「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(372ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a liquid crystal display device which is provided with first and second gate driving circuits, and is improved in a response speed of liquid crystal by supplying a pre-charge voltage to the (N+4n)th gate line when a gate ON voltage is supplied to the Nth gate line of a liquid crystal panel, and to provide a driving method therefor.例文帳に追加

本発明は第１及び第２ゲート駆動回路を具備して、液晶パネルのＮ番目のゲートラインにゲートオン電圧が供給されるとき、Ｎ＋４ｎ番目のゲートラインにプリチャージ電圧供給して、液晶の応答速度を改善した液晶表示装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

In the determination of the complete explosion, the engine ECU 20 enhances the startability of the engine 100 by correcting thresholds n, t specifying the requirements for determining the complete explosion of the engine 100 to the high value side when the input of the operation by the driver to the push switch 17 is performed continuously for a set time or longer to reflect the will of the driver to the engine.例文帳に追加

完爆判定に際し、エンジンＥＣＵ２０は、プッシュスイッチ１７に対するドライバの操作入力が設定時間以上継続してなされているとき、エンジン１００の完爆判定条件を規定する閾値ｎ，ｔを高値側に補正することで、ドライバの意志を反映させてエンジン１００の始動性を向上させる。 - 特許庁

To provide an ultra-high-strength high-fluidity concrete and an ultra-high-strength high-fluidity fresh concrete, each of which has a high strength development and a high fluidity and is capable of achieving a compressive strength of >200 N/mm^2, even in an ultra-high-strength region characterized by a water-binder ratio of ≤15.0%.例文帳に追加

高い強度発現性及び高い流動性を兼ね備え、しかも、水結合材比が１５．０％以下の超高強度領域においても２００Ｎ／ｍｍ^２を超える圧縮強度を得ることが可能な超高強度高流動コンクリート及び超高強度高流動フレッシュコンクリートを提供する。 - 特許庁

A communication device 1 includes: a detection means 11 for detecting an increase/decrease in the communication band of the transmission line 100; and blocking means 12-1 to 12-m, 13-1 to 13-n for blocking or releasing a line belonging to each of the plurality of multiplexing groups according to a result detected by the detection means.例文帳に追加

通信装置（１）は、伝送路（１００）の通信帯域の増減を検出する検出手段（１１）と、検出手段の検出結果に応じて複数の多重化グループ各々に属する回線の閉塞または解放を行う閉塞手段（１２−１〜１２−ｍ，１３−１〜１３−ｎ）とを有する。 - 特許庁

In formula, A represents one of -CH_2-, -C(CH_3)_2-, and -S-, each of R^1 and R^2 represents a hydrogen atom or a 1-6C saturated hydrocarbon group, R^3 represents a 1-6C saturated hydrocarbon group, Y represents a halogen atom, and each of m and n represents an integer of 1-4.例文帳に追加

（式中、Ａは−ＣＨ_２−、−Ｃ（ＣＨ_３）_２−および−Ｓ−のいずれかを表し、Ｒ_１およびＲ_２はそれぞれ水素原子または炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、Ｒ_３は炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、Ｙはハロゲン原子を表し、ｍおよびｎはそれぞれ１〜４の整数を表す。） - 特許庁

In case that a USB power source 13 inputs the voltage of 5(V) and an enable switch 26 is ON, the first to third digital transistors 16-18, an n-channel MOSFET 20, and a voltage detector 60 control the step-up circuit 40 and the step-down circuit 50 being transforming circuits and make only the step-down circuit 50 function.例文帳に追加

ＵＳＢ電源１３が５（Ｖ）の電圧を入力し、イネーブルスイッチ２６がオン状態である場合、第１〜第３デジタルトランジスタ１６〜１８、ｎチャンネルＭＯＳＦＥＴ２０、及び電圧検出部６０が、変圧回路である昇圧回路４０及び降圧回路５０を制御して、降圧回路５０のみを機能させる。 - 特許庁

