「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(387ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing a kerosene base comprises obtaining a fraction which produces a head space gas having the ratio of hydrocarbons lighter than n-hexane at 25°C of ≤15 vol.% and the ratio of olefin of ≤0.1 vol.% and has a sulfur content of ≤1 mass ppm from a hydrocracked product obtained by hydrocracking a paraffin-based hydrocarbon in the presence of hydrogen and a hydrocracking catalyst.例文帳に追加

本発明の灯油基材の製造方法は、水素及び水素化分解触媒の存在下でパラフィン系炭化水素を水素化分解し、得られる分解生成物から、２５℃においてｎ−ヘキサンよりも軽質な炭化水素の比率が１５容量％以下であり且つオレフィン分の比率が０．１容量％以下であるヘッドスペースガスを生じ、硫黄分の含有率が１質量ｐｐｍ以下である留分を得ることを特徴とする。 - 特許庁

The C/N of a digital tuner 2 is detected before the start of recording and during recording, and when a digital broadcasting reception level is less than a fixed threshold, it is regarded as analog broadcasting fidelity or less, and in the case of simultaneous broadcasting, digital broadcasting is automatically switched to program recording from an analog tuner 1.例文帳に追加

録画開始前および録画中に、デジタルチューナ２のＣ／Ｎを検知し、一定の閾値を下回った場合、アナログより品位とみなし、サイマルキャスト放送である場合には、アナログチューナ１からの番組録画に自動的に切り替えることで、ユーザが不在になる時刻の天候などを考慮するなどの煩わしい処理が不要になり、自動的に受信できる高品位な方の番組をデジタル機器への録画が可能となる。 - 特許庁

The variable capacitance semiconductor element 100 comprises a first semiconductor layer 12 of p-type well formed in an n-type silicon substrate 10, a second semiconductor layer 14 containing p-type impurities formed selectively on the surface part of the first semiconductor layer 12, a gate insulation layer 16 formed on the surface of the second semiconductor layer 14, and an electrode layer 18 formed on the surface of the gate insulation layer 16.例文帳に追加

半導体可変容量素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０内に形成されたｐ型ウェルからなる第１半導体層１２、第１半導体層１２の表面部に選択的に形成された、ｐ型の不純物を含む第２半導体層１４、第２半導体層１４の表面に形成されたゲート絶縁層１６、およびゲート絶縁層１６の表面に形成された電極層１８を有する。 - 特許庁

The present invention relates to the nitride light-emitting element comprising an n-type clad layer 30, an active layer 40, a p-type clad layer 50 and a transparent conductive film layer 60 that are sequentially laminated on a substrate 10, wherein the transparent conductive film layer 60 including a surface patterned in nanometer scale using wet etching and post-thermal-treatment without a separate etching mask.例文帳に追加

基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。 - 特許庁

As the steps of this method, a corrosion-inhibitive coating film containing particles of a metal selected from the group consisting of aluminum, zinc and their alloys, is formed, in a film thickness of 30 to 80 μm, on the surface of the weatherable steel.例文帳に追加

耐候性鋼表面に、アルミニウム、亜鉛及びそれらの合金からなる群より選ばれる金属の粒子を含有する、膜厚３０〜８０μｍの防食塗膜を形成し、次いで、その上に、以下の成分、（１）加水分解性シリル基を有するフッ素樹脂、エポキシ樹脂又は（メタ）アクリル樹脂、（２）一般式、 Ｒ^1_nＳｉ（ＯＲ^2）_4-n 〔式中、Ｒ^1は、炭素数１〜８の有機基であり、Ｒ^2は、炭素数１〜５のアルキル基であり、ｎは、１又は２である。 - 特許庁

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁

The radiation-sensitive composition for colored layer formation includes a colorant, an alkali-soluble resin, a polyfunctional monomer and a photopolymerization initiator, wherein the alkali-soluble resin includes a copolymer obtained by polymerizing a polymerizable mixture including at least one selected from the group of unsaturated carboxylic acids or acid anhydrides thereof and unsaturated phenol compounds, and an N-substituted maleimide in the presence of a compound having two or more thiol groups in one molecule.例文帳に追加

