| 意味 | 例文 |
n-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 19373件
A flat and nearly L-shaped eaves gutter joint B having eaves gutter fitting parts 10a and 10c at both ends thereof connecting ends of two eaves gutters N and M partitions the inside of one of the eaves gutter fitting parts 10c with a water stop wall 30, and the notch 31 is formed in the water stop wall 30 to hold the end of eaves gutter M.例文帳に追加
また、略L字状の平面形状に形成され、双方の軒樋N、Mの端部を接続する軒樋嵌合部10a、10cが両端に設けられている軒樋継手Bであって、いずれか一方の軒樋嵌合部10cの内部側が止水壁30によって仕切られ、該止水壁30に軒樋Mの端部を保持する切り欠部31が開口している。 - 特許庁
A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加
SOI基板30を用いたMOS型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔13−1,13−2をソース・ドレイン拡散層10,11上から隣接する素子分離用の酸化膜7上に亘って、シリコン基板1に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してPN接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁
The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.例文帳に追加
ショットキー電極3とカソード電極4との電位差が変化することにより、ショットキー電極3とカソード電極4との間に電流を流す状態と、p型半導体層5a,5bに囲まれるn^-半導体層2を空乏層化させてショットキー電極3とカソード電極4との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁
The method for preparing multiple weave organizational chart data comprises a first conversion means for multiplying bit map image data A exhibiting a shape of multiple cloth by 2n times (n means a natural number excluding 0) in the horizontal direction and the vertical direction to provide bit map image data B and a second conversion means for applying a weave structure including the multiple weave structure to the bit map image data B.例文帳に追加
多重布の形状を示すビットマップイメージデータAを水平方向および垂直方向に2n倍(nは0を除く自然数を意味する)してビットマップイメージデータBとするための第1変換手段と、上記ビットマップイメージデータBに多重織組織を含む織組織を当てはめるための第2変換手段とを備えることを特徴とする多重織組織図データ作成方法である。 - 特許庁
An oligonucleotide primer set, a probe, a combination of the primer set and the probe, and a reagent for specifically and sensitively amplifying and detecting HIV-1 variants including those from HIV-1 groups M, N, and O, as well as various subtypes within or derived from these groups are prepared to carry out amplification and detection of the HIV-1 target sequence in a test sample.例文帳に追加
HIV−1群M、N及びO、並びに前記群内ないし前記群に由来する各種サブタイプを含めたHIV−1変異体を特異的且つ高感度で増幅・検出するためのオリゴヌクレオチドプライマーセット、プローブ、及び前記したプライマーセットとプローブの組合せ及び試薬を用意して、試験サンプル中のHIV−1標的配列を増幅・検出を行う。 - 特許庁
A power conversion system 1 includes: an AC-DC converter 5 converting an AC voltage supplied from an AC power source 9 into a DC voltage; and a plurality of DC-DC converters 6-1 to 6-N which are serially connected to one another and are connected to the AC power source 9, whose output are connected in parallel, and whose input side and output side are insulated.例文帳に追加
電力変換システム1は、交流電源9から供給された交流電圧を直流電圧に変換するAC−DCコンバータ5と、互いに直列に接続され交流電源9に接続されるとともに出力が並列に接続され、入力側と出力側が絶縁されている複数のDC−DCコンバータ6−1〜6−Nとを備える。 - 特許庁
To reduce the number of PEPs, improve throughput, and reduce the cost by simultaneously implanting impurities into a capacity region and each region of the source and drain of each N-type and P-type TFT, by utilizing features that an original impurity conductivity-type stays even if an opposing impurity is implanted into an already implanted impurity region in the manufacturing process of a TFT array.例文帳に追加
TFTアレイの製造過程にあって、既に注入済の不純物領域に、後から相対する不純物を注入しても、元の不純物導電型のままであるという特徴を生かして、容量領域とN型、P型の各TFTのソース、ドレインの各領域の不純物注入を同時に行うようにしてPEP数を低減し、スループットを向上し併せてコストを低減する。 - 特許庁
