「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

ID_Fol1, ID_Fol2,...ID_G1, ID_G2,... are given to respective folders 25 and respective audio files 28 stored in all SD cards SD[1]-SD[n] equipped in the card slots S[1]-S[n] as ID for whole of the SD cards SD[1]-SD[n].例文帳に追加

カードスロットＳ［１］〜Ｓ［ｎ］に装着中の全部のＳＤカードＳＤ［１］〜ＳＤ［ｎ］に格納されている各フォルダ２５及び各オーディオファイル２８に対して、ＳＤカードＳＤ［１］〜ＳＤ［ｎ］の全体におけるＩＤとしてＩＤ＿Ｆｏｌ１，ＩＤ＿Ｆｏｌ２，・・・，ＩＤ＿Ｇ１，ＩＤ＿Ｇ２，・・・を付与する。 - 特許庁

The channel portion of the N-channel transistor A is used in common with a P-type drain 7a of the P-channel transistor B, and the channel portion of the P-channel transistor B is used in common with an N-type source 5b of the N-channel transistor A to make the memory cell highly integrable.例文帳に追加

ＮチャネルトランジスタＡのチャネル部とＰチャネルトランジスタＢのＰ型ドレイン７ａとを共用すると共に、ＰチャネルトランジスタＢのチャネル部とＮチャネルトランジスタＡのＮ型ソース５ｂとを共用することによって高集積化する。 - 特許庁

Betulin is dissolved in N-methyl pyrrolidone (NMP) in concentration of ≤5.5 wt.%, or in crotamiton in concentration of ≤12.4 wt.%.例文帳に追加

ベツリンをＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）に対して５．５ｗｔ％以下の濃度、またはクロタミトンに対して１２．４ｗｔ％以下の濃度に溶解する。 - 特許庁

An n electrode P1 is provided in an n type layer exposed in the recesses, a conductor layer P3 which connects the interiors of the recesses across the insulator layer m connects the n electrodes together, to provide a large chip type nitride semiconductor light-emitting element in which a light emitting part is spread in network.例文帳に追加

各凹部内に露出したｎ型層にはｎ電極Ｐ１を設け、記絶縁体層ｍを越えて凹部内同士を結ぶ導体層Ｐ３によって、ｎ電極同士を互いに接続し、発光部が網目状に広がったラージチップ型の窒化物半導体発光素子とする。 - 特許庁

In the case of sampling the Ich signal and the Qch signal recorded in a sampling data recording section 20, when an optimum timing position in a frame ri changes from 0 to n (bit missing), the optimum timing position in the frame ri can be corrected from n to '0 and n'.例文帳に追加

サンプリングデータ記録部２０に記録されたＩｃｈ信号およびＱｃｈ信号のサンプリングに際し、フレームｒｉにおける最適タイミング位置が０からｎへと変化した場合（ビット欠け）は、フレームｒｉにおける最適タイミング位置をｎから「０およびｎ」へと補正することができる。 - 特許庁

Dout(n)=K×(Din(n)-B)/(Dwb(n)-B)... (1) In order to eliminate the difference in read densities among respective read modes, a scanner controller 303 alters the target density set coefficient K in the formula (1) to K', depending on a selected read mode and sets K' in the shading correction circuit 302.例文帳に追加

Ｄout（ｎ）＝Ｋ×（Ｄin（ｎ）−Ｂ）／（Ｄwb（ｎ）−Ｂ） …（１） 上記各読取モード間の読取濃度の差をなくすために、スキャナコントローラ３０３は選択された読み取りモードに応じて上記（１）式中の目標濃度設定係数ＫをＫ'に変更し、このＫ'をシェーディング補正回路３０２に設定する。 - 特許庁

Therefore, in the complex number operation of covariance matrix calculation in N total processing range cells, the calculation times counts (N/Q) in comparison with the calculation times (N) of a conventional covariance matrix in each range cell by the sliding window method, and operation quantity can be drastically reduced.例文帳に追加

