「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

In the cancel signal generating part 10, first of all, inverse Fourier transform of the OFDM signals is performed to extract spectra, and an absolute value of an amplitude S(n) of each of the spectra is obtained.例文帳に追加

キャンセル信号生成部１０では、まず、ＯＦＤＭ信号を逆フーリエ変換してスペクトルを抽出し、各スペクトルの振幅Ｓ(n) の絶対値を求める。 - 特許庁

In the n^- drift region 2, n^-- low concentration regions 21 covering the bottoms of the trenches 6 across from the corners to the bottoms of the trenches 6 are provided.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域２の内部には、トレンチ６のコーナー部から底面に跨ってトレンチ６の底面を覆うｎ^--低濃度領域２１が設けられている。 - 特許庁

In first processing consisting of processing of steps A1-A8, packet loss values for N times are stored, by measuring the packet loss value before the handover for N times.例文帳に追加

ステップＡ１からＡ８までの処理でなる第１の処理では、ハンドオーバー前のパケットロス値をＮ回測定することにより、Ｎ回分のパケットロス値を記憶する。 - 特許庁

In second processing consisting of processing of steps A9-A16, packet loss values for N times are stored, by measuring the packet loss value after the handover for N times.例文帳に追加

ステップＡ９からＡ１６までの処理でなる第２の処理では、ハンドオーバー後のパケットロス値をＮ回測定することにより、Ｎ回分のパケットロス値を記憶する。 - 特許庁

To provide a color image forming apparatus which is inexpensive and compact, and gives high image quality with color shift in the sub-scanning direction smaller than or equal to (n-1)/n pixel.例文帳に追加

低コスト、コンパクト、かつ、副走査方向の色ズレが最大でも（ｎ−１）／ｎ画素以下となる高画質のカラー画像形成装置が提供される。 - 特許庁

Consequently, electron can be accelerated in the case of read out to generate electron amplification and thus the S/N ratio can be improved.例文帳に追加

これにより、読み出す際に電子を加速することが可能になって電子増幅を発生させることが可能になり、S/N比を向上することが可能になる。 - 特許庁

The control part 1 performs processing to calculate condition data C(n), indicating the condition of the character in a game, based on the request degree data K(n).例文帳に追加

そして、要求度データＫ（ｎ）に基づいて、ゲームにおけるキャラクタの状態を示す調子データＣ（ｎ）を算出する処理が、制御部１により実行される。 - 特許庁

The n-channel MISFET Qn2 and n-channel MISFET Qn3 are arranged adjacently to each other and electrically connected in series.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ２およびｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ３は隣接して配置し、電気的には直列に接続された構造とする。 - 特許庁

An epitaxial layer 3 has an N-type region 4 formed at its base portion, and a P-type body region 5 is formed to be in contact with the N^--type region 4.例文帳に追加

エピタキシャル層３には、その基層部にＮ^-型領域４が形成され、Ｐ型のボディ領域５がＮ^-型領域４に接して形成されている。 - 特許庁

Therefore, an arbitrary frequency division ratio (N/M) can be obtained by varying the values N and M and fluctuations in frequency-divided clock interval is reduced to less than one reference clock.例文帳に追加

従って、Ｎ、Ｍの値を変えることにより任意の分周比（Ｎ／Ｍ）を得ることができ、分周クロック間隔のゆらぎも１基準クロック未満にできる。 - 特許庁

An analog switch 3 where n n-channel MOS transistors T1 and T2 are connected in parallel is connected to the signal input side of each data bus line 32.例文帳に追加

各データバス線３２の信号入力側に、ｎ個のｎチャネルＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２を並列に接続した構成のアナログスイッチ３を接続する。 - 特許庁

The drug delivery agent and the cationic resin-gene conjugate have N-acetylglucosamines respectively, and each of them is formed by binding the protein in the cells to the N-acetylglucosamine.例文帳に追加