The nonaqueous electrolyte for the battery contains a nonaqueous solvent including a cyclic phosphazene compound represented by general formula (1): (NPR_2)_n... (1) [in the formula, R represents independently fluorine, an alkoxy group, or an aryloxy group; n represents 3-4], at least a methyl ester compound selected from the group comprising methyl phosphate, methyl propionate, and methyl butyrate, and a supporting electrolyte.例文帳に追加
下記一般式(I): (NPR_2)_n ・・・ (I)[式中、Rは、それぞれ独立してフッ素、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表し;nは3〜4を表す]で表される環状ホスファゼン化合物、並びに酢酸メチル、プロピオン酸メチル及び酪酸メチルからなる群から選択される少なくとも1種のメチルエステル化合物を含む非水溶媒と、支持塩とを含むことを特徴とする電池用非水電解液である。 - 特許庁
The device is equipped with traveling state determination means 77, 78 in which first and second computers 71, 72 determine individual traveling states on the basis of obtained information, and mode shift control means 74, 76 which shift a limp home function to an N range fixed mode when failing to confirm the agreement between traveling states individually determined by the traveling state determination means 77, 78.例文帳に追加
第1及び第2コンピュータ71,72がそれぞれ、取得した情報に基づいて個々に走行状態を判別する走行状態判別手段77,78と、該走行状態判別手段77,78により個々に判別された走行状態の一致が確認し得なくなったときはNレンジ固定モードに移行させるモード移行制御手段74,76とを備える。 - 特許庁
In the developing cartridge 20 having the developing roller 25 produced by forming the resin layer having conductivity on the outer periphery of the conductive shaft, the non-magnetic one-component developer and the regulating blade 28, the material of the regulating blade 28 is a phosphor bronze plate, and the regulating blade 28 abuts on the developing roller 25 with average abutting pressure of 10 to 50 N/m.例文帳に追加
導電性シャフトの外周に導電性の樹脂層を形成して作製した現像ローラ25と、非磁性一成分現像剤と、規制ブレード28を有する現像カートリッジ20において、該規制ブレード28の材質がリン青銅板で、該規制ブレード28が現像ローラ25に当接圧平均10〜50N/mで当接していることを特徴とする現像カートリッジ20。 - 特許庁
An image recording medium contains a composition composed of one kind or more compounds having an acid-sensitive substituent in which C-C bonds or C-N bonds are generated by the intermolecular reaction or intramolecular reaction accompanying desorption of the substituent to generate changes on 360 nm-900 nm absorption zones and also contains a compound generating acid by the action of light or heat.例文帳に追加
酸感受性の置換基を有し、該置換基の離脱に伴う分子間または分子内反応によりC−C結合またはC−N結合が形成され、360nm〜900nmの吸収域に変化を生じることができる1種類以上の化合物からなる組成物、および、光または熱の作用により酸を発生する化合物を含有する画像記録媒体。 - 特許庁
In the semiconductor integrated circuit device, having the negative voltage boosting circuit and the positive voltage boosting circuit, a selection signal having an n-bit for setting an output voltage to a prescribed voltage is input to allow the positive voltage boosting circuit to start the boosting operation, and then the output voltage is increased step-wise as an absolute value to stabilize the output voltage of the positive voltage boosting circuit.例文帳に追加
負電圧昇圧回路と正電圧昇圧回路を有する半導体集積回路装置であって、出力電圧を所定の電圧へ設定するnビットの選択信号が入力され、正電圧昇圧回路が昇圧動作を開始した後、出力電圧を段階的に絶対値として大きくして正電圧昇圧回路の出力電圧を安定させるようにした。 - 特許庁
This cosmetic is obtained by including (1) hydroxyproline, an N-acylated derivative thereof or a salt thereof and (2) one ingredient selected from the group consisting of a water-soluble vitamin an oil-soluble vitamin, a macromolecular peptide, a macromolecular polysaccharide, a sphingolipid and a seaweed extract, and has skin-aging retarding action and skin-quality improving action in addition to moisturizing function.例文帳に追加
本発明は、(1)ヒドロキシプロリンもしくはヒドロキシプロリンのN−アシル化誘導体またはその塩と、(2)水溶性ビタミン、油溶性ビタミン、高分子ペプチド、高分子多糖、スフィンゴ脂質および海草エキスからなる群から選ばれる少なくとも1つの成分とを含有してなる化粧料であって、保湿機能に付け加えて、肌の老化抑制作用および肌質改善作用を有するものである。 - 特許庁