着色剤、アルカリ可溶性樹脂、多官能性単量体および光重合開始剤を含有する感放射線性組成物であって、アルカリ可溶性樹脂が、不飽和カルボン酸もしくはその酸無水物および不飽和フェノール化合物の群から選ばれる少なくとも１種とＮ−位置換マレイミドとを含有してなる重合性混合物を、１分子中に２個以上のチオール基を有する化合物の存在下で重合して得られる共重合体を含む着色層形成用感放射線性組成物。 - 特許庁

To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加

短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁

The method for the recombinant production of FAD-dependent glucose dehydrogenase originated from Aspergillus terreus with Escherichia coli includes: expressing, in the Escherichia coli, a gene encoding a variant type FAD-dependent glucose dehydrogenase obtained by deleting a signal peptide containing the amino acid sequence region of MLGKLSFLSALSLAVAA existing in the N-terminal region of the amino acid sequence of FAD-dependent glucose dehydrogenase originated from Aspergillus terreus registered as Accession No.NBRC 33026.例文帳に追加

アスペルギルス・テレウス由来のＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼを大腸菌で組換え生産する方法であって、アスペルギルス・テレウス由来のＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼから、寄託番号ＮＢＲＣ ３３０２６として登録されているアスペルギルス・テレウス由来のＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼのアミノ酸配列のＮ末端領域に存在するＭＬＧＫＬＳＦＬＳＡＬＳＬＡＶＡＡのアミノ酸配列領域を含むシグナルペプチドを削除した変異型ＦＡＤ依存性グルコースデヒドロゲナーゼをコードする遺伝子を大腸菌で発現させることを特徴とする方法。 - 特許庁

A latest receiving direction in which the detection of reception signal strength is completed is stored in a memory n* (S33) and when the full frequency scan operation is started again by turning off the power source again, the full frequency scan operation is started again from a receiving channel next to the stored receiving channel and a receiving direction next to the stored receiving direction.例文帳に追加

リモコン操作により電源オフされたことを契機に（Ｓ３１）、全域スキャン動作が開始され（Ｓ３２）、全域スキャン動作が中止された際には、その時点の最適受信方向が決定している最新の受信チャンネルをメモリｍ＊へ保存すると共に、受信信号強度の検出が終了している最新の受信方向をメモリｎ＊へ保存し（Ｓ３３）、再度の電源オフにより全域スキャン動作が再開した時には、保存した受信チャンネルの次の受信チャンネル及び保存した受信方向の次の受信方向から全域スキャン動作を再開する。 - 特許庁

n the period of the Northern and Southern Courts (Japan), the Shinano Ogasawara clan belonging to the Northern Court (Japan) defeated Imperial Prince Muneyoshi of the Southern Court (Japan) at the Battle of Kikyogahara and drove out in Yoshino, by which the clan played active role as hokoshu (the shogunal military guard) and Shinano shugo in the Muromachi period, however, because of out-of-control powerful local lords (kokujin) such as the Murakami clan and the Suwa clan, Nagahide OGASAWARA was defeated at the Battle of Oto and therefore the position of shugoshiki (provincial constable) was superseded by the Uesugi clan and the Shiba clan, and it couldn't lay out a strong controlling system. 例文帳に追加

南北朝時代(日本)になると、信濃小笠原氏は北朝(日本)に属し、桔梗ヶ原の戦いで南朝(日本)の宗良親王を破り吉野へ駆逐した戦功で、室町時代には一族が幕府の奉公衆や信濃の守護となり活躍したが、小笠原長秀が大塔合戦での敗北で守護職を罷免されるなど村上氏や諏訪氏などの有力国人の統制がうまくいかず、上杉氏や斯波氏に守護職を奪われ、強力な統治体制を整えることが出来なかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An average speed at each congestion level quantized to be N stages is obtained, congestion information (described by using the congestion level) of an objective section at an objective time is obtained, a congestion length at each congestion level described in the obtained congestion information is divided by its obtained corresponding average speed and they are added to calculate the time required for moving the objective section at the objective time.例文帳に追加

Ｎ段階に量子化された渋滞レベルごとの平均速度を取得し、対象となる時刻における対象となる区間の渋滞情報（渋滞レベルを使って記述されている）を取得し、その取得した渋滞情報の記述する渋滞レベルごとの渋滞長を、その取得した対応の平均速度で割り算し、それを足し合わせることで、対象となる時刻に対象となる区間の移動に要する時間を算出する。 - 特許庁

