「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(380ページ目) - Weblio英語例文検索

The nonaqueous electrolyte for the capacitor contains a cyclic phosphazene compound expressed by formula (I) (NPR^1_2)_n [wherein R^1 represents a halogen element, an alkoxy group or aryloxy group and (n) represents 3 to 4 independently] and a fluorine-containing organic solvent obtained by fluorinating at least one hydrogen atom in a molecule of a non-protonic organic solvent.例文帳に追加

下記一般式(I)： (ＮＰＲ^1_2)_n ・・・ (I)［式中、Ｒ^1は、それぞれ独立してハロゲン元素、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表し；ｎは３〜４を表す］で表される環状ホスファゼン化合物と、非プロトン性有機溶媒の分子中の水素の少なくとも１つをフッ素化してなる含フッ素有機溶媒とを含むことを特徴とするキャパシタ用非水電解液である。 - 特許庁

To provide a method for preventing adhesion of a solid material to the inner surfaces of a condenser and a pipe when N-substituted maleimides are produced from maleamic acid or maleic anhydride and a primary amine in an inert organic solvent by using an apparatus equipped with a reactor, the condenser and the pipe connecting the reactor to the condenser.例文帳に追加

反応器、凝縮器、および反応器と凝縮器とを結ぶ配管を備えてなる装置を用い、不活性有機有機溶媒中でマレインアミド酸、または無水マレイン酸と第一アミンとからＮ−置換マレイミド類を製造する際に、凝縮器および配管の内部表面への固形物の付着を防止する方法を提供する。 - 特許庁

A method for measuring an impurity concentration distribution in a sample of this invention comprises a scanning step, a filtering step, an intensity measuring step of measuring intensity of secondary electrons, a step of increasing a cut-off energy value Ec of a high-pass filter 17 by stages by N-1 times, and a step of evaluating energy distribution curves RL and RH of the intensity of secondary electrons.例文帳に追加

本発明の試料の不純物濃度分布を測定する方法は、走査工程、フィルタ工程、二次電子の強度を測定する強度測定工程、ハイパスフィルタ１７のカットオフエネルギー値Ｅｃを段階的にＮ−１回上昇させる工程、及び、二次電子の強度のエネルギー分布曲線ＲＬ、ＲＨを評価する工程とを備える。 - 特許庁

A negative electrode mixture solvent is made up in a method to blend the mixture containing the silica powder with a mean particle diameter of 5 to 20 μm and 90 pts.wt. as a negative electrode active material and the polyimide with 10 pts.wt. as a binding agent with a mixed liquid containing N-methyl-2-pyrrolidone and xylene at a volume ratio of 90 to 10 using 9.1 wt.%.例文帳に追加

負極活物質として５μｍ〜２０μｍの平均粒径を有し９０重量部の珪素粉末と結着剤である１０重量部のポリイミドとを含む混合物を、体積比が９０：１０であるＮ−メチル−２−ピロリドンとキシレンとの混合液に９．１重量％混合することにより負極合剤を作製する。 - 特許庁

When a fixed trouble occurs in the N-checking signals of the first system control section 2 or the R-checking signals of the second system control section 3, the fixed trouble is detected and isolated, and a relay COR is operated to isolate the checking signal of the troubled control unit from the checking system of the control unit of the other system so as to improve the reliability of the contact input.例文帳に追加

また、１系制御部２と２系制御部３のＮ照査信号やＲ照査信号に固定故障が発生したときに、その固定故障を検出して切離しリレーＣＯＲを動作させて故障した制御部の照査信号を他系の制御部の照査信号と切り離して接点入力の信頼性を向上させる。 - 特許庁

An I/O card sharing mechanism 400 for relaying an answer signal from the I/O card 501 to servers #1-#n replaces an identifier of a server of a requesting source embedded in an MMIO base address by an I/O processor blade 600 to an address of header information of the answer signal, whereby an I/O card of a general bus can be shared.例文帳に追加

