「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(384ページ目) - Weblio英語例文検索

In the antistatic sheet product wherein the masking film is pasted on the antistatic agent-bonded surface of the antistatic sheet, which is obtained by bonding the antistatic agent to at least one side of a thermoplastic resin sheet, the adhesion of the masking film is 0.05-1.0 N/50 mm with respect to a polycarbonate resin sheet before coated with the antistatic agent.例文帳に追加

熱可塑性樹脂シートの少なくとも一面に帯電防止剤を付着させた帯電防止シートの当該帯電防止剤が付着された面にマスキングフィルムを貼付した帯電防止シート製品であって、当該マスキングフィルムの密着力が帯電防止剤塗布前のポリカーボネート樹脂シートに対して０．０５〜１．０Ｎ／５０ｍｍの範囲であることを特徴とする帯電防止シート製品。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor obtained by successively stacking an undercoat layer and a photosensitive layer on an electrically conductive substrate, the undercoat layer is formed by applying a coating liquid containing an alcohol-soluble polyamide resin and titanium dioxide prepared using a mixed solvent comprising 20-60 wt.% methanol, 10-40 wt.% n-butanol and 20-60 wt.% dichloromethane.例文帳に追加

導電性基体上に下引き層と感光層とを順次積層してなる電子写真用感光体において、前記下引き層が、アルコール可溶性ポリアミド樹脂と二酸化チタンとを含有し、かつ、メタノール２０〜６０重量％と、ｎ−ブタノール１０〜４０重量％と、ジクロロメタン２０〜６０重量％とからなる混合溶剤を用いて調製された塗布液を塗布して形成されている。 - 特許庁

A plurality of different test condition data A-N are successively outputted from a test controller 1, the output number of the test condition data is counted by a counter circuit 3, and the data writing clock outputted from the test controller 1 according to the counted value is distributed by a clock distributing circuit 4 to write corresponding test condition data in analog and digital characteristic measuring circuits 61-6n, respectively.例文帳に追加

テストコントローラ１から順次複数の異なる試験条件データ「Ａ」〜「Ｎ」を出力し、カウンタ回路３にて試験条件データの出力数を計数し、その計数値に応じてテストコントローラ１から出力されるデータ書込クロックをクロック分配回路４によって分配して、各アナログ・ディジタル特性測定回路６１〜６ｎに夫々対応する試験条件データを書き込ませる。 - 特許庁

This air massaging tool in which massage is performed by pressing the foot by means of the air bag bodies expanded with a pressurized air fed from an outside air feeding source is provided with the air bag body 4 which is expanded at a position deviated below from the projected center O of the ankle to press the lower part of the ankle N.例文帳に追加

外部の空気供給源から供給される加圧空気により膨張する空気袋体で足を圧迫してマッサージを行うエアマッサージ器であって、くるぶしＮと対向する位置に配置され、くるぶしの突出中心Ｏから下方にずれた位置を膨張中心Ｐとして膨張し、くるぶしＮの下方部分を圧迫する空気袋体４を備えている。 - 特許庁

The conductive roller is characterized in that: an elastic roller has a core metal and at least one elastic layer formed around the periphery of the core metal; the elastic layer comprises a macromolecular composition containing epihalohydrin-ethylene oxide-acrylglycidyl ether terpolymer rubber, whose ethyleneoxide content is 60 to 90 mol%; and the macromolecular composition has a fracture energy of 10(N m) or less.例文帳に追加

芯金とその外周に設けられた少なくとも１層以上からなる弾性体層を有する弾性ローラにおいて、その弾性体層がエチレンオキサイド含有量が６０〜９０mol%のエピハロヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル三元共重合体ゴムを含む高分子組成物からなり、前記高分子組成物の破断エネルギーが１０Ｎ・ｍ以下であることを特徴とする導電性ローラ。 - 特許庁

