「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(376ページ目) - Weblio英語例文検索

To determine a thin-film multi-layer structure by setting a combined model of film thickness and complex index of refraction, calculating the simulation spectrum thereof, and fitting the simulation spectrum to measured spectrum by using Extended Best Local Minimum Calculation (EBLMC) in the analysis method of a thin-film n-layer structure by using a spectral ellipsometer.例文帳に追加

本発明による分光エリプソメータを用いた薄膜ｎ層構造の解析方法では、膜厚や複素屈折率などの組み合わせモデルを設定し、そのシミュレーションスペクトルを算出して、そのシミュレーションスペクトルと測定スペクトルとのフィッティングを広範囲極小値計算法（ＥＢＬＭＣ）を使用して行うことにより、薄膜多層構造を決定する。 - 特許庁

For the ceramic capacitor, which is formed by forming outer electrodes at the ends of a dielectric block in which inner electrodes are formed, the outer electrodes are adhered to the wiring board via a conductive resin adhesive agent, and the outer electrodes are formed of a material which exhibits Young's modulus of 0.1-20.0 N/m2.例文帳に追加

内部に内部電極を形成した誘電体ブロックの端面に外部電極を形成してなるセラミックコンデンサにおいて、前記外部電極が導電性樹脂接着剤を介して配線基板に接着されるものであり、前記外部電極のヤング率が０．１〜２０．０Ｎ／ｍ^2の材料を用いることを特徴とするセラミックコンデンサである。 - 特許庁

The method for producing a sugar chain-introduced organic compound includes conducting a transglycosylation reaction of an Amadori compound, as saccharide receptor, formable by reaction between a reducing sugar and a basic functional group in the presence of a saccharide donor and a glycosyltransferase selected from among amylase, chitinase, cyclodextrin glucanotransferase and endo-N-glucosaminidase.例文帳に追加

還元性を示す糖と塩基性官能基とによって生成しうるアマドリ化合物を糖受容体として、糖供与体およびアミラーゼ、セルラーゼ、キチナーゼ、サイクロデキストリングルカノトランスフェラーゼ、エンドＮ−グルコサミニダーゼから選択された糖転移反応触媒酵素存在下に糖転移反応を行い、糖鎖の導入された糖鎖含有有機化合物を製造する。 - 特許庁

In the magnetic eraser with an erasing magnet arranged on a container member so as to oppose the magnetic pole, an N pole or an S pole, to the writing face of the magnetic material inversion display panel, the erasing magnet is approachable to the writing space when the magnetic eraser is pressed to the writing face of the display panel.例文帳に追加

磁性体反転表示パネル用の、Ｎ極又はＳ極の何れか一方の磁極が磁性体反転表示パネルの筆記面に対向するように消去用磁石を容器部材に配設した磁気イレーザーにおいて、前記消去用磁石が、磁性体反転表示パネルの筆記面に対して磁気イレーザーを押圧した際に、筆記面に対して近接可能とする。 - 特許庁

The neutral position returning processing from general operation is performed as an execution condition when selection of N (neutral) position is instructed, or when the vehicle speed instruction is a deceleration instruction output (deceleration determination), vehicle speed detection is a neutral position return setting vehicle speed or less, and throttle opening detection is in 0% (full close) state.例文帳に追加

また、通常運転からニュートラル位置戻しの実行条件として、Ｎ（ニュートラル）位置の選択指令があった場合、または車両速度指令が減速指令出力（減速判別）であり、かつ車両速度検出がニュートラル位置戻し設定車両速度以下であり、かつスロットル開度検出がゼロ％（全閉）の状態である場合とする。 - 特許庁

When the merchandise is ordered, a selling system 3 uses customer information preliminarily registered in a customer information database 5 and receives an order by displaying the customer information on terminals 1-1 to 1-n and selecting desired customer information from among the displayed customer information or inputting new customer information.例文帳に追加

商品が注文される際に、顧客情報データベース５に予め登録された顧客情報を端末１−１〜１−ｎに表示し、表示された顧客情報の中から所望の顧客情報を選択もしくは新たな顧客情報を入力することにより、販売システム３にて該顧客情報を用いて注文が受け付ける。 - 特許庁

Image information read by the original read means is stored as memory data, the data are subjected to image processing, the memory data are separated into white regions and pixel regions, and comparing the data of the pixel regions with the memory data of the image information having already been stored can detect the noise N produced in an original reading stage.例文帳に追加

