「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(379ページ目) - Weblio英語例文検索

The backlight assembly is provided with an N number of light sources to supply light to a liquid display panel, a light guide plate which is formed of a plurality of thin membranes to guide light generated by the light sources to the liquid display panel and a sheet laminated in order on a rear surface of the liquid display panel.例文帳に追加

本発明によるバックライアセンブリは、液晶表示パネルに光を供給するＮ個の光源と、前記光源から生成された光を液晶表示パネルに光をガイドする２つ以上の薄膜層から形成された導光板と、前記液晶表示パネルの背面上に順次に積層されるシートと、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To determine a thin-film multi-layer structure by setting a combined model of film thickness and complex index of refraction, calculating the simulation spectrum thereof, and fitting the simulation spectrum to measured spectrum by using Extended Best Local Minimum Calculation (EBLMC) in the analysis method of a thin-film n-layer structure by using a spectral ellipsometer.例文帳に追加

本発明による分光エリプソメータを用いた薄膜ｎ層構造の解析方法では、膜厚や複素屈折率などの組み合わせモデルを設定し、そのシミュレーションスペクトルを算出して、そのシミュレーションスペクトルと測定スペクトルとのフィッティングを広範囲極小値計算法（ＥＢＬＭＣ）を使用して行うことにより、薄膜多層構造を決定する。 - 特許庁

In the analysis apparatus for analyzing samples having known concentration at many points for creating or correcting a calibration curve, an analyzer section 5 measures at least m (1≤m≤n-1) sample having known concentration, and the measurement result is used by a data processor section 16 and the calibration curve is created or corrected.例文帳に追加

検量線の作成若しくは補正のために多点の既知濃度試料を分析する分析装置に於いて、アナライザ部５にて、ｎ個の既知濃度試料のうち、少なくともｍ（１≦ｍ≦ｎ−１）個の既知濃度試料の測定が行われ、データプロセッサ部１６にてその測定結果が用いられて検量線の作成若しくは補正が行われる。 - 特許庁

A voice component of a voice input signal is extracted correspondingly to a plurality of channels, the envelope of the voice component is converted into N/M times in a time base direction, modulating frequency having the frequency of the corresponding voice component signal is modulated, and a speech speed converted voice output signal is obtained on the basis of the modulated output signal.例文帳に追加

音声入力信号の音声成分を複数チャンネル分抽出し、当該音声成分のエンベロープを時間軸方向にＮ／Ｍ倍に変換した後、対応する音声成分信号の周波数を有する変調周波数を変調し、当該変調出力信号に基づいて話速変換音声出力信号を得るようにする。 - 特許庁

In the formula [1], R^1 and R^2 each independently represent hydrogen atom, halogen atom or 1-5C alkyl group, R^3, R^4 and R^5 each independently represent hydrogen atom, halogen atom, 1-10C alkyl, 2-5C alkenyl 1-5C alkoxyl, 3-7C cycloalkyl, nitryl or carboxy, and n represents an integer.例文帳に追加

（式中、Ｒ^1およびＲ^2は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、Ｒ^3、Ｒ^4およびＲ^5は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシル基、炭素数３〜７のシクロアルキル基、ニトリル基、またはカルボキシル基を表し、ｎは整数を表す。） - 特許庁

This semiconductor light-emitting element 40 is provided with a first laser part 41, that emits a laser beam of emitted wavelength of 780 nm and a second laser part 42, that is provided adjacent to the first laser part and emits a laser beam of emitted wavelength of 650 nm in the same direction as it, which are integrated monolithically on a common n-GaAs substrate 43, respectively.例文帳に追加

本半導体発光素子４０は、一つの共通のｎ−ＧａＡｓ基板４３上にモノリシックにそれぞれ集積された、７８０ｎｍの発光波長のレーザ光を出射する第１のレーザ部４１と、第１のレーザ部に隣接して設けられ、同じ方向に６５０ｎｍの発光波長のレーザ光を出射する第２のレーザ部４２とを備えている。 - 特許庁

