「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(383ページ目) - Weblio英語例文検索

This easily tearable biaxially stretched polyester film is composed of both outer layers being molecular oriented layers and an inner layer being a substantially non-molecular oriented layer and characterized in that an edge tear resistance value is 70 N or below, the three-dimensional average roughness of at least one side of the film is 20 nm or above and the surface glossiness of the film is 150% or more.例文帳に追加

両外層が分子配向を有している層であり、内層が実質的に分子配向がない層である積層フィルムに於いて、端裂抵抗値が７０Ｎ以下であり、且つ少なくとも片方の表面の三次元平均粗さが２０ｎｍ以上であり、且つ表面光沢度が１５０％以上であることを特徴とする巻き品質に優れた易引き裂き性２軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The method for preparing multiple weave organizational chart data comprises a first conversion means for multiplying bit map image data A exhibiting a shape of multiple cloth by 2n times (n means a natural number excluding 0) in the horizontal direction and the vertical direction to provide bit map image data B and a second conversion means for applying a weave structure including the multiple weave structure to the bit map image data B.例文帳に追加

多重布の形状を示すビットマップイメージデータＡを水平方向および垂直方向に２ｎ倍（ｎは０を除く自然数を意味する）してビットマップイメージデータＢとするための第１変換手段と、上記ビットマップイメージデータＢに多重織組織を含む織組織を当てはめるための第２変換手段とを備えることを特徴とする多重織組織図データ作成方法である。 - 特許庁

An oligonucleotide primer set, a probe, a combination of the primer set and the probe, and a reagent for specifically and sensitively amplifying and detecting HIV-1 variants including those from HIV-1 groups M, N, and O, as well as various subtypes within or derived from these groups are prepared to carry out amplification and detection of the HIV-1 target sequence in a test sample.例文帳に追加

ＨＩＶ−１群Ｍ、Ｎ及びＯ、並びに前記群内ないし前記群に由来する各種サブタイプを含めたＨＩＶ−１変異体を特異的且つ高感度で増幅・検出するためのオリゴヌクレオチドプライマーセット、プローブ、及び前記したプライマーセットとプローブの組合せ及び試薬を用意して、試験サンプル中のＨＩＶ−１標的配列を増幅・検出を行う。 - 特許庁

A power conversion system 1 includes: an AC-DC converter 5 converting an AC voltage supplied from an AC power source 9 into a DC voltage; and a plurality of DC-DC converters 6-1 to 6-N which are serially connected to one another and are connected to the AC power source 9, whose output are connected in parallel, and whose input side and output side are insulated.例文帳に追加

電力変換システム１は、交流電源９から供給された交流電圧を直流電圧に変換するＡＣ−ＤＣコンバータ５と、互いに直列に接続され交流電源９に接続されるとともに出力が並列に接続され、入力側と出力側が絶縁されている複数のＤＣ−ＤＣコンバータ６−１〜６−Ｎとを備える。 - 特許庁

To reduce the number of PEPs, improve throughput, and reduce the cost by simultaneously implanting impurities into a capacity region and each region of the source and drain of each N-type and P-type TFT, by utilizing features that an original impurity conductivity-type stays even if an opposing impurity is implanted into an already implanted impurity region in the manufacturing process of a TFT array.例文帳に追加

ＴＦＴアレイの製造過程にあって、既に注入済の不純物領域に、後から相対する不純物を注入しても、元の不純物導電型のままであるという特徴を生かして、容量領域とＮ型、Ｐ型の各ＴＦＴのソース、ドレインの各領域の不純物注入を同時に行うようにしてＰＥＰ数を低減し、スループットを向上し併せてコストを低減する。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte for the battery contains a nonaqueous solvent including a cyclic phosphazene compound represented by general formula (1): (NPR_2)_n... (1) [in the formula, R represents independently fluorine, an alkoxy group, or an aryloxy group; n represents 3-4], at least a methyl ester compound selected from the group comprising methyl phosphate, methyl propionate, and methyl butyrate, and a supporting electrolyte.例文帳に追加

下記一般式(I)： (ＮＰＲ_2)_n ・・・ (I)［式中、Ｒは、それぞれ独立してフッ素、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表し；ｎは３〜４を表す］で表される環状ホスファゼン化合物、並びに酢酸メチル、プロピオン酸メチル及び酪酸メチルからなる群から選択される少なくとも１種のメチルエステル化合物を含む非水溶媒と、支持塩とを含むことを特徴とする電池用非水電解液である。 - 特許庁