To provide a polymer material capable of giving a polymer electrolyte which exhibits not only excellent processability, durable stability, heat resistance, solvent resistance and mechanical characteristics but also excellent ionic conductivity by introducing sulfonic acid groups or phosphonic acid groups exchibiting specific ionic conductivity into a polyimidazole-based polymer having excellent heat resistance, mechanical characteristics or the like to induce solubility in N-methyl-2-pyrrolidone.例文帳に追加
耐熱性、機械特性など優れた性質を持つポリイミダゾール系ポリマーにN−メチル−2−ピロリドンへの溶解性を引き出す形で特定のイオン伝導性を示すスルホン酸基またはホスホン酸基を導入することにより、加工性、耐久安定性、耐熱性、耐溶剤性、機械特性だけでなくイオン伝導性、加工性、にも優れた高分子電解質となりうる高分子材料を得る。 - 特許庁
In a frame to be transmitted from a station device to a first or an n-th subscriber device, a second PLOAM cell 202 is outputted after a fixed period that a first PLOAM cell 201 is transmitted and a plurality of information cells from the first information cell 203 to an m-th information cell 204 are transmitted between the continuous first and second PLOAM cells.例文帳に追加
局装置から第1または第nの加入者装置に送信されるフレームであって、第1のPLOAMセル201が送信された後、一定周期後に第2のPLOAMセル202が出力され、連続する前記第1、第2のPLOAMセルの間に第1の情報セル203から第mの情報セル204までの複数の情報セルが送信される。 - 特許庁
This humidity sensor is formed with a humidity sensing part 100 having a humidity sensitive film 50 of which an electrostatic capacitance (dielectric constant) changes by adsorption of moisture, and electrodes 31, 32 covered with the humidity sensitive film 50 and for detecting the change of the electrostatic capacitance, and a circuit element 200 for processing an output signal from the humidity sensing part 100, in an N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加
水分を吸着することによって静電容量(誘電率)が変化する感湿膜50及び該感湿膜50に覆われて、その静電容量の変化を検出するための電極31及び32を有する感湿部100と、該感湿部100の出力信号を処理する回路素子部200とが、N型の半導体基板10に形成されている。 - 特許庁
A phase shift measuring means, for example, comprises: a free oscillatory wave counting means for counting the number of free oscillation waves outputted in the shape of attenuation from the resonant circuit 2 after the signal output stop of the drive signal output means; and a count time measurement means for measuring the time until the free oscillatory wave counting means counts a predetermined number n of the free oscillatory waves.例文帳に追加
位相ズレ測定手段は、例えば、駆動信号出力手段の信号出力停止後に共振回路2から減衰状に出力される自由振動波の数をカウントする自由振動波カウント手段と、該自由振動波カウント手段が所定数nの自由振動波をカウントするまでの時間を計測するカウント時間計測手段によって構成できる。 - 特許庁
A polling frequency setting table 50 wherein a secondary station to be polled repeatedly and a frequency of polling for the secondary station are set, a normal polling schedule table 52 wherein the order of normal polling for a plurality of secondary stations is set, and an N-time polling schedule table 51 wherein the frequency of completed polling for the secondary station set in the polling frequency setting table 50 is stored are provided.例文帳に追加
複数回のポーリングを実行すべき二次局と該二次局へのポーリング回数を設定するポーリング回数設定テーブル50と、複数の二次局に通常ポーリングを行う順番が設定される通常ポーリングスケジュールテーブル52と、ポーリング回数設定テーブル50に設定された二次局に対して実行されたポーリング回数を記憶するN回ポーリングスケジュールテーブル51とを設ける。 - 特許庁
This coating composition for a photoelectric conversion element comprising a crystalline n-type semiconductor, titanium peroxide having an anatase type low-crystallinity and a low-boiling-point medium is applied to the upper surface of a transparent conductive film 2 formed on a transparent substrate 1, and sintered in a temperature condition of 50-250°C to form a semiconductor film 3 so that this photoelectric conversion element 10 is formed.例文帳に追加