In a tubular blown film for the double bag package including an easily peelable outer layer, an intermediate layer consisting of a polyamide resin, and an inner layer consisting of a low-density polyethylene resin, the easily peelable outer layer has an easy peel strength range of 0.98-19.6 N/15 mm, and a thickness of 3-15 μm.例文帳に追加

イージーピール性を有する外層、ポリアミド樹脂からなる中間層、および、低密度ポリエチレン樹脂からなる内層を備えて構成される二重袋包装体用インフレーションフィルムにおいて、イージーピール性を有する外層を、凝集力が０．９８Ｎ／１５ｍｍ幅〜１９．６Ｎ／１５ｍｍ幅のイージーピール強度を有し、厚みが３μｍ〜１５μｍの層とする。 - 特許庁

In this case, since there is used a frequency band which includes a resonant frequency of a reciprocating component system combining a piston 1, piston pin 2, connecting rod 3, connecting rod metal and crank as the detection frequency of engine block vibration, a vibration level by combustion is made high to enable a high S/N ratio detection and thus, a pilot injection amount can be controlled accurately.例文帳に追加

この場合、エンジンブロック振動の検出周波数として、ピストン１、ピストンピン２、コンロッド３、コンロッドメタル、クランクを組み合わせた往復運動部品系の共振周波数を含んだ周波数帯を利用しているので、燃焼による振動レベルが大きくとれるので、Ｓ／Ｎ比の高い検出が可能となり、パイロット噴射量を精度よく制御できるようになる。 - 特許庁

The section 601 is provided with an n-channel type transistor 202b for suppressing potential fluctuations in the path 811, p-channel type transistors 103c and 106c constituting a current mirror 140c, a p-channel type transistor 603 provided between the transistors 103c and 106c and controlled by a timing generator 602, and a load 107a.例文帳に追加

データ入力部６０１には、データ伝送路８１１の電位変動を抑制するｎチャネル型トランジスタ２０２ｂと、カレントミラー１４０ｃを構成するｐチャネル型トランジスタ１０３ｃ，１０６ｃと、トランジスタ１０３ｃ，１０６ｃのゲート間に設けられ、タイミング生成装置６０２により制御されるｐチャネル型トランジスタ６０３と、負荷１０７ａとが設けられている。 - 特許庁

This new method for producing a 3 acylated indole comprises separately and simultaneously adding an acid chloride solution (if necessary, the N is protected) and an alkylmagnesium halide (ethylmagnesium bromide) or an arylmagnesium halide to an indole solution, while synchronizing the molar addition ratio of the compounds, whereby the 3-acylated indole can be obtained in a high yield.例文帳に追加

３−アシル化インドールを製造するための新しい方法で、酸塩化物の溶液（必要ならばＮを保護する）とアルキルマグネシウムハロゲン化物（エチルマグネシウムブロマイド等）、又は、アリールマグネシウムハロゲン化物とを、距離をとってかつ同時にモル添加の割合をシンクロナイズさせてインドールの溶液に加えることにより、３−アシル化インドールを高収率で得ることが可能である。 - 特許庁

A MIS-type semiconductor device comprises a P-type semiconductor substrate 11, a gate insulating film 14 formed on the semiconductor substrate 11, a gate electrode 15 formed on the gate insulating film 14, and N-type diffused source and drain layers 20 formed in regions of the semiconductor substrate 11 below both sides of the gate electrode 15.例文帳に追加

ＭＩＳ型半導体装置は、Ｐ型の半導体基板１１と、半導体基板１１の上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４の上に形成されたゲート電極１５と、半導体基板１１におけるゲート電極１５の両側方の領域に形成されたＮ型ソース・ドレイン拡散層２０とを有している。 - 特許庁

To provide an ultrasonic flowmeter capable of controlling properly the gain of an amplifier regardless of the quantity of impurities such as air bubbles or the like included in a fluid, executing flow measurement with a high S/N ratio even to the change of the kind or the temperature of the fluid, and executing stably always accurate flow measurement.例文帳に追加

