| 意味 | 例文 |
n-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 19373件
This switching power supply apparatus stores energy in a transformer 21 by turning on an N-MOS 22 and discharges the energy from the transformer 21 by turning off the N-MOS 22.例文帳に追加
スイッチング電源装置は、NMOS22をオンさせてトランス21にエネルギーを蓄積し、NMOS22をオフさせてトランス21から、エネルギーを放出させる。 - 特許庁
To provide a magnetic recording medium which has a high medium S/N ratio, an excellent bit error rate and no problem in overwriting characteristics and is stable to thermal fluctuation.例文帳に追加
高い媒体S/Nを有し、オーバーライト特性に問題なく、ビットエラーレートに優れ、かつ熱揺らぎに対しても十分に安定な磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁
An N value of the ground, in which the anchor is buried, is measured; the type of the anchor is selected according to the measured N value; and the selected anchor is buried.例文帳に追加
アンカの埋設される地盤のN値を測定し、その測定したN値に基づいてアンカの種類を選択し、その選択したアンカを埋設する。 - 特許庁
Moreover, a trench 13 is formed in a portion pinched by a p-type base layer 4 and an n-type buffer layer 7 of the surface layer of the n-type drift layer 3.例文帳に追加
また、n型ドリフト層3の表面層のp型ベース層4およびn型バッファ層7に挟まれた部分にトレンチ13が設けられている。 - 特許庁
This scheme permits the input signal scanning pattern to change into "a scanning pattern for outputting output lines N by N lines in the second mainly scanning direction".例文帳に追加
この構成により、入力画像の走査パターンは、『第2主走査方向の出力ラインをN本ずつ出力する走査パターン』に変更される。 - 特許庁
The shaft has a flexural rigidity of at least 15 N×m^2 and not more than 30 N×m^2 in the range of 50-150 mm from the end of the shaft.例文帳に追加
同シャフト先端部より50mmから150mmの範囲内の曲げ剛性を15N・m^2以上30N・m^2以下としたゴルフクラブ用シャフト。 - 特許庁
This material is obtained by blending to a matrix an active ingredient consisting of DCHBSA(N,N-dicyclohexylbenzothiazyl-2-sulfenamide) which increases the quantity of dipole moments in the matrix.例文帳に追加
母材中に、前記母材における双極子モーメント量を増加させるDCHBSAからなる活性成分が配合されていることを特徴とする。 - 特許庁
Random numbers are generated by non-linear mapping expressed with the formula of (X_n=pX_n-1^2+qX_n-1+r(mod 2^N), in this case, p=4k+2(k=0, 1, 2 and so on), q, r: odd numbers).例文帳に追加
(X_n =pX_n-1^2+qX_n-1+r (mod 2^N) 但し、p=4k+2(k=0,1,2,・・・) q,r:奇数)の式によって表される非線形写像によって乱数を生成する。 - 特許庁
At least a part of a top surface 8a of the semiconductor base layer 10 which is exposed in the trench 42 is an Al-doped nitride represented by In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0.00001≤y≤0.01, and 0<1-x-y≤1).例文帳に追加
トレンチ42に露出する半導体下地層10の表面8aの少なくとも一部が、In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≦x≦1,0.00001≦y≦0.01,0<1-x-y≦1)で示されるAlドープ窒化物である。 - 特許庁
In the device, a current injection is performed into its gain region 30 by a constant-current source 28 via an n-side common electrode 12, and a p-side electrode 24 of the gain region.例文帳に追加
利得領域30には、n側共通電極12と利得領域のp側電極24とを介して定電流源28によって電流注入がなされる。 - 特許庁
A section 112, directly above a connecting section in a p-type upper clad layer 15, is composed of the same conductivity type (an n-type) as that of an n-type lower clad layer 12.例文帳に追加
p型の上部クラッド層15のうち、接続部分の真上の部分112は、n型の下部クラッド層12と同じ導電形(n型)で構成している。 - 特許庁