原稿読み取り手段によって読み取られた画像情報をメモリデータとして記憶させると共に、画像処理し、さらに、前記メモリデータを白領域と画素領域とに分離し、かつ、その画素領域を、それ以前に既に記憶されている先の画像情報のメモリデータと対比させることにより、原稿読み取り段階で発生したノイズＮを検出する。 - 特許庁

The crosslinked product is obtained by crosslinking respective carboxyls of both of a copolymer of N-isopropyl acrylamide with acrylic acid and/or methacrylic acid and a polyamino acid which is safe and biodegradable and/or a mixture thereof and/or a salt thereof with a crosslinking agent such as an epoxy compound, and the temperature responsive biodegradable gel is obtained by dipping the crosslinked product in water.例文帳に追加

Ｎ−イソプロピルアクリルアミドとアクリル酸及び／又はメタクリル酸との共重合体と安全で生分解性を有するポリ酸性アミノ酸又はこの混合物、及び／又はその塩とを両者のカルボキシ同士をエポキシ化合物などの架橋剤によって架橋した架橋体及びこれを水に浸漬し温度応答性生分解性ゲルを得る。 - 特許庁

The semiconductor device 20 has an internal circuit 1 including an NMOS transistor 31, and an electrostatic protection circuit including a protection element 41 having a p-type well diffusion region 11 and a pair of n-type regions 12a and 12b opposed to each other at a predetermined mutual interval in the p-type well diffusion region 11.例文帳に追加

この半導体装置２０は、ＮＭＯＳトランジスタ３１を含む内部回路１と、ｐ型ウェル拡散領域１１と、そのｐ型ウェル拡散領域１１内において互いに所定の間隔を隔てて対向する一対のｎ型領域１２ａおよび１２ｂとを有する保護素子４１を含む静電気保護回路２とを備えている。 - 特許庁

The rectifier element 10 can select a state where the difference in potential between the Schottky electrodes 3, 5 and the cathode electrode 4 changes, thereby applying a current between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 is made into a depletion layer to disconnect a current path.例文帳に追加

ショットキー電極５およびショットキー電極３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

To provide a method for producing O-, S- and N-alkenyl compounds by reaction of the corresponding OH, SH or NH compound with an acetylene by which the alkenyl compound can be produced with high selectivity, high space-time yield and high productivity in a simple way and which only forms small amounts of substantially involatile residue.例文帳に追加

相応するＯ−化合物、Ｓ−化合物またはＮ−化合物とアセチレンを反応させることにより、高い選択性、高い空時収量および高い生産性で簡単な方法で製造可能であり、かつ不揮発性の残渣を少量しか形成しない、Ｏ−アルケニル化合物、Ｓ−アルケニル化合物およびＮ−アルケニル化合物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In this objective epoxy resin composition includes an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and additionally silicone rubber powder, at least a part of the epoxy resin is represented by the following formula (wherein n is an integer of 0-5) and the silicone rubber powder is coated with a silicone resin on the surfaces.例文帳に追加

エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤と、無機充填材とを含み、さらにシリコーンゴムパウダーをも含むエポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂の少なくとも一部が下記式（１）で示されるエポキシ樹脂であり、且つ、前記シリコーンゴムパウダーがシリコーンレジンで表面を被覆されていることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

The garbage treating apparatus 10 includes a cylindrical treating tank 11 which is supported by supporting rollers 15 so as to be rotatable about its own axis and rotatably driven by a motor M1, a plurality of wires 12 stretched transversely in the tank 11 to cut and divide blocks of the garbage N, and a conveyor 13 to feed garbage into the tank 11.例文帳に追加

支持ローラ１５によって自軸まわりに回転自在に支持され、モータＭ１で回転駆動される円筒状の処理槽１１と、その処理槽内を横切るように張られた生ゴミＮの塊を切り分けるための複数本のワイヤ１２と、処理槽１１内に生ゴミを投入するコンベア１３とを備えている生ゴミ処理装置１０。 - 特許庁

This method for producing the N-methyl-dialkylamine comprises reacting a secondary dialkylamine with formaldehyde at a temperature of 100-200°C, wherein the formaldehyde is used in an amount of 1.5-3 mol per mol of the secondary dialkylamine, a reaction product obtained therefrom is degassed, an aqueous phase is separated therefrom, and an organic phase is subjected to evaporation treatment.例文帳に追加

