「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

In the next even-numbered-field period, the analog switch Asw(n) is turned off before the even-numbered-line video signal is written to the holding capacitor Cw.例文帳に追加

一方、次の偶数フィールド期間では、保持容量Ｃｓに偶数ライン映像信号が書き込まれる前に、アナログスイッチＡsw(n)がオフされる。 - 特許庁

An n^--type epitaxial layer 2 is formed on the main surface of an n^+-type SiC substrate 1, and a trench 3 is placed in the epitaxial layer 2 side by side.例文帳に追加

ｎ^+型ＳｉＣ基板１の主表面上にｎ^-型エピタキシャル層２が形成され、エピタキシャル層２にはトレンチ３が並設されている。 - 特許庁

An In composition ratio of the first n-side intermediate layer decreases along a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。 - 特許庁

The reference word n-gram is compared with an entry map for determining whether the reference word n-gram appears on any page in the bank or not.例文帳に追加

照会ワードｎグラムは、先ずエントリマップと比較されて、照会ワードｎグラムが、バンク内のいずれかのページに出現するか否かが判定される。 - 特許庁

The wind number S_n is represented by M+(2^-1±2^-2 ...±2^-n) in which M is an integer and n is set as equal to or larger than four by the wind number setting means.例文帳に追加

該巻数設定手段により、Ｍを整数としたとき巻数Ｓ_ｎ をＭ＋（２^−１±２^−２・・・・・±２^−ｎ）とし、ｎを４以上に設定する。 - 特許庁

This gate turnoff thyristor includes: an n-type first emitter layer; a p-type first base layer; an n-type second base layer; and a p-type second emitter layer in this order.例文帳に追加

ｎ型の第１のエミッタ層、ｐ型の第１のベース層、ｎ型の第２のベース層、ｐ型の第２のエミッタ層をこの順に備える。 - 特許庁

In the separation part 30, an N^+ layer 3N, silicon 11, and a P^+ layer 3P are arranged alongside in this order in the X-direction.例文帳に追加

分離部３０には、Ｎ＋層３Ｎ、シリコン１１およびＰ＋層３Ｐが、この順で、Ｘ方向に並んで配置される。 - 特許庁

In the charging process, the noodle N is charged while a charging hopper is inserted in the inside of the container C.例文帳に追加

投入工程では、投入ホッパーを容器Ｃの内部に挿入した状態で麺Ｎを投入する。 - 特許庁

A recess 15 is formed in an N-type semiconductor layer 12, and then a trench oxide film 16 is formed in the recess 15.例文帳に追加

Ｎ−型半導体層１２に凹部１５を形成し、凹部１５内にトレンチ酸化膜１６を形成する。 - 特許庁

In the shaft member 1 of the linear motor, magnetic poles of N poles and S poles are formed alternately in its axial direction.例文帳に追加

リニアモータの軸部材１には、Ｎ極及びＳ極の磁極が軸線方向に交互に形成される。 - 特許庁

To stably obtain an image good in S/N in a radiation image reader.例文帳に追加

放射線画像読取装置において、Ｓ／Ｎが良好な画像を安定して得ることができるようにする。 - 特許庁

The date of use d is determined in step S43, and the number of audiences n is determined in step S45.例文帳に追加

ステップＳ４３では、利用日数ｄが決定され、ステップＳ４５では、視聴者人数ｎが決定される。 - 特許庁

In this regard, dangling bond of N is terminated by Si^29 in a region where a dislocation 3 is located.例文帳に追加

このとき、Ｓｉ^２９によって転位３が位置する領域のＮの未結合手が終端される。 - 特許庁

The trench 21 of a shape in which a trench width differs between the upper part and the lower part is formed in an n^+ type substrate 4.例文帳に追加

ｎ^＋型基板４に、上部と下部とでトレンチ幅が異なる形状のトレンチ２１を形成する。 - 特許庁

The impurities in the n-drift regions 12a were phosphorus, and the impurities in the p-partition regions 12b were boron.例文帳に追加

ｎドリフト領域１２ａの不純物がリンで、ｐ仕切り領域１２ｂの不純物がボロンとした。 - 特許庁

In addition to silicon and nickel, n-type impurities and p-type impurities are contained in the 1st silicide layer 11.例文帳に追加