In the present method, a map-based menu interface is divided into one first type area and n-second type areas, wherein n is a positive integer.例文帳に追加
この方法中、先ず、地図式メニューインターフェースが、1つの第1タイプ領域およびn個の第2タイプ領域に分割され、nが正の整数である。 - 特許庁
In the formula ((R1)(R2)SiO)n, where R1 and R2 show the same or a different kind of a substitute or non-substitute univalent hydrocarbon radical, and n shows an integer of ≥50.例文帳に追加
((R1)(R2)SiO)n R1及びR2は、同種又は異種の置換若しくは非置換の一価炭化水素基を、nは50以上の整数を示す。 - 特許庁
When a time when the light for sideband spectrum generation is in the weak state (OFF) is shortened, the space resolution can be improved and the S/N ratio is not lowered.例文帳に追加
側波帯スペクトル生成用光を弱い状態(OFF)にする時間を短くすれば空間分解能を良くすることができ、S/N比も悪くならない。 - 特許庁
A clock signal is once frequency-divided by a factor of N to lower a bit rate to 1/N, and in this state, one clock portion of the clock signal is removed.例文帳に追加
クロック信号を一旦1/Nに分周してビットレートを1/Nに下げた状態で、クロック信号の1クロック分を取り除くようにしたもの。 - 特許庁
When the pitch of the sprocket hole is made L in the pitch p between the through holes 14, mp=nL (however, n and m are natural numbers satisfying n<m).例文帳に追加
各スルーホール14間のピッチpは、スプロケットホールのピッチをLとしたとき、mp=nL(但し、n、mはn<mを満足する自然数)で規定される。 - 特許庁
For N write data in the cache area (307), a first comparison target is generated and the N write data are transferred to the data storage area (321).例文帳に追加
キャッシュ領域(307)上のN個のライトデータについて第一比較対象が生成され、N個のライトデータがデータ記憶域(321)に転送される。 - 特許庁
Operation is stopped at a place where start of overwriting is desired in a resume-on state, and when an overwriting key is depressed N times, an overwriting time corresponding to N times is calculated.例文帳に追加
上書き開始したい場所でレジュームオン状態で停止され、上書きキーをN回押下すると、N回に対応する上書き時間が算出される。 - 特許庁
To provide a group-III nitride semiconductor light-emitting element in which contact resistance of an n-electrode is reduced without deteriorating translucency of an n-type layer or the like.例文帳に追加
n型層の透光性などを悪化させることなしにn電極の接触抵抗が低減されたIII 族窒化物半導体発光素子を実現すること。 - 特許庁
A tracer assumes suspects, and investigates the suspects n number of times (n represents all the number of users), to identify all members in a coalition.例文帳に追加
追跡者は容疑者を想定し、その容疑者についてn(nは全ユーザ数を表す)回の検査を行うことにより結託者全員を特定できる。 - 特許庁
The poly(N-vinylalkylamide) gel in an interpenetrating network structure is synthesized by using an N-vinylalkylamide monomer and a crosslinking agent represented by formula (II) as the constituent units.例文帳に追加
N−ビニルアルキルアミドモノマーと式(II)で表わされる架橋剤とを構成単位として合成された、相互侵入網目構造のポリ(N−ビニルアルキルアミド)ゲル: - 特許庁
The pulse generation circuit is constituted of N stages of cascade-connected delay circuits (N is a positive integer), and a multiplication circuit for obtaining the product of the output of each stage in the delay circuit.例文帳に追加
縦続接続されたN段(Nは正の整数)の遅延回路と、前記遅延回路の各段の出力の積をとる乗算回路とで構成する。 - 特許庁
To provide an optical asynchronous type device for processing optical series sequence of N bit in order to compare the optical series sequence of N bit with target sequence.例文帳に追加