Thus, the influence of a leaked magnetic flux generated during magnetic recording on a magnetic tape on reproducing magnetic heads 75, 77 is prevented, the leaked magnetic flux generated during recording is shielded off by the magnetic shield member to prevent the superimposition of noise caused by cross talk on a reproducing signal and the reduction in an S/N ratio.例文帳に追加

よって、磁気テープへの磁気記録を行う際に生じる漏れ磁束が再生用磁気ヘッド７５，７７に影響することが防止され、記録時に発生する漏れ磁束を磁気シールド部材で遮断して再生信号にクロストークによるノイズが重畳されることを防止され、Ｓ／Ｎ比の劣化が防止される。 - 特許庁

When air for air conditioning, such as warm air or cool air, is fed from an inlet 14 to a space 16 for swirling the air, the air in the space 16 is guided by an internal face 2006A of a guide board 2006 and an internal wall 2002A of a housing body 2002, and the air flows as swirling flow N.例文帳に追加

暖気や冷気などの空調用空気が空気導入口１４から旋回用空間部１６に送給されると、空調用空気は旋回用空間部１６において、ガイド板２００６の内面２００６Ａやハウジング本体２００２の内壁２００２Ａに案内されて旋回流れＮとなる。 - 特許庁

When the secondary transfer roll 46 thermally expands by temperature rise in the device, the center-to-center distance regulation part 74 thermally expands by an amount matching this thermal expansion and the amount of a bite (width of a secondary transfer nip area N) of the secondary transfer roll 46 to the backup roll 24 (intermediate transfer belt 21) is maintained to be nearly fixed.例文帳に追加

機内の温度上昇によって二次転写ロール４６が熱膨張すると、この熱膨張に見合う量だけ軸間距離規制部７４が熱膨張し、バックアップロール２４(中間転写ベルト２１)に対する二次転写ロール４６の食い込み量(二次転写ニップ領域Ｎの幅)が略一定に維持される。 - 特許庁

A method and device for improving grayscale resolution generated by digital signals in the monochrome image reproducing apparatus (3) can supply the digital signals from an image source (1) to the monochrome image reproducing apparatus (3) through R, G, B channels (2) of n-bit widths.例文帳に追加

本発明は、単色画像再生装置（３）におけるディジタル信号により発生される灰色階調分解能を改善するための方法および装置であって、ディジタル信号が画像源（１）からｎビット幅のＲ、Ｇ、Ｂチャンネル（２）を介して単色画像再生装置（３）に供給可能である方法および装置に関する。 - 特許庁

Since the content of N in the epitaxial growth layer is different between an epitaxial growth layer on the slope and that on the (001) plane, the band gap wavelength and refractive index of the epitaxial growth layer are different between the epitaxial growth layer on the slope and that on the (001) plane.例文帳に追加

エピタキシャル成長層中のＮの含有量が、傾斜面上のエピタキシャル成長層と、（００１）面上のエピタキシャル成長層との間で異なっていることにより、エピタキシャル成長層のバンドギャップ波長及び屈折率が、傾斜面上のエピタキシャル成長層と、（００１）面上のエピタキシャル成長層との間で異なっている。 - 特許庁

To provide a radiation image conversion panel, its cassette and a radiation image reader capable of detecting in advance the problems of degrading of radiation sensitivity caused by degradation of stimulable phosphor body and of S/N ratio due to fastening latent image regression and guaranteeing good utilization state.例文帳に追加

輝尽性蛍光体の劣化に起因する放射線感度の悪化の問題や潜像退行が速くなることなどのＳ／Ｎ比の低下の問題を事前に検出し、良好な状態での使用であるを担保することの出来る放射線画像変換パネル及びそのカセッテ並びに放射線画像読み取り装置を提供する。 - 特許庁