The device is equipped with traveling state determination means 77, 78 in which first and second computers 71, 72 determine individual traveling states on the basis of obtained information, and mode shift control means 74, 76 which shift a limp home function to an N range fixed mode when failing to confirm the agreement between traveling states individually determined by the traveling state determination means 77, 78.例文帳に追加

第１及び第２コンピュータ７１，７２がそれぞれ、取得した情報に基づいて個々に走行状態を判別する走行状態判別手段７７，７８と、該走行状態判別手段７７，７８により個々に判別された走行状態の一致が確認し得なくなったときはＮレンジ固定モードに移行させるモード移行制御手段７４，７６とを備える。 - 特許庁

In the developing cartridge 20 having the developing roller 25 produced by forming the resin layer having conductivity on the outer periphery of the conductive shaft, the non-magnetic one-component developer and the regulating blade 28, the material of the regulating blade 28 is a phosphor bronze plate, and the regulating blade 28 abuts on the developing roller 25 with average abutting pressure of 10 to 50 N/m.例文帳に追加

導電性シャフトの外周に導電性の樹脂層を形成して作製した現像ローラ２５と、非磁性一成分現像剤と、規制ブレード２８を有する現像カートリッジ２０において、該規制ブレード２８の材質がリン青銅板で、該規制ブレード２８が現像ローラ２５に当接圧平均１０〜５０Ｎ／ｍで当接していることを特徴とする現像カートリッジ２０。 - 特許庁

An image recording medium contains a composition composed of one kind or more compounds having an acid-sensitive substituent in which C-C bonds or C-N bonds are generated by the intermolecular reaction or intramolecular reaction accompanying desorption of the substituent to generate changes on 360 nm-900 nm absorption zones and also contains a compound generating acid by the action of light or heat.例文帳に追加

酸感受性の置換基を有し、該置換基の離脱に伴う分子間または分子内反応によりＣ−Ｃ結合またはＣ−Ｎ結合が形成され、３６０ｎｍ〜９００ｎｍの吸収域に変化を生じることができる１種類以上の化合物からなる組成物、および、光または熱の作用により酸を発生する化合物を含有する画像記録媒体。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, having the negative voltage boosting circuit and the positive voltage boosting circuit, a selection signal having an n-bit for setting an output voltage to a prescribed voltage is input to allow the positive voltage boosting circuit to start the boosting operation, and then the output voltage is increased step-wise as an absolute value to stabilize the output voltage of the positive voltage boosting circuit.例文帳に追加

負電圧昇圧回路と正電圧昇圧回路を有する半導体集積回路装置であって、出力電圧を所定の電圧へ設定するｎビットの選択信号が入力され、正電圧昇圧回路が昇圧動作を開始した後、出力電圧を段階的に絶対値として大きくして正電圧昇圧回路の出力電圧を安定させるようにした。 - 特許庁

This cosmetic is obtained by including (1) hydroxyproline, an N-acylated derivative thereof or a salt thereof and (2) one ingredient selected from the group consisting of a water-soluble vitamin an oil-soluble vitamin, a macromolecular peptide, a macromolecular polysaccharide, a sphingolipid and a seaweed extract, and has skin-aging retarding action and skin-quality improving action in addition to moisturizing function.例文帳に追加

本発明は、（１）ヒドロキシプロリンもしくはヒドロキシプロリンのＮ−アシル化誘導体またはその塩と、（２）水溶性ビタミン、油溶性ビタミン、高分子ペプチド、高分子多糖、スフィンゴ脂質および海草エキスからなる群から選ばれる少なくとも１つの成分とを含有してなる化粧料であって、保湿機能に付け加えて、肌の老化抑制作用および肌質改善作用を有するものである。 - 特許庁

To provide a polymer material capable of giving a polymer electrolyte which exhibits not only excellent processability, durable stability, heat resistance, solvent resistance and mechanical characteristics but also excellent ionic conductivity by introducing sulfonic acid groups or phosphonic acid groups exchibiting specific ionic conductivity into a polyimidazole-based polymer having excellent heat resistance, mechanical characteristics or the like to induce solubility in N-methyl-2-pyrrolidone.例文帳に追加

