「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(378ページ目) - Weblio英語例文検索

The slurry composition for the secondary cell electrode comprises a fluorine noncontaining polymer (A) of which the fraction insoluble in N-methylpyrrolidone is 50 wt.% or more, a fluorine noncontaining polymer (B) of which the fraction insoluble therein is 5 wt.% or less, a fluorine containing polymer (C), a liquid medium dissolving the fluorine containing polymer (C), and an electrode active material.例文帳に追加

Ｎ−メチルピロリドンに対する不溶分量が５０重量％以上であるフッ素非含有ポリマー（Ａ）と、Ｎ−メチルピロリドンに対する不溶分量が５重量％以下であるフッ素非含有ポリマー（Ｂ）と、フッ素含有ポリマー（Ｃ）と、前記ポリマー（Ｃ）を溶解する液状媒体と、電極活物質と、を含有してなる二次電池電極用スラリー組成物。 - 特許庁

A magnetic brush is formed by napping developer on a developing sleeve 4 by a main magnetic pole being an N pole and two auxiliary magnetic poles being S poles arranged to be opposed to a developing area where the sleeve 4 and a photoreceptor drum 1 are mutually opposed in the developing area, and it rubs to develop an electrostatic latent image on the drum 1.例文帳に追加

現像スリーブ４と感光体ドラム１とが対向する現像領域で、その現像領域に対向するように配置したＮ極の主磁極及び２つのＳ極の補助磁極により現像スリーブ上の現像剤を穂立ちさせて磁気ブラシを形成し、その磁気ブラシで感光体ドラム上の静電潜像を摺擦して現像を行う。 - 特許庁

A voice component of a voice input signal is extracted correspondingly to a plurality of channels, the envelope of the voice component is converted into N/M times in a time base direction, modulating frequency having the frequency of the corresponding voice component signal is modulated, and a speech speed converted voice output signal is obtained on the basis of the modulated output signal.例文帳に追加

音声入力信号の音声成分を複数チャンネル分抽出し、当該音声成分のエンベロープを時間軸方向にＮ／Ｍ倍に変換した後、対応する音声成分信号の周波数を有する変調周波数を変調し、当該変調出力信号に基づいて話速変換音声出力信号を得るようにする。 - 特許庁

In the formula [1], R^1 and R^2 each independently represent hydrogen atom, halogen atom or 1-5C alkyl group, R^3, R^4 and R^5 each independently represent hydrogen atom, halogen atom, 1-10C alkyl, 2-5C alkenyl 1-5C alkoxyl, 3-7C cycloalkyl, nitryl or carboxy, and n represents an integer.例文帳に追加

（式中、Ｒ^1およびＲ^2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、Ｒ^3、Ｒ^4およびＲ^5は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシル基、炭素数３〜７のシクロアルキル基、ニトリル基、またはカルボキシル基を表し、ｎは整数を表す。） - 特許庁

This semiconductor light-emitting element 40 is provided with a first laser part 41, that emits a laser beam of emitted wavelength of 780 nm and a second laser part 42, that is provided adjacent to the first laser part and emits a laser beam of emitted wavelength of 650 nm in the same direction as it, which are integrated monolithically on a common n-GaAs substrate 43, respectively.例文帳に追加

本半導体発光素子４０は、一つの共通のｎ−ＧａＡｓ基板４３上にモノリシックにそれぞれ集積された、７８０ｎｍの発光波長のレーザ光を出射する第１のレーザ部４１と、第１のレーザ部に隣接して設けられ、同じ方向に６５０ｎｍの発光波長のレーザ光を出射する第２のレーザ部４２とを備えている。 - 特許庁

In a tubular blown film for the double bag package including an easily peelable outer layer, an intermediate layer consisting of a polyamide resin, and an inner layer consisting of a low-density polyethylene resin, the easily peelable outer layer has an easy peel strength range of 0.98-19.6 N/15 mm, and a thickness of 3-15 μm.例文帳に追加

イージーピール性を有する外層、ポリアミド樹脂からなる中間層、および、低密度ポリエチレン樹脂からなる内層を備えて構成される二重袋包装体用インフレーションフィルムにおいて、イージーピール性を有する外層を、凝集力が０．９８Ｎ／１５ｍｍ幅〜１９．６Ｎ／１５ｍｍ幅のイージーピール強度を有し、厚みが３μｍ〜１５μｍの層とする。 - 特許庁