Nビットの光直列シーケンスを目標とするシーケンスと比較するため、Nビットの光直列シーケンスを処理する光学的非同期式装置を提供する。 - 特許庁
A restriction trench 22 is formed in such a way that it passes the p-type base layer 12 so as to reach the n-type base layer 11 between the pair of n-type emitter layers 15.例文帳に追加
一対のn型エミッタ層15の間で、p型ベース層12を貫きn型ベース層11に達するように、絞りトレンチ22が形成される。 - 特許庁
The FDD Radio communication TSU-1 - N, TSD-1 - N is performed in the guard time GT section of the TDD radio communication.例文帳に追加
そして、TDD方式の無線通信のガードタイムGT区間において、FDD方式の無線通信TSU−1〜N、TSD−1〜Nを行う。 - 特許庁
The image data memory 151 stores a plurality of image data received from a computer 2 as image data MDi (i=1-n, n≥2) in units of the print job.例文帳に追加
画像データメモリ151は、コンピュータ2より受信した複数の画像データを印刷ジョブ単位に、画像データMDi(i=1〜nのいずれか,n≧2)として記憶する。 - 特許庁
In this heat storage material composition, the n-paraffin is preferably at least one selected from the group consisting of 10-30C n-paraffins.例文帳に追加
本発明の蓄熱材組成物では、ノルマルパラフィンが、炭素数10〜30のノルマルパラフィンよりなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。 - 特許庁
The packaging material is transversely provided with n-pairs of core supports 22 (where n is an odd number of ≥3) for supporting both ends in the longitudinal direction of a core K of a photosensitive film roll R.例文帳に追加
感光性フィルムロールRのコアKの長さ方向両端部を支持するコア受け22を、横方向にn対(nは3以上の奇数)設ける。 - 特許庁
Then, an n-type diffusion layer 16 connected to a power supply line 20 is extracted from among n-type diffusion layers in contact with the p-type diffusion layer 11.例文帳に追加
次に、P型拡散層11と接しているN型拡散層のうち、電源ライン20と接続されているN型拡散層16を抽出する。 - 特許庁
The slave unit 1 does not receive an ACK from the master unit 2 in each reception but receives the ACK on a second cycle N×T (N≥2) longer than the first cycle T.例文帳に追加
子機1は、親機2からのACKを毎回受信するのではなく、第1の周期Tよりも長い第2の周期N・T(N≧2)で受信する。 - 特許庁
As a result, an adhesion between the spherical particle 22 of 500 μm in diameter and a stainless steel plate as a reflector 21 is 5.9×10-8 N to 5.9×10-6 N.例文帳に追加
この結果、φ500μmの球粒子22と反射板21のステンレス板との付着力は5.9×10^-8N以上、5.9×10^-6N以下である。 - 特許庁
In end parts and at the bottom section of a cell section, corner sections of an n^+-type source region 5, a p-type base region 4, and an n^--type drift region 3 are formed into a circular-arc shape.例文帳に追加
セル部の終端部及び底部において、n^+型ソース領域5、p型ベース領域4、n^-型ドリフト領域3の各コーナー部を円弧形状とする。 - 特許庁
METHOD FOR SEPARATING PLUTONIUM INTO WATER PHASE BY UTILIZING DIFFERENCE OF NITRIC ACID CONCENTRATION FROM URANIUM AND PLUTONIUM RECOVERED IN ORGANIC PHASE INCLUDING BRANCHED N,N-DIALKYL AMIDE例文帳に追加
分枝N,N−ジアルキルアミドを含む有機相に回収したウラン及びプルトニウムから硝酸濃度の違いを利用して水相にプルトニウムを分離する方法 - 特許庁
Azacalix[5]arene in which five anisole rings are cross-linked with nitrogen atoms has been succeedingly synthesized by performing an arylamination reaction at 80°C after N-silylation.例文帳に追加
N−シリル化後のアリールアミノ化反応を80℃で行なうことにより、5つのアニソール環を窒素原子で架橋したアザカリックス[5]アレーンの合成に成功した。 - 特許庁
The method for forming an N-acylamino pyrazole comprises contact of a N-acyl-3-oxo-imino ether compound either with a salt of hydrazine in the presence of a base or with hydrazine.例文帳に追加