To provide a synchronous timing detecting circuit and its control method to certainly detect a correlation peak by always setting an optimum correlation threshold according to a receiving signal and to improve the detection accuracy of synchronous timing since a conventional synchronous timing detecting circuit has a problem that the erroneous detection of the correlation peak is likely caused in the case of a low S/N ratio of the receiving signal.例文帳に追加

従来の同期タイミング検出回路では、受信信号のＳ／Ｎ比が低い場合には相関ピークの誤検出を招きやすいという問題点があり、受信信号に応じて常に最適な相関しきい値を設定して相関ピークを確実に検出し、同期タイミングの検出精度を向上させる同期タイミング検出回路及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, an alcohol solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A, and a solvent C made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof.例文帳に追加

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｃとを含む。 - 特許庁

The method for producing the nitrogen-containing aromatic N-oxides comprises reacting the corresponding nitrogen-containing aromatics with the hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst prepared by reacting at least one kind selected from tungsten metal and a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a group IVb element, a group Vb element or a group VIb element except oxygen with the hydrogen peroxide.例文帳に追加

タングステン金属およびタングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、含窒素芳香族類と過酸化水素とを反応させることを特徴とする含窒素芳香族Ｎ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

The development processing method includes coating the planographic printing plate with a liquid developer by using a silver complex salt diffusion transfer process having a physical developing nucleus between an anodically oxidized aluminum support and a silver halide emulsion layer, and is characterized in that development is carried out using a liquid developer containing mercaptopyridine-N-oxide wherein a mercapto group substitues for a pyridine nucleus.例文帳に追加

陽極酸化されたアルミニウム支持体とハロゲン化銀乳剤層の間に物理現像核を有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版上に現像液を塗布する現像処理方法において、ピリジン核にメルカプト基が置換したメルカプトピリジン−Ｎ−オキシドを含有する現像液を用いて現像することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁

Accordingly, when a CPU1 or a LCD control device 4 conducts a line access (a horizontal access, a vertical access) and a window access, neighboring two banks are not accessed successively because the neighboring two banks of the (M×N) banks are not in the same bank, thereby reducing processing waiting status of a command for conducting a CPU access even when interrupted by a LCD access.例文帳に追加

これにより、ＣＰＵ１又はＬＣＤ制御装置４がラインアクセス（水平アクセス、垂直アクセス）、ウィンドウアクセスを行う場合、（Ｍ×Ｎ）個のバンクのうちの隣接する２つのバンクが同一バンクではないため、隣接する２つのバンクが連続してアクセスされることがなく、ＬＣＤアクセスが割り込まれてもＣＰＵアクセスを行うためのコマンドの処理待ち状態が減る。 - 特許庁

In an oxide semiconductor light emitting element where at least an n-type ZnO based semiconductor layer, an ZnO based semiconductor light emitting layer and a p-type semiconductor layer are formed on a substrate and the ZnO semiconductor light emitting layer is sandwiched by the ZnO based semiconductor layer and a p-type ZnO based semiconductor layer, the ZnO based semiconductor light emitting layer is doped with a group IV element, especially Si.例文帳に追加

基板上に、少なくともｎ型ＺｎＯ系半導体層、ＺｎＯ系半導体発光層およびｐ型半導体層が形成され、該ＺｎＯ半導体発光層は該ｎ型ＺｎＯ系半導体層およびｐ型ＺｎＯ系半導体層に挾持された酸化物半導体発光素子において、該ＺｎＯ系半導体発光層にＩＶ族元素、特にＳｉをドーピングする。 - 特許庁

A picture image showing first vehicle related information surrounded by a display partition member is displayed moving from a first display region to a second display region in first picture quality which a driver, etc. can view, a motor is driven at first comparatively low speed and the display partition member is moved when it is determined that the vehicle stops (N of S175).例文帳に追加