In this case, since there is used a frequency band which includes a resonant frequency of a reciprocating component system combining a piston 1, piston pin 2, connecting rod 3, connecting rod metal and crank as the detection frequency of engine block vibration, a vibration level by combustion is made high to enable a high S/N ratio detection and thus, a pilot injection amount can be controlled accurately.例文帳に追加

この場合、エンジンブロック振動の検出周波数として、ピストン１、ピストンピン２、コンロッド３、コンロッドメタル、クランクを組み合わせた往復運動部品系の共振周波数を含んだ周波数帯を利用しているので、燃焼による振動レベルが大きくとれるので、Ｓ／Ｎ比の高い検出が可能となり、パイロット噴射量を精度よく制御できるようになる。 - 特許庁

The section 601 is provided with an n-channel type transistor 202b for suppressing potential fluctuations in the path 811, p-channel type transistors 103c and 106c constituting a current mirror 140c, a p-channel type transistor 603 provided between the transistors 103c and 106c and controlled by a timing generator 602, and a load 107a.例文帳に追加

データ入力部６０１には、データ伝送路８１１の電位変動を抑制するｎチャネル型トランジスタ２０２ｂと、カレントミラー１４０ｃを構成するｐチャネル型トランジスタ１０３ｃ，１０６ｃと、トランジスタ１０３ｃ，１０６ｃのゲート間に設けられ、タイミング生成装置６０２により制御されるｐチャネル型トランジスタ６０３と、負荷１０７ａとが設けられている。 - 特許庁

The category-based overview score calculation parts 123-1 to 123-n learn the conditioned probability distribution of the failure scores calculated for the data belonging to each of groups obtained by classifying each data in the data sequence according to the corresponding category, and calculates overview scores showing the level of the failure from the learned conditioned probability distribution.例文帳に追加

分類基準別俯瞰スコア計算部１２３−１〜１２３−ｎは、データ系列中の個々のデータを対応する分類基準に従って分類した各グループ毎に、当該グループに属するデータについて算出された異常スコアの条件付確率分布を学習し、この学習した条件付確率分布から異常の程度を表す俯瞰スコアを算出する。 - 特許庁

The small drift areas 14' and 14" are so arranged that when a reverse bias is applied between both ends of the p+ area 12 and n+ area 13, excessive electric charges change linearly with the distance from the p+ area 12 to generate excessive electric charges in one small drift area 14" to the other drift area 14'.例文帳に追加

逆電圧バイアスがｐ＋領域１２およびｎ＋領域１３の両端間に印加された場合に、過剰な電荷がドリフト小領域１４”の１つの内に他のドリフト小領域１４’に対して形成されるように、この過剰な電荷はｐ＋領域１２から距離とともにほぼ直線的に変化するように、ドリフト小領域１４’、１４”は配置される。 - 特許庁

This new method for producing a 3 acylated indole comprises separately and simultaneously adding an acid chloride solution (if necessary, the N is protected) and an alkylmagnesium halide (ethylmagnesium bromide) or an arylmagnesium halide to an indole solution, while synchronizing the molar addition ratio of the compounds, whereby the 3-acylated indole can be obtained in a high yield.例文帳に追加

３−アシル化インドールを製造するための新しい方法で、酸塩化物の溶液（必要ならばＮを保護する）とアルキルマグネシウムハロゲン化物（エチルマグネシウムブロマイド等）、又は、アリールマグネシウムハロゲン化物とを、距離をとってかつ同時にモル添加の割合をシンクロナイズさせてインドールの溶液に加えることにより、３−アシル化インドールを高収率で得ることが可能である。 - 特許庁

A MIS-type semiconductor device comprises a P-type semiconductor substrate 11, a gate insulating film 14 formed on the semiconductor substrate 11, a gate electrode 15 formed on the gate insulating film 14, and N-type diffused source and drain layers 20 formed in regions of the semiconductor substrate 11 below both sides of the gate electrode 15.例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置は、Ｐ型の半導体基板１１と、半導体基板１１の上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４の上に形成されたゲート電極１５と、半導体基板１１におけるゲート電極１５の両側方の領域に形成されたＮ型ソース・ドレイン拡散層２０とを有している。 - 特許庁

A judgment part 52 judges whether or not a noticing position and each of boundaries at one block intervals to a boundary distant by n blocks in left and right directions from the noticing position are judged as the block boundary candidates based on the number set by the control part 53 and judges whether or not the noticing position is a block boundary based on the judgment result.例文帳に追加