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion.例文帳に追加

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。 - 特許庁

Acrylamide derivatives having at least three cyclic groups which include, for example, 2-(1-benzoylpiperidin-4-ylidene)-N-{1-[(6-fluoronaphthalen-2-yl)methyl]pyrrolidin-3-yl}acetamide have good CCR3 antagonism and are effective for treating the diseases such as asthma in which CCR3 takes part.例文帳に追加

例えば、２−（１−ベンゾイルピペリジン−４−イリデン）−Ｎ−｛１−［（６−フルオロナフタレン−２−イル）メチル］ピロリジン−３−イル｝アセトアミドなどの、少なくとも３個の環基を有するアクリルアミド誘導体が、良好なＣＣＲ３拮抗作用を有し、喘息などのＣＣＲ３の関与する疾患の治療に有効であることを見出し、本発明を完成した。 - 特許庁

Number of times of detection of a carrier independently of communication in a system by each channel of an operating channel group is counted and when the count exceeds a prescribed value N, it is commanded to all wireless stations that this channel is replaced with other channel not belonging to the operating channel group to decide a new operating channel group and to revise it.例文帳に追加

使用チャネル群の各チャネル別にシステム内の通信に無関係なキャリアの検出回数を計数し、この計数値が所定値Ｎを超えた場合にはこのチャネルを前記使用チャネル群に属さない別のチャネルと入れ替えて新たな使用チャネル群を決定し、変更することを同一システムの全ての無線局に指令する。 - 特許庁

The output unit 60 outputs digital values (pixel data) corresponding to the amounts of electric charges accumulated in charge storage portions of pixel units P_1,1 to P_M,N, and the photodetection unit 20 for monitoring outputs an incident light monitor signal having a pulse frequency corresponding to the amount of electric charges generated per unit time.例文帳に追加

出力部６０は、撮像用受光部１０の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎそれぞれの電荷蓄積部に蓄積された電荷の量に応じたデジタル値（画素データ）を出力し、また、モニタ用受光部２０で単位時間当りに発生する電荷の量に応じたパルス頻度の入射光モニタ信号を出力する。 - 特許庁

This invention relates to the processed meat food having 1×10^2 to 1×10^5 N/m^2 of maximum stress and produced in the method comprising a step of subjecting the meat to a mechanical cutting, a step of subjecting the cut pieces to an enzyme treatment, and a step of straining, forming and then steam cooking.例文帳に追加

最大応力の値が１×１０^２〜１×１０^５Ｎ／ｍ^２であることを特徴とする食肉加工食品；及び食肉に機械的な裁断を行い、次いで酵素で処理し、次いで裏ごしし、次いで成形し、その後蒸煮することにより製造されたことを特徴とする食肉加工食品の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of producing spherical p-type or n-type semiconductor particles, doped uniformly with dopant having a prescribed concentration, inexpensively in a method of producing semiconductor particles by melting a small lump, containing a specified quantity of semiconductor powder, to form spherical melt and then cooling and solidifying the melt.例文帳に追加

所定量の半導体粉末を含む小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、所定濃度のドーパントが均一にドープされた球状のｐ型またはｎ型の半導体粒子を安価に製造する方法を提供する。 - 特許庁

This method of producing 2-(meth)acrylamide-N-glycolic acids includes a process for reacting 2-(meth)acrylamide with a glyoxylic acid compound in a solvent, wherein an aqueous solvent is used as the solvent, and the reaction is carried out while distilling and removing the solvent to the outside of the reaction system.例文帳に追加

２−（メタ）アクリルアミドとグリオキシル酸類とを溶媒中で反応させる工程を含む２−（メタ）アクリルアミド−Ｎ−グリコール酸類を製造する方法であって、該溶媒は、水系溶媒であり、該反応は、溶媒を蒸留して反応系外に留出させながら行う２−（メタ）アクリルアミド−Ｎ−グリコール酸類の製造方法。 - 特許庁

Then the image area composed of the plurality of projection images is presented by overlapping a first projection image to a second projection image whose resolution is higher than that of the first projection image, and a prescribed pixel in the image area is overlapped by corresponding pixels of projection images from n adjacent projector apparatuses.例文帳に追加