薬物輸送剤、カチオン性樹脂遺伝子複合体は、Ｎ−アセチルグルコサミン類を有し、それへこの細胞中の該タンパク質が結合するものである。 - 特許庁

Moreover, when the "n" satisfies 0<n≤0.5, hydrogen storage capacity becomes larger than that of CaSi and the absorption or desorption of hydrogen at a temperature lower than in the case of CaSi is made possible.例文帳に追加

また、ｎの範囲が０＜ｎ≦０．５であれば、ＣａＳｉよりも水素吸蔵量が大きく、ＣａＳｉよりも低温での水素の吸蔵・放出が可能となる。 - 特許庁

A RAID management part 2031 in a control part 203 performs data writing to generate parity data as an n-th data item every time when n-1 data items are written.例文帳に追加

制御部２０３のＲＡＩＤ管理部２０３１は、ｎ−１個のデータを書き込む毎にパリティデータを生成してｎ個目のデータとする書き込みを実行する。 - 特許庁

A standard cell CL is provided in an n-type well 2n, and has a p^+-type diffusion layer 3p and an n^+-type diffusion layer 4n covered with a metal silicide film.例文帳に追加

スタンダードセルＣＬは、ｎ型ウエル２ｎに設けられ、金属シリサイド膜で覆われたｐ^＋型拡散層３ｐおよびｎ^＋型拡散層４ｎを有している。 - 特許庁

Barrier height of the silicide 26 formed in the NMIS region 130 and n-type silicon is lower than the barrier height of Ni silicide and the n-type silicon.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域１３０において形成されるシリサイド２６とＮ型シリコンとのバリアハイトはＮｉシリサイドとＮ型シリコンとのバリアハイトより低い。 - 特許庁

Consequently, intermittent operation where the switch element turns on N times continuously (N is an appropriate positive integer) and then stops is performed in the case of light loading.例文帳に追加

これにより、負荷が軽負荷である場合に、スイッチ素子が連続してＮ回（Ｎは適当な正整数値）だけターンオンして休止する間欠動作となる。 - 特許庁

The pitch b between two pole teeth positioned on both sides of the boundary B of two adjacent angle ranges is set in the range of (360°/n)<b<(450°/n).例文帳に追加

隣接する２つの角度範囲の境界Ｂの両側に位置する２つの極歯間のピッチｂを、（３６０°／ｎ）＜ｂ＜（４５０°／ｎ）の範囲内の値とする。 - 特許庁

A pixel 110-1 in a j-th row of a liquid crystal panel includes an N-channel TFT 117N for reset and an N-channel TFT 116N for writing.例文帳に追加

液晶パネルのｊ番目の列において、画素１１０−１は、リセット用のＮチャネルＴＦＴ１１７Ｎと書き込み用のＮチャネルＴＦＴ１１６Ｎを備える。 - 特許庁

The server 10-2 monitors the server 10-1, the server 10-3 monitors the server 10-2, the server 10-1 monitor the server 10-n and so on, so that the servers monitor one another in a loop.例文帳に追加

サーバ10-2はサーバ10-1を監視し、サーバ10-3はサーバ10-2を監視、サーバ10-1はサーバ10-nを監視、という様に、サーバ同士が互いを円環状に監視し合う。 - 特許庁

In addition, the acoustic processing apparatus calculates fundamental sound level L_b(n) and harmonic wave level L_N(n) of the input regenerative signal and a convolution signal of an input audio characteristic.例文帳に追加

そして、入力再生信号と、入力音響特性の畳み込み信号について、基音レベルＬ_ｂ(ｎ)と高調波レベルＬ_Ｎ(ｎ)を算出する。 - 特許庁

A plurality of rear-face electrodes PAD, which are arranged in a matrix form of m rows and n columns (m and n respectively are an integer), are formed on the rear face of the semiconductor device 100.例文帳に追加

半導体装置１００の裏面には、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは整数）のマトリクス状に配置された複数の裏面電極ＰＡＤが形成される。 - 特許庁

In a silicon substrate 11 having a drift area, an N---t type well 111 and an N--type well 112 having a higher well concentration than the well 111 has are arranged.例文帳に追加