耐熱性、機械特性など優れた性質を持つポリイミダゾール系ポリマーにＮ−メチル−２−ピロリドンへの溶解性を引き出す形で特定のイオン伝導性を示すスルホン酸基またはホスホン酸基を導入することにより、加工性、耐久安定性、耐熱性、耐溶剤性、機械特性だけでなくイオン伝導性、加工性、にも優れた高分子電解質となりうる高分子材料を得る。 - 特許庁

In a frame to be transmitted from a station device to a first or an n-th subscriber device, a second PLOAM cell 202 is outputted after a fixed period that a first PLOAM cell 201 is transmitted and a plurality of information cells from the first information cell 203 to an m-th information cell 204 are transmitted between the continuous first and second PLOAM cells.例文帳に追加

局装置から第１または第ｎの加入者装置に送信されるフレームであって、第１のＰＬＯＡＭセル２０１が送信された後、一定周期後に第２のＰＬＯＡＭセル２０２が出力され、連続する前記第１、第２のＰＬＯＡＭセルの間に第１の情報セル２０３から第ｍの情報セル２０４までの複数の情報セルが送信される。 - 特許庁

This humidity sensor is formed with a humidity sensing part 100 having a humidity sensitive film 50 of which an electrostatic capacitance (dielectric constant) changes by adsorption of moisture, and electrodes 31, 32 covered with the humidity sensitive film 50 and for detecting the change of the electrostatic capacitance, and a circuit element 200 for processing an output signal from the humidity sensing part 100, in an N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

水分を吸着することによって静電容量（誘電率）が変化する感湿膜５０及び該感湿膜５０に覆われて、その静電容量の変化を検出するための電極３１及び３２を有する感湿部１００と、該感湿部１００の出力信号を処理する回路素子部２００とが、Ｎ型の半導体基板１０に形成されている。 - 特許庁

A phase shift measuring means, for example, comprises: a free oscillatory wave counting means for counting the number of free oscillation waves outputted in the shape of attenuation from the resonant circuit 2 after the signal output stop of the drive signal output means; and a count time measurement means for measuring the time until the free oscillatory wave counting means counts a predetermined number n of the free oscillatory waves.例文帳に追加

位相ズレ測定手段は、例えば、駆動信号出力手段の信号出力停止後に共振回路２から減衰状に出力される自由振動波の数をカウントする自由振動波カウント手段と、該自由振動波カウント手段が所定数ｎの自由振動波をカウントするまでの時間を計測するカウント時間計測手段によって構成できる。 - 特許庁

A polling frequency setting table 50 wherein a secondary station to be polled repeatedly and a frequency of polling for the secondary station are set, a normal polling schedule table 52 wherein the order of normal polling for a plurality of secondary stations is set, and an N-time polling schedule table 51 wherein the frequency of completed polling for the secondary station set in the polling frequency setting table 50 is stored are provided.例文帳に追加

複数回のポーリングを実行すべき二次局と該二次局へのポーリング回数を設定するポーリング回数設定テーブル５０と、複数の二次局に通常ポーリングを行う順番が設定される通常ポーリングスケジュールテーブル５２と、ポーリング回数設定テーブル５０に設定された二次局に対して実行されたポーリング回数を記憶するＮ回ポーリングスケジュールテーブル５１とを設ける。 - 特許庁

The oxidizing process electrochemically oxidizes the porous polycrystalline silicon layer 4 by making a constant current to flow with a platinum electrode (unillustated) as a negative electrode and a lower electrode composed of the n type silicon substrate 1 and an ohmic electrode 2 as a positive electrode by using an oxidation treatment tank for containing the electrolyte of dissolving a solute composed of potassium nitrate of 0.04 M in an organic solvent composed of, for example, ethylene glycol.例文帳に追加

酸化工程では、例えばエチレングリコールからなる有機溶媒中に０．０４Ｍの硝酸カリウムからなる溶質を溶かした電解液の入った酸化処理槽を利用し、白金電極（図示せず）を負極、ｎ形シリコン基板１とオーミック電極２とからなる下部電極を正極として、定電流を流し多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化する。 - 特許庁

A flat and nearly L-shaped eaves gutter joint B having eaves gutter fitting parts 10a and 10c at both ends thereof connecting ends of two eaves gutters N and M partitions the inside of one of the eaves gutter fitting parts 10c with a water stop wall 30, and the notch 31 is formed in the water stop wall 30 to hold the end of eaves gutter M.例文帳に追加