In the MOS transistor circuit provided with a logic circuit connected between a high-voltage source VDD and a low-voltage source GND and a CMOS output circuit 14 that is connected between the two voltage sources and receives the output of the logic circuit, the CMOS output circuit 14 employs an enhancement P-channel MOS transistor EPMOS and a depletion N-channel MOS transistor DNMOS.例文帳に追加

高電位源ＶＤＤと低電位源ＧＮＤとの間に接続された論理回路と、前記２つの電位源との間に接続され前記論理回路の出力を入力とするＣＭＯＳ出力回路１４とを備えたＭＯＳトランジスタ回路において、前記ＣＭＯＳ出力回路１４はＰチャネルＭＯＳトランジスタＥＰＭＯＳはエンハンスメント型で、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＤＮＭＯＳはデプレッション型で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion device (photoelectric conversion element 100) includes a photoelectric conversion layer 3 including an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, and the photoelectric conversion layer 3 forms an optical electric field within the layer and includes an electric field formation region 4 including a part smaller than the wavelength of incident light, thus improving photoelectric conversion characteristics in the photoelectric conversion layer 3.例文帳に追加

本発明は、光電変換デバイス（光電変換素子１００）又は太陽電池等に関し、ｎ型半導体及びｐ型半導体を含む光電変換層３を備えるようにすると共に、この光電変換層３が、層内に光電場を形成すると共に入射光の波長よりも小さい部分を含む電場形成領域４を有するようにし、光電変換層３における光電変換特定の改善を図るようにしたことに特徴がある。 - 特許庁

The method for producing an antibody against a hydrophobic peptide includes using a conjugate in which a hydrophilic polymer is added to an N-terminal side of the hydrophobic peptide, at least one Cys residue is added to a C-terminal side of the hydrophobic peptide and a carrier protein is linked to the Cys residue, as an antigen, and collecting an antibody from a mammal immunized against the antigen.例文帳に追加

本発明によって提供される製造方法は、疎水性ペプチドに対する抗体の製造方法であって、上記疎水性ペプチドのＮ末端側に親水性ポリマーが付加され、且つ該疎水性ペプチドのＣ末端側に少なくとも一つのＣｙｓ残基が付加され、さらに上記Ｃｙｓ残基にキャリアタンパク質が連結されたコンジュゲートを抗原として、該抗原で免疫した哺乳動物から抗体を取得することを特徴とする。 - 特許庁

Ion implantation is carried out surrounding gate electrodes 305 to 307 of transistors formed in a pixel 2 to form n^+ regions 426 and 427 functioning as a source region and a drain region, thereafter a first insulating film 35 and a second insulating film 36 functioning as a block film are formed, and a sidewall of a gate electrode having the first insulating film 35 and the second insulating film 36 partly is formed by etch-back.例文帳に追加

画素２に形成されたトランジスタのゲート電極３０５〜３０７の周辺にイオン注入を行うことでソース領域及びドレイン領域として機能するｎ^＋領域４２６、４２７を形成し、その後に、ブロック膜として機能する第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６を成膜し、エッチバックによって第１の絶縁膜３５及び第２の絶縁膜３６をその一部としたゲート電極のサイドウォールを形成する。 - 特許庁

The thermoplastic resin foam molded body is provided by performing in-mold foam molding of thermoplastic resin preliminary foam particles obtained from thermoplastic resin particles having a thermoplastic resin composition prepared by mixing a copolymer A comprising the aromatic vinyl unit, unsaturated dicarboxylic acid anhydride unit and N-alkyl-substituted maleimide unit as monomers and a copolymer B comprising the aromatic vinyl unit and vinyl cyanide unit as monomers.例文帳に追加

単量体として、芳香族ビニル単位、不飽和ジカルボン酸無水物単位、Ｎ−アルキル置換マレイミド単位からなる共重合体Ａと、単量体として、芳香族ビニル単位、シアン化ビニル単位からなる共重合体Ｂを混合してなる熱可塑性樹脂組成物を基材樹脂としてなる熱可塑性樹脂粒子から得られる熱可塑性樹脂予備発泡粒子を型内発泡成形することにより得られる熱可塑性樹脂発泡成形体。 - 特許庁