透明性基板1上に形成された透明性導電膜2の上面に、結晶性n型半導体と、アナターゼ型低結晶性を有する過酸化チタンと、低沸点媒体とからなる光電変換素子用塗布組成物を塗布し、50℃〜250℃の温度条件下で、焼結することで、半導体膜3を成膜し、光電変換素子10を形成する。 - 特許庁
This epoxy resin composition for sealing a semiconductor comprises (A) an epoxy resin represented by general formula (1), (B) a phenol resin represented by general formula (2), (C) an inorganic filler, (D) a curing accelerator and (E) an N-cyclohexyl-2-benzothiazolylsulfamide as essential components, and the content of the whole inorganic materials in the whole epoxy resin composition is 84-94 wt.%.例文帳に追加
(A)一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノール樹脂、(C)無機充填材、(D)硬化促進剤、及び(E)N−シクロヘキシル−2−ベンゾチアゾリルスルファンアミドを必須成分とし、全無機物が全エポキシ樹脂組成物中に84重量%以上、94重量%以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁
This method for measuring the amount of the hyaluronic acid in the specimen comprises to subject the specimen under a decomposition reaction by a hyaluronic acid lyase capable of decomposing the hyaluronic acid to disaccharides, to subject the obtained reaction mixture under an oxidation reaction by an N-acylhexosamine oxidase, and to perform a color-developing reaction by hydrogen peroxide produced thereby.例文帳に追加
試料中のヒアルロン酸量を測定するための方法であって、該試料を、ヒアルロン酸を二糖類にまで分解することのできるヒアルロン酸リアーゼによる分解反応に付すことと、得られた反応混合物をN−アシルヘキソサミンオキシダーゼによる酸化反応に付すことと、これにより生じた過酸化水素に発色反応を行わせることと、を含むものである方法。 - 特許庁
In a second partition region 40 thereof, a bipolar type semiconductor element 4 having a buried collector region 47 as the p-type deep layer 7a and having a base region 46 as the n-type shallow layer 6a is formed.例文帳に追加
活性層14の第1区画領域20にはp型の深層7aをリサーフ領域27とするとともにn型の浅層6aをドリフト領域26とするユニポーラ型の半導体素子2が形成されており、第2区画領域40にはp型の深層7aを埋め込みコレクタ領域47とするとともにn型の浅層6aをベース領域46とするバイポーラ型の半導体素子4が形成されている。 - 特許庁
To further enhance carrier mobility without deteriorating n-type transistor characteristics by composing both a semiconductor layer and an insulator layer material with organic compounds and further using macromolecular substances having no hydroxide group as a substance that forms the insulator layer in a TFT having a conductive layer/insulator layer/semiconductor layer structure.例文帳に追加
導電体層/絶縁体層/半導体層構造を有する有機電界効果トランジスターにおいて、半導体層を形成する物質が有機化合物であり、絶縁体層を形成する物質が下記式(1)で示されるモノマー及び/又は下記式(2)で示されるモノマーを重合又は共重合して得られる高分子物質を含んでなることを特徴とする有機電界効果トランジスター。 - 特許庁
The semiconductor laser has a laser structure made of a nitride-based group III-V compound semiconductor, a pair of cleavage planes 37 and 38 formed in a resonator direction of the laser structure, a coating 39 formed on a laser light projection side between the pair of cleavage planes 37 and 38, and a p-side electrode 35 and an n-side electrode 36 for injecting a current into the laser structure.例文帳に追加
窒化物系III−V族化合物半導体からなるレーザ構造と、そのレーザ構造の共振器方向に形成された一対のへき開面37,38と、その一対のへき開面37,38のうちレーザ光の射出側に形成された被膜39と、レーザ構造に電流を注入するためのp側電極35およびn側電極36とを備える。 - 特許庁
The glazing assembly having soundproof effect for a vehicle comprises: at least one glass layer; and a laminated glazing assembly including an intermediate film having a loss factor tanδ of greater than 0.6 and a shear modulus G' of less than 2 x 10^7 N/cm^2, in a temperature range of 10 to 60 °C and a frequency range of 50 to 10000 Hz.例文帳に追加
車両用の防音効果を有するグレイジングアッセンブリーであって、少なくとも1枚のガラス板と、温度範囲10〜60℃及び振動数範囲50〜10,000Hzにおいて、損失角tanδが0.6より大きく、せん断弾性指数G’が2×10^7N/cm^2より小さい中間層フィルムとを含む積層グレイジングアッセンブリーから成ることを特徴とする上記グレイジングアッセンブリー。 - 特許庁