従って、Ｎ個の全処理レンジセルにおける共分散行列算出の複素演算は、スライディングウィンドウ方式による各レンジセルにおいて行った従来の共分散行列の算出回数（Ｎ回）と対比して、算出回数は（Ｎ／Ｑ）回となるので、演算量を大幅に削減できる。 - 特許庁

The method for production is carried out as follows: A carbamic acid ester such as benzyl N-chloro-N-sodiocarbamate is reacted with an olefin such as 3-acryloyl-2-oxazolidinone in the presence of an optically active quaternary ammonium salt, to afford the optically active nitrogen-containing three-membered ring compound such as 3-(1'-carbonyloxybenzylaziridinyl)-2-oxazolidinone.例文帳に追加

光学活性な四級アンモニウム塩の存在下、N-クロロ-N-ソジオカルバミン酸ベンジル等のカルバミン酸エステルと、3-アクリロイル-2-オキサゾリジノン等のオレフィンを反応させ、3-(1’-カルボニルオキシベンジルアジリジニル)-2-オキサゾリジノン等の光学活性な含窒素三員環化合物を得る製造方法。 - 特許庁

2N sets of the consecutive symbols in the DMT output signal include 1) N sets of symbols whose value is respectively equal to each value of N sets of DMT input symbols and 2) and N sets of symbols whose value is a function of N sets of DMT input symbolalues respectively.例文帳に追加

ＤＭＴ出力信号の中のこれらの２Ｎ個の連続したシンボルは、１）値がＮ個のＤＭＴ入力シンボルの値にそれぞれ等しいＮ個のシンボル、および、２）値がそれぞれのＮ個のＤＭＴ入力シンボル値の関数であるＮ個のシンボルを含む。 - 特許庁

In a plurality of multi-point learning region n set within the basic learning region i, a multi-point learning value AGdp(n) corresponding to the region (n) is used to compute the ignition timing command value ST and is renewed based on the gradual changing value Fsm.例文帳に追加

また、基本学習領域ｉ内に設定された複数の多点学習領域ｎでは、同領域ｎに対応した多点学習値ＡＧｄｐ(n)が上記点火時期指令値ＳＴの算出に用いられるとともに徐変値Ｆｓｍに基づき更新される。 - 特許庁

This information recording device 1 is provided with a plurality of heads 2-i (i=1, 2,..., N) with different azimuth angles and a reproduction head 4 for reproducing information recorded with the different azimuth angles in adjacent recording areas 3R-i (i=1, 2,..., N) on a recording medium 3.例文帳に追加

情報記録装置１において、アジマス角を異にする複数の記録ヘッド２＿ｉ(i=1、2、…、N)と、記録媒体３上で隣接する記録領域３Ｒ＿ｉ(i=1、2、…、N)について異なるアジマス角をもって記録された情報を再生するための再生ヘッド４を設ける。 - 特許庁

An optical transmitter 1 sends to an optical receiver 5 one of quantum entangles paired photons making empty preceding and following (0th and (N+1)-th) time slots in a series of N time slots and spread by 1st to N-th N time slots, and also sends the other photon to an optical receiver 11.例文帳に追加

光送信機１は、一連のＮ個のタイムスロットの前後（０番目およびＮ＋１）のタイムスロットを空にした、１〜Ｎ番のＮ個のタイムスロットにより張られた量子もつれ光子対の一方を光受信機５へ、他方を光受信機１１へと送る。 - 特許庁

If the logic circuit includes a circuit having an n-th (1≤n≤N) logic and an m-th (1≤m≤M) current supply capacity in step S30, the circuit connection information and the layout pattern are created using the n-th logic cell and the m-th current supply cell.例文帳に追加

