「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

A mail header reception section 41 receives a mail header of an n-th electronic mail in a list.例文帳に追加

メールヘッダ受信部４１は、リストｎ番目の電子メールのメールヘッダ部を受信する。 - 特許庁

The key management server 1 groups every log_4N of N users in one.例文帳に追加

鍵管理サーバ１は、Ｎ人の利用者をｌｏｇ_４Ｎ人ずつグループに所属させる。 - 特許庁

A control plate of the FG transistor 16 is formed in a second n well.例文帳に追加

そして、ＦＧトランジスタ１８のコントロールプレートは、第２のｎウエルに形成されている。 - 特許庁

When the discrimination in the S14 indicates N, the processing proceeds to S16 where the stored contents are reproduced.例文帳に追加

Ｓ１４でＮの場合には、Ｓ１６に進み蓄積されたコンテンツを再生する。 - 特許庁

At an output terminal Iout10, currents appear as an (n)-fold source current in total.例文帳に追加

出力端子Ｉｏｕｔ１０には合計でｎ倍のソース電流として現れる。 - 特許庁

This region 4 is turned into a gettering layer, and a leakage current in the memory cell is reduced.例文帳に追加

このn型領域４がゲッタリング層となり、メモリセルのリーク電流を低減する。 - 特許庁

In step S9, N/M(=2n)-point FFT is carried out for 0≤k<M.例文帳に追加

そして、ステップＳ９ではＮ／Ｍ（＝２^ｎ）ポイントのＦＦＴを０≦ｋ＜Ｍについて行う。 - 特許庁

In addition, a regular (N+1)-angular excavating means (T) can be used.例文帳に追加

または、正（Ｎ＋１）角形状の掘削手段（Ｔ）を使用することも可能である。 - 特許庁

N subbands in a system are arranged into M non-overlapping groups.例文帳に追加

システム内のＮのサブバンドは、Ｍの互いに重なり合わないグループ内に配列される。 - 特許庁

To improve an S/N without causing an increase in light emission quantity for a pulse oximeter.例文帳に追加

パルスオキシメータで、発光光量の増加を招くことなく、Ｓ／Ｎを向上する。 - 特許庁

To gather image data which are excellent in S/N as heat generation regulations are observed.例文帳に追加

発熱規制を遵守した状態でＳ／Ｎに優れた画像データを収集する。 - 特許庁

In S103, it is decided whether the parent performing the approval propriety decision approves the site n or not.例文帳に追加

S103では、サイトｎについて承認可否判断する親が承認かを判定する。 - 特許庁

The magnetization is performed by alternately magnetizing S and N poles radially in the peripheral direction.例文帳に追加

そして、この着磁は、周方向にＳとＮを交互にして径方向に行われる。 - 特許庁

The intermediate semiconductor region 153 includes an n-type impurity in lower concentration.例文帳に追加

中間部半導体領域１５３は、ｎ型の不純物を低濃度に含んでいる。 - 特許庁

Further, in the p^- body region 13, an n^+ source region 11 is formed.例文帳に追加

さらに，Ｐ^- ボディ領域１３中には，Ｎ^+ ソース領域１１が形成されている。 - 特許庁

In the case of setting while the blank is not taken into consideration (S109; N), the original is printed out as it is.例文帳に追加

考慮しない設定の場合（Ｓ１０９；Ｎ）、そのまま印刷出力する。 - 特許庁

Whether the number of sheets fed out in bundle is less than a predetermined value n or not is determined (S2).例文帳に追加

束排出枚数が所定値ｎより少ないか否かを判別する（Ｓ２）。 - 特許庁

An N-gram language model 1 is prepared with the whole journalist originals in the past (i).例文帳に追加

（ｉ）過去の全記者原稿によりＮ−ｇｒａｍ言語モデル１を作成する。 - 特許庁

In the formula, R represents an alkyl group or an alkoxy alkyl group, and n is 1 or 2.例文帳に追加

式中、Rはアルキル基またはアルコキシアルキル基を表し、ｎは１または２である。 - 特許庁

To provide a color image reader contriving the improvement of S/N in a black-and-white mode.例文帳に追加

白黒モード時のＳ／Ｎ向上を図るカラー画像読取装置を提供する。 - 特許庁

The main bars 10 and the cylinder body 20 are firmly connected in the second region N.例文帳に追加

第２領域Ｎでは主筋１０と筒体２０は強固に連結されている。 - 特許庁

A fixing belt 610 greatly loses heat by paper in a nip portion N.例文帳に追加

定着ベルト６１０は、ニップ部Ｎにおいて用紙によって大きく熱が奪われる。 - 特許庁

To prevent the lowering in breakdown voltage near the end of an N type emitter layer.例文帳に追加