Ｉ／Ｏカード５０１からサーバ＃１〜＃ｎへ向かう応答信号を中継するＩ／Ｏカード共有機構４００は、Ｉ／Ｏプロセッサブレード６００によってＭＭＩＯベースアドレスに埋め込まれた要求元のサーバの識別子を、応答信号のヘッダ情報の宛先に付け替えることで、汎用バスのＩ／Ｏカードを共有することができる。 - 特許庁

In the formulas R^1 and R^2 are each independently an alkyl, an alkoxy, an alkenyl or alkoxymethyl group; X^1 and X^2 are each independently fluorine, chlorine, -CF_3, -OCF_3 or -OCF_2H; Y^1 is hydrogen or fluorine; k is 1 or 2; m is 1 or 2; and n is 0 or 1.例文帳に追加

式（１）、（２）、（３）、（４）および（５）において、Ｒ^１およびＲ^２は独立してアルキル、アルコキシ、アルケニルまたはアルコキシメチルであり；Ｘ^１およびＸ^２は独立してフッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３または−ＯＣＦ_２Ｈであり；Ｙ^１は水素またはフッ素であり；ｋは１または２であり；ｍは０、１または２であり；そしてｎは０または１である。 - 特許庁

(A) The GaN-based LED chip 100 has a translucent substrate 101, and a GaN-based semiconductor layer L formed on the translucent substrate 101 wherein the GaN-based semiconductor layer L has a multilayer structure including an n-type layer 102, a light emitting layer 103, and a p-type layer 104 in this order from the translucent substrate 101 side.例文帳に追加

（Ａ）ＧａＮ系ＬＥＤチップ１００は、透光性基板１０１と、透光性基板１０１上に形成されたＧａＮ系半導体層Ｌとを有し、ＧａＮ系半導体層Ｌは、透光性基板１０１側からｎ型層１０２と、発光層１０３と、ｐ型層１０４とをこの順に含む積層構造を有している。 - 特許庁

The bus use permission is transferred tentatively from the writing request to any one of a reading request to the internal memory 211 of an n-bit width, a reading request to an internal memory 212 of an m-bit width, and a writing request from the internal memory 212 of m-bits, when the bus use is next permitted to any one of those, in this data conversion period.例文帳に追加

このデータ変換期間において、次の使用許可が与えられるべきバス使用要求が、ｎビット幅の内部メモリ２１１への読み出し要求、ｍビット幅の内部メモリ２１２への読み出し要求、ｍビットの内部メモリ２１２からの書き込み要求のうち何れかの場合、書き込み要求からそれらの要求に対して一時的にバス使用許可を譲る。 - 特許庁

In the VCSEL, an n-type lower DBR 106, an active region 108, a current constricting layer 110, a p-type upper DBR 112, and a p-type GaAs contacting layer 114 are laminated on a substrate 102; and a p-side upper electrode 130 including an opening portion 132 specifying the outgoing region of its laser beam is formed on the contacting layer 114.例文帳に追加

本発明に係るＶＣＳＥＬは、基板１０２上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域１０８、電流狭窄層１１０、ｐ型上部ＤＢＲ１１２、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１４を積層し、コンタクト層１１４上にレーザ光の出射領域を規定する開口部１３２を含むｐ側上部電極１３０が形成されている。 - 特許庁

In the image forming apparatus provided with an intermediate transfer body 3 for carrying toner images transferred primarily from a latent image carrier 2 and secondarily transferring the carried toner images on an object to be transferred, the intermediate transfer body has a hard release layer on the surface, and pressing force F on the contact part between the intermediate transfer body and the latent image carrier is 4.4 N/m or less.例文帳に追加

潜像担持体２から一次転写されたトナー像を担持し、担持したトナー像を被転写物に二次転写させる中間転写体３を備えた画像形成装置において、中間転写体が表面に硬質離型層を有し、該中間転写体と潜像担持体との接触部での押圧力Ｆが４．４Ｎ／ｍ以下である画像形成装置。 - 特許庁