This terminating device is formed by connecting the first joint part to the first hose extended from a joint connected to a pump for sending out the chemicals, extending one to several hoses from the first joint part, connecting the second to the N-th joint parts to each of the hoses, and allowing the nozzles for scattering the chemicals, installed in each of the joint parts to scatter the chemicals.例文帳に追加
この発明は薬液送出用ポンプに接続する継手から延出する最初のホースに第1継手部を接続し、この第1継手部から1乃至複数本のホースを延出させ、これ等の各ホースに第2乃至第Nの継手部を接続し、前記した各継手部に設けた薬液散布用ノズルから薬液を散布するようにして駆除装置を形成したものである。 - 特許庁
A monitor control unit 21 periodically inquires service states of all units mounted in the voice processing apparatus, and does not transmit the "state notifying message" to the exchange 1 when the mobile communication exchange side transmission line terminating unit 22 or the radio base station side transmission line terminating unit 24 has a fault at an error recognition time by inquiring the encoding/decoding unit 23 (0-N).例文帳に追加
監視制御ユニット21は、音声処理装置に実装されるすべてのユニットの運用状態を定期的に問い合わせ、符号化/復号化ユニット23(0〜N)の問い合わせでエラー認識時、移動通信用交換機側伝送路終端ユニット22又は無線基地局側伝送路終端ユニット24に異常があるときは移動通信用交換機1への「状態通知メッセージ」の送信を行わない。 - 特許庁
A control circuit 7a inputs frequency division number setting data, which are inputted to a frequency divider circuit 2, extracts (n) pieces of bits from a predetermined prescribed part in these data and outputs the gain control signal 13 to the gain switcher 6 so that the gain switcher 6 can switch the loop gain by controlling the switch elements corresponding to bit constitution of the extracted bits.例文帳に追加
制御回路7aは、分周回路2に入力される分周数設定データを入力して、このデータのあらかじめ決められた所定部分からn個のビットを抽出し、抽出したビットのビット構成に応じて利得切替器6がスイッチ素子を制御してループ利得を切り替えるように利得切替器6に利得制御信号13を出力する。 - 特許庁
The ink or sprayed liquid other than ink for the inkjet printer, sprayed from the inkjet printer to an object to be printed or applied, includes: isopropyl alcohol, n-propyl alcohol, and glycerine in the summed mass of 5 to 35% of the total mass of the ink or the liquid.例文帳に追加
本発明は、インクジェットプリンターから噴射され、対象物に対して印刷又は塗布可能なインクジェットプリンター用のインク又はインク以外の噴射液であって,該インク又はインク以外の噴射液に対し,イソプロピルアルコールとノルマルプロピルアルコールとグリセリンとの合計質量が,総質量の5%〜35%であることを特徴とするインクジェットプリンター用のインク又はインク以外の噴射液を提供する。 - 特許庁
The method for producing the N-oxide comprises carrying out a reaction between the tertiary amine and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加
タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、三級アミンと過酸化水素とを反応させることを特徴とするN−オキシド類の製造方法。 - 特許庁
There are provided a miniaturized Fc-binding protein comprising a first domain and a second domain on the N-terminal side, and deleted of a third domain on the C-terminal side in the three domains composing the Fc-binding protein; a polynucleotide encoding the protein; a vector containing the polynucleotide; and a transformant obtained by transforming a host with the vector.例文帳に追加
Fc結合性タンパク質を構成する3つのドメインのうち、N末端側の第1ドメインおよび第2ドメインを含み、かつC末端側の第3ドメインを欠失させた、小型化Fc結合性タンパク質、前記タンパク質をコードするポリヌクレオチド、前記ポリヌクレオチドを含むベクター、および前記ベクターを用いて宿主を形質転換して得られる形質転換体により前記課題を解決する。 - 特許庁
The composition for promoting the accumulation and/or suppressing the decrease in collagen contains a triazine compound expressed by formula (I) (X is a halogen atom, a lower alkyl, a lower alkoxy, nitro or trifluoromethyl; Y and Z are each independently a lower alkyl; and (l), (m) and (n) are each independently an integer of 0-2).例文帳に追加
式(I)(式中、Xはハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニトロ基又はトリフルオロメチル基を示し、Y及びZは同一又は相異なり、低級アルキル基を示し、l、m及びnは同一又は相異なり、0から2の整数を示す。)で示されるトリアジン化合物を含有する、コラーゲン蓄積促進及び/又は減少抑制のための組成物等が提供可能となった。 - 特許庁