ステップＳ３０において、論理回路が第ｎ（１≦ｎ≦Ｎ）の論理と第ｍ（１≦ｍ≦Ｍ）の電流供給能力を有する回路を含む場合には、第ｎの論理セルと第ｍの電流供給セルを用いて回路接続情報及びレイアウトパターンを作成する。 - 特許庁

Then the firmware 2 refers to an interruption information table pointer correspondence table 21, stores the interruption information in interruption information tables #0 to #n indicated by interruption information table pointers #0 to #n which correspond to the specified interruption factors #0 to #n and sets flags #0 to #n corresponding to the interruption information.例文帳に追加

ファームウェア２は割込み情報テーブルポインタ対応表２１を参照し、特定された割込み要因＃０〜＃ｎに対応する割込み情報テーブルポインタ＃０〜＃ｎの示す割込み情報テーブル＃０〜＃ｎに割込み情報を格納し、それに対応するフラグ＃０〜＃ｎを設定する。 - 特許庁

This dictionary creating device is provided with a rephrasing probability estimation part 13 which estimates the probability P(u|n) of occurrence of a rephrasing example u from a formal name (n), and is configured to record the probability P(u|n) of occurrence of the rephrasing example u in a dictionary including the formal name n and rephrasing example u.例文帳に追加

正式名称ｎから言い換え例ｕが生起される生起確率Ｐ（ｕ｜ｎ）を推定する言い換え確率推定部１３を設け、その言い換え例ｕの生起確率Ｐ（ｕ｜ｎ）を正式名称ｎと言い換え例ｕを含む辞書に記録する。 - 特許庁

The amidomalonate N,O-Pt complex having the chemical structure shown in the figure is provided, which is essentially purely obtained by a process including the step of bringing the corresponding amidomalonate O,O'-Pt complex or a mixture of amidomalonate O,O'-Pt and N,O-Pt complex into contact with an aqueous solution of pH 6.0-10.0.例文帳に追加

対応するアミドマロネートO,O'-Pt錯体またはアミドマロネートO,O'-PtおよびN,O-Pt錯体の混合物をpH 6.0〜10.0の水溶液に接触させる段階を含むプロセスによって本質的に純粋に得られる、以下の化学構造を有するアミドマロネートN,O-Pt錯体を用いる。 - 特許庁

In addition, the light axis X of each LED 82(n-1), 82(n-2), ..., on left side from the original document reference line L inclines at a constant inclination angle α to a vertical line orthogonal to the main scanning line B so as to be directed to the original document reference line L when seen from the front direction.例文帳に追加

また、原稿基準ラインＬよりも左側の各ＬＥＤ８２(n-1)、８２(n-2)、…の光軸Ｘは、正面方向から見たときに原稿基準ラインＬに向くように、主走査ラインＢと直交する垂線に対して一定の傾斜角度αで傾斜している。 - 特許庁

After forming an n-type buffer layer 7, a surface of the n-type buffer layer 7 is covered with a protecting film 8, then flaws 6, which are generated in forming the n-type buffer layer 7, are removed by a mirror polishing, and a p-type base region and an n-type emitter region are formed on the surface.例文帳に追加

ｎ型バッファ層７を形成した後で、このｎ型バッファ層７の表面を保護膜８で被覆し、ｎ型バッファ層７を形成したたきに付いたキズ６を鏡面研磨で除去し、その面に、ｐ型ベース領域やｎ型エミッタ領域を形成する。 - 特許庁

When a semiconductor is divided into a main circuit part (N: the number of elements having possibility in which defect is caused) and a redundant relieving circuit section (N: same as the above) and circuit ratio is assumed to be N/N=α, and main circuit area is assumed to be A, the redundant relieving circuit is expressed as αA.例文帳に追加

半導体装置を主要回路部（Ｎ：欠陥が起こる可能性のある個数、素子数）と冗長救済回路部（Ｎ：同上）と分けた場合、回路比Ｎ／Ｎ＝αとし、主要回路面積をＡとした場合、冗長救済回路はαＡで表される。 - 特許庁