The biaxially stretched polyester film is constituted by laminating a polyester layer (B), of which the melting point is not lower than that of a polyester layer (A), on both sides of the polyester layer (A) with a melting point of 240°C or below containing an ethylene naphthalate unit and a butylene terephthalate unit, wherein the end tear resistance values in the longitudinal and lateral directions of the film are 80 N or below.例文帳に追加

エチレンナフタレート単位およびブチレンテレフタレート単位を含む融点が２４０℃以下のポリエステル層（Ａ）の両面にポリエステル層（Ａ）の融点より高いポリエステル層（Ｂ）を積層したフィルムであり、当該フィルムの長手方向および幅方向の端裂抵抗値が８０Ｎ以下であることを特徴とする二軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁

Conversely, when discriminating that the user A is a registration admission object user (included in a memory dial list B), the node 3 admits the registration, collects the self information B of the user B, registers and stores the self information B to a memory dial database A(N) as the self information of the communication opposite user of the user A to allow the users A, B to mutually exchange the self information.例文帳に追加

ユーザＢが、逆に、検索を要求したユーザＡを、登録承認対象ユーザ（メモリダイヤルリストＢに含まれる）であると判定したときは登録を承認し、このユーザＢの自己情報Ｂを収集し、ユーザＡに対する通信相手ユーザの自己情報として、メモリダイヤルデータベースＡ（Ｎ）に登録して記憶し、自己情報を相互交換する。 - 特許庁

Using a composition containing an ionic liquid where a conductive polymer monomer and anion components are represented by a general formula (1) R_1-OSO_3^- (in the formula, R_1 represents one of a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group or a t-butyl group), the conductive polymer capacitor electrolytic is formed.例文帳に追加

導電性高分子モノマー及びアニオン成分が、一般式(１)Ｒ_１−ＯＳＯ_３^− （式中、Ｒ_１は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、またはｔ−ブチル基のいずれかを表す。）であるイオン液体を含む組成物を用いて、導電性高分子コンデンサ電解質を形成する事により解決する。 - 特許庁

After that, the barrier film 13 and unreacted metal elements of the metal film 12 are removed and then a second heat treatment of higher temperature than the first heat treatment is carried out to form a metal silicide layer of an MSi phase thinner than the metal silicide layer of the MSi phase, formed on the surface of the n^+ type semiconductor region 9b, in the p^+ type semiconductor region 10b.例文帳に追加

続いて、バリア膜１３、未反応の金属膜１２の金属元素を除去後、第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行って、上記ｐ^＋型半導体領域１０ｂに、上記ｎ^＋型半導体領域９ｂの表面に形成されたＭＳｉ相の金属シリサイド層よりも薄いＭＳｉ相の金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁

Based on data lines a(k), s(k), F(k) (k=1, 2...N) respectively representing the sprung acceleration (a), relative displacement quantity (s), and damping force F for such a sufficiently long time that a spring constant β to a sprung mass M is almost constant, the sprung mass M is computed in a method of least square (208-220).例文帳に追加

ステップ２０８〜２２０の処理により、ばね上質量Ｍに対するばね定数βがほぼ一定とみなせる程度に充分に長い時間に渡るばね上加速度ａ、相対変位量ｓ及び減衰力Ｆをそれぞれ表すデータ列ａ(ｋ)，ｓ(ｋ)，Ｆ(ｋ)（ｋ＝１，２…Ｎ）に基づいて最小二乗法によりばね上質量Ｍを計算する。 - 特許庁

When a rerouting information detection section 27 detects past rerouting start points existing within a radius of N-m from a user's home, a route from the start points to a destination is searched for in advance prior to out-of-route detection by an out-of-route detection section 24, assuming that the user has deviated from the route at the start points.例文帳に追加