また、略Ｌ字状の平面形状に形成され、双方の軒樋Ｎ、Ｍの端部を接続する軒樋嵌合部１０ａ、１０ｃが両端に設けられている軒樋継手Ｂであって、いずれか一方の軒樋嵌合部１０ｃの内部側が止水壁３０によって仕切られ、該止水壁３０に軒樋Ｍの端部を保持する切り欠部３１が開口している。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.例文帳に追加

ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

This coating composition for a photoelectric conversion element comprising a crystalline n-type semiconductor, titanium peroxide having an anatase type low-crystallinity and a low-boiling-point medium is applied to the upper surface of a transparent conductive film 2 formed on a transparent substrate 1, and sintered in a temperature condition of 50-250°C to form a semiconductor film 3 so that this photoelectric conversion element 10 is formed.例文帳に追加

透明性基板１上に形成された透明性導電膜２の上面に、結晶性ｎ型半導体と、アナターゼ型低結晶性を有する過酸化チタンと、低沸点媒体とからなる光電変換素子用塗布組成物を塗布し、５０℃〜２５０℃の温度条件下で、焼結することで、半導体膜３を成膜し、光電変換素子１０を形成する。 - 特許庁

This epoxy resin composition for sealing a semiconductor comprises (A) an epoxy resin represented by general formula (1), (B) a phenol resin represented by general formula (2), (C) an inorganic filler, (D) a curing accelerator and (E) an N-cyclohexyl-2-benzothiazolylsulfamide as essential components, and the content of the whole inorganic materials in the whole epoxy resin composition is 84-94 wt.%.例文帳に追加

（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、及び（Ｅ）Ｎ−シクロヘキシル−２−ベンゾチアゾリルスルファンアミドを必須成分とし、全無機物が全エポキシ樹脂組成物中に８４重量％以上、９４重量％以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

The method for producing the N-oxide comprises carrying out a reaction between the tertiary amine and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、三級アミンと過酸化水素とを反応させることを特徴とするＮ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

The ink or sprayed liquid other than ink for the inkjet printer, sprayed from the inkjet printer to an object to be printed or applied, includes: isopropyl alcohol, n-propyl alcohol, and glycerine in the summed mass of 5 to 35% of the total mass of the ink or the liquid.例文帳に追加

本発明は、インクジェットプリンターから噴射され、対象物に対して印刷又は塗布可能なインクジェットプリンター用のインク又はインク以外の噴射液であって，該インク又はインク以外の噴射液に対し，イソプロピルアルコールとノルマルプロピルアルコールとグリセリンとの合計質量が，総質量の５％〜３５％であることを特徴とするインクジェットプリンター用のインク又はインク以外の噴射液を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor storage device includes steps of: forming a silicon diode by sequentially depositing p-type silicon and n-type silicon in order; forming pillars by selectively removing the silicon diode; arranging a solution including perhydrosilazane polymer at peripheries of the pillars; and forming a silicon oxide film by heating the solution.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法において、ｐ形シリコン及びｎ形シリコンを順次堆積させることにより、シリコンダイオードを形成する工程と、前記シリコンダイオードを選択的に除去してピラーを形成する工程と、前記ピラーの周囲に過水素化シラザン重合体を含む溶液を配置する工程と、前記溶液を加熱することにより、シリコン酸化膜を形成する工程と、を実施する。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, and a solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A and made of n-amyl acetate, or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含む。 - 特許庁

This device for automatically distributing/controlling a transmission electrode of an electrical resistance survey measuring system comprises a circuit for connecting a pair of MOSFETs to the upper and the lower stages of each of n transmission electrodes, and interconnecting the pair of MOSFETs in parallel, and a controlling means for controlling ON/OFF of each MOSFET.例文帳に追加

本発明の送信電極自動配電制御装置は、電気比抵抗探査計測システムの送信電極自動配電制御装置において、ｎ個の各送信電極の上段及び下段に一対のＭＯＳＦＥＴが連結され、上記各一対のＭＯＳＦＥＴが相互並列で連結される回路と、上記各ＭＯＳＦＥＴのオン／オフ（ON/OFF）を制御する制御手段と、を含んでなる。 - 特許庁

An organic peroxide having 20-35% crosslinking efficiency of n-pentadecane and 145-160°C one minute half-life temperature as a radical initiator when producing the modified ethylenic resin by melt kneading an ethylene-based resin, an α,β-unsaturated carboxylate having a polar group and an aromatic vinyl compound in the presence of the radical initiator.例文帳に追加