判定部５２は、制御部５３により設定された数に基づいて、注目位置と、それから左右方向にｎブロック分離れた境界までの１ブロック間隔にある境界のそれぞれが、ブロック境界候補であると判定されたか否かを判定し、その判定結果に基づいて注目位置がブロック境界であるか否かを判定する。 - 特許庁

A P type semiconductor and an N type semiconductor are formed in a sheet form by mixing metals by a prescribed component ratio, the sheets are cut by a prescribed thermoelectric element specification, sheets 101 of the same material which are made of the metals mixed by the prescribed component ratio and then cut are laminated, the laminated sheets are crimped to generate a final thermoelectric element 100.例文帳に追加

金属を予め決められた成分比で混合してＰ型半導体またはＮ型半導体をシート形態で形成し、該シートを予め決められた熱電素子スペックによってカットし、予め決められた成分比で混合されてカットされた同一材料のシート１０１を積層し、該積層されたシートを圧着して最終熱電素子１００を生成する。 - 特許庁

The method for producing the amide or the lactam involves rearranging the oxime compound in the presence of a compound containing a structure represented by formula (1): -Z-X (wherein, Z is P, N, S, B or Si atom; X is a leaving group; and Z binds with one or more atoms or groups except the X) to afford the corresponding amide or lactam.例文帳に追加

本発明のアミド又はラクタムの製造方法では、下記式（１） −Ｚ−Ｘ （１）（式中、ＺはＰ、Ｎ、Ｓ、Ｂ又はＳｉ原子を示し、Ｘは脱離基を示す。ＺはＸ以外に、１又は２以上の原子又は基と結合している）で示される構造を含む化合物の存在下、オキシム化合物を転位させ、対応するアミド又はラクタムを生成させる。 - 特許庁

Three semiconductor laser elements 10 on the left, right and upper sides respectively have an N-type GaAs substrate 11 with an L-shaped section, a luminous layer 12 and an electrode 15 which are laminated in order on the upper surface 11a on the left side of this substrate 11, and an electrode 15 formed on the upper surface 11b on the right side of the substrate 11.例文帳に追加

左右上側の３個の半導体レーザ素子１０は、断面Ｌ字状のＮ型GａＡｓ基板１１と、このＮ型G ａＡｓ基板１１の左側上面１１ａに順次積層された発光層１２及び電極１５と、Ｎ型G ａＡｓ基板１１の右側上面１１ｂに形成された電極１５とをそれぞれ有する。 - 特許庁

An imaging part 101 has an output part which outputs an image signal at intervals of a first horizontal blanking period shorter than a prescribed horizontal blanking period prescribed by a processing part in a succeeding stage, within a block being the prescribed number of lines N constituting an image, and is capable of outputting an image signal at intervals of a second horizontal blanking period, between blocks.例文帳に追加

撮像部１０１は、画像を構成する所定の複数ラインＮをブロックとし、ブロック内においては後段の処理部により規定される規定水平ブランキング期間よりも短い第１の水平ブランキング期間を空けて画像信号を出力し、ブロック間においては第２の水平ブランキング期間を空けて画像信号を出力可能な出力部を有する。 - 特許庁

In this image forming method printing a character data file of a variable-length page, when the integration print mode for printing N pieces of documents on one piece of recording paper is selected, a document format is adjusted so as to have minimum blank of printed matter one which the character data file is printed, and to format the character data file.例文帳に追加

可変長ページの文字データファイルを印刷する画像形成方法において、１枚の記録紙にＮ枚の原稿を配置して印刷する集約印刷モードが選択されると、前記文字データファイルを印刷した印刷物の空白が最も小さくなるように、原稿書式を調整して前記文字データファイルを書式化するようにした。 - 特許庁

When start of an internal combustion engine is failed (step 105) and cranking rotation speed N' estimated on the basis of present engine oil temperature in consideration of viscosity characteristics of the engine oil presently used is the set cranking rotation speed N2 or less (step 109), the factor of the start failure is judged to be engine oil (step 111).例文帳に追加

内燃機関の始動が失敗した場合（ステップ１０５）において、現在使用されているエンジンオイルの粘度特性を考慮して現在のエンジンオイル温度に基づき推定されるクランキング回転数Ｎ’が設定クランキング回転数Ｎ２以下である時（ステップ１０９）には、始動失敗の要因はエンジンオイルであると判断する（ステップ１１１）。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