再探索情報検出部２７がユーザーの自宅から半径Ｎｍの範囲内に存在する過去の再探索開始地点を検出したとき、これら開始地点にて経路外れが起きたと想定し、経路外れ検出部２４による経路外れの検出に先行して、当該開始地点から前記目的地までの経路を事前に探索する。 - 特許庁

The water treatment conduit 1 is connected to the pipe such as the water pipe, a water supply pipe, or the like, to constitute a part of the pipe and molded from a synthetic resin pervious to a line of magnetic force and permanent magnets 2 are embedded in the wall part of the conduit 1 so that the N- and S-poles of them are opposed to each other.例文帳に追加

この発明は、水道管又は給水管等のパイプに連結して該パイプの一部を構成する道管１であって、該道管１は磁力線透過可能な合成樹脂にて成形され、且つ、該道管１の肉部に永久磁石２のＮ極及びＳ極を相互に対峙して埋設して成る水処理道管を提供する。 - 特許庁

Semiconductor layers of n-type layer and p-type layer are stacked so as to form a light-emitting layer forming section and electrically insulated to form a plurality of light-emitting units 10, the light-emitting units 10 are connected in series and/or parallel by wiring, and a pair of electrode pads 17a, 17b are formed on both ends thereof.例文帳に追加

ｎ形層およびｐ形層の半導体層が発光層形成部を形成するように積層され、電気的に分離して複数個の発光部ユニット１０が形成されると共に、その複数個の発光部ユニット１０が配線により直列および／または並列に接続されてその両端部に一対の電極パッド１７ａ、１７ｂが形成されている。 - 特許庁

A paper guide means guides a printing paper 7B with one side already printed to a nip part N of a press roller 13 along the outer peripheral surface of the rotating press roller 13, and is constituted of a plurality of guide members 32 of such a shape that the guide surface 32a gradually widens in the paper width direction Y from the upstream side 32e to the downstream side 32d.例文帳に追加

回転しているプレスローラ１３の外周面に片面印刷済みの印刷用紙７Ｂを沿わせてプレスローラ１３のニップ部Ｎへ案内する用紙ガイド手段は、上流側３２ｅから下流側３２ｄにかけてガイド面３２ａが用紙幅方向Ｙに徐々に広がる形状を有する複数のガイド部材３２から構成されている。 - 特許庁

The computer 7 represents the creep deformation speed dw, c/dt showing a creep potential energy speed dW/dt as an n-order polynominalΣ_ajθ^j of angular variable θ in polar coordinate system r-θ, and a coefficient a_j of j-order term a_jθ^j is determined according to a simultaneous equation obtained by minimizing the creep potential energy speed.例文帳に追加

計算器７は、クリープポテンシャルエネルギー速度ｄＷ／ｄｔを表すためのクリープ変形速度ｄｗ，ｃ／ｄｔを極座標系ｒ−θで角度変数θのｎ次多項式Σａ_ｊθ^ｊとして表現し、クリープポテンシャルエネルギー速度の最小化により得られる連立方程式に基づいてｊ次項ａ_ｊθ^ｊの係数ａ_ｊを決定する。 - 特許庁

To provide a technology to reduce, for example, blur of moving image specific to a liquid crystal panel (in other words, impression of after image) for displaying with high picture quality, by allowing arbitrary combination of a display and STB, with a different kind of display device, for improved usability, and displaying at such frame rate as about n-times of inputted signal.例文帳に追加

表示デバイスの種類が異なる表示装置とＳＴＢとを任意に組み合わせることを可能にして使い勝手を向上させるとともに、入力された信号の概ｎ倍のフレームレートで表示することで、例えば、液晶パネル特有の動画のボケ（つまり残像感）を低減して高画質で表示可能とするための技術を提供する。 - 特許庁

An n-type polycrystalline silicon thin-film layer 13, a genuine- type polycrystalline silicon thin-film layer 14, and a p-type polycrystalline silicon thin-film layer 15 are formed as a photoconductive conversion layer on a transparent conductive film 12 in a glass substrate 11 with the transparent conductive film 12 by the plasma CVD method using 81.36 MHz as a plasma excitation frequency.例文帳に追加