The wireless apparatus 36 detects a time interval between occurrences of packet loss when receiving a Hello packet periodically transmitted from a wireless apparatus around itself at a channel Chj, and calculates the failure probability that a wireless apparatus around itself fails in packet transmission to itself based on the detected time interval, and detects the number N of a wireless apparatus corresponding to the calculated failure probability with reference to the table.例文帳に追加

そして、無線装置３６は、自己の周囲に存在する無線装置から定期的に送信されるＨｅｌｌｏパケットをチャネルＣｈｊで受信する場合にパケットロスが発生する時間間隔を検出し、その検出した時間間隔に基づいて、自己の周囲に存在する無線装置が自己へのパケットの送信に失敗する失敗確率を求め、その求めた失敗確率に対応する無線装置の数Ｎを対応表を参照して検出する。 - 特許庁

This method also includes a fourth step of coating the single crystal obtained in the step 3 with the p- or n-type semiconductor material and baking the material.例文帳に追加

Ｂｉ、Ｔｅからなる原料を溶融する第１のステップと、該第１のステップで得られた溶融後の母材を粉砕することにより、粉末状のｐ型、若しくはｎ型半導体材料を得る第２のステップと、該第２ステップで得られたｐ型、若しくはｎ型半導体材料を加圧整形した後、溶融することにより単結晶を得る第３ステップと、該第３ステップで得られた単結晶をｐ型、若しくはｎ型半導体材料で被覆焼成する第４ステップと、からなることを特徴とする。 - 特許庁

The catalyst preferably comprises the component A of 107-102 millimole/liter and the component B of aluminum atom/zirconium compound of 10-100,000 (in the mole ratio).例文帳に追加

Ｚｒ（Ｒ^1 ＣＯＣＲ^2 ＣＯＲ^3 ）_n Ｘ_4-n …［１］ （式［１］中、Ｒ^1 、Ｒ^2 およびＲ^3 は水素原子もしくは炭素数２〜１０の炭化水素基である。但し、Ｒ^1 、Ｒ^2 およびＲ^3 の少なくとも一つは水素原子であるが、全部が水素原子であってはならない。Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基および炭素数１〜１０のアルコキシ基から選ばれる１種の基または原子であり、ｎ＝２のとき２個のＸは同一でも異なっていてもよい。ｎは２〜４の整数を示す。） - 特許庁

In the moving image decoding apparatus comprising the variable length decoding processing part 102 for performing the decoding processing of the moving image compression encoded data, the motion compensation processing part 103 and a control part 101 for controlling the processing parts, the control part 101 sets the control parameter of the motion compensation of the (N+1)th macroblock to the motion compensation processing part 103.例文帳に追加

動画像圧縮符号化データの復号処理を行う可変長復号処理部１０２と、動き補償処理部１０３と、これらの処理部を制御する制御部１０１とを備えた動画像デコード装置において、可変長復号処理部１０２によるＮ番目のマクロブロックの復号処理と並行して、制御部１０１が動き補償処理部１０３に対してＮ＋１番目のマクロブロックの動き補償の制御パラメータ設定を行う。 - 特許庁

This sputtering target, having 1×10^-4 to 1.5×10^4 Ω.cm for electrical resistivity at 25°C, is obtained by sintering a raw material mixture, containing substantially ZnS and at least one dopant element selected from the group consisting of Al, In, Ag, Cu, N, Li, Na and Cl.例文帳に追加

実質的にＺｎＳと、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ、Ｌｉ、Ｎａ及びＣｌからなる群から選択される少なくとも１種のドーパント元素とを含有する原料混合物を焼結して得られるターゲットであって、該ターゲットの２５℃における電気抵抗率が１×１０^−４〜１．５×１０^４Ω・ｃｍであることを特徴とする、ＤＣスパッタリングの可能な光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット、さらには、これらを用いて作成した光ディスク保護膜により提供。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer on an electrically conductive substrate by way of an intermediate layer, the intermediate layer contains a binder resin and n-type semiconductor fine particles subjected to a plurality of surface treatments including the final surface treatment with a reactive organosilicon compound, and the surface layer of the photosensitive layer contains a siloxane resin containing an electric charge transporting structure group.例文帳に追加