増幅器のゲインを流体中に含まれる気泡等の夾雑物の量に拘わらずに適切に制御することができ、流体の種類や液温の変動に対しても高いＳ／Ｎ比で流量計測を行うことが可能であり、常に正確な流量測定を安定的に行うことができる超音波流量計を提供する。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The energy monitor 1 previously stores and holds a monthly target saving setting value Eo of an energy consumption for electricity, gas and water in a consumption place, compares the monthly energy consumption Ea with the target saving setting value Eo, and counts the number of times N that a target is achieved wherein the energy consumption Ea becomes the target saving setting value Eo or below.例文帳に追加

エネルギーモニター１は、消費場所における電気、ガスおよび水道について、月毎のエネルギー使用量の節約目標設定値Ｅｏを予め記憶保持し、毎月のエネルギー使用量Ｅａを節約目標設定値Ｅｏと比較し、エネルギー使用量Ｅａが節約目標設定値Ｅｏ以下となった目標達成回数Ｎをカウントする。 - 特許庁

A texture etching device (etching device) 100 for etching a silicon substrate 8 containing a p- or n-type dopant by immersing the silicon substrate in an etching liquid 9 comprises: an etching bath 1 which stores the etching liquid 9; and a first cation removal device 4A and a second cation removal device 4B which adsorb and collect the cations which are eluted into the etching liquid 9.例文帳に追加

テクスチャエッチング装置（エッチング装置）１００は、ｐ型又はｎ型のドーパントを含むシリコン基板８をエッチング液９中に浸漬してエッチングするエッチング装置であり、エッチング液９を貯留するエッチング槽１と、エッチング液９中に溶出した陽イオンを吸着して収集する第一および第二の陽イオン除去装置４Ａ，４Ｂとを備えている。 - 特許庁

This sealing device 10 includes an annular core metal 11 fixed to an outer ring 2, an annular slinger 12 fixed to an inner ring 3, and a seal lip 13b projected from the axial inner end face 11a of the core metal 11 and forming a sealed space N between a rotating ring and a fixed ring by coming in sliding contact with the slinger 12.例文帳に追加

本発明の密封装置１０は、外輪２に固定された環状の芯金１１と、内輪３に固定された環状のスリンガ１２と、芯金１１の軸方向内側端面１１ａに突設されスリンガ１１と摺接することで前記回転輪と前記固定輪との間に密封空間Ｎを形成するシールリップ１３ｂとを備えている。 - 特許庁

The category-based overview score calculation parts 123-1 to 123-n learn the conditioned probability distribution of the failure scores calculated for the data belonging to each of groups obtained by classifying each data in the data sequence according to the corresponding category, and calculates overview scores showing the level of the failure from the learned conditioned probability distribution.例文帳に追加

分類基準別俯瞰スコア計算部１２３−１〜１２３−ｎは、データ系列中の個々のデータを対応する分類基準に従って分類した各グループ毎に、当該グループに属するデータについて算出された異常スコアの条件付確率分布を学習し、この学習した条件付確率分布から異常の程度を表す俯瞰スコアを算出する。 - 特許庁

The small drift areas 14' and 14" are so arranged that when a reverse bias is applied between both ends of the p+ area 12 and n+ area 13, excessive electric charges change linearly with the distance from the p+ area 12 to generate excessive electric charges in one small drift area 14" to the other drift area 14'.例文帳に追加

逆電圧バイアスがｐ＋領域１２およびｎ＋領域１３の両端間に印加された場合に、過剰な電荷がドリフト小領域１４”の１つの内に他のドリフト小領域１４’に対して形成されるように、この過剰な電荷はｐ＋領域１２から距離とともにほぼ直線的に変化するように、ドリフト小領域１４’、１４”は配置される。 - 特許庁

A judgment part 52 judges whether or not a noticing position and each of boundaries at one block intervals to a boundary distant by n blocks in left and right directions from the noticing position are judged as the block boundary candidates based on the number set by the control part 53 and judges whether or not the noticing position is a block boundary based on the judgment result.例文帳に追加

判定部５２は、制御部５３により設定された数に基づいて、注目位置と、それから左右方向にｎブロック分離れた境界までの１ブロック間隔にある境界のそれぞれが、ブロック境界候補であると判定されたか否かを判定し、その判定結果に基づいて注目位置がブロック境界であるか否かを判定する。 - 特許庁