車両が停止中であると判定された場合（Ｓ１７５のＮ）には、表示仕切り部材に取り囲まれた第１の車両関連情報を示す画像は、ドライバ等が視認可能な第１の画質で第１の表示領域から第２の表示領域へ移動しつつ表示され、且つ、モータは比較的低めの第１の速度で駆動されて表示仕切り部材が移動される。 - 特許庁

Thereby, if the shift lever retained in the main linear passage 76 is moved along a shift direction, the shift lever 16 can be moved to the R position, the D position and the N position, and if the shift lever is further alternately moved along the shift direction and the selection direction, the shift lever can be moved from on of the R position and the P position to the other via the RS position.例文帳に追加

これにより、主直線路７６内に保持されたシフトレバーをシフト方向に沿って移動させれば、シフトレバー１６をＲ位置、Ｄ位置及びＮ位置へ移動させることができ、またシフトレバーをシフト方向及びセレクト方向に沿って交互に移動させれば、シフトレバーを、ＲＳ位置を経由させてＲ位置及びＰ位置の一方から他方へ移動させることができる。 - 特許庁

After a composite resonance type switching power supply circuit is constituted to stabilize a DC output voltage E01 outputted from the secondary side of an insulating converter transformer PIT, an active clamping circuit 3 is connected in parallel with the primary winding N of the insulating converter transformer PIT to stabilize a DC high-voltage EHV outputted from a high- voltage generating circuit 4.例文帳に追加

複合共振形としてのスイッチング電源回路を構成することで、絶縁コンバータトランスＰＩＴの二次側から出力される直流出力電圧ＥO1の安定化を図るようにしたうえで、絶縁コンバータトランスＰＩＴの一次巻線Ｎ1に対して並列にアクティブクランプ回路３を接続して、高圧発生回路４から出力される直流高電圧ＥHVの安定化を図るようにする。 - 特許庁

The present invention relates to a peptide hormone in which the parent peptide hormone has been modified by introducing a lipophilic substituent, W, into the N-terminal amino acid or introducing a lipophilic substituent, Z, into the C-terminal amino acid of the parent peptide hormone, wherein the lipophilic substituent W or Z has 8-40 carbon atoms and has a protracted profile of action, or an analogue thereof.例文帳に追加

親ペプチドホルモンのＮ末端のアミノ酸に親油性置換基Ｗ、またはＣ末端のアミノ酸に親油性置換基Ｚを導入することにより、修飾された薬理学的活性をもつペプチドホルモンまたはその類縁体であって、前記親油性置換基ＷとＺが８〜４０の炭素原子をもち、持続的作用特性を有するペプチドホルモンまたはその類縁体。 - 特許庁

In this electronic application system 100, when personal information about an applicant is received from an applicant terminal 1, a management server 3 acquires the biological information corresponding to the personal information from a biological information DB 30 storing the biological information about each the applicant, encrypts the acquired biological information, and transmits it to the applicant terminal 1 via a communication network N.例文帳に追加

電子申請システム１００において、管理サーバ３は、申請者端末１から申請者の個人情報が受信されると、各申請者の生体情報を格納する生体情報ＤＢ３０から、当該個人情報に対応する生体情報を取得し、その取得された生体情報を暗号化して通信ネットワークＮを介して申請者端末１に送信する。 - 特許庁

To provide novel compounds which have a sufficiently low oxidation potential for forming an electron transportation material for organic light-emitting diodes without adversely affecting a matrix material, effectively increases the number of charge carriers in the matrix material, is comparatively easy to handle, and can be used as n-dopants, injection layers or block layers.例文帳に追加

マトリックス材料に悪影響を及ぼすことなく有機発光ダイオードのための電子輸送材料を形成するための十分に低い酸化電位を有するとともに、マトリックス材料中の電荷担体の数を効果的に増加させるためのものであり、取扱いも比較的容易である、ｎ−ドーパント、注入層、又は、ブロック層として用いることができる新規な化合物の提供。 - 特許庁