そして、複数の投影画像からなる画像領域を、第１の投影画像と、第１の投影画像より高い解像度である第２の投影画像を重ね合わせて提示し、画像領域の所定の画素は、隣り合うｎ台のプロジェクタ装置からの投影画像の対応する画素によって重ね合わせる。 - 特許庁

Furthermore, the hardness (force necessary to compress the foaming elastic body layer 32 in a thickness direction by 30% by pressing a metallic disk having a 10 mm diameter on the outer peripheral surface of the foaming elastic body layer 32) of the foaming elastic body layer 32 obtained after imparting the particulates 34 is set within a range from 0.2 to 0.7 N.例文帳に追加

さらに，微粒子３４の付与後における発泡弾性体層３２の硬度（直径が１０ｍｍの金属円板を発泡弾性体層３２の外周面に押し当て，発泡弾性体層３２を厚さ方向に３０％圧縮させるために必要な力）は，０．２Ｎから０．７Ｎの範囲内とする。 - 特許庁

The roof plate material 10 has a roof plate member 12 formed of the plate material of prescribed width in long size, a joining member 14 attached to both the long sides of the roof plate member 12, and a fixing member 16 fixed on a sheathing roof board N and a rafter T projected from the center part of the prescribed width of the roof plate member 12.例文帳に追加

屋根板材１０は、長尺状で所定幅の板材により形成される屋根板部材１２と、屋根板部材１２の両長辺に取り付けられる接合部材１４と、屋根板部材１２の所定幅の中央部から突設され野地板Ｎ及びタルキＴに固定される固定部材１６と、を有する。 - 特許庁

The arm mechanism is composed of a driving arm M turned by the driving means, and an arm K which, interlocking with this, turns and moves the compensating optical system 7 in the plane intersecting perpendicularly with the optical axis and a detecting arm N which, interlocking with this, turnes and on which the angular transformation detecting means is mounted.例文帳に追加

前記アーム機構を、前記駆動手段によって回動される駆動用アームＭと、これに連動して回動し補正光学系７を光軸と直交する平面内において移動させるアームＫと、これに連動して回動し前記角変化検出手段が取付けられた検出用アームＮとで構成する。 - 特許庁

The composite of hydrides is obtained by compounding in a mechanically mixing process one or more kinds of borohydrides represented by X(BH_4)_m (wherein m is a valence number of the element X) and one or more kinds of amides represented by Y(NH_2)_n (wherein n is a valence number of the element Y) and the manufacturing method thereof is provided.例文帳に追加

Ｘ(ＢＨ_４)_ｍ（ｍは、元素Ｘのイオンの価数）で表される１種又は２種以上のボロハイドライドと、Ｙ(ＮＨ_２)_ｎ（ｎは、元素Ｙのイオンの価数）で表される１種又は２種以上のアミドとを機械的混合プロセスで複合化することにより得られる水素化物複合体及びその製造方法。 - 特許庁

This method for producing the block copolymer comprises reacting an aromatic polyester with a block copolyester represented by formula (1): (X-Y)_n [X is an aliphatic polyester segment; Y is an aromatic polyester segment; (n) is an integer of ≥2] and having a reduced viscosity of 0.7 to 10 dL/g in a melted state.例文帳に追加

芳香族ポリエステルと、下記式（１）−（Ｘ−Ｙ）_ｎ−・・・・・（１）（式（１）中、Ｘは脂肪族ポリエステルセグメント、Ｙは芳香族ポリエステルセグメント、ｎは２以上の整数である）で表され、その還元粘度が０．７ｄＬ／ｇ以上１０ｄＬ／ｇ以下であるブロック共重合ポリエステルとを溶融状態で反応させ、ブロック共重合体を得る。 - 特許庁