この課題は、第二ジアルキルアミンとホルムアルデヒドとから１００〜２００℃の温度でＮ−メチルジアルキルアミン類を製造する方法において、１モルの第二ジアルキルアミン当たり１．５〜３モルのホルムアルデヒドを使用し、得られる反応生成物を脱気し、水性相を分離しそして有機相を蒸発処理することを特徴とする、上記方法によって解決される。 - 特許庁

In a copper alloy containing specified elements, by controlling the thickness of a rust preventive film to ≤5 nm, the copper alloy foil for a laminate sheet having satisfactory wettability with varnish, and having excellent strength and electric conductivity, and having ≥8.0 N/cm 180° peel strength with a film obtained by thermally hardening polyamic acid, without undergoing roughening treatment, is provided.例文帳に追加

特定の元素を含有した銅合金において、防錆皮膜の厚さを表面から５ｎｍ以下とすることでワニスとのぬれ性が良好で、強度と導電性に優れ、かつ粗化処理を施さずにポリアミック酸を熱硬化した皮膜との１８０゜ピール強度が８．０Ｎ／ｃｍ以上である積層板用の銅合金箔を提供する。 - 特許庁

Moreover, they are also characterized in that they have a plurality of the capacitance of a structure holding the insulating layer between the semiconductor layer and the metallic layer at prescribed intervals; the capacitance is formed by applying a negative voltage to the metallic layer; and impurities presenting an n-type are injected into the inter- capacitance semiconductor layer as a pattern residual existing between the adjacent capacitance.例文帳に追加

また、絶縁膜層を半導体層と金属層により挟んだ構造の複数の容量を所定の間隔で備え、前記金属層に負の電圧を印加して容量を形成し、隣接する前記容量間に存在するパターン残りとしての容量間半導体層中に、ｎ型を呈する不純物が注入されていることを特徴とする。 - 特許庁

The plurality of radio-light conversion nodes 13 (n) respectively include a photoelectronic transducer 131 which converts a part of steady light to power, a wireless receiver circuit 132 which receives the detection data from the sensor by radio, and a light modulator 133 which modulates other part of the steady light to generate a signal light in which the detection data is embedded.例文帳に追加

複数の無線・光変換ノード１３（ｎ）は、それぞれ、定常光の一部を電力に変換する光電変換器１３１と、センサノードからの検出データを無線受信する無線受信回路１３２と、定常光の他の一部に変調を加え検出データが埋め込まれた信号光を生成する光変調器１３３とを備える。 - 特許庁

A nonwoven fabric laminate comprises a rigid layer of an entanglement type nonwoven fabric having at least 150 N/50 mm width in the average of longitudinal tensile strength and lateral tensile strength measured as a simple entanglement type nonwoven fabric whose shape is maintained only by the entanglement of fibers and a bulky layer of a nonwoven fabric of apparent density lower than that of the rigid layer.例文帳に追加

不織布積層体は、繊維の絡合のみにより形状を維持した単純絡合不織布の状態で測定した縦方向引張り強さと横方向引張り強さとの平均値が１５０Ｎ／５０ｍｍ幅以上である絡合系不織布からなる剛性層と、前記剛性層よりも見掛密度の低い不織布からなる嵩高層とを含む。 - 特許庁

The thermal transfer sheet which includes a heat-resisting lubricating layer overlying one side of a base material and an undercoating layer and a dye layer successively overlying the other side of the base material is charactirized in that the undercoating layer is formed by a copolymer resin of N-vinyl-2-pyrrolidone and vinyl acetate and a colloidal state inorganic pigment ultrafine particle as a principal component.例文帳に追加

本発明の熱転写シートは、基材の一方の面に耐熱滑性層を設け、該基材の他方の面に下引き層、染料層を順次形成した熱転写シートにおいて、該下引き層はビニルピロリドンと酢酸ビニルの共重合体樹脂とコロイド状無機顔料超微粒子を主成分として形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The distributed feedback semiconductor laser device is provided with an active layer 23 to join carriers again, clad layers 24 and 26 as a p-type semiconductor layer for supplying a hole to the active layer 23, a buffer layer 22 as an n-type semiconductor layer for supplying an electron to the active layer 23, a diffraction lattice layer 25 formed in the p-type semiconductor layer, and so on.例文帳に追加