第１のシリサイド層１１にシリコンとニッケルの他にＮ型不純物とＰ型不純物を含める。 - 特許庁

Then the object address is checked in the unit of N bits and a longest coincidence retrieval in the unit of bits is attained.例文帳に追加

次に、Ｎビット単位で検査すると同時に、ビット単位の最長一致検索を可能にしている。 - 特許庁

In piperazine-N,N'-bis(carbodithionic acid) salt and/or piperazine-N-carbodithioic acid salt, especially the piperazine-N,N'-bis(carbodithionic acid) salt, decomposition by phosphoric acid and/or aluminium sulfate is small, and the heavy metals are fixed while suppressing ammonia gas generation without substantially increasing the using amount of the chelate.例文帳に追加

ピペラジン−Ｎ，Ｎ’−ビスカルボジチオ酸塩及び／又はピペラジン−Ｎ−カルボジチオ酸塩、特にピペラジン−Ｎ，Ｎ’−ビスカルボジチオ酸塩ではリン酸及び／又は硫酸アルミニウムによる分解が小さく、これらのキレートの使用量を大幅に増加することなく、アンモニアガス発生を抑止しながら重金属を固定化処理する。 - 特許庁

Before generating a determination d(n) by the comparator concerning the input sample z(n), an average sample zfa(n) is generated by averaging filtered samples zf(n) and zf(n-k) by adopting the averaging circuit so that reliability in the determination to be performed concerning the correspondent sample can be improved.例文帳に追加

平均化回路を採用して、決定ｄ（ｎ）がコンパレータにより入力サンプルｚ（ｎ）について生成される前に、フィルタリングされたサンプルｚｆ（ｎ）およびｚｆ（ｎ−Ｋ）を平均化して、平均サンプルｚｆａ（ｎ）を生成することで、対応するサンプルについて行われる決定の信頼性を改善する。 - 特許庁

In video data storage of the control circuit, its structure is provided with a video data storage for storing video data of an n-th frame (n is a natural number), a video data storage for storing video data of an (n+1)-th frame, and a video data storage for sharing video data of the n-th frame and the (n+1)-th frame among received video data.例文帳に追加

制御回路のビデオデータ記憶部において、受信するビデオデータのうち、ｎ（ｎは自然数）フレーム目のビデオデータを格納するビデオデータ記憶部と、（ｎ＋１）フレーム目のビデオデータを格納するビデオデータ記憶部及び、ｎフレーム目と（ｎ＋１）フレーム目のビデオデータを共有するビデオデータ記憶部を設ける構成とする。 - 特許庁

In the semiconductor device, a capacitive element 150 is provided over (M-N) or (M-N+1) interconnection layers, where M is the number of interconnection layers, each having an interconnection constituting the logic circuit, N is the number of interconnection layers, each having an interconnection constituting the memory circuit, M and N are natural numbers, and M>N.例文帳に追加

半導体装置においては、ロジック回路を構成する配線を有する配線層の層数をＭとし、メモリ回路を構成する配線を有する配線層の層数をＮとしたとき（ＭおよびＮは自然数であって、Ｍ＞Ｎ）、（Ｍ−Ｎ）層あるいは（Ｍ−Ｎ＋１）層の配線層にわたって、容量素子１５０が設けられている。 - 特許庁

To provide N, N-bis-(2,2,6,6-tetramethyl-piperidin-4-yl)-amine-(meth)acrylamide having high radical concentration, a method for producing the same, a crosslinked polymer of N, N-bis-(2,2,6,6-tetramethyl-piperidin-N-oxyl-4-yl)-amine-(meth)acrylamide compound, and an electrode for use in a secondary battery.例文帳に追加

高いラジカル濃度を有することのできるＮ，Ｎ−ビス−（２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジン−４−イル）−アミン−（メタ）アクリルアミドおよびその製造方法、Ｎ，Ｎ−ビス−（２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジン−Ｎ−オキシル−４−イル）−アミン−（メタ）アクリルアミド化合物架橋重合体、並びに、二次電池の電極を提供する。 - 特許庁