A light emitting diode comprises a gallium nitride based compound semiconductor light emitting device structured by lamination in n-type and p-type manners, and a fluorescent dye or a fluorescent pigment which is excited by visible light from the gallium nitride based compound semiconductor light emitting device and emits visible light of a wavelength longer than an excitation wavelength and carries out the color correction of the gallium nitride based compound semiconductor light emitting device.例文帳に追加
発光ダイオードは、n型及びp型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と、前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の色補正をする蛍光染料又は蛍光顔料とを有する。 - 特許庁
A first polycrystalline semiconductor layer 120 i grown beneath a p-type polycrystalline silicon film 106 exposed in a lower surface of a visor section composed of a multiple-layered film containing a p-type polycrystalline silicon film 106 and a silicon nitride film 108, while growing the first semiconductor layer 110 on a n-type collector layer 102, and then the first polycrystalline semiconductor layer 120 is selectively removed.例文帳に追加
n型コレクタ層102上に、第一の半導体層110を成長させつつ、p型多結晶シリコン膜106、シリコン窒化膜108を含む積層膜からなる庇部の下面に露出したp型多結晶シリコン膜106の下方に第一の多結晶半導体層120を成長させ、その後第一の多結晶半導体層120を選択的に除去する。 - 特許庁
A semiconductor device (TFT) includes oxidized low-ohmic resistance Si films 8 disposed on a Si semiconductor film 7 so as to form a channel 11, and a source electrode 9 and a drain electrode 10 which are directly connected to the low-ohmic resistance Si films 8, and comprise an aluminum alloy film containing at least Ni atoms, N atoms and O atoms in the vicinity of the connection interface.例文帳に追加
半導体デバイス(TFT)は、チャネル部11を形成する様にSi半導体膜7上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Si膜8と、オーミック低抵抗Si膜8と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともNi原子、N原子及びO原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極9及びドレイン電極10とを有する。 - 特許庁
The vehicular driving force control apparatus, which controls vehicle driving force in response to disturbances influencing vehicle running, sets a smaller controlled variable of driving force (S4, S5) if an acceleration operation is smaller than a preset value (S3-Y) than if the acceleration operation is larger than the preset value (S3-N).例文帳に追加
車両の走行に影響を与える外乱に対応して、前記車両の駆動力を制御する車両用駆動力制御装置であって、予め設定された所定値よりも小さな加速操作が行なわれた場合(S3−Y)には、前記所定値よりも大きな加速操作が行なわれた場合(S3−N)に比べて、前記駆動力の制御量を減少させる(S4、S5)。 - 特許庁
The above resin component in the electrode containing an active material and the resin component contains, (A) at least one sort chosen from a cellulose derivative, copolymers having N-vinyl acetamide unit, and a polymer having an acrylic acid unit, (B) at least one sort chosen from a copolymer of ethylene oxide and propylene oxide, and the derivative of the above copolymer.例文帳に追加
活物質および樹脂成分を含む電極であって、前記樹脂成分は、(A)セルロース誘導体、N−ビニルアセトアミド単位を有する重合体およびアクリル酸単位を有する重合体よりなる群から選ばれた少なくとも1種、ならびに(B)エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとの共重合体および前記共重合体の誘導体から選ばれた少なくとも1種を含む。 - 特許庁
To provide an ultrasonic flowmeter for preventing decline of a detection S/N ratio at a measuring time of an arrival time by improving asymmetry of reception sensitivity characteristic of an ultrasonic beam generated in an ultrasonic transducer between a forward direction propagation time and a backward direction propagation time by adjusting output intensity of a piezoelectric element, and contributing to improvement of flow measurement accuracy.例文帳に追加