When this hydraulic controller is in a first speed state just after a first range change from N to D after turning an ignition switch ON, an oil pressure is forcibly fed into a frictional engagement element (high clutch) which is relieved at a first speed as well as a line pressure is increased and corrected on feeding oil pressure to efficiently feed oil pressure.例文帳に追加

イグニッションスイッチＯＮ後の最初のＮ→Ｄレンジ切り換え直後の１速状態であるときに、３速状態に強制的に切り換えて、１速では解放されるべき摩擦係合要素（ハイクラッチ）に対して油圧を強制的に供給すると共に、該油圧供給時にライン圧を増大補正して、効率良く油圧供給が行われるようにする。 - 特許庁

An address decoder communicating with the array receives a plurality of row address bits, and determines which of the N partitions in a requested row must be accessed on the requested row identified by the row address bits, and does not activate the access device within the selected row but not within the partition to be accessed.例文帳に追加

アレイと通信するアドレス・デコーダは、複数の行アドレス・ビットを受信し、行アドレス・ビットにより識別された要求行について、要求行の中のＮ個のパーティションのどれがアクセスされるべきであるかを判断して、選択された行の中にはあるがアクセスされるべきパーティションの中にはないアクセス・デバイスが起動されないようにする。 - 特許庁

This image forming system, in shifting a conveyance target while continuously recording images on a plurality of paper sheets, conveys a (N+1)th paper sheet after a Nth paper sheet to be conveyed to a conveyance target last time before shifting is loaded when a conveyance target after shifting is nearer than the conveyance target before shifting.例文帳に追加

この画像形成システムでは、複数の用紙に対して連続で画像を記録させながら、搬送先を切り替える際に、切替後の搬送先が切替以前の搬送先よりも近い場合には、切替以前の搬送先に最後に搬送されるＮ枚目の用紙が積載された後に、Ｎ＋１枚目の用紙を切替後の搬送先に搬送する。 - 特許庁

Since the enhancement for improving the S/N ratio causes the occurrence of signal distortion due to the fluctuation of the frequency amplitude property FL and the group delay property GD in the required band, the resonance level is suppressed by the pre-amplification stage 2 while putting out the higher resosnance frequency out of the 1st and 2nd resonances to the outside of the transmission band.例文帳に追加

こうしてＳＮ比改善を図ると、必要帯域における周波数振幅特性ＦＬおよび群遅延特性ＧＤが変動して信号歪みの発生要因となる為、前置増幅段２が第１および第２の共振の内、高い方の共振周波数を伝送帯域外に追い出しつつその共振レベルを抑制する。 - 特許庁

An additive for coated paper features compounding (a) 100 pts.wt. of a synthesized resin having an N(nitrogen) content of 5-14 wt.% in a molecule obtained by reacting a polyamine-based compound with bisphenol A epoxy resin with (b) 1-30 pts.wt. of an anionic surfactant and (c) 100-1,000 pts.wt. of water.例文帳に追加

（ａ）ポリアミン系化合物、および、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を反応させて得られる、分子中にＮ（窒素）含有量が５〜１４重量％である樹脂合成物１００重量部に対し、（ｂ）アニオン界面活性剤１〜３０重量部、（ｃ）水１００〜１０００重量部を配合することを特徴とする塗工紙用添加剤。 - 特許庁

In another condition where the vehicle request power P is between the rated power of the battery Wstd and the maximum power Wmax (YES at S10 and YES at S20), the ECU alleviates the output control of the battery (S70) while keeping the number of connected modules N at the minimum module number N1 (S50) to satisfy the vehicle request power P.例文帳に追加

一方、車両要求パワーＰがバッテリの定格電力Ｗｓｔｄと最大電力Ｗｍａｘとの間に含まれる場合（Ｓ１０にてＹＥＳかつＳ２０にてＹＥＳ）、ＥＣＵは、モジュール接続数Ｎを車両要求パワーＰを満たす最小モジュール数Ｎ１としつつ（Ｓ５０）、バッテリの出力制限を緩和する（Ｓ７０）。 - 特許庁