One of an arbitrary array of 4 lines × 1 column or an arbitrary array of 1 line × 4 columns and an arbitrary array of 2 lines × 2 columns are structured of two first color light-emitting diodes, a second color light-emitting diode and a third color light-emitting diode in the array of m lines × n columns.例文帳に追加

ｍ行×ｎ行のアレイでは、任意の４行×１列のアレイ又は任意の１行×４列のアレイの一方と、任意の２行×２列のアレイが、２つの第１色発光ダイオードと１つの第２色発光ダイオードと１つの第３色発光ダイオードによって構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an industrially profitable method for producing a conjugated diene such as butadiene by the catalytic oxidative dehydrogenation reaction of a monoolefin such as n-butene, by which the accumulation of carbon contents such as coke on a catalyst in a reactor can be inhibited, and the stable operation of a plant can be continued.例文帳に追加

ｎ−ブテン等のモノオレフィンの接触酸化脱水素反応によりブタジエン等の共役ジエンを製造する方法において、反応器内の触媒にコークのような炭素分が蓄積するのを抑制でき、継続的にプラントの安定運転が継続できる工業的に有利なブタジエンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To perform high-stability automatic direction control by providing the signal of high S/N by amplifying and sampling a signal, which is generated only during a specified period, after limiting the band or sampling an envelope for stably controlling direction, even with a low field strength in the digital transmission of OFDM signal or the like.例文帳に追加

ＯＦＤＭ信号等のディジタル伝送において、低電界強度でも安定した方向調整を行うため、特定期間にのみ生じる信号を帯域制限した上で増幅かつサンプル、もしくはエンベロープをサンプルし、高ＳＮな信号を得て安定性の高い自動方向調整を行うこと。 - 特許庁

In the cold tandem rolling method of a metallic strip, the proof stress of the metallic strip S is ≥ 402 N/mm^2 on the inlet side of the first stand 11 of a cold tandem rolling mill 10 composed of rolling mills having four or more stands and rolling is performed after applying shot-blasting or shot-peening to the surface of the metallic strip S after pickling.例文帳に追加

金属ストリップの冷間タンデム圧延方法において、４スタンド以上の圧延機からなる冷間タンデム圧延機１０の第１スタンド１１の入側における前記金属ストリップＳの耐力が４０２N/mm^２以上であり、酸洗後の前記金属ストリップSの表面にショットブラストまたはショットピーニングを施し、圧延を行なう。 - 特許庁

A transfer fixing member 1 is a hollow rotating member and has a pressing member 31 inserted into an inner peripheral part of the rotating member with a space left, and the pressing member is pressed to a pressure member 2 via the transfer fixing member 1 in a transfer fixing nip part N.例文帳に追加

前記転写定着部材１は中空の回転体であり、この回転体の内周部に対して間隙を残してその内部に通された押圧部材３１を有し、前記押圧部材は前記転写定着ニップ部Ｎで前記転写定着部材１を介して前記加圧部材２に対向して押圧する構成を含むこととした。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 1 includes: a light emitting laser structure portion 2 composed of an n-type clad layer 6, an active layer 7 and a p-type clad layer 8; a semiconductor multilayer film 3 having a structure formed by alternately laminating the first semiconductor film and second semiconductor film, differing in refractive index from each other; and a pair of electrodes 4 and 5.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子１は、ｎ型クラッド層６、活性層７及びｐ型クラッド層８からなる発光レーザ構造部２と、互いに屈折率の異なる第１の半導体膜と第２の半導体膜とを交互に積層した構造を有する半導体多層膜３と、一対の電極４，５とを有する。 - 特許庁

The optical variable attenuator 1 has an optical waveguide element 3, where optical variable attenuating circuits 2a to n attenuating and outputting inputted light are formed, mounted in a package 44, and highly heat conductive members 5a and 5b are provided between the optical waveguide element 3 and package 44 while divided into at least two or more parts.例文帳に追加