The synchronizing signal generating circuit 43 consists of M (≤N-1) sets of delay units 431 connected in series and of an AND circuit 32 ANDing output of the delay units 431, and the AND circuit 432 outputs a synchronizing signal being symbol timing when an output of the comparator 42 is at a high level and all output of the M-sets of the delay units 431 are at a high level.例文帳に追加

この同期信号生成回路４３は、直列接続されたＭ（≦Ｎ−１）個の遅延器４３１と、各遅延器４３１の出力の論理積をとるＡＮＤ回路４３２から構成されており、コンパレータ４２の出力がハイレベルでかつＭ個の遅延器４３１の出力がすべてハイレベルであるときに、ＡＮＤ回路４３２からシンボルタイミングとなる同期信号が出力される。 - 特許庁

In a blower rotating a fan 4 having N pieces of blades 4a by a motor 3 comprising a stator 1 composed of a core having M pieces of salient poles with amature winding and a rotor 2 equipped with a permanent magnet 2a having P pieces of magnetic poles rotatably mounted opposed to the stator pole face, an equation mN≠nM or an equation mN≠nP should be met.例文帳に追加

電機子巻線を備えたＭ個の突極１ａを有する鉄心で構成したステータ１と、前記ステータ磁極面と対向して回転可能に配置されるＰ個の磁極をもつ永久磁石２ａを備えたロータ２とからなり、このモータ３によってＮ枚の翼４ａをもつファン４を回転させる送風装置において、ｍＮ≠ｎＭまたはｍＮ≠ｎＰを満たすものである。 - 特許庁

Therefore, if the negative overvoltage is applied to an input terminal 61 of a non-selective analog input selection circuit 20, the NMOS transistors 11, 21 are shielded by N-well regions mutually and therefore the influence of an analog input selection circuit 10, which is selected and in an AD conversion, on an input terminal 51 is reduced and the lowering of AD conversion accuracy is prevented.例文帳に追加

したがって、非選択のアナログ入力選択回路２０の入力端子６１に負の過電圧が印加されても、ＮＭＯＳトランジスタ１１，２１はＮウエル領域によって互いに遮断されているので、選択されてＡＤ変換中のアナログ入力選択回路１０の入力端子５１に与える影響が減少し、ＡＤ変換精度の低下が防止される。 - 特許庁

To provide an underlayer film forming material, the film functions as an underlayer film for a silicon-containing two-layer resist process or as a superior antireflection film, is adaptable to all wavelengths of 248 nm, 193 nm and 157 nm, has optimum n value and k value as compared with polyhydroxystyrene, cresol novolac, naphthol novolac, etc., and is excellent in etching resistance during substrate working, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

珪素含有２層レジストプロセス用下層膜として、優れた反射防止膜として機能し、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍの全ての波長に対応し、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどよりも最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性が優れた下層膜形成材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

This film is formed by mixing a ceramic material which does not react with the molten aluminum alloy and aqueous solution of 25-35 wt.% sodium silicate water glass of Na_2O-nSiO_2 (2.1≤n≤3.2), coating the mixed material in which 45-80 wt.% ceramic material is contained, and burning at 250-800°C.例文帳に追加

この被膜は、アルミニウム合金の溶融物と反応しないセラミックス材と、Ｎａ_2Ｏ・ｎＳｉＯ_2（２．１≦ｎ≦３．２）の珪酸ソーダ水ガラスの２５重量％以上３５重量％以下の水溶液とを混合させ、上記セラミックス材が４５重量％以上８０重量％以下になるようにした混合物を塗布してから２５０℃以上８００℃以下で焼成させることで形成されたものである。 - 特許庁

The disk detecting device detecting existence of a disk D inserted from a disk insertion slot 1 is provided with a light emitting element 10a and a photodetecting part having a light receiving element 10b receiving light from a light emitting element 10a, and detects existence of the disk in accordance with a value of node voltage generated at a collector side of the light receiving element 10a and generated at a node N.例文帳に追加