In the general formula (1), Ar represents a substituted or unsubstituted benzothiophene ring group, naphthothiophenes ring group, dibenzothiophene ring group, thienothiophene ring group, dithienobenzene ring group, benzothiazole ring group, naphthothiazole ring group, benzoisothiazole ring group, naphthoisothiazole ring group, phenothiazine ring group, phenoxathiin ring group, dithianaphthalene ring group, thianthrene ring group, thioxanthene ring group, and bithiophene ring group, and n is 1 to 4.例文帳に追加

（上記一般式（１）中、Ａｒは、置換もしくは非置換の、ベンゾチオフェン環基、ナフトチオフェン環基、ジベンゾチオフェン環基、チエノチオフェン環基、ジチエノベンゼン環基、ベンゾチアゾール環基、ナフトチアゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、ナフトイソチアゾール環基、フェノチアジン環基、フェノキサチイン環基、ジチアナフタレン環基、チアントレン環基、チオキサンテン環基、ビチオフェン環基を示す。ｎは、１ないし４である。） - 特許庁

To provide a magnetoresistance RAM (MRAM) of a simple structure by forming a cell array by forming a cell having a simple structure and a small cell size by storing two or more data, by coupling an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) between a word line and a P-N diode and further coupling a plurality of cells in a NAND type between a bit line and a cell plate.例文帳に追加

ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをＮＡＮＤ型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）を具現する。 - 特許庁

At least one out of the lines between an AC power input terminal IN and an output terminal OUT to high voltage equipment is set to parallel branch lines (a) and (b), and an externally mounted device is composed by connecting the series connection body between diodes da and db and P-N junction elements ta and tb to both branch circuits, thus facilitating the utilization by a general user.例文帳に追加

交流電力入力端子ＩＮと電磁機器への出力端子ＯＵＴとの間のラインの少なくとも１本のラインを、並列分岐ラインａ、ｂとし、両分岐回路にダイオードｄａ、ｄｂとＰＮ接合素子ｔａ、ｔｂとの直列接続体を接続してなる外付け装置を構成して、一般ユーザー段階での利用を容易化した。 - 特許庁

For all song data to be backed up, a data string 150 where a main file (106 or 126) is at the top and a waveform file follows is created, this is divided for each storage capacity of a CD-R or the like, and the main file and the waveform file are recorded in the format of a backup file 140 having data parts 148-1 to 148-N.例文帳に追加

バックアップする全ソングデータ等について、主ファイル（１０６または１２６）を先頭とし、その後に波形ファイルが続くように配置したデータ列１５０を作成し、これをＣＤ−Ｒ等の記憶容量毎に分割し、主ファイルおよび波形ファイルをデータ部１４８−１〜１４８−Ｎとするバックアップファイル１４０のフォーマットに記録する。 - 特許庁

Accordingly, when the shift lever 18 is operated from the C position to the N position, the deformation movement of the secondary resin 42 to the primary-resin 40 side by the urging force from the pusher 24 is prevented, the reduction in the urging force applied to the shift lever 18 is prevented, and the control force of the shift lever 18 is prevented from being out of a target value.例文帳に追加

したがって、シフトレバー１８がＣ位置からＮ位置まで操作される際には、プッシャ２４からの付勢力による２次樹脂４２の１次樹脂４０側への変形移動を防止でき、シフトレバー１８に付与される付勢力が減少することを抑制できて、シフトレバー１８の操作力が狙い値の範囲から外れることを抑制できる。 - 特許庁

This photoelectric conversion element is composed by arranging two of the semiconductor electrodes by facing the surfaces of the semiconductor electrodes to each other through an electrolyte layer abutting them, and is characterized in that one of the semiconductor electrodes has a metal oxide semiconductor layer having n-type conductivity and the other semiconductor electrode is the above type electrode.例文帳に追加

また、二つの半導体電極を、それに接した電解質層を介して互いの半導体電極表面を対面させて配置した光電変換素子であって、一方の半導体電極がｎ型伝導性の金属酸化物半導体層を有し、他方の半導体電極が前記半導体電極であることを特徴とする光電変換素子である。 - 特許庁

The tocopherol aminoalkyl carboxylic acid ester having a substituent on the N atom or the salt thereof has been found to show an improving effect on the degenerative hepatocyte death, and also to show an improving effect on hepatopathy even in macroscopic findings and tissue findings of the liver and can be effectively used as a treating agent for hepatopathy.例文帳に追加