A P type semiconductor and an N type semiconductor are formed in a sheet form by mixing metals by a prescribed component ratio, the sheets are cut by a prescribed thermoelectric element specification, sheets 101 of the same material which are made of the metals mixed by the prescribed component ratio and then cut are laminated, the laminated sheets are crimped to generate a final thermoelectric element 100.例文帳に追加

金属を予め決められた成分比で混合してＰ型半導体またはＮ型半導体をシート形態で形成し、該シートを予め決められた熱電素子スペックによってカットし、予め決められた成分比で混合されてカットされた同一材料のシート１０１を積層し、該積層されたシートを圧着して最終熱電素子１００を生成する。 - 特許庁

The method for producing the amide or the lactam involves rearranging the oxime compound in the presence of a compound containing a structure represented by formula (1): -Z-X (wherein, Z is P, N, S, B or Si atom; X is a leaving group; and Z binds with one or more atoms or groups except the X) to afford the corresponding amide or lactam.例文帳に追加

本発明のアミド又はラクタムの製造方法では、下記式（１） −Ｚ−Ｘ （１）（式中、ＺはＰ、Ｎ、Ｓ、Ｂ又はＳｉ原子を示し、Ｘは脱離基を示す。ＺはＸ以外に、１又は２以上の原子又は基と結合している）で示される構造を含む化合物の存在下、オキシム化合物を転位させ、対応するアミド又はラクタムを生成させる。 - 特許庁

Three semiconductor laser elements 10 on the left, right and upper sides respectively have an N-type GaAs substrate 11 with an L-shaped section, a luminous layer 12 and an electrode 15 which are laminated in order on the upper surface 11a on the left side of this substrate 11, and an electrode 15 formed on the upper surface 11b on the right side of the substrate 11.例文帳に追加

左右上側の３個の半導体レーザ素子１０は、断面Ｌ字状のＮ型GａＡｓ基板１１と、このＮ型G ａＡｓ基板１１の左側上面１１ａに順次積層された発光層１２及び電極１５と、Ｎ型G ａＡｓ基板１１の右側上面１１ｂに形成された電極１５とをそれぞれ有する。 - 特許庁

An imaging part 101 has an output part which outputs an image signal at intervals of a first horizontal blanking period shorter than a prescribed horizontal blanking period prescribed by a processing part in a succeeding stage, within a block being the prescribed number of lines N constituting an image, and is capable of outputting an image signal at intervals of a second horizontal blanking period, between blocks.例文帳に追加

撮像部１０１は、画像を構成する所定の複数ラインＮをブロックとし、ブロック内においては後段の処理部により規定される規定水平ブランキング期間よりも短い第１の水平ブランキング期間を空けて画像信号を出力し、ブロック間においては第２の水平ブランキング期間を空けて画像信号を出力可能な出力部を有する。 - 特許庁

In this image forming method printing a character data file of a variable-length page, when the integration print mode for printing N pieces of documents on one piece of recording paper is selected, a document format is adjusted so as to have minimum blank of printed matter one which the character data file is printed, and to format the character data file.例文帳に追加

可変長ページの文字データファイルを印刷する画像形成方法において、１枚の記録紙にＮ枚の原稿を配置して印刷する集約印刷モードが選択されると、前記文字データファイルを印刷した印刷物の空白が最も小さくなるように、原稿書式を調整して前記文字データファイルを書式化するようにした。 - 特許庁

When start of an internal combustion engine is failed (step 105) and cranking rotation speed N' estimated on the basis of present engine oil temperature in consideration of viscosity characteristics of the engine oil presently used is the set cranking rotation speed N2 or less (step 109), the factor of the start failure is judged to be engine oil (step 111).例文帳に追加

内燃機関の始動が失敗した場合（ステップ１０５）において、現在使用されているエンジンオイルの粘度特性を考慮して現在のエンジンオイル温度に基づき推定されるクランキング回転数Ｎ’が設定クランキング回転数Ｎ２以下である時（ステップ１０９）には、始動失敗の要因はエンジンオイルであると判断する（ステップ１１１）。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