ディスク挿入口１から挿入されたディスクＤの有無を検出するディスク検出装置は、発光素子１０ａおよび発光素子１０ａからの光を受光する受光素子１０ｂを有する光検出部とを備え、受光素子１０ａのコレクタ側で生成されるノードＮに発生するノード電圧の値に応じて、ディスクの有無を検出する。 - 特許庁

This is an improved production process for an N-acyl derivative of an O,S-dialkylphosphoroamidothioate by reaction of an O,S- dialkylphosphoroamidothioate with an acylating agent in the presence of an acid where a 4-8C aliphatic alcohol is added to the reaction mixture of the O,S-dialkylphosphoroamidothioate, the acylating agent and the acid after acylation.例文帳に追加

Ｏ，Ｓ−ジアルキルホスホロアミドチオエートとアシル化剤とを酸の存在下で反応させることによるＯ，Ｓ−ジアルキルホスホロアミドチオエートのＮ−アシル誘導体の製造方法の改良された方法であって、改良点が、Ｏ，Ｓ−ジアルキルホスホロアミドチオエート、アシル化剤及び酸の混合物に、アシル化反応の終了に続いて、Ｃ_4〜Ｃ_8脂肪族アルコールを添加することにある方法が提供される。 - 特許庁

When it is decided that the counted sales quantity does not satisfy the bulk sales establishment quantity (N at step S6), holdover data is generated on the basis of bulk sales information on bulk sale in failure and the sale quantity made to correspond to the bulk sale information (step S9) and the handover data are symbolized as code to print and issue a discount assisting ticket (step S12).例文帳に追加

また、計数された販売数量がまとめ売り成立数量を満たさないと判別された場合には（ステップＳ６のＮ）、そのまとめ売りが成立しなかったまとめ売り情報とこのまとめ売り情報に対応付けられた販売数量とに基づいて繰越データを生成し（ステップＳ９）、その繰越データをコードシンボル化して値引補助券として印字発行する（ステップＳ１２）。 - 特許庁

This easily tearable biaxially stretched polyester film is composed of both outer layers being molecular oriented layers and an inner layer being a substantially non-molecular oriented layer and characterized in that an edge tear resistance value is 70 N or below, the three-dimensional average roughness of at least one side of the film is 20 nm or above and the surface glossiness of the film is 150% or more.例文帳に追加

両外層が分子配向を有している層であり、内層が実質的に分子配向がない層である積層フィルムに於いて、端裂抵抗値が７０Ｎ以下であり、且つ少なくとも片方の表面の三次元平均粗さが２０ｎｍ以上であり、且つ表面光沢度が１５０％以上であることを特徴とする巻き品質に優れた易引き裂き性２軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

A seed crystal 10 is formed of a mixed crystal containing Ga and N, and is used for crystal growth of a gallium nitride-based semiconductor, wherein the seed crystal 10 contains a +c polar region 20 and a -c polar region 30 in the visual field of observation of the surface of the seed crystal 10 from one direction of two directions parallel with the c axis of the seed crystal 10.例文帳に追加

Ｇａ及びＮを含む混晶からなり、窒化ガリウム系半導体の結晶成長に用いられる種結晶１０であって、種結晶１０の表面を、種結晶１０のｃ軸と平行な２つの方向の中の一方から観察したときの視野に、＋ｃ極性領域２０と、−ｃ極性領域３０とが含まれる種結晶１０を提供する。 - 特許庁

This method for oxidizing the formed article containing the natural fiber includes the step of mechanically bringing the formed articles 2a, 2b and 2c containing the natural fiber into contact with an oxidation catalyst liquid 4 containing an N-oxyl compound, oxidation treatment of the surface and inside part of the formed article in the step to contain 0.1-2 mmol/g carboxyl group of cellulose constituting the natural fiber.例文帳に追加