Ｎ原子に置換基を有するトコフェロールアミノアルキルカルボン酸エステル及び／又はその塩が、肝細胞の変性死に対して改善効果を示し、また、肝の肉眼所見および組織所見においても肝障害改善効果を示すことを見出し、肝障害の処置剤として有用であり、これらを用いることにより上記課題を解決した。 - 特許庁

A method for producing ETBE from an industrial mixture containing at least 1-butene, isobutene, n-butane and 2-butene is provided, wherein the method for producing ETBE comprises transformation of included isobutene, separation of a fraction containing 1-butene and isobutene by distillation, and new transformation of isobutene included in the fraction to ETBE.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１−ブテン、イソブテン、ｎ−ブタン及び２−ブテンを含有する工業的混合物からＥＴＢＥを製造する方法において、含まれるイソブテンの変換、１−ブテン及びイソブテンを含むフラクションの蒸留による分離及びその中に含まれるイソブテンのＥＴＢＥへの新たな変換によるＥＴＢＥの製造方法に関する。 - 特許庁

The top coat composition for the sealing material capable of following displacement of the sealing material and having contamination-preventive properties comprises an isocyanate group-containing urethane prepolymer (A) and an acrylate and/or methacrylate (B) having polyoxyethylene chains (-[C_2H_4O]_n-; n indicates a degree of polymerization) in the molecule.例文帳に追加

（Ａ）イソシアネート基含有ウレタンプレポリマーと、（Ｂ）分子内にポリオキシエチレン鎖（−［Ｃ_２Ｈ_４Ｏ］_ｎ−、ただし、ｎは重合度を示す。）を有するアクリル酸エステル及び／又はメタアクリル酸エステルとを含有する、シーリング材の変位に追従しかつ汚れ防止性を有するシーリング材上塗り塗料組成物とすることにより、上記の目的を達成するものである。 - 特許庁

In this embodiment, the first and second liquid cannot be mixed substantially; and can respectively be cycloalkane such as cyclooctane, decalin, bicyclohexyl, exo-tetrahydro-dicyclopentadiene, and cyclohexane, other high index hydrocarbon, perfluoro-polyether such as perfluoro-N-methyl morpholine, perfluoro E2, perfluoro-alkane such as perfluoro-hexane, or hydro-fluoroether and water.例文帳に追加

実施例では、第１及び第２の液体は、実質的に混合することができず、それぞれ、シクロオクタン、デカリン、ビシクロヘキシル、エキソ−テトラハイドロ−ジシクロペンタジエン、及びシクロヘキサンのようなシクロアルカン、他の高指数炭化水素、パーフルオロ−Ｎ−メチルモルホリン及びパーフルオロＥ２のようなパーフルオロポリエーテル、パーフルオロヘキサンのようなパーフルオロアルカン、又はハイドロフルオロエーテル、及び水であってもよい。 - 特許庁

The method for making a photothermographic material includes A) a step for preparing photosensitive silver halide grains formed in the presence of a hydroxytetrazaindene or an N-heterocyclic compound containing at least one mercapto group and B) a step for preparing a photosensitive dispersion of the photosensitive silver halide grains and a non-photosensitive reducible silver ion source.例文帳に追加

Ａ）ヒドロキシテトラザインデン又は少なくとも１個のメルカプト基を含むＮ−複素環化合物の存在下で形成された感光性ハロゲン化銀粒子を用意し、そしてＢ）前記感光性ハロゲン化銀粒子と非感光性還元可能銀イオン原料の感光性分散体を用意する工程を含むフォトサーモグラフィ乳剤の製造方法。 - 特許庁

The high drug load tablet contains 4-(4-methylpiperazin-1-ylmethyl)-N-[4-methyl-3-(4-pyridin-3-yl)pyrimidin-2-ylaminophenyl]-benzamide expressed by formula (I) or its pharmaceutically permissible salt as an active component in an amount of about 30-80% based on the total weight of the tablet.例文帳に追加

式（Ｉ）で示される化合物である４−（４−メチルピペラジン−１−イルメチル）−Ｎ−［４−メチル−３−（４−ピリジン−３−イル）ピリミジン−２−イルアミノ）フェニル］−ベンズアミドまたは医薬上許容されるその塩を、活性成分として、錠剤の総重量に対して活性部分重量が約３０〜８０％の量で含んでなる高薬物充填錠剤。 - 特許庁