When this hydraulic controller is in a first speed state just after a first range change from N to D after turning an ignition switch ON, an oil pressure is forcibly fed into a frictional engagement element (high clutch) which is relieved at a first speed as well as a line pressure is increased and corrected on feeding oil pressure to efficiently feed oil pressure.例文帳に追加

イグニッションスイッチＯＮ後の最初のＮ→Ｄレンジ切り換え直後の１速状態であるときに、３速状態に強制的に切り換えて、１速では解放されるべき摩擦係合要素（ハイクラッチ）に対して油圧を強制的に供給すると共に、該油圧供給時にライン圧を増大補正して、効率良く油圧供給が行われるようにする。 - 特許庁

This image forming system, in shifting a conveyance target while continuously recording images on a plurality of paper sheets, conveys a (N+1)th paper sheet after a Nth paper sheet to be conveyed to a conveyance target last time before shifting is loaded when a conveyance target after shifting is nearer than the conveyance target before shifting.例文帳に追加

この画像形成システムでは、複数の用紙に対して連続で画像を記録させながら、搬送先を切り替える際に、切替後の搬送先が切替以前の搬送先よりも近い場合には、切替以前の搬送先に最後に搬送されるＮ枚目の用紙が積載された後に、Ｎ＋１枚目の用紙を切替後の搬送先に搬送する。 - 特許庁

Since the enhancement for improving the S/N ratio causes the occurrence of signal distortion due to the fluctuation of the frequency amplitude property FL and the group delay property GD in the required band, the resonance level is suppressed by the pre-amplification stage 2 while putting out the higher resosnance frequency out of the 1st and 2nd resonances to the outside of the transmission band.例文帳に追加

こうしてＳＮ比改善を図ると、必要帯域における周波数振幅特性ＦＬおよび群遅延特性ＧＤが変動して信号歪みの発生要因となる為、前置増幅段２が第１および第２の共振の内、高い方の共振周波数を伝送帯域外に追い出しつつその共振レベルを抑制する。 - 特許庁

An address decoder communicating with the array receives a plurality of row address bits, and determines which of the N partitions in a requested row must be accessed on the requested row identified by the row address bits, and does not activate the access device within the selected row but not within the partition to be accessed.例文帳に追加

アレイと通信するアドレス・デコーダは、複数の行アドレス・ビットを受信し、行アドレス・ビットにより識別された要求行について、要求行の中のＮ個のパーティションのどれがアクセスされるべきであるかを判断して、選択された行の中にはあるがアクセスされるべきパーティションの中にはないアクセス・デバイスが起動されないようにする。 - 特許庁

In the formula, n is 0 or 1; group A is a substituted heterocyclic group; group B is optionally substituted phenyl or naphthyl; R^1 is alkyl, carboxy, alkoxycarbonyl, phenyl or the like; and R^2, R^3 and R^4 are each independently a hydrogen atom, chlorine atom, hydroxy, sulfo, carboxy, sulfamoyl, carbamoyl, alkyl or the like.例文帳に追加

（式（１）中、ｎは、０または１であり、基Ａは、置換複素環基であり、基Ｂは、置換されていてもよいフェニル基またはナフチル基であり、Ｒ^１は、アルキル基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、フェニル基等を示し、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、塩素原子、ヒドロキシ基、スルホ基、カルボキシ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキル基等を示す。） - 特許庁

In the display panel having a plurality of the electrode wires connected to a plurality of the drive units, the electrode wires have N number of electrode wire groups, each of which is composed of M number of successive adjacent electrode wires, and the display panel has first and second connecting terminal groups, arranged along first and second sides of the panel respectively and each having M terminals.例文帳に追加

複数の駆動ユニットに接続される複数の電極線を有する表示パネルにおいて，複数の電極線がＭ本の連続して隣接する電極線からなる電極線群をＮ群有し，パネルの第１，第２の辺に沿って配置されそれぞれＭ端子を有する複数の第１，第２の接続端子群とを有する。 - 特許庁

An information beam having a prescribed special pattern wherein a margin of an S/N ratio per 1 dot is widened by dividing a plurality of optical elements of a spatial light modulating means into blocks consisting of a plurality of adjacent optical elements and assigning each block to each bit which constitutes data to perform light modulation is recorded in the hologram recording medium.例文帳に追加