天然繊維を含む成形体２ａ、２ｂ、２ｃと、Ｎ−オキシル化合物を含む酸化触媒液４とを機械的操作で接触させる工程を含んでおり、前記工程において前記成形体表面及び内部を酸化処理して、前記天然繊維を構成するセルロースのカルボキシル基含有量を０．１〜２ｍｍｏｌ／ｇの範囲にする、天然繊維を含む成形体の酸化方法。 - 特許庁

There are also disclosed pharmaceutical compositions and methods of treating dementia or neurodegenerative diseases comprising the compounds of the formula I in combination with a β-secretase inhibitor other than those of the formula I, an HMG-CoA reductase inhibitor, a γ-secretase inhibitor, a non-steroidal anti-inflammatory agent, an N-methyl-D-aspartate receptor antagonist, a cholinesterase inhibitor or an anti-amyloid antibody.例文帳に追加

また、認知症または神経変性疾患を治療する医薬組成物および方法も開示されており、これは、式Ｉの化合物以外のβ−セクレターゼ阻害剤、ＨＭＧ−ＣｏＡレダクターゼ阻害剤、γ−セクレターゼ阻害剤、非ステロイド性抗炎症薬、Ｎ−メチル−Ｄ−アスパラギン酸塩レセプターアンタゴニスト、コリンエステラーゼ阻害剤または抗−アミロイド抗体と併用して、式Ｉの化合物を含有する。 - 特許庁

To provide a ZnSe white light emitting diode that is equipped with a ZnCdSe/ZnSe active layer or a ZnSeTe active layer and a ZnSe substrate doped with SA light emitting impurities, which has a long service life and is improved in brightness by preventing the injected electrons from overflowing into a p-type clad layer, and by restraining the injected holes from overflowing into an n-type clad layer.例文帳に追加

ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ活性層またはＺｎＳｅＴｅ活性層とＳＡ発光不純物をドープしたＺｎＳｅ基板をもつＬＥＤにおいて、注入された電子がｐ型クラッド層へオーバーフローすること、注入された正孔がｎ型クラッド層へオーバーフローすることを防ぎ、より高輝度でより長寿命のＺｎＳｅ系白色発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

The polyurethane foam roller provided with at least one polyurethane layer is obtained by injecting into a mold a mixed liquid of a polyisocyanate, a polyol, water and a catalyst followed by expansion molding in the mold; wherein the catalyst contains one or more kinds of compound of the chemical formula:K^+-RCOO^-[ wherein, R is C_nH_2n+1( n is an integer of ≥1 )].例文帳に追加

ポリイソシアネート、ポリオール、水、及び触媒の混合液を金型内に注入し、該金型内で発泡させて成形することにより製造される少なくとも１層以上のポリウレタン層を備えるポリウレタンフォーム・ローラであって、 前記触媒が、 Ｋ^+−ＲＣＯＯ^- ここで、Ｒ：−Ｃ_nＨ_2n+1 （ｎは１以上の整数）の化学式で表わされる化合物を１種類以上含有する。 - 特許庁

In the transmission line (transmission optical fiber and a dispersed compensator), a linear transmitting system (average dispersed value is zero) which dose not use non-linear optical effect is used, a soliton fiber having a dispersed value generating N=1 soliton is arranged separatebly from the transmission optical fiber and the non-linear transmitting system using non-linear optical effect is centralizedly executed.例文帳に追加

伝送路（伝送用光ファイバおよび分散補償器）では非線形光学効果を利用しない線形伝送方式（平均分散値が零）を用い、この伝送用光ファイバとは別にＮ＝１ソリトンを発生する分散値をもったソリトン用ファイバを配置し、このソリトン用ファイバで非線形光学効果を利用した非線形伝送方式を集中的に行う構成とする。 - 特許庁

The oxidizing process electrochemically oxidizes the porous polycrystalline silicon layer 4 by making a constant current to flow with a platinum electrode (unillustated) as a negative electrode and a lower electrode composed of the n type silicon substrate 1 and an ohmic electrode 2 as a positive electrode by using an oxidation treatment tank for containing the electrolyte of dissolving a solute composed of potassium nitrate of 0.04 M in an organic solvent composed of, for example, ethylene glycol.例文帳に追加