導電性支持体上に、中間層を介して感光層を有する電子写真感光体において、該中間層が、複数回の表面処理を施し、且つ最後の表面処理が反応性有機ケイ素化合物を用いて行われたＮ型半導性微粒子とバインダー樹脂を含有しており、該感光層の表面層が、電荷輸送性構造基を含むシロキサン系樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The multilayered antireflection film has an optical interference layer laminated on a transparent substrate and includes at least one layer formed by applying and drying a solution prepared by dissolving benzoyl substituted poly(p-phenylene) and/or benzoyl substituted poly(p/m-phenylene) in a solvent containing at least one solvent selected from the group comprising N-methylpyrrolidone, dimethylformamide and halogenated hydrocarbons as a high refractive index layer.例文帳に追加

透明基材上に光学干渉層が積層されてなる多層反射防止膜において、ベンゾイル置換ポリ（ｐ−フェニレン）、及び／又はベンゾイル置換ポリ（ｐ／ｍ−フェニレン）を、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド及びハロゲン化炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも一種の溶剤を含有する溶剤に溶解させて得られる溶液を塗布、乾燥してなる層を、高屈折率層として少なくとも一層を含有することを特徴とする多層反射防止膜。 - 特許庁

This fluorophor has excitation peaks near 395 nm and 465 nm wavelengths, being an Eu self-activation type red fluorophor with an emission peak near 615 wavelength, exhibiting red-color emission under excitation by an In-Ga-N-based ultraviolet LED and a blue LED, thus accomplishing the high outputting of a three-wavelength type white LED and the high color rendering of a conventional-type white LED.例文帳に追加

この合成化合物は、例えば、ＣａＥｕ_４Ｓｉ_3Ｏ_13やＣａＥｕ(Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３)_３Ｏ_７などであり、波長３９５ｎｍ、４６５ｎｍ付近に励起ピークを持ち、波長６１５ｎｍ付近を発光ピークとするＥｕ自己賦活型の赤色蛍光体であり、ＩｎＧａＮ系紫外ＬＥＤ及び青色ＬＥＤにより励起されて赤色発光を示し、３波長型白色ＬＥＤの高出力化や従来型白色ＬＥＤの高演色化が図れる。 - 特許庁

This preparation consists of a step forming a semiconductor layer comprising a laminated structure of a-Si film 5 and n+ a-Si film 6, a step forming ITO film 7 as a transparent pixel electrode at a separated position from the semiconductor layer, a step forming an SiNx protective film 10 in whole area and an etching step patterning so as to separate this protective film from the transparent pixel electrode.例文帳に追加

ガラス基板１の上にａ−Ｓｉ膜５およびｎ^+ ａ−Ｓｉ膜６の積層構造からなる半導体層を形成する工程と、半導体層と離れた位置に透明画素電極となるＩＴＯ膜７を形成する工程と、全体にＳｉＮｘ保護膜１０を形成する工程と、この保護膜を、透明画素電極と離れるようにパターンニングするエッチング工程と、により液晶表示装置用のアレイ基板を製造する。 - 特許庁

The electroconductive polymer has a structure of formula (1) (wherein R is an alkyl group having ≥4 carbon atoms which is bound to the β-carbon in a thiophene ring; X and X' are each independently an element chosen from the group consisting of H, Cl and Br; and n is the repeating number of thiophene rings).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される構造を有する導電性高分子であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．４以下であり、重量平均分子量（Ｍｗ）から求められるチオフェン環の平均繰り返し数（ｎ）が３０以上８６以下であり、且つ、隣り合うアルキルチオフェン環同士の結合様式の９２％以上が立体規則性を示すようにする。 - 特許庁

The modified pyrroloquinoline quinone glucose dehydrogenase of which the 99-th amino acid residue G of pyrroloquinoline quinone glucose dehydrogenase (PQQGDH) represented by SEQ ID NO 1, or the hundredth amino acid residue G of pyrroloquinoline quinone glucose dehydrogenase (PQQGDH) represented by SEQ ID NO 3 is replaced with the amino acid sequence TGZN (in this formula, Z is SX, S or N; and X is an arbitrary amino acid residue).例文帳に追加

配列番号１で表されるピロロキノリンキノングルコース脱水素酵素（ＰＱＱＧＤＨ）の９９番目のアミノ酸残基Ｇまたは配列番号３で表されるピロロキノリンキノングルコース脱水素酵素（ＰＱＱＧＤＨ）の１００番目のアミノ酸残基Ｇが、アミノ酸配列：ＴＧＺＮ（式中、ＺはＳＸ、ＳまたはＮであり、Ｘは任意のアミノ酸残基である）で置き換えられている、改変型ピロロキノリンキノングルコース脱水素酵素が開示される。 - 特許庁