分布帰還型半導体レーザ素子は、キャリア再結合を行う活性層２３と、活性層２３へホールを供給するｐ型半導体層であるクラッド層２４，２６層と、活性層２３へ電子を供給するｎ型半導体層であるバッファ層２２と、ｐ型半導体層の中に形成された回折格子層２５などで構成される。 - 特許庁

When a request for updating the bulletin board data is received from the user terminal 4-1, a Web server 3 takes out the bulletin board data registered in the mailing list database 20, records the same on an electronic bulletin board 30, and when the recorded bulletin board data is requested by a user terminal 4-N, provides the requested bulletin board data as the electronic bulletin board.例文帳に追加

かつＷｅｂサーバ３は、利用者端末４−１から掲示板データの更新要求を受けた際、メーリングリストデータベース２０に登録された掲示板データを取り出して電子掲示板３０に記録し、記録された掲示板データを利用者端末４−Ｎから要求された際には要求された掲示板データを電子掲示板として提供している。 - 特許庁

Glass substrates 10 are placed on heat-resistant setters 11 (Neoceram N-0(R)) having plate form with excellent flatness one for each setter and annealed by placing four dummy setters 12 around the heat-resistant setter 11 to produce 12 glass substrates having a residual stress of 4 kg/cm2 in the plane direction.例文帳に追加

ガラス基板１０を、板状で平坦性に優れた耐熱性セッター（日本電気硝子株式会社製ネオセラムＮ−０）１１上に１枚づづ載置し、さらに耐熱性セッター１１の周囲に、４枚のダミーセッター１２を配置した状態でアニールすることによって、平面方向の残留応力が４ｋｇ／ｃｍ^2 のガラス基板を１２枚作製した。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical semiconductor integrated circuit device comprises the steps of forming a p^+-type exudated region of an emitter region in a vertical pnp transistor 21 by exudating an impurity from an emitter retrieving electrode 41, and forming an n^+-type diffused region 39 of a base leading region by ion implanting.例文帳に追加

本発明における光半導体集積回路装置の製造方法では、縦型ＰＮＰトランジスタ２１において、エミッタ領域であるＰ＋型の浸み出し領域はエミッタ取り出し電極４１からの不純物の浸み出しにより形成し、ベース導出領域であるＮ＋の拡散領域３９はイオン注入により形成する。 - 特許庁

In the processing method for a silver halide photographic sensitive material, the sensitive material is processed while replenishing a processing solution having fixing power with ≤800 ml/m^2 replenisher solution containing at least one N-containing compound having a specified structure, wherein thiosulfates include ≤30 mol% ammonium thiosulfate.例文帳に追加

特定構造の窒素原子含有化合物を少なくとも１種含有し、チオ硫酸塩のうちチオ硫酸アンモニウムが３０モル％以下である補充液を、定着能を有する処理液に、感光材料１ｍ^２あたり８００ｍｌ^２以下補充しながら処理することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料の処理方法である。 - 特許庁

This detergent composition comprises a lipase having an enzyme activity in which the ratio of an amount of a fatty acid formation from triolein after a substrate decomposition test to that from n-hexadecyl palmitate after the substrate decomposition test is 2.0 or more (mol ratio), a fatty acid/salt, and an α-sulfofatty acid alkyl ester salt or a specific nonionic surfactant.例文帳に追加

基質分解試験後のパルミチン酸ｎ−ヘキサデシルからの脂肪酸生成量に対する、基質分解試験後のトリオレインからの脂肪酸生成量が２．０倍以上（モル比）となる酵素活性を有するリパーゼと、脂肪酸／塩と、α−スルホ脂肪酸アルキルエステル塩又は特定のノニオン界面活性剤とを含有することを特徴とする洗剤組成物。 - 特許庁

The general formula (I) is (Rf-X-)_mAr(-W)_n , and in the formula (I); Ar represents an aromatic heterocycle or an aromatic hydrocarbon ring; X represents a single bond or bivalent linking group; Rf is an alkyl group partly or totally replaced by fluorine atoms; W represents a sulfo group or a carboxyl group; m expresses 1 to 4; and n expresses 1 or 2.例文帳に追加