酸化工程では、例えばエチレングリコールからなる有機溶媒中に０．０４Ｍの硝酸カリウムからなる溶質を溶かした電解液の入った酸化処理槽を利用し、白金電極（図示せず）を負極、ｎ形シリコン基板１とオーミック電極２とからなる下部電極を正極として、定電流を流し多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化する。 - 特許庁

A flat and nearly L-shaped eaves gutter joint B having eaves gutter fitting parts 10a and 10c at both ends thereof connecting ends of two eaves gutters N and M partitions the inside of one of the eaves gutter fitting parts 10c with a water stop wall 30, and the notch 31 is formed in the water stop wall 30 to hold the end of eaves gutter M.例文帳に追加

また、略Ｌ字状の平面形状に形成され、双方の軒樋Ｎ、Ｍの端部を接続する軒樋嵌合部１０ａ、１０ｃが両端に設けられている軒樋継手Ｂであって、いずれか一方の軒樋嵌合部１０ｃの内部側が止水壁３０によって仕切られ、該止水壁３０に軒樋Ｍの端部を保持する切り欠部３１が開口している。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.例文帳に追加

ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

The method for preparing multiple weave organizational chart data comprises a first conversion means for multiplying bit map image data A exhibiting a shape of multiple cloth by 2n times (n means a natural number excluding 0) in the horizontal direction and the vertical direction to provide bit map image data B and a second conversion means for applying a weave structure including the multiple weave structure to the bit map image data B.例文帳に追加

多重布の形状を示すビットマップイメージデータＡを水平方向および垂直方向に２ｎ倍（ｎは０を除く自然数を意味する）してビットマップイメージデータＢとするための第１変換手段と、上記ビットマップイメージデータＢに多重織組織を含む織組織を当てはめるための第２変換手段とを備えることを特徴とする多重織組織図データ作成方法である。 - 特許庁

An oligonucleotide primer set, a probe, a combination of the primer set and the probe, and a reagent for specifically and sensitively amplifying and detecting HIV-1 variants including those from HIV-1 groups M, N, and O, as well as various subtypes within or derived from these groups are prepared to carry out amplification and detection of the HIV-1 target sequence in a test sample.例文帳に追加

ＨＩＶ−１群Ｍ、Ｎ及びＯ、並びに前記群内ないし前記群に由来する各種サブタイプを含めたＨＩＶ−１変異体を特異的且つ高感度で増幅・検出するためのオリゴヌクレオチドプライマーセット、プローブ、及び前記したプライマーセットとプローブの組合せ及び試薬を用意して、試験サンプル中のＨＩＶ−１標的配列を増幅・検出を行う。 - 特許庁

A power conversion system 1 includes: an AC-DC converter 5 converting an AC voltage supplied from an AC power source 9 into a DC voltage; and a plurality of DC-DC converters 6-1 to 6-N which are serially connected to one another and are connected to the AC power source 9, whose output are connected in parallel, and whose input side and output side are insulated.例文帳に追加

電力変換システム１は、交流電源９から供給された交流電圧を直流電圧に変換するＡＣ−ＤＣコンバータ５と、互いに直列に接続され交流電源９に接続されるとともに出力が並列に接続され、入力側と出力側が絶縁されている複数のＤＣ−ＤＣコンバータ６−１〜６−Ｎとを備える。 - 特許庁

To reduce the number of PEPs, improve throughput, and reduce the cost by simultaneously implanting impurities into a capacity region and each region of the source and drain of each N-type and P-type TFT, by utilizing features that an original impurity conductivity-type stays even if an opposing impurity is implanted into an already implanted impurity region in the manufacturing process of a TFT array.例文帳に追加

