帳に追加

この検出信号におけるｎ周期分の信号波形のそれぞれが、モータ１回転当たり何番めに現れるものであるのかを、Ｎ／２個の磁極位置に基づき特定する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic diagnostic apparatus capable of stably imaging a difference in elasticity as an image effectively and with a high S/N ratio even in an arbitrary phase in an elastic image diagnosis.例文帳に追加

弾性画像診断において、弾性の違いを画像として効果的に、且つ、高いS/N比を持って、任意の時相においても安定して映像化できる超音波診断装置を提供する。 - 特許庁

In the inversely conducting semiconductor device B1, an (n+) type trench gate electrode adjacent region 20 formed in an IGBT element region J1 is not formed in the diode element region J2.例文帳に追加

逆導通型の半導体装置Ｂ１では、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１に形成されているn^+型のトレンチゲート電極隣接領域２０が、ダイオード素子領域Ｊ２に形成されていない。 - 特許庁

The flow rate of the above inert gas is preferably 20-500 N liter/min per unit volume (m^3) in the vessel and 200-10000 N liter/min in the space part formed in the mold.例文帳に追加

前記不活性ガスの流量は、単位容積（ｍ^３）当たり、容器内で２０〜１５００Ｎリットル／分、鋳型内に形成される空間部で２００〜１００００Ｎリットル／分とするのが望ましい。 - 特許庁

Centers of the first magnets 1a are located in a position parallel to Y-axis, and one in the positive region of Y has disposed S pole in the positive and N pole in the negative of X, and the other in the negative region of Y has disposed N pole in the positive and S pole in the negative of X.例文帳に追加

第１のマグネット１ａの中心はＹ軸と平行な位置にあり、Ｙの正の領域にある1つは、Ｘの正にＳ極、負にＮ極、Ｙの負の領域に他の1つは、Ｘの正にＮ極、負にＳ極を配置している。 - 特許庁

In the region other than the light receiving portion S among the n-type semiconductor layer 12 (the outer edge region of the n-type semiconductor layer 12), a plurality of p-type semiconductor region 16 is formed regularly in the in-plane direction of the n-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２のうち受光領域Ｓ以外の領域（ｎ型半導体層１２の外縁領域）には、複数のｐ型半導体領域１６がｎ型半導体層１２の面内方向に規則的に形成されている。 - 特許庁

When the spring body 1 is subjected to compressive load and shrunk in the axial direction, an opposite bottom portion 10 of the valley part B in an (n+1)-coiled stage enters into the recessed portion 12 formed in an n-coiled stage (n is a natural number) and abuts thereon.例文帳に追加

そして、ばね本体１が圧縮荷重を受けて軸方向へ縮んだとき、ｎ巻目（ｎは自然数）の段に形成された凹部１２に、ｎ＋１巻目の段にある谷部Ｂの対向する底部１０が入り込んで当接するよう構成してある。 - 特許庁

When the nitrogen concentration of nitrogen included in the nitride areas 20x and 20y is represented as n1 and n2, and the nitrogen concentration of nitrogen included in a part positioned on the active area in the gate insulating film as n, relational expressions n1>n and n2>n are satisfied.例文帳に追加

窒化領域２０ｘ，２０ｙに含まれる窒素の窒素濃度をｎ１，ｎ２とし、ゲート絶縁膜における活性領域上に位置する部分に含まれる窒素の窒素濃度をｎとしたとき、ｎ１＞ｎ、且つ、ｎ２＞ｎの関係式が成り立っている。 - 特許庁

The sampling section 41 is equipped with a circuit configured by connecting in parallel from a first stage up to an n-th stage, sampling circuits 41a-41e configured by connecting in cascade n (n is an integer ≥1) flip-flops which operate in synchronization with a reference clock for example.例文帳に追加

サンプリング部４１は、例えば基準クロックに同期して動作するフリップフロップをｎ個（ｎは１以上の整数）縦続接続してなるサンプリング回路４１ａ〜４１ｅを、第１段目から第ｎ段目まで並列接続してなる回路を備える。 - 特許庁

The processor capable of executing in parallel the instructions included in each of N pieces of threads (N represents an integer not less than 2) classifies a plurality of threads for executing image processing into N pieces of groups according to difference in a processing method used for execution of the thread.例文帳に追加