Ｎ型エミッタ層の端部付近において降伏電圧が低下することを抑える。 - 特許庁

To enhance light utilization efficiency when detecting an object, and to enhance an S/N ratio in the detection.例文帳に追加

物体検出での光の利用効率を高め、検出時のＳ／Ｎ比を上げる。 - 特許庁

It is preferable that the metal in the N-substituted terephthalamic acid metal salt is sodium.例文帳に追加

また、Ｎ−置換テレフタラミン酸金属塩の金属がナトリウムであることが好ましい。 - 特許庁

The method for producing N-(2,3-dihydroxypropyl)piperazine includes reacting glycerol and piperazine in the presence of a phosphorus-containing acid catalyst.例文帳に追加

リンを含有する酸触媒の存在下、グリセリンとピペラジンとを反応させる。 - 特許庁

The controller performs communication of result confirmation to respective illumination devices 1 to n in sequence.例文帳に追加

コントローラは、各照明機器１〜ｎに対して順次、結果確認の通信を行う。 - 特許庁

The rear surface semiconductor region 160 includes an n-type impurity in higher concentration.例文帳に追加

裏面部半導体領域１６０は、ｎ型の不純物を高濃度に含んでいる。 - 特許庁

In the formulae, n is an integer of 0-1,000; and m is an integer of 10-1,000.例文帳に追加

尚、式中、ｎは０〜１０００の整数、ｍは１０〜１０００の整数を示す。 - 特許庁

The N-bit PON port identifier has bits smaller than the M-bit multicast address in number.例文帳に追加

ＮビットＰＯＮポート識別子はＭビットマルチキャストアドレスより少ないビットを有する。 - 特許庁

Further, the p^+-type diffusion layer 3p is in contact with the n^+-type diffusion layer 4n.例文帳に追加

また、ｐ^＋型拡散層３ｐがｎ^＋型拡散層４ｎと接触している。 - 特許庁

Further, an n-type impurity region 9 is formed in the semiconductor layer 3.例文帳に追加

また、半導体層３内にはｎ型の不純物領域９が形成されている。 - 特許庁

At the output terminal Iout10, current appear as an (n)-fold sink current in total.例文帳に追加

出力端子Ｉｏｕｔ１０には合計でｎ倍のシンク電流として現れる。 - 特許庁

A luminous element is formed on the smooth (Al, Ga, In)N thin film 624.例文帳に追加

前記平滑な（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜６２４上に、発光素子を形成する。 - 特許庁

To provide a signal processor for an endoscope capable of acquiring an image excellent in S/N ratio.例文帳に追加

ＳＮ比の良い画像が得られる内視鏡用信号処理装置を実現する。 - 特許庁

To provide an N-vinyl amide based polymer for a CMP abrasive which is superior in can-stability and hardly occurs abrasion scratches.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨剤用に好適なＮ−ビニルアミド系系ポリマーを提供する。 - 特許庁

In the p+-type well region 105, an n++-type source region 106 is formed.例文帳に追加

ｐ^+形ウェル領域１０５内にはｎ^++形ソース領域１０６が形成される。 - 特許庁

To provide an X-ray CT apparatus capable of photographing MD (Material Decomposition) images excellent in S/N.例文帳に追加

Ｓ／Ｎの良いＭＤ画像を撮影するＸ線ＣＴ装置を実現する。 - 特許庁

To provide an oscillator in which oscillation is stabilized to improve the C/N characteristic.例文帳に追加

発振を安定化させてＣ／Ｎ比特性を改善した発振器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing isobutene from n-butane in a high yield.例文帳に追加

ｎ−ブタンからイソブテンを高収率で効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

The reaction may be performed in the presence of an imide compound such as N-hydroxyphthalimide.例文帳に追加

反応を、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドなどのイミド化合物の存在下で行ってもよい。 - 特許庁

To enable increasing a degree of freedom of print expression in an N-up printing system.例文帳に追加

Ｎアップ印刷方式の印刷表現の自由度を広げることを可能にする。 - 特許庁

An n-type region 11 is formed in a p-type silicon semiconductor substrate 10.例文帳に追加

Ｐ型のシリコン半導体基体１０にＮ型領域１１が形成されている。 - 特許庁

In the manufacturing method, a photoresist mask 12 is formed on the surface of an n^--GaN layer 11 (figure 1a).例文帳に追加

ｎ^- −ＧａＮ層１１の表面に、フォトレジストマスク１２を形成する（図１ａ）。 - 特許庁

In the formula (1) and (2) each m and n represents an integer of 2-12.例文帳に追加

（式（１）および（２）中、ｍおよびｎはそれぞれ２以上１２以下の整数を示す。） - 特許庁