In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

A cyclic fluorine compound represented by formula [1] (wherein, n is 1-3) is reacted with a silyl enol ether compound represented by formula [2] (wheren, R^1, R^2 and R^3 are each a 1-10C alkyl group or a 6-10C aryl group) in the presence of fluoride ions.例文帳に追加

ただし、式中、ｎは１〜３、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ^４は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基又は炭素数６〜１０のアリール基、Ｒ^５とＲ^６は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル基若しくは炭素数６〜１０のアリール基、又は、Ｒ^４とＲ^５若しくはＲ^５とＲ^６が、−（ＣＨ_２）ｍ−でつながった環状構造、ｍは、１〜８である。 - 特許庁

(R^4)_4-p-N^+-(R^5-OCO-R^6)_p X^-(2) (In the general formula (2), R^4 is a C1-C3 hydrocarbon group which can have a hydroxy group as a substituent and includes at least one C1-C3 hydrocarbon group having a hydroxy group when p is 2.例文帳に追加

（ｂ）成分：下記一般式（２）で表される陽イオン界面活性剤 （Ｒ^4）_4-p−Ｎ^+−（Ｒ^5−ＯＣＯ−Ｒ^6）_p Ｘ^- （２）〔式中、Ｒ^4は置換基としてヒドロキシ基を有していても良い炭素数１〜３の炭化水素基であるが、ｐが２の時はヒドロキシ基を有する炭素数１〜３の炭化水素基を少なくとも一つ含み、Ｒ^5は炭素数１〜３の２価の炭化水素基、Ｒ^6は炭素数１５〜２１の飽和炭化水素基、ｐは２又は３の数、Ｘ^-は陰イオン基を示す。 - 特許庁

A master unit 1 is provided with a resource table 161 for storing data cross-references between resource contents and operating states and with a resource information transmission control unit 151, which transmits all stored data in the resource table 161 to a communication terminal 3-1 being a requester upon the receipt of an acquisition request of resource information from communication terminals 3-1 to 3-n.例文帳に追加

主装置１に、リソースＩＤと、リソース内容と、使用状態との対応関係を表すデータを格納したリソーステーブル１６１を設けておくとともに、リソース情報送信制御部１５１を設け、通信端末装置３−１〜３−ｎからリソース情報の取得要求が到来した場合に、リソース情報送信制御部１５１にてリソーステーブル１６１中の全記憶データを要求元となる通信端末装置３−１に送信する。 - 特許庁

To provide a shake detecting sensor improving the S/N ratio of a shake signal output from the shake detecting sensor by outputting shake signals from a plurality of shake detecting sensors as a shake signal output from one sensor, and appropriately preventing a fluctuation phenomenon by correcting image blur caused by noise when it is used in an image blur correcting device, and to provide an image blur correcting device.例文帳に追加

複数の振れ検出センサの出力を加算した振れ信号を１つの振れ検出センサからの出力された振れ信号とすることにより、振れ検出センサから出力される振れ信号のＳ／Ｎ比の向上を図り、像振れ補正装置に使用する場合には、ノイズにより生じる像振れ補正による揺らぎ現象を適切に防止することができるようにした振れ検出センサ及び像振れ補正装置を提供する。 - 特許庁

A remote machine 100 for collecting local machine logs from a plurality of local machines 3001-300n equipped with memories 3201-320n for storing local machine logs generated due to prescribed generation factors through a network N is provided with a CPU 110 for collecting the local machine logs stored in a memory 3201 of the local machine 3001 only when the priority of the local machine 3001 is higher than preset priority.例文帳に追加

所定の発生要因により生成されるローカルマシンログを格納するメモリ３２０_1 〜３２０_n をそれぞれ備える複数のローカルマシン３００_1 〜３００_n からネットワークＮを介してローカルマシンログを収集するリモートマシン１００は、たとえば、ローカルマシン３００_1 の優先度が、あらかじめ設定された優先度以上である場合にのみ、当該ローカルマシン３００_1 のメモリ３２０_____1 に格納されたローカルマシンログを収集するＣＰＵ１１０を備えている。 - 特許庁