順方向伝播時と逆方向伝播時との間で超音波トランスジューサに生じる、超音波ビームの受信感度特性の非対称性を、圧電素子の出力強度を調整することにより改善して、到達時間測定時の検出S/N比の低下を防止し、流量計測精度の向上に寄与することのできる超音波流量計を提供する。 - 特許庁
In a trench forming process, a trench 15 is formed that makes round parting both the n-type semiconductor region 13 and p-type semiconductor region 14 appearing adjacent on the top surface of the semiconductor substrate 9 and extends sufficiently deep, to penetrate the injection ranges 12 and 14 of the impurities from the top surface of the semiconductor substrate 9 to the reverse surface of the semiconductor substrate 9.例文帳に追加
トレンチ形成工程では、半導体基板9の表面に隣接して出現しているn型半導体領域13とp型半導体領域14の双方を分断して一巡するととともに半導体基板9の表面から半導体基板9の裏面に向けて不純物の注入範囲12、14を貫通する深さにまで伸びているトレンチ15を形成する。 - 特許庁
This method for producing the oligothiophene compound represented by the general formula (3) [(n) is an integer of 2 to 6] is characterized by reacting a terthiophene compound represented by the general formula (1) (X^1 is a halogen atom) with an oligothiophene Grignard reagent represented by the general formula (2) (X^2 is a halogen atom) in the presence of a catalyst.例文帳に追加
一般式(1);(式中、X^1はハロゲン原子を示す。)で示されるテルチオフェン化合物と一般式(2);(式中、X^2はハロゲン原子を示す。nは、2〜6の整数を示す)で示されるオリゴチオフェン類のグリニヤール試薬を、触媒の存在下で反応させることを特徴とする一般式(3);(式中、nは、前記と同様である。)で示されるオリゴチオフェン類の製造方法。 - 特許庁
The crosslinkable composition contains (A) a polyorganosiloxane represented by general formula 1 (wherein each of R, R'', R', m, and n has a meaning described in the specification), (B) a linear organopolysiloxane having diorganosiloxy units and Si-H units, and (C) a catalyst which accelerates the addition of Si-H groups to aliphatic carbon-carbon double bonds.例文帳に追加
架橋可能な組成物であって、(A)一般式1[式中、R、R′′、R′、m、nは明細書中に記載の意味を有する]で示されるオルガノポリシロキサンと、(B)ジオルガノシロキシ単位及びSi−H基を有する直鎖状のオルガノポリシロキサンと、(C)脂肪族の炭素−炭素二重結合へのSi−H基の付加を促す触媒(C)とを含有する組成物によって解決される。 - 特許庁
To provide a process for efficiently synthesizing 2-hydroxy(alkyl)triethylenediamines by using a raw material obtained inexpensively, industrially and stably, without using a reducing agent at high risk of ignition, in simple, safe and a few steps; and to provide, as the raw material, novel N-(dihydroxyalkyl)diethlenetriamines, compositions thereof, di-substituted hydroxyalkylpiperazines or compositions thereof.例文帳に追加
安価で工業的に安定的に得られる原料を用いて、発火の危険性が高い還元剤を用いることなく、簡便且つ安全に少ない工程数で2−ヒドロキシ(アルキル)トリエチレンジアミン類を効率的に合成する方法を提供するとともに、そのための原料として、新規なN−(ジヒドロキシアルキル)ジエチレントリアミン類又はその組成物、ジ置換ヒドロキシアルキルピペラジン類又はその組成物を提供する。 - 特許庁
The queue control part 236 of the radio base station controller monitors the internal state of the control signal dedicated transmission queue 235, and when the control signal queued to the control signal dedicated transmission queue 235 is communication disconnection processing, clears any unnecessary data staying in the user data transmission queues 234-1 to 234-n which are used by the user who has requested the communication disconnection processing.例文帳に追加
無線基地局制御装置のキュー制御部236は制御信号専用送信キュー235の内部状態を監視し、制御信号専用送信キュー235にキューイングされた制御信号が通信切断処理であった場合、通信切断処理を要求したユーザの使用しているユーザデータ送信キュー234−1〜234−nに溜まった不要データをクリアする。 - 特許庁
This production method of a maleimide compound which is one or more kinds of compounds selected from a group comprising maleic anhydride, an aliphatic isocyanate compound, an isocyanate compound having fat structure and an isocyanurate group-containing isocyanate compound and this resin composition produced from the maleimide compound, a compound having (meth)acryloyl group, an N-vinyl compound and a compound having vinyl ether group are provided in this invention.例文帳に追加