一般式（Ｉ） （Ｒｆ−Ｘ−）_mＡｒ（−Ｗ）_n（式（Ｉ）中、Ａｒは芳香族ヘテロ環又は芳香族炭化水素環を表し、Ｘは単結合又は２価の連結基を表し、Ｒｆは一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、Ｗはスルホ基又はカルボキシル基を表し、ｍは１〜４を表し、ｎは１又は２を表す。） - 特許庁

In a semiconductor apparatus, on an n-channel region 103 on which a second gate electrode material film (a TiN film) 111 contacting a gate insulating film 105 is not formed as a part of a gate electrode 151, a first gate electrode material film (a polysilicon layer) 107 functioning as an overetching absorption layer is previously formed when etching the second gate electrode material film (the TiN film) 111.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０５と接する第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１がゲート電極１５１の一部として形成されないｎチャネル領域１０３上に、第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１のエッチング時にオーバーエッチング吸収層として機能する第１ゲート電極材料膜（ポリシリコン膜）１０７を予め形成しておく。 - 特許庁

A piled-up silicon compound layer 12i provided on a P-type source/drain diffused layer 12g of a P-channel MOSFET 12 is formed, in such a way that the boundary between the layers 12i and 12g becomes nearly flat and is nearly flush with the boundary between an N-type well area 12b and a gate insulating film 12c.例文帳に追加

たとえば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１２のＰ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇ上に設けられる、Ｃｏシリサイド膜からなる積み上げ構造のシリコン化合物層１２ｉを、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面が、略平坦で、かつ、Ｎ型ウェル領域１２ｂとゲート絶縁膜１２ｃとの界面と略同じ高さとなるようにする。 - 特許庁

A bipolar transistor Q24, in which a collector is connected to the substrate of an NMOS (N type metal oxide semiconductor) transistor Q22 as a protective transistor (GGNMOS), is equipped and when ESD event is generated, the bipolar transistor Q24 supplies current to the substrate of the NMOS transistor Q22 whereby the NMOS transistor Q22 is shifted into bipolar operation by a low voltage.例文帳に追加

保護トランジスタ（ＧＧＮＭＯＳ）としてのＮＭＯＳトランジスタＱ２２の基板に対してコレクタが接続されるバイポーラトランジスタＱ２４を備え、このバイポーラトランジスタＱ２４が、ＥＳＤイベントの発生の際に、ＮＭＯＳトランジスタＱ２２の基板に対して電流を供給することによって、低電圧でＮＭＯＳトランジスタＱ２２をバイポーラ動作に移行させる。 - 特許庁

In a copper alloy containing specified elements, by controlling the thickness of a rust preventive film to ≤5 nm from the surface, the copper alloy foil for the laminate sheet having satisfactory wettability with varnish, and having excellent strength and electric conductivity, and having ≥8.0 N/cm 180° peel strength with a film obtained by thermally hardening the polyamic acid, without undergoing roughening treatment, is provided.例文帳に追加

特定の元素を含有した銅合金において、防錆皮膜の厚さを表面から５ｎｍ以下とすることでワニスとのぬれ性が良好で、強度と導電性に優れ、かつ粗化処理を施さずにポリアミック酸を熱硬化した皮膜との１８０゜ピール強度が８．０Ｎ／ｃｍ以上である積層板用の銅合金箔を提供する。 - 特許庁

This Pachinko game machine 1 equipped with prize ball discharging control means controlling operation of a prize ball unit is to be provided with a control content of effecting an increase in prize balls for paying out the number of balls more than an initially determined number N, when more than a plurality of game balls hit general prize winning holes 30a to 30d within an effective time for prize ball increase.例文帳に追加

賞球ユニットの作動を制御する賞球排出制御手段が備えられたパチンコ遊技機１にあって、賞球増加有効時間内に、一般入賞口３０ａ〜３０ｄに複数個以上の遊技球が入賞した場合には、初期規定個数Ｎより多い数の賞球を払い出す賞球増加を行う制御内容を備えることとした。 - 特許庁

To provide the growth method of a p-type ZnO-based oxide semiconductor layer that enables doping a p-type dopant N with stable concentration of carriers, and can fully increase the concentration of the carriers of a p-type layer of a ZnO-family oxide semiconductor layer, even in high-temperature growth that can reduce the concentration of a residual carrier, while the simultaneous doping method is being adopted.例文帳に追加