In elliptic curve groups defined over a prime field of order q, a value n=hr+1 is computed, where n is prime and n-1 meets preferred criteria, and a complex multiplication method is applied on n to produce a value q and an elliptic curve E defined over q and having an order n.例文帳に追加

位数ｑの素数体上で定義された楕円曲線群において、ｎが素数であり、ｎ−１が好ましい基準に適合する場合のｎ＝ｈｒ＋１の値が計算され、虚数乗法がｎに適用されて値ｑと、ｑ上で定義され、位数ｎを有する楕円曲線Ｅが生成される。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the superjunction region in an n-type epitaxial layer 13 comprising a plurality of n-type epitaxial layers 13X formed on an n+-type semiconductor substrate 12 by providing an n-type pillar region 15 and a p-type pillar region 14 alternately along a top surface of the n+-type semiconductor substrate 12.例文帳に追加

半導体装置１は、ｎ＋型半導体基板１２上に形成された複数のｎ型エピタキシャル層１３Ｘからなるｎ型エピタキシャル層１３内に、ｎ型ピラー領域１５とｐ型ピラー領域１４とをｎ＋型半導体基板１２の上面に沿って交互に設けてなるスーパージャンクション領域を備える。 - 特許庁

The transmitter 10 generates a power revision command signal PC(n) on the basis of the difference signal RC(n) received via a reverse channel 32 and of at least another signal (s) generated in itself, integrates the power revision command signal PC(n) to obtain a transmission power command signal T(n) and converts it into an actual power t(n).例文帳に追加

逆方向チャンネル３２を介して受信した差信号ＲＣ（ｎ）と、送信器１０で発生された少なくとも一つの他の信号ｓとに基づいて、パワー変更指令信号ＰＣ（ｎ）を発生し、それを積分して送信パワー指令信号Ｔ（ｎ）を得て、それを実際のパワーｔ（ｎ）に変換する。 - 特許庁

The multivalued data having information bits converted from binary data and expressed in n bits (integer n≥2) are multivalued following a rule to change 1 bit when comparing the binary data of n bits corresponding to k-th and (k-1)-th level Mk, Mk-1 among levels of n-th power of 2 (n-th power of 2≤k≤2).例文帳に追加

２値データを変換した１つの情報ピットがｎビット（ｎ≧２である整数）で表される多値データが、２のｎ乗個あるレベルのｋ番目と（ｋ−１）番目にあたるレベル値Mｋ、Mｋ−１（但し、２≦ｋ≦２のｎ乗）にそれぞれ対応するｎビットの２値データを比較した場合、1ビットだけ異なるような規則によって多値化する。 - 特許庁

The catalyst composition useful for producing a polyurethane resin is a catalyst composition comprises 3-quinuclidinol or 3-aminoquinuclidine and N-(2-hydroxypropyl)-N,N',N",N"-tetramethyldiethylenetriamine and/or 2-((2-(2-(dimethylamino)ethoxy)ethyl)methylamino)ethanol in the mixing ratio of 20-95/80-5 (wt.%).例文帳に追加

３−キヌクリジノール又は３−アミノキヌクリジンと、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−テトラメチルジエチレントリアミン及び／又は２−（（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル）メチルアミノ）エタノールを含有する触媒組成物であって、それらの混合比率が、２０〜９５／８０〜５（重量％）の範囲である触媒組成物をポリウレタン樹脂の製造に使用する。 - 特許庁

A mobile terminal device side, once separating the (n) unmodulated carriers by (n) filters, modulate the respective unmodulated carriers with (n) serial/parallel-converted transmission data, by using (n) antenna switches to generate modulated reflected wave signals having modulation speeds f_m, respectively, thereby realizing (n) modulation speeds f_m, in total.例文帳に追加

携帯端末装置側では、ｎ個の無変調キャリアをｎ個のフィルタにより分離すると、ｎ個のアンテナ・スイッチを用いて各無変調キャリアをシリアル・パラレル変換したｎ個の送信データで変調を施して、それぞれ変調速度ｆ_mとなる変調反射波信号を生成し、合計でｎ・ｆ_mの変調速度を実現する。 - 特許庁