ホログラム記録媒体に、空間光変調手段の複数の光学素子を互いに隣接する複数の光学素子からなるブロックに分割し、各ブロックをデータを構成する各ビットに割り当てて光変調することにより、１ドット当たりのＳ／Ｎのマージンを広くした所定の特殊パターンを有する情報光を記録しておく。 - 特許庁

In constituting the multifocal lens having a plurality of focal lengths (for example, the multifocal lens 521 having two focal lengths), respective lens parts having the different focal lengths from a plurality of first lens parts having the first focal length to the plurality of Nth lens parts having the Nth focal length (N is an integer of two or more) are integrated.例文帳に追加

複数の焦点距離を持つ多焦点レンズ（例えば２つの焦点距離を持つ多焦点レンズ５２１）を構成するにあたり、第１の焦点距離を持つ複数の第１のレンズ部から、第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の焦点距離を持つ複数の第Ｎのレンズ部までのそれぞれ焦点距離の異なる各レンズ部を一体化した。 - 特許庁

In the network N, each path calculation apparatus 4 calculates a plurality of paths not sharing the resources of at least one of a link, a node and a shared risk link group regarding a corresponding domain 3 sequentially from the terminating point node side, and thus efficiently calculates the redundant path from a starting point node to the terminating point node of different domains 3.例文帳に追加

ネットワークＮにおいて、各経路計算装置４が終点ノード側から順番に、対応するドメイン３に関して、リンク、ノードおよび共有リスクリンクグループ、の少なくともいずれか１つのリソースを共有しない複数の経路を計算することで、ドメイン３が異なる始点ノードから終点ノードまでの冗長経路を効率よく計算することができる。 - 特許庁

Periods, allowing each modules 1, 2, ...n, 20, 30 to make DMA requests (request permissive periods), are respectively preset and the time spans for the request permitting periods and periods giving the request permitting periods (or timings) are managed by a sequencer 40 not to enable the modules to make the DMA requests, except in the request permitting periods.例文帳に追加

各モジュール（１，２，…ｎ，２０，３０）についてＤＭＡ要求を出してよい期間（要求許可期間）を予め設定し、この要求許可期間以外の期間はそのモジュールからＤＭＡ要求を出すことができないように、要求許可期間のタイムスパン及び要求許可期間を与える周期（又はタイミング）をシーケンサ４０によって管理する。 - 特許庁

In the semiconductor laser for oscillating laser light of a single vertical mode by a wavelength selected by an n-type distribution Bragg reflection layer 3, the reflection layer 3 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and provided with a waveguide including an active layer 5 formed on the surface of the reflection layer 3 and clad layers 4, 7 holding the active layer 5 between them.例文帳に追加

ｎ型分布ブラッグ反射層３により選択された波長で単一縦モードのレーザ光発振を行う半導体レーザであって、ｎ型分布ブラッグ反射層３は半導体基板上１に形成され、ｎ型分布ブラッグ反射層３上に形成された活性層５と、活性層５を挟むクラッド層４、７とを含む導波路を備えている。 - 特許庁

Among N multi-beams by a main antenna 1 used in a no-jamming environment, a high side lobe angular area of the main antenna 1 is a jamming environment is covered by using M beam signals forming an antenna pattern of the main antenna 1, while a low side lobe wide angular area is covered by using subsidiary beams by L low-gain subsidiary antennas 2.例文帳に追加

妨害が無い環境で使用している主アンテナ１によるＮ本のマルチビームのうち、妨害環境下では、主アンテナ１のアンテナパターンを成形したＭ本のビーム信号を用いて、主アンテナ１のサイドローブの高い角度領域を覆い、サイドローブの低い広い角度領域は、利得の低いＬ個の補助アンテナ２による補助ビームで覆うようにする。 - 特許庁

The wastewater treatment system is equipped with a biological treatment septic tank 10 as a wastewater treatment means for treating substances contained in a water to be treated, an electrochemical treatment apparatus 1 as an N/P removing means for removing nitrogen compounds and/or phosphorous compounds by an electrochemical technique and a sterilization device 11 for sterilizing the water to be treated.例文帳に追加