Ｎ個（Ｎは２以上の整数）のスレッドのそれぞれに含まれる命令を並列に実行可能なプロセッサが、画像処理を実行するための複数のスレッドを、そのスレッドの実行に用いる処理方法の違いによってＮ個のグループに分類する。 - 特許庁

In the Cr-N based ion plating coating film composed of Cr-N type chromium nitride crystal in which 3-20 atom% tungsten forms a solid solution, the excellent abrasion property of the coating film exposed in a corrosive acid such as sulfuric acid, nitric acid while sliding is attained by the action of W forming the solid solution.例文帳に追加

３−２０原子％のタングステンを固溶するＣｒＮ型窒化クロム結晶からなるCr-N系イオンプレーティング皮膜は、固溶したWの作用により硫酸、硝酸などの腐食性酸にさらされ摺動する皮膜の摩耗特性を良好にする。 - 特許庁

A plurality of sets in which a plurality of P type transistors are provided in series are connected together in parallel in the P type semiconductor area, and a plurality of sets in which a plurality of N type transistors are provided in series are connected together in parallel in the N type semiconductor area.例文帳に追加

Ｐ型の半導体領域には、複数のＰ型のトランジスタが直列に設けられた組が複数並列に接続されており、Ｎ型の半導体領域には、複数のＮ型のトランジスタが直列に設けられた組が複数並列に接続される。 - 特許庁

In the felt for the bag filter in which a supporting layer is composed of a glass fiber and a filter layer contains a polyimide fiber, the solubility of the felt to a mixed soln. of N,N-dimethylformamide(DMF), tetrahydrofuran(THF), lithium bromide(LiBr) and phosphoric acid (H3PO4) is kept in 90-99.0%.例文帳に追加

支持層がガラス繊維からなり、ろ過層がポリイミド繊維を含むバグフィルター用フェルトであって、該フェルトのN,N−ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（THF）、臭化リチウム（ＬｉＢｒ）及び燐酸（Ｈ_3ＰＯ_4）の混合溶液に対する溶解度が９０〜９９．０％である耐久性に優れるバグフィルター用ポリイミドフェルト。 - 特許庁

The junction FET 1 includes a n^- layer 11 in a drift region of the junction FET 1, formed on the main face of n^+ substrate 12 of silicon carbide, a p^+ layer 9 in a gate region, joined and formed onto the n^- layer 11 in the drift region, and a gate electrode 14 provided on the upper layer of the n^+ substrate 12.例文帳に追加

接合ＦＥＴ１は、炭化珪素からなるｎ^＋基板１２の主面に形成された接合ＦＥＴ１のドリフト領域のｎ^−層１１と、ドリフト領域のｎ^−層１１に接合して形成されたゲート領域のｐ^＋層９と、ｎ^＋基板１２の上層に設けられたゲート電極１４と、を有している。 - 特許庁

In a liquid crystal display device displaying a picture by using the digital video signal of n (n is the natural number and n≥2) bits, the device has a storage circuit storing the digital video signal of n bits and a D/A converter circuit of the signal in a pixel and the device can stores the digital video signal equivalent to one frame in the pixels.例文帳に追加

ｎビット（ｎは自然数、ｎ≧２）のデジタル映像信号を用いて映像の表示を行う液晶表示装置において、画素内にはｎビットのデジタル映像信号を記憶する記憶回路とＤ／Ａ変換回路とを有し、ｎビットの映像信号を１フレーム分、画素内で記憶することが出来る。 - 特許庁

As viewed in a cross section of a trench gate electrode 12 extending along a surface 2a of a semiconductor substrate 2 in the semiconductor device 1, a trench gate electrode 12, an n^+-type source region 20, a p-type body contact region 30, a buried insulator layer 50 and an n^+-type drain region 60 are arranged in this order.例文帳に追加

半導体装置１を半導体基板２の表面２ａに沿って伸びているトレンチゲート電極１２を横断する断面で観測すると、トレンチゲート電極１２とn^+型ソース領域２０とp型ボディコンタクト領域３０と埋込絶縁体５０とn^+型ドレイン領域６０がその順序で配置されている。 - 特許庁