ドリフト領域を有するシリコン基板１１は、ウェル濃度が異なり、Ｎ^--型ウェル１１１、それより高濃度のＮ^- 型ウェル１１２を配している。 - 特許庁

Interference elimination is performed in which a signal of one system of transmission signals of N systems is canceled as an interference signal, and is treated as an N-1 signal.例文帳に追加

Ｎ系統の送信信号の一系統の信号を干渉信号としてキャンセルし、Ｎ−１系統の信号と処理する干渉除去を行う。 - 特許庁

A deletion library is provided for each kind of analysis and first to N-th (N is an integer of 2 or more) items to be deleted are stored in each deletion library.例文帳に追加

解析の種類毎に削除ライブラリが備えられ、各削除ライブラリには、第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の削除項目が格納されている。 - 特許庁

When M-bit (8 bits=1 byte) data is written to the phase change memory, an erasing operation and a program operation are performed in units of n-bit (M>n) data.例文帳に追加

相変化メモリにおいて、Ｍビット（８ビット＝１バイト）のデータの書き込みを行う際には、ｎビット（Ｍ＞ｎ）のデータの単位で消去動作とプログラム動作を行う。 - 特許庁

That is, the n^+-type exudated region 38 is formed by thermally diffusing an n-type impurity implanted in an emitter leading electrode made of a polysilicon.例文帳に追加

つまり、Ｎ＋型の浸み出し領域３８はポリシリコンから成るエミッタ取り出し電極に注入されたＮ型の不純物を熱拡散し形成する。 - 特許庁

The plurality of printers P are connected to each other with the network N and the backup data of each printer P is periodically or occasionally stored in another printer through the network N.例文帳に追加

複数のプリンタＰをネットワークＮで接続し、各プリンタＰのバックアップデータを定期的にあるいは随時上記ネットワークＮを介して他のプリンタに保存する。 - 特許庁

Since the source electrode 6 is in ohmic contact with the buffer layer 2, the buffer layer 2 made of an n-GaN layer can be made to have the same potential as the source electrode 6.例文帳に追加

ソース電極６がバッファ層２とオーミック接触しているので、n-GaN層から成るバッファ層２をソース電極６と同電位にすることができる。 - 特許庁

Each of DL units 91-1 to 91-n acquires a pixel value of each of (n) pixels arranged around a pixel of interest in a movement vector direction (lateral direction).例文帳に追加

DL部９１−１乃至９１−ｎは、注目画素を中心に移動ベクトル方向（以下横方向）に並ぶｎ個の画素の各画素値を取得する。 - 特許庁

A robot control part 70 incorporated in the apparatus 10 calculates positions of two side faces N1 of the nut N based on the calculated rotation position of the nut N.例文帳に追加

そして、当該装置１０が備えるロボット制御部７０によって得られたナットＮの回転位置よりナットＮの二つの側面Ｎ１の位置を算出する。 - 特許庁

The element has a SiC substrate 1A in which an n^- type drift region 2 is formed between a p^+ type source region 4 and an n^+ type drain region 1.例文帳に追加

ｐ^＋形ソース領域４とｎ^＋形ドレイン領域１との間にｎ^−形ドリフト領域２が形成されたＳｉＣ基板１Ａを備える。 - 特許庁

Pixels 94 are divided into n-pieces (n is an integer of 3 or larger) of sub-pixels of which each differs in size and can also be selected and driven simultaneously.例文帳に追加

画素９４をｎ個（ｎは３以上の整数）の、夫々大きさが異なると共に、夫々が同時に選択駆動されるサブ画素に分割する。 - 特許庁

The A/D converting device 23 performs A/D conversions (n) times in time of one sampling cycle to digitize wholly (n) pieces of inputted audio signals.例文帳に追加