Raw data of the RF coils is added after the phase correction corresponding to the RF coil positions to re-configure an image, thereby obtaining uniform image information having uniform sensitivity, and the sensitivity distribution of image data in performing image synthesis processing is corrected using the uniform image information, whereby synthetic image information with high S/N ratio and good uniformity of sensitivity can be obtained by one time imaging.例文帳に追加

ＲＦコイルの生データを、ＲＦコイル位置に応じた位相補正の後で加算し、画像再構成を行うことにより、感度が均一な均一画像情報を取得し、この均一画像情報を用いて、画像合成処理を行う際のイメージデータの感度分布を補正することとしているので、一回の撮像で取得される生データのみを用いて、Ｓ／Ｎ比が高く、しかも感度均一度の良い合成画像情報を取得することを実現させる。 - 特許庁

The lithium secondary battery is provided which is equipped with an anode 5 containing an anode active material capable of intercalating and deintercalating lithium, with a cathode 3 containing a cathode active material of intercalating and deintercalating lithium, and with a polyelectrolyte containing a polymer, a non-aqueous organic solvent, and a lithium salt, and in which shearing strength of the polyelectrolyte to the anode is 7 N/mm or more.例文帳に追加

リチウムをインターカレーションおよびデインターカレーションすることが可能な陽極活物質を含む陽極５と，リチウムをインターカレーションおよびデインターカレーションすることが可能な陰極活物質を含む陰極３と，ポリマー，非水性有機溶媒およびリチウム塩を含む高分子電解質とを備えるリチウム二次電池であって，前記陽極に対する高分子電解質のせん断強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上である，リチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

In the gallium nitride compound semiconductor laminate, a n-type layer, a luminous layer, and a p-type layer are formed on a substrate; the laminate is of a multi-quantum structure where the luminous layers are alternately laminated with well layers and barrier layers; and the well layer configuring the multi-quantum structure comprises well layers of uneven thicknesses and well layers of even thicknesses.例文帳に追加

基板上にｎ型層、発光層およびｐ型層を有し、該発光層が交互に井戸層と障壁層で積層された多重量子構造であり、かつ、該発光層がｎ型層とｐ型層で挟まれて配置された窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、該多重量子構造を構成する井戸層は厚さが不均一な井戸層と厚さが均一な井戸層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a first wire formed on a semiconductor substrate by laminating a P-type polysilicon film 124 and a first silicide film 125, a second wire formed on the semiconductor substrate connected to the first wire by laminating a N-type polysilicon film 104 and a second silicide film 105, and a connecting wire 112 formed in the boundary area of the first and second wires and electrically connecting the two wires.例文帳に追加

半導体基板上に形成され、Ｐ型ポリシリコン膜１２４と第１のシリサイド膜１２５とが積層された第１の配線と、前記半導体基板上に第１の配線に接続して形成され、Ｎ型ポリシリコン膜１０４と第２のシリサイド膜１０５とが積層された第２の配線と、第１の配線と第２の配線との境界領域に形成され、二つの配線を電気的に接続する接続配線１１２とを具備してなる。 - 特許庁

In the image display system containing a light-emitting element having a plurality of photosensors, each photosensor comprises the PIN diode, including an N-type dope semiconductor region, a P-type dope semiconductor region and an intrinsic semiconductor region formed therebetween, and an isolated control gate covering the intrinsic semiconductor region, wherein the isolated control gate provides the PIN diode, having controllable electrical characteristics with respect to saturation photocurrent under a saturation voltage.例文帳に追加

複数の光センサを有する発光素子を含む画像表示システムであって、各光センサは、Ｎ型ドープ半導体領域、Ｐ型ドープ半導体領域と、その間に形成された真性半導体領域を含むＰＩＮダイオード、及び前記真性半導体領域を覆う絶縁された制御ゲートを含み、前記絶縁された制御ゲートは、飽和電圧下の飽和光電流に対して制御可能な電気特性を有するＰＩＮダイオードを提供するシステム。 - 特許庁

n addition to the consultations on the modality of tariff reductions by way of a formula approach or Target Tariff Rate mentioned above, tariff peaks that would have serious trade distorting effects should be rectified efficiently. As suggested by studies conducted in the past, trade-promoting effects are expected if high tariffs, when applied among developing Members, are lowered. Tariff escalation would be subject to consultation, although its definition and the way to measure it are not so easy. 例文帳に追加