The thickness t of the light transmission layer is set in the range of f(n)-t1≤t≤f(n)+t2 using constants t1 and t2 determined based on an allowable value of aberration and a function f(n) of the refractive index n so that the value of aberration is within a fixed allowable value.例文帳に追加

更に収差が一定許容値以内となるように、光透過層の厚さｔが、収差の許容値に基づいて決定される定数ｔ１，ｔ２と、屈折率ｎの関数ｆ（ｎ）を用いて、ｆ（ｎ）−ｔ１≦ｔ≦ｆ（ｎ）＋ｔ２の範囲に設定される。 - 特許庁

Further, in order that aberrations fall within the range of certain acceptable values, the thickness t of the light transmission layer is set within the range of f(n)-t1≤t≤ f(n)+t2, employing constants t1, t2 determined based on an acceptable value of aberration and function f(n) of the refractive index n.例文帳に追加

更に収差が一定許容値以内となるように、光透過層の厚さｔが、収差の許容値に基づいて決定される定数ｔ１，ｔ２と、屈折率ｎの関数ｆ（ｎ）を用いて、ｆ（ｎ）−ｔ１≦ｔ≦ｆ（ｎ）＋ｔ２の範囲に設定される。 - 特許庁

An n- doped GaN diode is provided on the n+ doped GaN diode patterned in a plurality of slender fingers, a metal layer is provided on the n- doped GaN layer to form Schottky junction between the n- GaN layer and the metal layer.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

In the agent, each of the branched chains includes a copolymer of strongly basic cationic monomer and weakly basic cationic monomer; wherein it is preferable that the strongly basic cationic monomer is 3-N, N-dimethylaminopropyl acrylamide and/or a derivative thereof, while the weakly basic cationic monomer is 2-N, N-dimethylaminoethyl methacrylate and/or a derivative thereof.例文帳に追加

前記強塩基性カチオン性モノマーとしては、３−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド及び／又はその誘導体が好ましく、前記弱塩基性カチオン性モノマーとしては、２−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート及び／又はその誘導体が好ましい。 - 特許庁

The thickness t of the light transmission layer is set so as to be in a range as f(n)-t1≤t≤f(n)+t2, using constants t1 and t2 determined on the basis of the permissive value of aberration and a function f(n) of the refractive index n, so that the aberration is within a specified permissive value.例文帳に追加

更に収差が一定許容値以内となるように、光透過層の厚さｔが、収差の許容値に基づいて決定される定数ｔ１，ｔ２と、屈折率ｎの関数ｆ（ｎ）を用いて、ｆ（ｎ）−ｔ１≦ｔ≦ｆ（ｎ）＋ｔ２の範囲に設定される。 - 特許庁

This curved interpolation is performed by filtering to become characteristics having a zero point on j/M (j=1, 2...M-1) and k/N (k=1, 2...N-1) on a frequency axis in the case of interpolating the image data into N/M (M and N are mutually prime positive integers).例文帳に追加

この曲線補間は、画像データをＮ／Ｍ（Ｍ、Ｎは互いに素な正の整数）に補間する際に、周波数軸上におけるｊ／Ｍ（但しｊ＝１，２，・・・，Ｍ−１）、ｋ／Ｎ（但しｋ＝１，２，・・・，Ｎ−１）に零点を持つ特性となるフィルタリングを行うことで実現する。 - 特許庁

This multiplication processing portion 24 multiplies a voltage value from the voltage control means by the sampling value Vrec(n) of a source voltage and the gain of the multiplication processing portion, to obtain a peak control target value Iref(n) of a current that flows in the switching element and to supply it to a second addition processing portion 25.例文帳に追加

この乗算処理部２４は電圧制御手段からの電圧値と電源電圧のサンプリング値Ｖrec(n)と乗算処理部のゲインを乗算し、スイッチ素子に流れる電流のピーク制御目標値Ｉref(n)を算出し、第２の加算処理部２５に供給する。 - 特許庁