透明導電膜１２を備えたガラス基板１１における透明導電膜１２上に、プラズマ励起周波数として８１.３６ＭＨzを用いたプラズマＣＶＤ法によって、ｎ型多結晶シリコン薄膜層１３,真性型多結晶シリコン薄膜層１４,ｐ型多結晶シリコン薄膜層１５を形成して光電変換層とする。 - 特許庁

The particles' update cycles comprise determining the degree of reliability (113, 123, ...) for each particle for deducing the target/object properties (SP); determining the weight (115, 125, ...) for each particle based on at least the determined degree of reliability; and generating new particles for update cycle n+1 in an evolutionary process.例文帳に追加

パーティクルの更新サイクルは、ターゲット・オブジェクトのプロパティ（ＳＰ）を推定するための各パーティクルに関する信頼度（１１３、１２３、．．．）を決定するステップと、少なくとも決定された信頼度に基づいて、各パーティクルに関する重み（１１５、１２５、．．．）を決定するステップと、展開プロセスにおいて更新サイクルｎ＋１に対して新しいパーティクルを生成するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a high fluidity ultrahigh early-strength admixture giving a concrete using a general-purpose cement and added with an admixture which exhibits a ratio of slump flow value at 120 minutes after kneading to slump flow value just after kneading is ≥80% and having a ≥10 N/mm^2 compressive strength in 1 day material age, and to provide its high fluidity ultrahigh early-strength concrete.例文帳に追加

汎用のセメントを用いたコンクリートについて、混和剤を添加したコンクリートが練り混ぜ直後のスランプフロー値に対する練り混ぜ１２０分後のスランプフロー値の比率が８０％以上であって、材齢１日の圧縮強度が１０Ｎ/mm^2以上になる高流動超早強性混和剤、およびその高流動超早強性コンクリートを提供する。 - 特許庁

A common power supply system 11b of the first level shifter LS1, a common power supply system 12b of the second level shifter LS2, a common power supply system 13b of the third level shifter LS3, and a common power supply system 1nb of the n-th level shifter LSn are provided in the signal level conversion circuit 50, respectively, and supplied with high-potential electric power VCCX.例文帳に追加

第１のレベルシフタＬＳ１の共通電源系部１１ｂ、第２のレベルシフタＬＳ２の共通電源系部１２ｂ、第３のレベルシフタＬＳ３の共通電源系部１３ｂ、及び第ｎのレベルシフタＬＳｎの共通電源系部１ｎｂは、信号レベル変換回路５０の内部側にそれぞれ設けられ、高電位電源ＶＣＣＸが供給される。 - 特許庁

The casing is provided with a casing 4-i in which a part 6-i of a plurality of electronic equipments 6-1∼6-n is internally placed, a valve 9-i controlling the flow of cooling air 5 supplied inside, a temperature sensor 7-i measuring the temperature inside, and a control device 8-i controlling the valve 9-i based on the temperature.例文帳に追加

複数電子機器６−１〜６−ｎのうちの一部の電子機器６−ｉを内部に配置する筐体４−ｉと、内部に供給される冷却空気５の流量を制御する弁９−ｉと、内部の温度を測定する温度センサ７−ｉと、その温度に基づいて弁９−ｉを制御する制御装置８−ｉとを具えている。 - 特許庁

This ion generator has the constitution for generating H^+(H_2O)_n (n is a natural number) as the cation and O_2^-(H_2O)_m (m is a natural number) as the anion by impressing voltage on an ion generating element having an electrode, and is provided with a heating means for heating the ion generating element to reduce relative humidity in the vicinity of the electrode.例文帳に追加