同時ドーピング法を採用しながら、残留キャリア濃度を減らせる高温成長時においても、ｐ形ドーパントであるＮを安定したキャリア濃度でドーピングでき、ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor electrostatic motor which can rotate at a high speed without rotating unevenness is obtained in such a manner that the second impurity adding part 2d of the stator for supplying an operating voltage or the Schottky junction by the metal has its reverse voltage or a reverse voltage by the second impurity adding part 2c of the n-type stator and the semiconductor substrate 2a of the p-type stator.例文帳に追加

作用する電圧を供給する固定子の第２の不純物添加部２ｄあるいは金属によるショットキ接合がその逆電圧か、ｎ型の固定子の第２の不純物添加部２ｃとｐ型の固定子の半導体基板２ａによる逆電圧を持つことにより、高速回転が可能な回転むらのない半導体静電モータを得た。 - 特許庁

This EUO-structural-type zeolite includes at least one element X selected from among silicon and germanium, and at least one element T selected from among aluminum, iron, gallium, boron, titanium, vanadium, zirconium, molybdenum, arsenic, antimony, chromium and manganese, and is characterized in that a X/T ratio is 5-50 and a N/X ratio is 0.010-0.065.例文帳に追加

ケイ素およびゲルマニウムから選択される少なくとも１つの元素Ｘと、アルミニウム、鉄、ガリウム、ホウ素、チタン、バナジウム、ジルコニウム、モリブデン、ヒ素、アンチモン、クロムおよびマンガンから選択される少なくとも１つの元素Ｔとを含むＥＵＯ構造型ゼオライトにおいて、５〜５０のＸ／Ｔ比と０．０１０〜０．０６５のＮ／Ｘ比とを有することを特徴とするゼオライトである。 - 特許庁

Since the device incapable of reading a correct device address among the devices 2 to n due to the error in the setting of its own device address or the failure of a device address setting switches 22 to n2 can not execute an instruction based on the lamp turning-off command outputted from the device 1, the lamp of the device is turned on as it is.例文帳に追加

全ての被電源制御装置２〜ｎのうち自装置の装置アドレスの設定に誤りがあるかあるいは装置アドレス設定用のスイッチ２２〜ｎ２部分が故障して、正しい装置アドレスが読み出せなくなった被電源制御装置２〜ｎは、電源制御装置１からのランプ消灯コマンドによる指示を実行できないため、ランプが点灯したままとなる。 - 特許庁

In a process S104, photoluminescence of a substrate product prepared by growing a quantum well structure and p- and n-type gallium nitride semiconductor layers for the light-emitting layer at at least one or two or more selected tilt angle is measured while applying a bias to the substrate product to obtain bias dependence of the photoluminescence.例文帳に追加

工程Ｓ１０４では、選択された一又は複数の傾斜角で発光層のための量子井戸構造並びにｐ型及びｎ型窒化ガリウム系半導体層を成長して形成された基板生産物のフォトルミネッセンスの測定を基板生産物にバイアスを印加しながら行って、基板生産物のフォトルミネッセンスのバイアス依存性を得る。 - 特許庁

In general formula (I), R^1 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted 1C-20C alkyl group, or a substituted or unsubstituted 1C-20C alkoxy group, A represents a heterocyclic ring residue including at least one nitrogen atom for forming an aromatic complex 6-membered ring, and (n) represents an integer of 1 to 3.例文帳に追加

一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は、水素原子、置換若しくは未置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は置換若しくは未置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、Ａは芳香族複素六員環を形成するための少なくとも１個の窒素原子を含む複素環残基を表し、ｎは１以上３以下の整数を表す。 - 特許庁

A herbicidal agent is provided, which includes a combination of active ingredients and consists of substituted arylsulfonylaminocarbonyl triazolinones and/or their salts and at least one compound included in the group of compounds of general formula (II) (wherein m is 1; n is 0; X is OCH_3; and Z is a substituted carbonylamino group or a substituted carbamoyl group).例文帳に追加

置換アリールスルホニルアミノカルボニル−トリアゾリノン及び／又はそれらの塩、及び一般式（ＩＩ）［式中、ｍは、１を表わし、ｎは、０を表わし、Ｘは、ＯＣＨ３を表わし、及びＺは置換カルボニルアミノ基または置換カルバモイル基を表わす］の化合物の群に含まれる少なくとも１つの化合物から成る、有効成分の組合せを含む除草剤。 - 特許庁