エチレン系樹脂、極性基を有するα，β−不飽和カルボン酸エステル、及び芳香族ビニル化合物をラジカル発生剤の存在下で溶融混練して変性エチレン系樹脂を製造するに際して、ラジカル発生剤としてｎ−ペンタデカンの架橋効率が２０〜３５％で、かつ１分間半減期温度が１４５〜１６０℃の有機過酸化物を用いる変性エチレン系樹脂の製造方法。 - 特許庁

The first to (n)th clutch claws are set to 10 degrees or less in the play angle.例文帳に追加

ワンウェイクラッチは、外側部材の内周面に設けられたラチェット歯６０、内側部材の外周面に周方向に間隔を隔てて配置された第１から第ｎ（ｎは３以上の整数）のｎ個のクラッチ爪６１、及び第１から第ｎのクラッチ爪のうち複数のクラッチ爪を内側部材の外周側から係合位置に向けて付勢する付勢部材６２を有し、第１から第ｎのクラッチ爪は、遊び角が１０度以下である。 - 特許庁

In the formula, A is the polymer block of vinyl aromatic hydrocarbon; B is the elastomer polymer block which may be hydrogenated, and n is an integer of 1 to 5.例文帳に追加

（ａ）一般式［（Ａ−Ｂ）_n］及び／又は［（Ａ−Ｂ）_n−Ａ］で表され、重量平均分子量が１５万〜１００万であるブロック共重合体（式中、Ａはビニル芳香族炭化水素の重合体ブロックを示し、Ｂは水添されていてもよいエラストマー性重合体ブロックを示し、ｎは１〜５の整数である。） （ｂ）数平均分子量が７００〜３０００のブテン系液状重合体 （ｃ）オレフィン系樹脂 - 特許庁

In the formula, n is 1-3; X is O or S; R_1 is selected from a group consisting of 1-9C straight or branched alkyl, 2-9C straight or branched alkenyl, aryl, heteroaryl, carbocyclic group or heterocyclic group; and D is a bond, 1-10C straight or branched alkyl, 2-10C alkenyl or 2-10C alkynyl.例文帳に追加

式中、ｎは、１−３であり、ＸはＯまたはＳのいずれかであり、Ｒ_１は、Ｃ_１−Ｃ_９直鎖または分岐鎖アルキル、Ｃ_２−Ｃ_９直鎖または分岐鎖アルケニル、アリール、ヘテロアリール、炭素環または複素環から構成される群から選択され、Ｄは、結合、またはＣ_１−Ｃ_１０直鎖または分岐鎖アルキル、Ｃ_２−Ｃ_１０アルケニルまたはＣ_２−Ｃ_１０アルキニルである。 - 特許庁

The message transmitter 1B includes an identifier-registering means 10B for acquiring an individual identifier for identifying a message receiver via a network N and causing an identifier storage means 14 to write and store the acquired identifier, wherein an individual message generating means 16 generates an individual message while causing the identifier stored in the identifier storage means 14 to serve as an address.例文帳に追加

メッセージ送信装置１Ｂは、メッセージ受信装置を識別するための個別識別子をネットワークＮを介して取得し識別子記憶手段１４に書き込み記憶させる識別子登録手段１０Ｂを備え、個別メッセージ生成手段１６が、識別子記憶手段１４に記憶されている個別識別子を宛先として個別メッセージを生成することを特徴とする。 - 特許庁

The message transmitter 1D includes an identifier-registering means 19B for acquiring an individual identifier for identifying a message receiver via a network N and causing an identifier storage means 14 to write and store the acquired identifier, wherein an individual message generating means 16 generates an individual message while causing the identifier stored in the identifier storage means 14 to serve as an address.例文帳に追加

メッセージ送信装置１Ｄは、メッセージ受信装置を識別するための個別識別子をネットワークＮを介して取得し識別子記憶手段１４に書き込み記憶させる識別子登録手段１９Ｂを備え、個別メッセージ生成手段１６が、識別子記憶手段１４に記憶されている個別識別子を宛先として個別メッセージを生成することを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit including a plurality of digital circuits 11, 12 operating in synchronization with a clock signal CK is structured such that each digital circuit receives either of first and second clock signals CKa, CKb having the same frequency and phases different from each other; and the phase difference of the first and second clock signals is about [2m-1]/2n, wherein m, n are natural numbers.例文帳に追加