電極を有するイオン発生素子に電圧を印加してプラスイオンとしてＨ^+（Ｈ_2Ｏ）_n（ｎは自然数）と、マイナスイオンとしてＯ_2^-（Ｈ_2Ｏ）_m（ｍは自然数）を発生させる構成を備えたイオン発生装置において、前記イオン発生素子を加熱するための加熱手段を設けることにより、前記電極の近傍の相対湿度を低下させる。 - 特許庁

The multiple light sources 204.1 to 204.n are turned on/off by a control unit 230 substantially in synchronization with the movement of the sheet 111 such that a size of a shadow strip 206.1, which is a side drop of a shadow 206 generated by the sheet 111 being illuminated by the illuminating device 200 from the edge 208, is substantially fixed.例文帳に追加

照明装置２００によって照明された枚葉紙１１１によって生じさせられる影２０６の、縁２０８からはみ出した部分である帯状影部２０６．１の大きさが実質的に一定に保たれるように、複数の光源２０４．１〜２０４．ｎが、制御ユニット２３０によって、枚葉紙１１１の運動に実質的に同期してオン・オフされる。 - 特許庁

A single layer or a multilayer film having a layer of a thermoplastic resin composition containing a thermoplastic resin and elastic body particles and formed by film-forming the thermoplastic resin composition in a sandwiched state by two rolls made of metal at a pushing pressure of ≥150 N/cm linear pressure is used as the polarizer protection film.例文帳に追加

熱可塑性樹脂及び弾性体粒子を含有する熱可塑性樹脂組成物の層を有する単層又は多層のフィルムであって、前記熱可塑性樹脂組成物を、線圧１５０Ｎ／ｃｍ以上の押し付け圧力にて２本の金属製ロールで挟み込んだ状態で製膜してなるものを、偏光子保護フィルムとして使用する。 - 特許庁

A function conversion part 4 calculates six kinds of quality evaluation quantities, i.e., a horizontal sharpness Hs, vertical sharpness Vs, horizontal blockiness Hb, vertical blockiness Hb, noise quantity N, and quality Q by using the outputted feature quantities and outputs them in frame units.例文帳に追加

関数変換部４では、前記した４種類の特徴量である水平解像度Ｈr 、垂直解像度Ｖr 、水平クランク度Ｈc 、および垂直クランク度Ｖc を用いて、６種類の品質評価量、すなわち水平シャープネスＨs 、垂直シャープネスＶs 、水平ブロッキネスＨB 、垂直ブロッキネスＶB 、雑音量Ｎ、および品質Ｑを計算し、これらをフレーム単位で出力する。 - 特許庁

When a plurality of operators carry and operate an operation detection terminal 5-1 to an operation detection terminal 5-n, respectively, operation detection results U1 to Un corresponding to operations are supplied to an information extraction and analysis part 23 through the radio receiving part 22 of a musical sound generating device 4 from an operation sensor MS mounted in each operation detection terminal.例文帳に追加

複数の操作者は動作検出端末５−１〜動作検出端末５−ｎを各々携帯して動作すると、各動作検出端末に搭載される動作センサＭＳからその動作に応じた動作検出結果Ｕ１〜Ｕｎが楽音発生装置４の無線受信部２２を介して情報抽出解析部２３に供給される。 - 特許庁

The ink-wetted member used for the ultraviolet-curing inkjet recorder 1 is an elastic body whose compression permanent set, tear strength and tensile strength after the ink-wetted member has been dipped in the ink of 60°C for one week is 15% or less, 10 N/mm or more and 5 MPa or more (JIS K6249), respectively.例文帳に追加

紫外線硬化型インクジェット記録装置１に用いるインク接液部材であって、当該インク接液部材を６０℃のインクに１週間浸漬後の圧縮永久歪が１５％以下、引き裂き強度が１０Ｎ／ｍｍ以上、及び引張り強度が５ＭＰａ以上（ＪＩＳ Ｋ６２４９）となる弾性体であることを特徴とするインク接液部材。 - 特許庁