入力される光を減衰させて出力する光可変減衰回路２ａ〜ｎが形成された光導波路素子３を、パッケージ４４にマウントした光可変減衰器１において、光導波路素子３とパッケージ４４間に、高熱伝導部材５ａ，５ｂを、少なくとも２つ以上に分割して設けたものである。 - 特許庁

To provide an ultrasonic flowmeter preventing lowering of an S/N ratio of detection on the occasion of measurement of an arrival time, by improving asymmetry of a receiving sensitivity characteristic for an ultrasonic beam, which is produced between forward propagation time and reverse propagation time in its ultrasonic transducer, and contributing to enhancement of the accuracy of flow rate measurement.例文帳に追加

順方向伝播時と逆方向伝播時との間で超音波トランスジューサに生じる、超音波ビームの受信感度特性の非対称性を改善することにより、到達時間測定時の検出Ｓ／Ｎ比の低下を防止し、流量計測精度の向上に寄与することのできる超音波流量計を提供する。 - 特許庁

Then, a p-type isolation diffused region 5, which reaches the p-type semiconductor substrate from the surface of the n^--type semiconductor layer 2, is made in the periphery of the first diffused region 3 and the second diffused region 4, and the first diffused region 3 and the isolation diffused region 5 are electrically connected by a connecting electrode 6.例文帳に追加

そして、第１拡散領域３および第２拡散領域４の外周部にｎ^−形半導体層２の表面からｐ形半導体基板に達するｐ形のアイソレーション拡散領域５が形成され、第１拡散領域３とアイソレーション拡散領域５とが接続電極６により電気的に接続されている。 - 特許庁

In the formula, R_1 and R_2 independently denote a substituent, Ar denotes a bivalent arylene group, n is an integer of 0 to 8, p is an integer of 1 to 4, q is an integer of 1 to 4, R3 to R6 denote a hydrogen atom or a substituent, and Ar1 and Ar2 independently denote an aryl group.例文帳に追加

<chemistry num="1"> </chemistry>式中、Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に置換基を表し、Ａｒは２価のアリーレン基を表し、ｎは０〜８の整数を表し、ｐは１〜４の整数を表し、ｑは１〜４の整数を表し、Ｒ_３〜Ｒ_６は水素原子または置換基を表し、Ａｒ_１及びＡｒ_２はそれぞれ独立にアリール基を表す。 - 特許庁

(In the general formula (1), D represents a dye residue, n represents an integer equal to or larger than one, and Acc represents a group having a heterocycle acid nucleus or a methine group displaced from an electron withdrawing group.)例文帳に追加

]Ｍｚ（ＬＬ^１）ｍ_１（ＬＬ^２）ｍ_２（Ｘ）ｍ_３・ＣＩ 一般式（２）［Ｍｚは金属原子、ＬＬ^１及びＬＬ^２は２座又は３座の配位子、Ｘは１座または２座の配位子、ｍ１及びｍ２は０〜３の整数、ｍ３は０〜２の整数、ＣＩは一般式(２)において電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。 - 特許庁

The rare earth added semiconductor laminate structure 1 for a light emitting element has a double heterojunction structure in which p-type and n-type clad layers 3 and 4 with forbidden band width larger than an active layer 2 are laminated on both sides of the active layer 2, and where the active layer 2 is added with rare earth element or both rare earth element and oxygen.例文帳に追加

活性層２の両側に活性層２よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層３，４を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。 - 特許庁

Then, the correction factor Kt is multiplied by the actual intake air variation amount ΔQm and the last actual intake air amount Qm (n) is added to an estimated intake air variation amount ΔQp thus obtained to calculate an estimated intake air amount Qp sucked into the cylinder chambers 18 in the next intake stroke.例文帳に追加

そして、実吸入空気変化量ΔＱｍに補正係数Ｋｔを乗算し、得られた推定吸入空気変化量ΔＱｐを前回の実吸入空気量Ｑｍ（ｎ）に加えることにより、次回の吸気行程におけるシリンダ室１８に吸入される推定吸入空気量Ｑｐが算出される。 - 特許庁