クロック信号ＣＫに同期して動作する複数のデジタル回路１１，１２を含む半導体集積回路であって、前記各デジタル回路は、周波数が同じで位相が異なる第１および第２クロック信号ＣＫa，ＣＫbの一方を受け取り、前記第１および第２クロック信号の位相差は、ｍ，ｎを自然数として、ほぼ［２ｍ−１］／２ｎであるように構成する。 - 特許庁

A p electrode 6 as one electrode in a pair of electrodes brought into contact with each of the n-type nitride semiconductor layer 3 and the p-type nitride semiconductor layer 5 consists of a transparent electrode including a transparent metallic layer 61 formed of a metal material whose optical absorption coefficient to the ultraviolet light having the luminescent wavelength is ≤5×10^4 cm^-1.例文帳に追加

ｎ形窒化物半導体層３およびｐ形窒化物半導体層５それぞれに接触する一対の電極のうちの一方の電極であるｐ電極６が、発光波長の紫外光に対する光吸収係数が５×１０^４ｃｍ^−１以下である金属材料により形成された透明金属層６１を有する透明電極からなる。 - 特許庁

The single-chain meganuclease capable of causing DNA cleavage comprises first and second domains in the orientation from N-terminal toward C-terminal, wherein the first and second domains are derived from I-CreI mono-dodecapeptide meganuclease, each of the first and second domains comprises a polypeptide fragment consisting of a dodecapeptide motif and a DNA binding moiety, and the first and second domains are linked via a linker.例文帳に追加

Ｎ-末端からＣ-末端の方向に第一及び第二のドメインを含み、第一及び第二のドメインがI-CreIモノ-ドデカペプチドメガヌクレアーゼに由来し、前記第一のドメイン及び第二のドメインの各々が、ドデカペプチドモチーフ及びDNA結合部分を含むポリペプチドフラグメントからなり、前記第一及び第二のドメインがリンカーにより結合されている、DNA切断を起こし得る単鎖メガヌクレアーゼ。 - 特許庁

A photoelectric conversion device comprises: a light-transmitting photoelectric conversion element including an n-type semiconductor layer, an intrinsic semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer; a voltage conversion element which overlaps with the photoelectric conversion element and which has an oxide semiconductor film in a channel formation region; and a conductive element which electrically connects the photoelectric conversion element and the voltage conversion element.例文帳に追加

透光性を有し、ｎ型半導体層、真性半導体層、及びｐ型半導体層を有する光電変換素子と、当該光電変換素子と重畳し、酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有する電圧変換素子と、当該光電変換素子及び電圧変換素子を電気的に接続する導電素子とを有する光電変換装置に関する。 - 特許庁

The amorphous carbon orientation film uses C as the main component and includes 3-20 atom% N, and >0 atom% and ≤20 atom% H and has in the range of 70 atomic percent to less than 100 atomic percent of carbon (Csp^2) having an sp^2 hybrid orbital when the total amount of carbon is 100 atomic percent, wherein the (002) plane of graphite is oriented along the thickness direction.例文帳に追加

配向性非晶質炭素膜は、Ｃを主成分とし、Ｎを３〜２０原子％、Ｈを０原子％を超え２０原子％以下含み、かつ、Ｃの全体量を１００原子％としたときにｓｐ^２混成軌道をもつ炭素（Ｃｓｐ^２）が７０原子％以上１００原子％未満であって、グラファイトの（００２）面が厚さ方向に沿って配向する。 - 特許庁

The skin topical use composition includes the vitamin C derivative expressed by general formula and a solvent, where in the formula: X represents a group selected from the group consisting of the G, a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group; n represents an integer of 2-12; and R^1 represents a group selected from the group consisting of a hydrogen atom, a 1-4C alkyl group, a linear or branched alkyl group.例文帳に追加

一般式：（式において、Ｘは前記Ｇ、水素原子、直鎖、分岐又は環状のアルキル基からなる群から選択される一つの基であり、ｎは２〜１２の整数を表し、Ｒ^1は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、直鎖又は分岐のアルキル基からなる群から選択される一つの基である）で示されるビタミンＣ誘導体と、溶媒とを含む皮膚局所使用組成物。 - 特許庁