An agent 12 and a manager 31 transmit and receive device management information through a network 100, an ADSL line operation mode determining/setting part 11 determines the operation mode of an ADSL line according to information on the operation mode of the ADSL line received from the agent 12 and sets the operation mode in respective ATU-C14 to 14-n.例文帳に追加

エージェント１２とマネージャ３１とはネットワーク１００を介して装置管理情報を送受信し、ＡＤＳＬ回線動作モード判定／設定部１１はエージェント１２から受信したＡＤＳＬ回線の動作モードに関する情報によってＡＤＳＬ回線の動作モードを判定し、それぞれのＡＴＵ−Ｃ１４−１〜１４−ｎに動作モードを設定する。 - 特許庁

In case of a differential input system, a differential input circuit 16 fetches an EVEN data by a DFFN 32 at the timing of the fall of a clock signal, from an output signal (out) of a differential amplifier 30 to which a data signal input to a P-side input terminal 12 and a data signal input to an N-side input terminal 14 are input.例文帳に追加

差動入力方式の場合には、差動入力回路１６は、Ｐ側入力端子１２に入力されたデータ信号及びＮ側入力端子１４に入力されたデータ信号が入力される差動アンプ３０の出力信号ｏｕｔから、ＤＦＦＮ３２がクロック信号の立ち下がりのタイミングでＥＶＥＮデータを取り込む。 - 特許庁

In a 1:N installation unit radio communication system for large scale communication, a metallic case 11 containing a main body of a radio master set 7 is suspended fixedly with a messenger wire 6 by using a messenger wire mount jig 8 and a central feeding antenna (dipole antenna) 4b whose physical length is reduced is placed on both side faces of the metallic case 11.例文帳に追加

大規模に通信する１：Ｎの設備機器無線通信システムにおいて、無線親機７本体を収容する金属筐体１１をメンセンジャーワイヤー６にメッセンジャーワイヤー取付具８で固定吊り下げし、金属筐体１１の両側面に物理的な長さを短縮した中央給電アンテナ（ダイポールアンテナ）４ｂを金属筐体１１の側面に配置している。 - 特許庁

This sealing device 10 includes an annular core 11 fixed to a roll member 2; an annuler slinger 12 fixed to an inner ring 3; and a seal lip 13b protruded on the axial outer side end face 11a of the core 11, in sliding contact with the slinger 12, and thereby, forming a sealed space N between a rotating ring and a fixed ring.例文帳に追加

本発明の密封装置１０は、ロール部材２に固定された環状の芯金１１と、内輪３に固定された環状のスリンガ１２と、芯金１１の軸方向外側端面１１ａに突設されスリンガ１１と摺接することで前記回転輪と前記固定輪との間に密封空間Ｎを形成するシールリップ１３ｂとを備えている。 - 特許庁

A proper voltage is applied to bases of a P channel MOS transistor P1 and an N channel MOS transistor N1 acting like an output driver on the basis of a mode selection signal LM set in response to a voltage level of the power supply voltage VDDH to drive a PNP parasitic bipolar transistor QP 1 and an NPN parasitic bipolar transistor QN 1 at a high speed.例文帳に追加

電源電圧ＶＤＤＨの電圧レベルに応じて設定されるモード選択信号ＬＭに基づいて、出力ドライバであるＰチャネルＭＯＳトランジスタＰ１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１の基板に適切な電圧が印加され、ＰＮＰ寄生バイポーラトランジスタＱＰ１およびＮＰＮ寄生バイポーラトランジスタＱＮ１が高速に駆動される。 - 特許庁

A first memory cell provided with a first selection transistor and a first memory capacitor and a second memory cell provided with a second selection transistor and a second memory capacitor are provided, the first selection transistor is an n-type channel transistor, the second selection transistor is a p-type transistor, and the memory cell is formed in an SOI board having an insulation layer.例文帳に追加