ＴＦＴアレイの製造過程にあって、既に注入済の不純物領域に、後から相対する不純物を注入しても、元の不純物導電型のままであるという特徴を生かして、容量領域とＮ型、Ｐ型の各ＴＦＴのソース、ドレインの各領域の不純物注入を同時に行うようにしてＰＥＰ数を低減し、スループットを向上し併せてコストを低減する。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte for the battery contains a nonaqueous solvent including a cyclic phosphazene compound represented by general formula (1): (NPR_2)_n... (1) [in the formula, R represents independently fluorine, an alkoxy group, or an aryloxy group; n represents 3-4], at least a methyl ester compound selected from the group comprising methyl phosphate, methyl propionate, and methyl butyrate, and a supporting electrolyte.例文帳に追加

下記一般式(I)： (ＮＰＲ_2)_n ・・・ (I)［式中、Ｒは、それぞれ独立してフッ素、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表し；ｎは３〜４を表す］で表される環状ホスファゼン化合物、並びに酢酸メチル、プロピオン酸メチル及び酪酸メチルからなる群から選択される少なくとも１種のメチルエステル化合物を含む非水溶媒と、支持塩とを含むことを特徴とする電池用非水電解液である。 - 特許庁

The device is equipped with traveling state determination means 77, 78 in which first and second computers 71, 72 determine individual traveling states on the basis of obtained information, and mode shift control means 74, 76 which shift a limp home function to an N range fixed mode when failing to confirm the agreement between traveling states individually determined by the traveling state determination means 77, 78.例文帳に追加

第１及び第２コンピュータ７１，７２がそれぞれ、取得した情報に基づいて個々に走行状態を判別する走行状態判別手段７７，７８と、該走行状態判別手段７７，７８により個々に判別された走行状態の一致が確認し得なくなったときはＮレンジ固定モードに移行させるモード移行制御手段７４，７６とを備える。 - 特許庁

This coating composition for a photoelectric conversion element comprising a crystalline n-type semiconductor, titanium peroxide having an anatase type low-crystallinity and a low-boiling-point medium is applied to the upper surface of a transparent conductive film 2 formed on a transparent substrate 1, and sintered in a temperature condition of 50-250°C to form a semiconductor film 3 so that this photoelectric conversion element 10 is formed.例文帳に追加

透明性基板１上に形成された透明性導電膜２の上面に、結晶性ｎ型半導体と、アナターゼ型低結晶性を有する過酸化チタンと、低沸点媒体とからなる光電変換素子用塗布組成物を塗布し、５０℃〜２５０℃の温度条件下で、焼結することで、半導体膜３を成膜し、光電変換素子１０を形成する。 - 特許庁

This epoxy resin composition for sealing a semiconductor comprises (A) an epoxy resin represented by general formula (1), (B) a phenol resin represented by general formula (2), (C) an inorganic filler, (D) a curing accelerator and (E) an N-cyclohexyl-2-benzothiazolylsulfamide as essential components, and the content of the whole inorganic materials in the whole epoxy resin composition is 84-94 wt.%.例文帳に追加

（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、及び（Ｅ）Ｎ−シクロヘキシル−２−ベンゾチアゾリルスルファンアミドを必須成分とし、全無機物が全エポキシ樹脂組成物中に８４重量％以上、９４重量％以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

Due to this structure, very large electrostatic discharge is available between the first and second n^+-regions which are close to each other, resulting in remarkably decreasing electrostatic energy to an operating region of HEMT while barely increasing parasitic capacitance.例文帳に追加

第１ｎ＋型領域および第２ｎ＋型領域のうち少なくとも一方は対向する先端部分の幅が非常に狭く、金属層が重畳してコンタクトしており、近接した第１、第２ｎ＋領域間で非常に大きな静電気を放電できるので、寄生容量をほとんど増やすことなくＨＥＭＴの動作領域に至る静電エネルギーを大幅に減衰させることができる。 - 特許庁