In a rectifying element 10, a state that a current between a Schottky electrodes 5 and a cathode electrode 4 flows by changing a potential difference between Schottky electrodes 5, 3 and a cathode electrode 4, or a state that a current path is cut off by changing an n^-type semiconductor layer 2 existing between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 into a depletion layer is selectable.例文帳に追加

整流素子１０は、ショットキー電極５、３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

A battery cell 10 has a stacked electrode body 100 in which separators S, T of which the thickness are different at a side of a positive electrode terminal part 101 where a positive electrode core PB is protruded and at a side of a negative electrode terminal part 102 where a negative electrode core PB is protruded are held and stacked between a positive electrode plate P and a negative electrode plate N.例文帳に追加

電池セル１０は，正極芯材ＰＢが突出している正極端部１０１の側と負極芯材ＰＢが突出している負極端部１０２の側とでその厚みが異なっているセパレータＳ，Ｔを，正極板Ｐと負極板Ｎとの間に挟んで積層した積層電極体１００を有するものである。 - 特許庁

Every time an external write command is issued, a physical address to which data is to be written in a nonvolatile memory comprising multivalued memory cells is determined, and if the physical address to be written to is the nth page and data has been written to the corresponding first to (n-1)th pages, the data written is copied to a nonvolatile storable backup region.例文帳に追加

外部からの書き込みコマンドの発行毎に、多値メモリセルによって構成される不揮発性メモリにおけるデータの書き込み先物理アドレスを決定し、書き込み先物理アドレスが第ｎページでありかつ対応する第１〜（ｎ−１）ページに既書き込みのデータが存在する場合に、前記既書き込みデータを不揮発で記憶可能なバックアップ領域にコピーする。 - 特許庁

In a p-n junction structure of a first solid material layer 3 having a insulator or a semiconductor and a second solid material layer 5 having a insulator or a semiconductor of a different type from the first solid material layer 3, there is provided a solar cell 1 using a Mott insulator or a Mott semiconductor as a solid material for at least one of the layers.例文帳に追加

絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層３と該第一固体材料層３とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層５とのｐ−ｎ接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池１。 - 特許庁

In the method of manufacturing the silicon wafer for the CMOS device, the SiGe film and the SiC film are formed isolated from each other on a surface of the same silicon substrate using a selective epitaxial method or an ion implantation method, whereby an n-MOS device and a p-MOS device required for configuring the CMOS device are manufactured on the same silicon substrate isolated from each other like islands.例文帳に追加

ＣＭＯＳデバイス用シリコンウェハの製造方法において、同一シリコン基材の表面に、選択エピタキシャル法又はイオン注入法を用い、ＳｉＧｅ膜及びＳｉＣ膜を分離して形成し、ＣＭＯＳデバイスを構成するために必要なｎ−ＭＯＳデバイス、及びｐ−ＭＯＳデバイスを同一シリコン基材上に島状に分離して製造する。 - 特許庁

Next, the calculated error rate is compared with a predetermined reference error rate threshold, and when the calculated error rate becomes lower than the reference error rate threshold, it is determined that pattern synchronization is obtained between the compared reference pattern and measured signal, and the bit number N of the reference pattern synchronized in pattern with the measured signal is multiplied by integer to obtain a frequency division ratio M.例文帳に追加

次に、算出したエラーレートと予め設定された基準エラーレート閾値とを比較し、算出したエラーレートが基準エラーレート閾値を下回った場合に、比較した基準パターンと被測定信号とがパターン同期したと判別し、被測定信号とパターン同期した基準パターンのビット数Ｎを整数倍して分周比Ｍを取得する。 - 特許庁

A pressurizing mechanism 50 sets first pressurization mode where the pressurizing force at both ends in the longitudinal direction of the heating nip N is made higher than that of the center section by increasing the total pressure applied to both ends of the pressure roller 52, and sets second pressurization mode where the pressurizing force at the center section is made higher than that at both the ends by decreasing the total pressure.例文帳に追加

加圧機構５０は、加圧ローラ５２の両端に印加する総圧力を高めることで、加熱ニップＮの長手方向における両端部の加圧力を中央部よりも高くする第１の加圧モードを設定し、総圧力を低下させることで中央部の加圧力を両端部よりも高くする第２の加圧モードを設定する。 - 特許庁