第１の選択トランジスタと第１のメモリキャパシタを備えた第１のメモリセルと、第２の選択トランジスタと第２のメモリキャパシタを備えた第２のメモリセルを設け、前記第１の選択トランジスタはｎ形チャネルトランジスタであり、前記第２の選択トランジスタはｐ形チャネルトランジスタであり、前記メモリセルは、絶縁層を有したＳＯＩ基板内に形成する。 - 特許庁

To obtain a service quality measurement system for a network that can provide information used to discriminate a link (or a sub network) causing a bottle neck deteriorating the service quality of the network to an integrated packet flow for communication of 1:n or n:n in the network such as the Internet for communication via one or more networks.例文帳に追加

一以上のネットワークを経由して通信するインターネット等のネットワークにおいて、１対ｎやｎ対ｎ接続で通信している集約されたパケット流に対して、ネットワークのサービス品質を劣化させているボトルネックとなるリンク（またはサブネットワーク）を判別する情報を提供することのできるネットワークのサービスの品質の測定方式を得る。 - 特許庁

The ESD protection circuit of a semiconductor device in multifinger structure is constituted of a plurality of active areas 200 which are separately formed on the upper face of a semiconductor substrate, two gates 203 and 204 formed on the upper faces of the active areas 200 and n+ or p+-type active areas formed between the active areas 200.例文帳に追加

半導体基板の上面に分離して形成された複数のアクティブ領域２００と、該アクティブ領域２００の上面にそれぞれ形成された２つのゲート２０３、２０４と、アクティブ領域２００の間に形成されたｎ^+型又はｐ^+型のアクティブ領域２０１とにより、マルチフィンガ構造の半導体装置のＥＳＤ保護回路を構成する。 - 特許庁

Since an irradiation interval (non-irradiation time) becomes shorter in the latter part of the flash light irradiation of n times and the next flash light irradiation is performed before a surface temperature of the semiconductor wafer declines after the flash light irradiation, the heating efficiency of the surface of the semiconductor wafer by the flash light irradiation of each time is improved.例文帳に追加

ｎ回のフラッシュ光照射の後段ほど照射間隔（非照射時間）が短くなり、フラッシュ光照射後に半導体ウェハーの表面温度が低下する前に次のフラッシュ光照射を行うことができるため、各回のフラッシュ光照射による半導体ウェハーの表面の加熱効率を向上させることができる。 - 特許庁

This standby module 3 includes n-sets of light sources Sn that emit lights with different wavelengths λn in general.例文帳に追加

本発明によれば、予備装置は、一般に異なる波長（λ_ｎ）の光を放射するｎ個の光源（Ｓ_ｎ）を含む予備モジュール（３）であって、各光源（Ｓ__ｎ）が、ｎ個のチャネル（１３_ｎ）を有する光コネクタのｎ個の入力部のそれぞれ１つに結合されている予備モジュール（３）と、ｎチャネル光コネクタ（４）のチャネルと出力部光ファイバ（２０_ｎ）との間の結合を与える結合手段（５）とを含む。 - 特許庁

To provide an optical head device capable of moving an objective lens to a predetermined position even when a part of a driving coil is included in a neutral area (n) near a magnetization boundary regarding the optical head device of an optical disk device capable of optically reading/writing information by projecting an optical spot to the information recording surface of an optical recording medium.例文帳に追加

本発明は、光記録媒体の情報記録面に光スポットを投射して光学的に情報を読み書きできる光ディスク装置の光ヘッド装置に関し、着磁境界近傍のニュートラル領域ｎに駆動コイルの一部が含まれても、所定位置に対物レンズを移動可能な光ヘッド装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting diode includes a substrate and an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a p-type electrode having a first metal layer formed on the p-type semiconductor layer and a second metal layer formed on the first metal layer and reflecting light generated by the active layer, which are formed on the substrate in this order.例文帳に追加

基板、この基板上に順次に設けられたｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、ｐ型半導体層上に形成される第１金属層とこの第１金属層上に形成されて活性層から発生した光を反射させる第２金属層とを備えるｐ型電極と、を含む半導体発光ダイオードである。 - 特許庁