N−アシル−3−オキソ−アミノエーテル化合物を、ヒドラジンと、又は塩基の存在下でヒドラジンの塩と接触させる3−アシルアミノピラゾールの生成方法。 - 特許庁
Gates of the N transistor 15 and the N transistor 16 are connected, so that a column switch selection signal CSELn is inputted in common.例文帳に追加
NトランジスタN15のゲートおよびNトランジスタN16のゲートは,カラムスイッチ選択信号CSELnが共通入力されるように接続されている。 - 特許庁
The vowel of the syllabary of an n-th character of the misrecognition countermeasure word is preferably a vowel with low appearance frequency in the syllabary of the n-th character of the registered word.例文帳に追加
誤認識対策単語のn文字目の音節の母音は、登録単語のn文字目の音節において出現頻度の低い母音であることが好ましい。 - 特許庁
The trench GRV is made, after p-n junction of the photodiodes PD1, PD2 is formed so as to traverse the p-n junction in the thickness direction.例文帳に追加
トレンチ溝GRVは、ホトダイオードPD1,PD2におけるpn接合の形成後に、このpn接合を厚み方向に横断するように形成されている。 - 特許庁
Thus, a p-n junction in the protective diode 1 is constituted of the side face of the p+ type diffusion region 16 and the n+ type diffusion region 4a.例文帳に追加
このため、保護ダイオード1におけるpn接合は、上記p+型拡散領域16の側面と、上記n+型拡散領域4aとで構成される。 - 特許庁
Therefore processing shall be carried out at first in the resolution of M×N, and two images are divided into a rectangle area where M×N does not overlap (S401).例文帳に追加
このため、最初はM×Nの解像度で処理を進めることとし、2つの画像をM×Nの重ならない矩形領域に分割する(S401)。 - 特許庁
Namely, 20s surpassing the production capacity are respectively allocated to between the Thursday of an N week and the Wednesday of an (N+1) week in advance with respect to the productions (1) to (6).例文帳に追加
すなわち、生産 〜 について、生産能力を超えている20をそれぞれ、N週の木曜日から(N+1)週の水曜日までに前倒しして割り付ける。 - 特許庁
An N-type source region 16 and an N-type drain region 18 are formed in a P-well 14 functioning as the substrate region of an NMOS transistor.例文帳に追加
NMOSトランジスタの基板領域として機能するPウェル14中にN型ソース領域16とN型ドレイン領域18とを形成する。 - 特許庁
To print out data collected by a device including a combination of a chromatograph and a MS^n mass spectrometer in a manner easy to view and easy to manage.例文帳に追加
クロマトグラフとMS^n型質量分析計とを組み合わせた装置で収集されるデータを見易く且つ管理が容易であるように印刷出力する。 - 特許庁
A target tack T(N)=T(N-1)+t where the head is disposed in the active idle mode is obtained when a specified time elapses after shift to a performance idle mode.例文帳に追加
パフォーマンスアイドルモード移行後、所定時間経過すると、アクティブアイドルモード時にヘッドを位置させる目標トラックT(N)=T(N−1)+tを求める。 - 特許庁
To generate encoded data having a fixed length of m×n bits or less in each block of m×n pixels from multi-value image data which express one pixel by a plurality of bits.例文帳に追加
1画素を複数ビットで表わす多値画像データから、m×n画素ブロック単位に、m×nビット以下の固定長符号化データを生成する。 - 特許庁
Events coming from outside are composed of exclusive control tags 21-0 to 21-n and processing contents 22-0 to 22-n, and are sequentially stored in an event queue 2.例文帳に追加
外部から来るイベントは排他制御タグ21−0〜21−nと処理内容22−0〜22−nとから構成され、イベントキュー2に順次格納される。 - 特許庁
In reading operation, the resistance values of the n memory cells constituting one unit are compared with each other, and n! kinds of data are read from one unit.例文帳に追加
読み出し動作においては、一単位を構成するn個のメモリセルの抵抗値の大小関係を比較し、一単位からn!通りのデータを読み出す。 - 特許庁
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