被処理水中に含まれる物質を処理する排水処理手段としての生物的処理浄化槽１０と、被処理水中の窒素化合物、及び／又は、リン化合物を電気化学的手法により除去するＮ／Ｐ除去手段としての電気化学的処理装置１と、被処理水を殺菌する殺菌装置１１とを備える。 - 特許庁

The solvent or the solvent composition for manufacturing a multilayer ceramic component contains a compound represented by the following formula (1) (in which, R^1 and R^2 represent the same or different linear or branched alkyl groups and at least one of R^1 and R^2 is a branched alkyl group; A represents an alkylene group; and n is 1 or 2).例文帳に追加

本発明の積層セラミック部品製造用溶剤又は溶剤組成物は、下記式（１）（式中、Ｒ^1、Ｒ^2は、同一又は異なって、直鎖状又は分岐鎖状アルキル基を示し、Ｒ^1、Ｒ^2のうち少なくとも一方は分岐鎖状アルキル基である。Ａはアルキレン基を示す。ｎは１又は２である）で表される化合物を含有する。 - 特許庁

In desirable embodiments, the surface tension of the ink is 3×10^-4-5×10^-4 N/cm, the viscosity at 25°C is 35-200 mPas, or a combination of at least one of each of a photopolymerizable monofunctional monomer or its oligomer and a polyfunctional photopolymerizable monomer having two or more functional groups or its oligomer is used.例文帳に追加

尚、上記インクジェット用インクの表面張力が３×１０^-4〜５×１０^-4Ｎ／ｃｍであること、２５℃における粘度が３５〜２００ｍＰａ・ｓであること、インクが光重合性単官能モノマー又はオリゴマーと、２官能以上の多官能光重合性モノマー又はオリゴマーを、それぞれ１種以上併用することは好ましい態様である。 - 特許庁

Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層１８からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層１８の上部と下部に形成されたｎ型拡散領域１４、２３からなるソース・ドレイン領域と、ワード線２１からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３が形成される。 - 特許庁

In the formula, G is hydrogen, aliphatic, aryl, heterocyclic, acyl, aliphatic oxycarbonyl, carbamoyl or sulfonyl; R_1 is amino, aliphatic oxy, aliphatic, aryl or heterocyclic; R_2 is a substituent; A is aromatic 5- or 6-membered heterocyclic; m is an integer of 0-5; and n is an integer of 1-4.例文帳に追加

（一般式（１）中、Ｇは水素原子、脂肪族基、アリール基、ヘテロ環基、アシル基、脂肪族オキシカルボニル基、カルバモイル基、又はスルホニル基を表し、Ｒ_１は、アミノ基、脂肪族オキシ基、脂肪族基、アリール基、又はヘテロ環基を表し、Ｒ_２は置換基を表し、Ａは芳香族５〜６員ヘテロ環基を表す。ｍは０〜５の整数を表し、ｎは１〜４の整数を表す。） - 特許庁

This photovoltaic power apparatus includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which light is incident from the surface side, and the transparent conductive film 4 formed on the surface of the photoelectric conversion layer including an indium oxide layer having the surface orientation (222) and including two peaks of the surface (222) of the indium oxide layer.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層の表面上に形成され、（２２２）面の配向を有する酸化インジウム層を含むとともに、酸化インジウム層における（２２２）のピークが、２つのピークを含む透明導電膜４とを備えている。 - 特許庁

In the quantum well active layer 107, two compressive strain quantum well layers of InGaAsP and two barrier layers are arranged alternately such that an n-side barrier layer is present on the lower guide layer 105 side and a p-side barrier layer is present on the upper guide layer 109 side.例文帳に追加

上記量子井戸活性層１０７は、ＩｎＧａＡｓＰからなる２層の圧縮歪量子井戸層および２層の障壁層が交互に配置され、下ガイド層１０５側にｎ側障壁層を有するようにかつ上ガイド層１０９側にｐ側障壁層を有するように積層されており、ｎ側障壁層の厚さをホールがトンネルしにくい１３０Åとする。 - 特許庁