On the bottom face of an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate), an n-type first multilayer reflection layer 12, an n-type first optical resonance layer 14, an n-type second multilayer reflection layer 16, an i-type InGaAs light absorption layer 18, and an anode electrode 22 (reflection film) are formed in order from the n-type InP substrate 10 side.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１０側から順番に、ｎ型の第１の多層反射層１２、ｎ型の第１の光共振層１４、ｎ型の第２の多層反射層１６、ｉ型ＩｎＧａＡｓの光吸収層１８及びアノード電極２２（反射膜）が形成されている。 - 特許庁

While recessed sections are left on the upper surface of the n-type epitaxial layer in an alignment mark forming region 3, the recessed sections formed on the upper surface of the n-type epitaxial layer in a photodiode forming region 2 are removed by reducing the thickness of the n-type epitaxial layer by polishing.例文帳に追加

次に、フォトダイオード形成領域２におけるｐ型シリコン基板５の上面内にｐ型埋め込み分離領域８ａ〜８ｃを形成した後、ｐ型シリコン基板５の上面上にｎ型エピタキシャル層６を形成する。 - 特許庁

An n-type source 11s is formed in the well region 23 for p-type channel next to the gate electrode 11g, and an n-type drain 11d is formed in the n-type medium-concentration drain region 24 provided with a space from the gate electrode 11g.例文帳に追加

Ｐ型チャネル用ウエル領域２３にゲート電極１１ｇに隣接してＮ型ソース１１ｓが形成され、Ｎ型中濃度ドレイン領域２４にゲート電極１１ｇとは間隔をもってＮ型ドレイン１１ｄが形成されている。 - 特許庁

With this construction, an n^+-type emitter layer 4a in the main cell is mutually away from an n^+-type emitter layer 4b in the current detection cell, and with this construction, the n^+-type emitter layer is not arranged between the main cell and the current detection cell.例文帳に追加

メインセルにおけるＮ^+型エミッタ層４ａと電流検出セルにおけるＮ^+型エミッタ層４ｂとが互いに離間された構成とし、メインセルと電流検出セルとの間にはＮ^+型エミッタ層が配置されていない構成とする。 - 特許庁

In executing soft decision decoding, on the basis of a trellis diagram, representing a 2^m state of m bits in a lower order of redundancy bits, arithmetic operation of branch metric or path metric is performed for each of 2^n states of upper n bits, thereby simplifying the calculation.例文帳に追加

軟判定復号する場合には、冗長ビットの下位ｍビットの２^m 状態を表すトレリス線図に基づいて上位ｎビットの２^n 個の状態毎にブランチメトリック及びパスメトリックの演算を行って、演算を簡略化する。 - 特許庁

To provide a process for preparing n-butylamines by which the defects in the prior art are overcome, and the desired n-butylamine, or two or more desired n-butylamines can be produced in a high space time yield and selectivity.例文帳に追加

先行技術の欠点を克服する一方で、高い空時収量及び選択率で所望のｎ−ブチルアミン又は２つ若しくはそれ以上の所望のｎ−ブチルアミン類の製造を可能にするｎ−ブチルアミン類の製造方法。 - 特許庁

A plurality of capacitors 211a-211f (here the number of the capacitors is totally six that is 2^n multiple ((n) is an integer of 0 to 5) of reference electrostatic capacitance Ca) with different electrostatic capacitance are connected in parallel and switches 212a-212f are connected in series to the capacitors 211a-211f, respectively.例文帳に追加

静電容量Ｃaの２^n倍（ｎは０〜５までの整数）となっている計６個）のコンデンサ２１１ａ〜ｆが並列に接続され、それらコンデンサ２１１ａ〜ｆにはスイッチ２１２ａ〜ｆがそれぞれ直列に接続されている。 - 特許庁

The pulse transit circuit 10 is configured so that a sum of the number of the inverting circuits that the pulse signal transits in an N-th period (N: a natural number) and the number of the inverting circuits that the pulse signal transits in an (N+1)-th period is a power of 2.例文帳に追加