A readout circuit 31 selects n(≥2) pixel signals having the same color from the R pixels or the B pixels in the R row or the B row and reads out the pixel signals by executing 1/n thinning for reducing the number of pixel signals to 1/n for each color to the selected n pixel signals.例文帳に追加

読み出し回路３１は、Ｒ行またはＢ行でＲ画素またはＢ画素からｎ（≧２）個の同一色の画素信号を選択し、選択したｎ個の画素信号に対し色ごとに画素信号数を１／ｎに減らす１／ｎ間引きを行って読み出す。 - 特許庁

When the n-side electrode is provided on the n-type conductive substrate, first of all, the n-type conductive substrate is irradiated with plasma in an atmosphere of a chlorine-based compound gas containing Si to form an ion irradiation layer on the n-type conductive substrate (an irradiation step, a step S52).例文帳に追加

ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。 - 特許庁

The signature generation apparatus for generating a signature for a message m from the i-th user includes a plurality of sub-IPs 302 within the IP core 301 so that any two or three of a[1]^μ[x](mod n), a[2]^μ[s](mod n), and w^μ[t](mod l) are calculated in parallel.例文帳に追加

署名生成装置は、i番目のユーザによるメッセージmに対する署名を生成するものであり、a[1]^μ[x] (mod n)と、a[2]^μ[s] (mod n)と、w^μ[t] (mod l)と、の、いずれか２つもしくは３つを並列に計算するように、ＩＰコア３０１内に複数のサブＩＰ３０２を備える。 - 特許庁

The composite nanospheres have a diameter ranging from 50 to 1,000 nm plus or minus 5%, and comprise: an essentially liquid core consisting of an organic phase and inorganic nanoparticles disposed inside an organic phase; and an envelope consisting of at least a hydrophilic polymer derived from polymerization of at least one water-soluble monomer, in particular an N-alkylacrylamide or an N-N-dialkylacrylamide.例文帳に追加

50から1000nmプラスまたはマイナス5%の間の直径を有し、− 有機相と、有機相の内部に配置された無機ナノ粒子とからなる必須に液体であるコア、および− 特にN-アルキルアクリルアミド、またはN,N-ジアルキルアクリルアミドである、少なくとも一つの水溶性モノマーの重合から由来する少なくとも一つの親水性ポリマーからなるエンベロープを含むことを特徴とする複合ナノスフェア。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition containing an epoxy resin, N,N-bis(diphenoxyphosphinyl)piperazine, a curing agent and an organic solvent and free from trouble of the precipitation of N,N-bis(diphenoxyphosphinyl)piperazine even by heating the epoxy resin composition to evaporate the organic solvent, dissolving the N,N-bis(diphenoxyphosphinyl)piperazine in the epoxy resin and leaving the solution after temporarily cooling at room temperature.例文帳に追加

エポキシ樹脂、Ｎ，Ｎ−ビス（ジフェノキシフォスフィニル）ピペラジン、硬化剤および有機溶剤を含有するエポキシ樹脂組成物を加熱して有機溶剤を揮発させ、Ｎ，Ｎ−ビス（ジフェノキシフォスフィニル）ピペラジンをエポキシ樹脂に溶解させた後一旦室温まで冷却して放置しても、Ｎ，Ｎ−ビス（ジフェノキシフォスフィニル）ピペラジンが析出することのないエポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

Upon occurrence of structural change caused by binding (unbinding) of the second messenger-recognizing protein with a second messenger, the position of the N-LE and C-LE flanked at both termini approaches (dissociates) to develop observable luminescence (extinction) in vivo as well as in vitro.例文帳に追加

前記セカンドメッセンジャー認識タンパク質がセカンドメッセンジャーとの結合（脱離）によって構造変化が起こると、両端のN-LE及びC-LEとの位置が近接（解離）し、in vivoでもin vitroでも発光(減光)を観察できる。 - 特許庁