無水マレイン酸と脂肪族系イソシアネート化合物、脂肪構造を有するイソシアネート化合物及びイソシアヌレート基含有イソシアネート化合物からなる群から選ばれる1種以上の化合物であるマレイミド化合物の製造方法、及び本マレイミド化合物と(メタ)アクリロイル基を有する化合物、N−ビニル化合物及びビニルエーテル基を有する化合物から製造する樹脂組成物の提供。 - 特許庁
To obtain a steel cord that has high cord tenacity, excellent rubber penetration properties and resistance to bending of cord to buckling deformation, and does not cause beating disturbance of calender operation during tire production by optimizing structure and properties of a core filament and a sheath filament in a steel cord for reinforcing a rubber article of 1+N structure twisted by a bunching stranding machine having high productivity.例文帳に追加
生産性の高いバンチング撚り線機にて撚り合わせた、1+N構造のゴム物品補強用スチールコードにおいて、コアフィラメントとシースフィラメントの構造および性状を適正化することにより、コード強力が高く、ゴムぺネトレーション性や、バックリング変形に対する耐コード折れ性に優れ、且つタイヤ製造時のカレンダー作業の打ち込み乱れの生じないスチールコードを提供する。 - 特許庁
The method for producing an N-alkylborazine comprises a step for feeding an alkali borohydride represented by ABH_4 (A is Li, Na or K) into a reactor vessel, and a step for reacting the alkali borohydride with an alkylamine salt in a solvent by gradually feeding the alkylamine represented by RNH_3X (X is a halogen).例文帳に追加
反応容器中にABH_4(Aは、リチウム原子、ナトリウム原子またはカリウム原子である)で表される水素化ホウ素アルカリを仕込む段階と、前記反応容器に、RNH_3X(Rはアルキル基であり、Xはハロゲン原子である)で表されるアルキルアミン塩を徐々に供給して、溶媒中で水素化ホウ素アルカリとアルキルアミン塩とを反応させる段階とを含む、N−アルキルボラジンの製造方法である。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor storage device includes steps of: forming a silicon diode by sequentially depositing p-type silicon and n-type silicon in order; forming pillars by selectively removing the silicon diode; arranging a solution including perhydrosilazane polymer at peripheries of the pillars; and forming a silicon oxide film by heating the solution.例文帳に追加
半導体記憶装置の製造方法において、p形シリコン及びn形シリコンを順次堆積させることにより、シリコンダイオードを形成する工程と、前記シリコンダイオードを選択的に除去してピラーを形成する工程と、前記ピラーの周囲に過水素化シラザン重合体を含む溶液を配置する工程と、前記溶液を加熱することにより、シリコン酸化膜を形成する工程と、を実施する。 - 特許庁
The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, and a solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A and made of n-amyl acetate, or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加
α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−n−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Bとを含む。 - 特許庁
This device for automatically distributing/controlling a transmission electrode of an electrical resistance survey measuring system comprises a circuit for connecting a pair of MOSFETs to the upper and the lower stages of each of n transmission electrodes, and interconnecting the pair of MOSFETs in parallel, and a controlling means for controlling ON/OFF of each MOSFET.例文帳に追加
本発明の送信電極自動配電制御装置は、電気比抵抗探査計測システムの送信電極自動配電制御装置において、n個の各送信電極の上段及び下段に一対のMOSFETが連結され、上記各一対のMOSFETが相互並列で連結される回路と、上記各MOSFETのオン/オフ(ON/OFF)を制御する制御手段と、を含んでなる。 - 特許庁
An organic peroxide having 20-35% crosslinking efficiency of n-pentadecane and 145-160°C one minute half-life temperature as a radical initiator when producing the modified ethylenic resin by melt kneading an ethylene-based resin, an α,β-unsaturated carboxylate having a polar group and an aromatic vinyl compound in the presence of the radical initiator.例文帳に追加
エチレン系樹脂、極性基を有するα,β−不飽和カルボン酸エステル、及び芳香族ビニル化合物をラジカル発生剤の存在下で溶融混練して変性エチレン系樹脂を製造するに際して、ラジカル発生剤としてn−ペンタデカンの架橋効率が20〜35%で、かつ1分間半減期温度が145〜160℃の有機過酸化物を用いる変性エチレン系樹脂の製造方法。 - 特許庁
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