2.のフォーミュラや目標関税率に沿った関税引き下げの検討と併せて、貿易歪曲効果の大きいタリフピークの効率的な是正が図られるべきである。同時に、ハイタリフの是正は、過去のスタディなどでも示唆があるとおり、開発途上国間における是正が図られる場合に貿易促進効果が期待される。タリフエスカレーションの是正についても、具体的な定義や評価が難しいが、検討の対象となろう。 - 経済産業省

The cationic resin aqueous solution is obtained by reacting a poly(N-alkyldiallylamine)-acid adduct with an epihalohydrin, further reacting an inorganic acid with the product, and converting the epoxy group into a halohydrin group, and has <1% content of DCP in 20% of a solid component of the cationic resin aqueous solution.例文帳に追加

ポリ（Ｎ−アルキルジアリルアミン）酸付加塩とエピハロヒドリンを反応させ、ついで無機酸を反応させ、ついでエポキシ基をハロヒドリン基に転化させて得られる陽イオン性樹脂水溶液の固形分２０％におけるＤＣＰの含有量が１％未満であり、かつ、上記樹脂水溶液と塩基を反応させた樹脂を使用して得られる紙が下記式で求められる紙の湿潤引張強さ残留率（ＪＩＳ Ｐ−８１３５に基づく測定）が１５％以上となることを特徴とする陽イオン性樹脂水溶液。 - 特許庁

In formula (1), R_1, R_2, and R_3 are each a 1 to 4C alkyl group; m is desirably an integer of 0 to 5; n is desirably an integer of 3 to 10; and M is desirably Li.例文帳に追加

工程１：下式（１）で表される化合物の存在下に、共役ジエンモノマー又は共役ジエンモノマーと芳香族ビニルモノマーとを重合させて、アルカリ金属末端を有する活性重合体を製造する工程工程２：該活性重合体と、下式（２）で表されるヘテロ環化合物を反応させて、両末端が変性された変性重合体ゴムを製造する工程式（１）において、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３はＣ１〜Ｃ４のアルキル基が、ｍは０〜５の整数が、ｎは３〜１０の整数が、ＭはＬｉが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises, on the overcoat layer, a photoelectric conversion layer having a p-type semiconductor film, an i-type semiconductor film, and an n-type semiconductor film; and one end portion of the photoelectric conversion layer is in contact with the first electrode, and an end portion of the color filter lies inside the other end portion of the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

絶縁表面上に、第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜及びｎ型半導体膜を有する光電変換層と、前記光電変換層の端部の一方は、前記第１の電極と接しており、前記カラーフィルタの端部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive payer on an electrically conductive substrate by way of a middle layer, the middle layer contains a binder resin and n-type semiconductive fine particles subjected to a plurality of surface treatments including the final surface treatment with a reactive organosilicon compound and the surface layer of the photosensitive layer contains a resin having a polycarbonate component, a siloxane condensate component and an electric charge transporting structure component.例文帳に追加

導電性支持体上に、中間層を介して感光層を有する電子写真感光体において、該中間層が複数回の表面処理を施し、且つ最後の表面処理が反応性有機ケイ素化合物を用いて行われたＮ型半導性微粒子とバインダー樹脂を含有しており、該感光層の表面層が、ポリカーボネート成分、シロキサン縮合体成分及び電荷輸送構造成分を有する樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The method of manufacturing the conductive silicon nitride film includes: a first step of forming a microcrystalline silicon film doped into an n-type or a p-type; and a second step of forming the conductive silicon nitride film by irradiating the microcrystalline silicon film with plasma including nitrogen to nitride the microcrystalline silicon film; wherein a dilution rate of material gas, introduced when forming the microcrystalline silicon film in the first step, is 150 to 600.例文帳に追加

本発明の導電性窒化シリコン膜の製造方法は、ｎ型またはｐ型にドーピングされた微結晶シリコン膜を形成する第１ステップと、該微結晶シリコン膜に対し、窒素を含むプラズマを照射して微結晶シリコン膜を窒化することにより、導電性窒化シリコン膜を形成する第２ステップとを含み、第１ステップにおいて、微結晶シリコン膜を形成するときに導入される材料ガスの希釈率は、１５０以上６００以下であることを特徴とする。 - 特許庁