Based on a correction value written in advance in EEPROM in a production process, lighting periods of the BL scan signals 1 to N are individually corrected, and the deviation in the brightness of light source blocks 1 to N is made adjustable.例文帳に追加

予め生産工程においてＥＥＰＲＯＭに書き込まれた補正値に基づいてＢＬスキャン信号１〜Ｎの点灯期間を個別に補正し、１〜Ｎの光源ブロックの輝度ばらつきを調整可能にしている。 - 特許庁

To prevent the development of crack at the time of applying the width reduction, even in the case of containing Nb, Ti, V, N in a cast slab by applying the reduction having ≥3% draft in the thickness direction of a steel plate, prior to the reduction of the cast slab in the width direction.例文帳に追加

鋳片を幅方向に圧下するに先だって、鋼板の厚み方向に圧下率3%以上の圧下を加えることにより、鋳片内にNbやTi,V,Nを含有する場合にも、幅圧下時に割れの発生を防止する。 - 特許庁

A width W in Y-axis direction of the n^- semiconductor layer 3 in the slit area 105 is set smaller than that in Y-axis direction of the n^- semiconductor layer 3 in the high-potential island area 101.例文帳に追加

そして、スリット領域１０５におけるｎ^-半導体層３のＹ軸方向の幅Ｗは、高電位島領域１０１におけるｎ^-半導体層３のＹ軸方向の幅ＨＷよりも小さく設定されている。 - 特許庁

N pieces of bars of the same shape are parallel displayed, the respective bars are set uniform in brightness of color, and (n-m) pieces of bars among them are displayed in white, the remaining m pieces of bars being displayed in a specified hue in the order of different saturation.例文帳に追加

同様な形状のバーをｎ個並列に表示し、各バーの明度は同じに設定し、その中のｎ−ｍ個に白色を、残りのｍ個に特定の色相を異なる彩度の順にカラーバーとして表示する。 - 特許庁

Data are made into packets with n-bits, in the case of sending the data from a system A to a system B.例文帳に追加

システムＡからシステムＢにデータを送る際に、データはｎビットでパケット化される。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which exhibits a high C/N in magnetic recording of high density.例文帳に追加

高密度磁気記録において高いＣ／Ｎを示す磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

A p-type base region 2 is provided in a surface layer of an n^- type drift region 1.例文帳に追加

ｎ^-型のドリフト領域１の表面層に、ｐ型のベース領域２が設けられている。 - 特許庁

The ultrasonic wave is transmitted and received in synchronization with a displayed synchronization signal to obtain the reflected wave data #N.例文帳に追加

表示同期信号に同期して超音波を送受信し、この反射波データ＃Ｎを得る。 - 特許庁

In the formula, XO is a 2-4C oxyalkylene group; and n is an integer of 13-77.例文帳に追加

式中、ＸＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基、ｎは１３〜７７の整数である。 - 特許庁

To provide a method for determining the n-value of a superconductor in a nondestructive and noncontact way.例文帳に追加

超電導体のｎ値を非破壊的かつ非接触的に求める方法の提供。 - 特許庁

The diffusion region 14 is of an n-type, and high in impurity concentration relative to the drift region 22.例文帳に追加

拡散領域１４は、ｎ型であり、ドリフト領域２２よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

A Ge-concentration in an n-type GaAlAs layer is set to 3×1016 cm-3 or lower.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｌＡｓ層中のＧｅ濃度を３×１０^16ｃｍ<SP>ー</SP><SP>3</SP>以下とする。 - 特許庁

An ECU judges whether a shift lever is in an N position or a P position (step S110).例文帳に追加

ＥＣＵは、シフトレバーがＮ位置又はＰ位置にあるか否かを判定する（ステップＳ１１０）。 - 特許庁