ＡＤ変換装置２３は、１サンプリング周期の時間内にｎ回ＡＤ変換することにより、入力されたｎ個のオーディオ信号を全てデジタル化する。 - 特許庁

The timeout time measured in a timeout measurement step S21 is a time of the message length of the simple ID plus ΔT÷8×N (N=1 to 8).例文帳に追加

Ｓ２１のタイムアウト測定ステップで計測を行うタイムアウト時間は、簡易ＩＤの電文長の時間に、ΔＴ÷８×Ｎ（Ｎ＝１〜８）を加えた時間となる。 - 特許庁

The second ultrasonic signal is received, under-sampling of N (N is 2 or larger natural number) signals is performed in a prescribed cycle having different phases from one another, and addition is performed.例文帳に追加

第２超音波信号を受信して、互いに異なる位相を有する所定周期で、Ｎ個（Ｎは２以上の自然数）アンダーサンプリングした後に加算する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 34, an n-type amorphous silicon layer 35 and an n-side electrode 36 are buried in the groove 42 one by one, and a photosensitive element array is formed.例文帳に追加

この溝４２に、ｉ型アモルファスシリコン層３４、ｎ型アモルファスシリコン層３５及びｎ側電極３６を順次埋め込んで、受光素子アレイを形成する。 - 特許庁

When a required dot pitch in the subscanning direction is r and a pitch of scanning lines is R, multiple exposure frequency N is made to be N=(R/r)×m.例文帳に追加

副走査方向の必要なドットピッチがｒであるとき、走査線のピッチがＲであれば、多重露光回数Ｎを、Ｎ＝（Ｒ／ｒ）×ｍとする。 - 特許庁

In the formula H2N-R-(OCH2CH2)n-O-R'-NH2, R and R' represent 1-7C alkylene, and (n) represents 1-500 integer.例文帳に追加

Ｈ_2Ｎ−Ｒ−（ＯＣＨ_2ＣＨ_2）ｎ−Ｏ−Ｒ’−ＮＨ_2 （式中、Ｒ及びＲ’は炭素数が１〜７のアルキレン基であり、ｎは１〜５００の整数である。） - 特許庁

Only N sets of etching mask for forming a wiring connection region containing up to 2^N levels in the lamination part of connection level are required.例文帳に追加

接続レベルの積層部で２のＮ乗個のレベルまで含む配線接続領域を形成するためのＮ個のエッチングマスクの組だけが必要とされる。 - 特許庁

The bus slave 31-n has synchronizing means and speeding means, and the synchronizing means is connected to the bus to receive the data in synchronism with a third clock ΦCLK3.例文帳に追加

バススレーブ31-nは、同期化手段と高速化手段とを有し、同期化手段はバスに接続され第３クロックΦCLK3に同期してデータを受信する。 - 特許庁

An Au film is formed on one main surface of the n-type semiconductor substrate 51, and Au is diffused in the n-type semiconductor substrate 51 by a heat treatment.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板５１の一方の主面にＡｕ膜を形成し、熱処理によってＮ型半導体基板５１内にＡｕを拡散させる。 - 特許庁

To provide a method for producing a trialkali metal salt of β-alanine- N,N-diacetic acid in good yield by using an industrially readily available raw material.例文帳に追加

工業的に容易に入手可能な原料を用い収率の良いβ−アラニン−Ｎ,Ｎ−二酢酸三アルカリ金属塩の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the aluminum constituting the aluminum plate 1, the tensile strength is at least 300 N/mm2, and the bearing force is at least 280 N/mm2.例文帳に追加

さらに、前記アルミニウム薄板１を構成するアルミニウムは、引張強さが３００Ｎ／ｍｍ^2以上、かつ、耐力が２８０Ｎ／ｍｍ^2以上であること。 - 特許庁

The processor 6 is connected to the modules 3-1 to 3-n through the digital I/O part 4 in each transmitting and receiving module and a data bus 5.例文帳に追加

ビーム制御処理器６は、送受信モジュール3-1 〜3-n に対して各送受信モジュール内部のディジタルＩ／Ｏ部４及びデータバス５を介して接続されている。 - 特許庁