The method for forming the ohmic electrode on the n-type 4H-SiC substrate comprises: a step for sequentially laminating an Ni layer, a Ti layer, and a Pt layer; and a step for alloying to form an alloy layer of the SiC substrate and the Ni layer, by means of thermal treatment in a non-oxidized atmosphere.例文帳に追加

ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上に、Ｎｉ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層を順次堆積する堆積工程、および非酸化性雰囲気中での熱処理により、上記ＳｉＣ基板と上記Ｎｉ層との合金層を形成する合金化工程を含むことを特徴とするｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上にオーミック電極を形成する方法。 - 特許庁

Furthermore, when acquiring noise data, the MOS transistor T8 is turned on to allow the MOS transistor T9 to carry out the resetting, and thereafter, controlling the signal ϕVPS resets the logarithmic transform MOS transistor T1, in response to the threshold voltage and provides an output independently of the incident light to the P-N junction photodiode PD.例文帳に追加

また、ノイズデータ取得時に、ＭＯＳトランジスタＴ８をオンにし、ＭＯＳトランジスタＴ９によるリセットを行った後、ＭＯＳトランジスタＴ８をオフにし、信号φＶＰＳを制御することによって対数変換用ＭＯＳトランジスタＴ１を閾値電圧に応じてリセットし、その後ＰＮ接合フォトダイオードＰＤへの入射光に関係しない出力を行う。 - 特許庁

The electrical energy generator includes a plurality of nanowires made of a semiconductor material having piezoelectric characteristics; a semiconductor layer which is formed at one end of the nanowires and forms a p-n junction with the nanowires; and a contact layer which is in contact with the other end of the nanowires and made of a material having metal-insulator transition (MIT) characteristics.例文帳に追加

圧電特性を有する半導体物質からなる複数のナノワイヤと、該ナノワイヤの一端に形成される層であり、ナノワイヤとｐ−ｎ接合を形成する半導体層と、ナノワイヤの他端に接する層であり、金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）特性を有する物質からなるコンタクト層と、を含む電気エネルギー発生装置である。 - 特許庁

To provide a radar system for detecting a vehicle in blind corner, the radar system having high average transmission wave power and capable of improving S/N ratio of a weak signal of diffraction wave, capable of detecting an object such as vehicle entering from a dead angle into an intersection having no signal, and accordingly reducing accidents such as head-on crash.例文帳に追加

送信波の平均電力が高く、回折波の微弱な信号のＳ／Ｎ比を改善することができ、信号機のない交差点で死角から進入する見通し外の車両等目標物を高精度に検知することができ、出会いがしらの衝突といった事故を減少させることができる死角車両検出レーダーシステムを得る。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a substrate that has an uneven structure on its primary surface; a nitride layer of at least either of polycrystal and non-crystal that is formed on the entire primary surface and in which at least either of a p-type impurity and an n-type impurity is doped; and a nitride semiconductor layer that is provided on the nitride layer.例文帳に追加

実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 - 特許庁

To manufacture easily an encoder 1 equipped with an unequal pitch part 8 without using a special-shaped polarization head equipped with an unequal pitch part or the like, concerning the encoder 1 wherein N-poles 5 and S-poles 6 of magnets are arranged at equal pitches alternately in the circumferential direction and the unequal pitch part 8 is provided on a part of the circumference.例文帳に追加

磁石のＮ極５およびＳ極６を円周方向交互に等ピッチで配置するとともに円周上一部に不等ピッチ部分８を設けたエンコーダー１において、不等ピッチ部を備えた特殊形状の着磁ヘッド等を用いなくても、不等ピッチ部分８を備えたエンコーダー１を容易に製造することができるようにする。 - 特許庁

The method of reducing the fluoride ion in the wastewater comprises the steps of loading the wastewater containing the fluoride ion and having pH of 4.0 or lower with a composite complex oxide M^2+_xM^3+_yO(_x+3y/2-nz/2)(A^n-)_z, and separating a formed composite complex hydroxide particle containing the fluoride ion from the treated wastewater.例文帳に追加

フッ素イオンを含有するｐＨ４.０以下の排水に、複合錯体酸化物Ｍ^２＋_ｘＭ^３＋_ｙＯ_（ｘ＋３ｙ／２−ｎｚ／２）(Ａ^ｎ−)_ｚを添加し、かくして形成されたフッ素イオンを含む複合錯体水酸化物粒子を処理された排水から分離することを特徴とする、前記排水中のフッ素イオンを低減する方法。 - 特許庁