To provide a method of highly efficiently manufacturing a nitride semiconductor device provided with an n-type contact layer doped with a donor by preventing the occurrence of abnormal growth in growing a nitride semiconductor layer heavily doped with the donor on a nitride semiconductor layer having donor concentration lower than that of the heavily-doped semiconductor layer.例文帳に追加

ドナーを高濃度にドープした窒化物半導体層を、それよりも低いドナー濃度を有する窒化物半導体層の上に成長する際の、異常成長の発生を防止し、それによって、ドナーをドープしたｎ型コンタクト層を備えた窒化物半導体素子を効率よく製造することのできる方法を提供する。 - 特許庁

The signal/noise ratio (S/N ratio) can be made high in detection of the antibody coupling physiological active substance sample by preparing diluted solution of the physiological active substance to be used for the detection of the antibody coupling physiological active substance by water soluble solution simultaneously containing a material protective agent and surfactant.例文帳に追加

抗体結合性生理活性物質の検出に用いる生理活性物質試料希釈液を、物質保護剤と界面活性剤を同時に含む水溶性溶液で調製することにより、抗体結合性生理活性物質の検出において、シグナル／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を高くすることができた。 - 特許庁

The electrolyte used in the method comprises methanesulfonic acid and at least one alcoholic compound selected from groups consisting of aliphatic diols of general formula C_nH_2n(OH)_2 with n=2 to 6 and alicyclic alcohols of general formula C_mH_2m-1OH with m=5 to 8, and does not comprise chromic acid or chromates.例文帳に追加

メタンスルホン酸と、一般式Ｃ_ｎＨ_２ｎ（ＯＨ）_２、ｎ＝２〜６で示される脂肪族ジオールおよび一般式Ｃ_ｍＨ_２ｍ−１ＯＨ、ｍ＝５〜８で示される脂環式アルコールからなる群から選択される少なくとも一種のアルコール化合物を含み、クロム酸またはクロム酸塩を含まない電解液を用いる。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

In image (1): Ar is an aromatic group; R^1 is a hydrogen group or a methyl group; R^2 is an organic group or does not exist at all; R^3, R^4 are each hydrogen wherein at least either one may be an electron-donating or electron-withdrawing group; and n is an integer of ≥2.例文帳に追加

式（１）中、Ａｒは芳香族基を表し、Ｒ^１は水素基又はメチル基を表し、Ｒ^２は有機基を表すか又は存在せず、Ｒ^３、Ｒ^４はいずれも水素基であるか又は少なくとも一方が電子供与性基又は電子吸引性基を表し、ｎは２以上の整数を表す。 - 特許庁

The peeling treatment of the exposed surface of the fibrous web structure is so selected that the 90° peeling adhesive power of the adhesive securing surface 19 exposed from the exposed surface of the female type securing element is <1.2 N/25 mm when measured in accordance with the modified FINAT inspection method No. 2.例文帳に追加

繊維性ウェブ構造１０２の露出面１０３の剥離処理は、修正ＦＩＮＡＴ検査法第２にしたがって測定される場合に、雌型固着要素１００の露出面１０３からの露出した接着剤固着面１９の９０度剥離接着力が、１．２Ｎ／２５ｍｍ未満であるように選択される。 - 特許庁

In the optical waveguide element (110), which selectively transmits the light ray of a desired wavelength out of light rays entered into the waveguide (112), different refractive index parts (131-1 to 131-n) obtained by individually varying the refractive index of the waveguide (112) are formed so as to be inclined to the extending direction of the waveguide (112).例文帳に追加

本発明は、導波路（１１２）に入射した光のうち所望の波長の光を選択的に通過させる光導波路素子（１１０）であって、導波路（１１２）の屈折率を異ならせた異屈折率部（１３１−１〜１３１−ｎ）を導波路（１１２）の延在方向に対して傾斜して形成したことを特徴とする。 - 特許庁