In an image capturing apparatus 100, a search block (n) is set on the present frame image so that the center of the search block S(n) may be shifted from the center O(n-1) of the tracking block P(n-1) in the previous frame image in either of four directions according to the user's operation of pressing a cross button 26.例文帳に追加

撮影装置１００は、探索ブロックＳ（ｎ）の中心が、前フレーム画像における追尾ブロックＰ（ｎ−１）の中心Ｏ（ｎ−１）に対して、ユーザの十字ボタン２６ａの操作に応じた上下左右のいずれかの方向にずれるように、現フレーム画像に対し探索ブロックＳ（ｎ）を設定する。 - 特許庁

The computerized-tomographic scanning device determines the rotational center tc(n) as the projection position of the axis of rotation in the permeation data for each sensing channel n from the permeation data I (n, t) sensed during the t-movement in one rotational position and the permeation data I (n, t) sensed during the t-movement in the rotational position differing by 180°.例文帳に追加

１つの回転位置でt移動中に検出した透過データＩ（ｎ、ｔ）と１８０度異なる回転位置でt移動中に検出した透過データＩ（ｎ、ｔ）とから、検出チャンネルｎごとに、透過データ中の回転の軸の投影位置である回転中心ｔｃ（ｎ）を求めるコンピュータ断層撮影装置を用いる。 - 特許庁

An n^--type semiconductor region 2 is formed on a p-type semiconductor substrate 1, and an n^+-type semiconductor region 4 with high impurity concentration is formed in the n^--type semiconductor region 2, and then a p^+-type semiconductor region 5 with high impurity concentration is formed in the vicinity of the n^--type semiconductor region 2 in two dimensional manner.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１にｎ^−型半導体領域２が形成され、高不純物濃度のｎ^＋型半導体領域４がｎ^−型半導体領域２内に形成され、ｎ^−型半導体領域２の平面的に周囲の位置に高不純物濃度のｐ^＋型半導体領域５が形成されている。 - 特許庁

Accordingly, changes in the space between an N+ substrate 1 and N+SIC7 are reduced, preventing the width of a base 10 from being changed, and reducing the fluctuations in high-frequency characteristics.例文帳に追加

したがってＮ^+基板１とＮ^+ＳＩＣ７との間隔の変化が少なく、ベース１０の幅は変化することがなく、高周波特性のバラつきを少なくすることができる。 - 特許庁

The n line sensors are arranged in parallel in a main scanning direction of the photodetector 108, and constituted so that the focusing positions of the n line sensors may differ from each other.例文帳に追加

ｎ本のラインセンサは受光部１０８の主走査方向に沿って平行に配置され、ｎ本のラインセンサの合焦位置が互いに異なるように構成されている。 - 特許庁

Erroneous discharge is prevented from being generated in the four adjacent display cells by being induced by writing discharge generated in the display cell 14(m+1)(n+1).例文帳に追加

表示セル１４(m+1)(n+1)で発生する書込み放電に誘発されて上記隣接する４つの表示セルで誤放電が発生するのを抑制することができる。 - 特許庁

In one embodiment, in the p^+-type layer (4c) and the n^+-type layer (5a) forming the hetero-interface, the band gap for the p^+-type layer (4c) is larger than that for the n^+-type layer (5a).例文帳に追加

一実施形態では、ヘテロ界面をなすｐ^＋型層（４ｃ）とｎ^＋型層（５ａ）とにおいて、ｐ^＋型層（４ｃ）のバンドギャップがｎ^＋型層（５ａ）のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁

To provide a method for environmentally friendly producing (Z)-1-phenyl-1-(N,N-diethylaminocarbonyl)-2-phthalimidomethylcyclopropane in simple operations in a high yield.例文帳に追加

環境にやさしく、簡便な操作で、収率よく（Ｚ）−１−フェニル−１−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニル）−２−フタルイミドメチルシクロプロパンを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor product is constituted in such a structure that the drain diffusion of the phosphorus-diffused ESD protective off-transistor is not provided adjacently to an off-gate and the arsenic N+ diffusion 5 is provided in the adjacent area of an element separating region 8.例文帳に追加

リン拡散のESD保護オフトランジスタのドレイン拡散をオフゲートに隣接せず、かつ素子分離領域８と隣接する領域に砒素N+拡散５を設ける構造とした。 - 特許庁