The antibody fragment consists of a single antigen binding arm and an Fc region, in which the stability of the antibody fragment is increased comparing with a Fab molecule comprising the antigen binding arm, the Fc region comprising a complex of a first and a second Fc polypeptide wherein not only one but both of the Fc polypeptides are an N-terminally truncated heavy chain.例文帳に追加

単一抗原結合アーム及びＦｃ領域を含有してなる抗体断片であり、該抗原結合アームを含んでなるＦａｂ分子と比較して該抗体断片の安定性が増大しており、該Ｆｃ領域が第一及び第二Ｆｃポリペプチドの複合体を含んでなり、Ｆｃポリペプチドの一方だけでなく両方がＮ末端切断型重鎖である、抗体断片。 - 特許庁

To provide a mass production method for producing a tablet including 4-amino-5-chloro-2-ethoxy-N-[[4-(4-fluorobenzyl)-2-morpholinyl]methyl]benzamide which is stored stably, has sufficient hardness that does not cause troubles in handling during a period from production and to administration of the tablet, has a good administration feeling, and has an excellent disintegrating property within the oral cavity.例文帳に追加

４−アミノ−５−クロロ−２−エトキシ−Ｎ−［［４−（４−フルオロベンジル）−２−モルホリニル］メチル］ベンズアミドを含有する錠剤中において、安定に保存でき、錠剤の製造から服用に至る間における取り扱いに支障をきたさないような十分な硬度を有し、服用感が良好で口腔内での崩壊性に優れた錠剤の大量生産を提供することを目的とする。 - 特許庁

The electric wire for automobile is formed of a strand consisting a plurality of element wires being covered by an insulating layer, wherein a tensile strength of at least one element wire in an outer layer of the strand is ≥350 MPa, a pitch of the strand is 30 times of a layer core diameter or larger, and an adhesion strength between the strand and the insulating layer is ≥7 N/mm.例文帳に追加

複数本の素線からなる撚り線が、絶縁層によって被覆された構成を有し、前記撚り線の外層線中の少なくとも１本以上の素線の引張強さが３５０ＭＰａ以上であり、前記撚り線のピッチが層芯径の３０倍以上であり、前記撚り線と絶縁層との密着力が７Ｎ／ｍｍ以上である、自動車用電線。 - 特許庁

The double-sided adhesive sheet comprises: a plastic film substrate; and an adhesive layer on both sides of the plastic film substrate, wherein a 180°C peeling adhesive force of a surface (surface A) of one of the adhesive layer to a stainless steel plate as measured at a tensile speed of 300 mm/min is 8 N/20 mm or more, and an adhesive residue is not generated in the releasability evaluation test.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材の両面側に粘着剤層を有する両面粘着シートであって、一方の粘着剤層表面（Ａ面）の引張速度３００ｍｍ／分で測定されるステンレス板に対する１８０°引き剥がし粘着力が８Ｎ／２０ｍｍ以上であり、かつ再剥離性評価試験において糊残りを生じないことを特徴とする。 - 特許庁

Due to this structure, very large electrostatic discharge is available between the first and second n^+-regions which are close to each other, resulting in remarkably decreasing electrostatic energy to an operating region of HEMT while barely increasing parasitic capacitance.例文帳に追加

第１ｎ＋型領域および第２ｎ＋型領域のうち少なくとも一方は対向する先端部分の幅が非常に狭く、金属層が重畳してコンタクトしており、近接した第１、第２ｎ＋領域間で非常に大きな静電気を放電できるので、寄生容量をほとんど増やすことなくＨＥＭＴの動作領域に至る静電エネルギーを大幅に減衰させることができる。 - 特許庁

This peeling device patterns a paste film on a substrate through sand blast processing using a mask formed of a resist film in specific pattern, and then removes the resist film used as the mask for the sand blade processing; and a dedicated nozzle Na is installed behind nozzles N for peeling the resist film off the substrate G so that only the solid resist film C on the substrate G is sprayed.例文帳に追加

レジスト膜からなる所定パターンのマスクを介してのサンドブラスト加工により基板上のペースト膜をパターニングした後に、そのサンドブラスト加工のマスクとして使用したレジスト膜を除去するための剥離装置であって、基板Ｇにおけるレジスト膜の剥離を行う複数のノズルＮの後方に、基板Ｇにおけるベタ状レジスト膜Ｃのみにスプレーが当たるように専用ノズルＮａを設置する。 - 特許庁