パルス走行回路１０は、Ｎ（Ｎ：自然数）周期目にパルス信号が走行する反転回路の数と、Ｎ＋１周期目にパルス信号が走行する反転回路の数との総和が２のべき乗となるように構成される。 - 特許庁

Another source selector 31a-N is also configured similarly to the source selector 31a-1 and selections by the source selectors 31a-1 to 31a-N are switched in a lump in all input channels 31-1 to 31-N.例文帳に追加

他のソースセレクタ３１ａ−Ｎの構成も、ソースセレクタ３１ａ−１と同様とされており、ソースセレクタ３１ａ−１〜３１ａ−Ｎによる選択の切り換えは全入力チャンネル３１−１〜３１−Ｎにおいて一括して行われる。 - 特許庁

With this setup, even if the nitride semiconductor device is possessed of an N-type electrode formed of multilayred thin film, diffusion of elements into the N-type electrode can be controlled easily, and the nitride semiconductor device with an N-type electrode which is high in adhesion and excellent in ohmic properties can be obtained.例文帳に追加

このことにより、薄膜の多層膜からなるｎ型電極を有していても、各元素拡散の制御を容易にし、且つ密着性、オーミック性に優れるｎ型電極を有する窒化物半導体素子となる。 - 特許庁

In this position detection system, a recording medium is provided with H servo fields that satisfy H≥log_2 (n×m) when (n×m) data bits are formed in one data field, and a probe array is provided with H servo probes for scanning the servo fields.例文帳に追加

記録媒体は１データフィールドに（ｎ×ｍ）個のデータビットが形成された場合に、Ｈ≧log_2(n×m)を満足するＨ個のサーボフィールドを備え、探針アレイはサーボフィールド上をスキャンするＨ個のサーボ探針を備える位置検出システムである。 - 特許庁

Back-diffusion timing correction values are determined in back-diffusion timing correction sections 42-1 to 42-n from the respective results of the back-diffusion in the back-diffusion sections 41-1 to 41-n, and are fed back to respective back-diffusion sections 41-1 to 41-n.例文帳に追加

逆拡散タイミング補正部４２−１〜４２−ｎは逆拡散部４１−１〜４１−ｎ各々の逆拡散の結果から逆拡散タイミング補正値を決定し、逆拡散部４１−１〜４１−ｎ各々にフィードバックする。 - 特許庁

The 2n-bit command having the register designation field has the register designation field in the former n-bit, and the arrangement of the register designation field on the former n-bit is matched to the arrangement of the register designation field in the n-bit command.例文帳に追加

レジスタ指定フィールドを有する２ｎビットの命令は、その前半ｎビットにレジスタ指定フィールドを有し、その前半ｎビット上でのレジスタ指定フィールドの配置が、ｎビットの命令におけるレジスタ指定フィールドの配置と揃えられている。 - 特許庁

N-pieces of transmitters 1-1 to 1-n are connected to data input circuit 5-1 to 5-n in one receiver 4 with the transmission lines different in data wiring length and operated by mutually synchronized clock signals.例文帳に追加

ｎ個の送信装置１−１〜１−ｎと１個の受信装置４におけるデータ入力回路５−１〜５−ｎとは、各々、異なるデータ配線長の伝送線で接続されており、互いに同期するクロック信号で動作する。 - 特許庁

This procedure avoids increase in leakage current between the source and the drain caused by rediffusion in the n+ diffusion layer.例文帳に追加

さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、トレンチ溝を形成し前記トレンチ溝にゲート電極形成後にソースとなるN＋拡散層を形成しているため、N＋拡散層の再拡散によるソース及びドレイン間リーク電流が増大しない。 - 特許庁

Besides, English words 4(n-2), 4(n-1), 4n, 4(n+1) are arranged consecutively only in the page on one side (in right or left page) so that a search for the words can be made with the eyes fixed only to the page on the one side.例文帳に追加

また、配列される英単語４（ｎ−２）、４（ｎ−１）、４ｎ、４（ｎ＋１）は、片側（右ページ又は左ページ）ページのみに、連続して配列し、該片側ページのみに視線を固定させたまま、単語の検索ができる構成とした。 - 特許庁