「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(53ページ目) - Weblio英語例文検索

GNDs are arranged at (N-1)-th and (N+1)-th pole numbers which become both ends of a critical signal S302 (high-speed signal, reset signal or the like) set at a N-th pole number in a flat cable array A.例文帳に追加

フラットケーブルＡ列内において、Ｎ番目の極数に配置されるクリティカルな信号Ｓ３０２（高速信号やリセット信号等）の両端となるＮ−１、Ｎ＋１番目の極数には、ＧＮＤを配列させる。 - 特許庁

When the total through-current is the same or lower than the current carrying capacity of the power line which supplies the supply current to the I/O cells (when NO is selected in S5), the number N of the I/O cells is let to be N=N+1, and return to S2.例文帳に追加

該合計貫通電流量が該Ｉ／Ｏセルに電源電流を供給する電源線の許容電流量以下の場合（Ｓ５でＮＯの場合）、該Ｉ／Ｏセルの個数ＮをＮ＝Ｎ＋１とし、Ｓ２に戻る。 - 特許庁

A digital information carrier includes a bit matrix V, that arranges elements b_m (m=0 to n-1) of a reference bit sequence B in a prespecified sequence length n arranged so as to be a matrix form, and the bit matrix V is linked to bit data.例文帳に追加

本発明に係るデジタル情報坦体は、予め規定される配列長nの参照用ビット配列Ｂの配列要素ｂ_m（ｍ＝０〜ｎ−１）を行列状に配置してなるビット行列Ｖを含む。 - 特許庁

A p well 5 is formed in an N-type semiconductor substrate 1, and N-type impurities for deciding the threshold voltage of a depression-type lateral MOSFET are introduced into the P well 5 so as to form an N-type region 6.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１にＰウェル５を形成し、当該Ｐウェル５にデプレッション型ラテラルＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧を決めるためのＮ型不純物を導入してＮ型領域６を形成する。 - 特許庁

The method for producing an N-alkylborazine of ≥99.9 mass% purity comprises a step for distillation purification of the N-alkylborazine and a step for filtering to remove compounds precipitated in the N-alkylborazine.例文帳に追加

Ｎ−アルキルボラジンを蒸留精製する段階と、Ｎ−アルキルボラジン中に析出した化合物を濾過により除去する段階とを含む、純度９９．９質量％以上のＮ−アルキルボラジンの製造方法である。 - 特許庁

On a silicon substrate 1 formed with an n^--type epitaxial layer 2 on the front surface, a channel region 14 having a p^--conductivity type and an n^+-region 18 having an n^+-conductivity type are stacked in this order.例文帳に追加

表面に導電型がＮ^−型のエピタキシャル層２が形成されたシリコン基板１上に、導電型がＰ^−型のチャネル領域１４および導電型がＮ^＋型のＮ^＋領域１８が積層された状態とされる。 - 特許庁

Then the female junction 21 of the existing pipe 15-n and a male junction 19 of a newly installed pipe 15-(n+1) are engaged, and the pile 15-(n+1) is disposed at the tail end 37 in the press-fitting direction of the casing pipe 1.例文帳に追加

次に、既設のパイル１５−ｎのメスジャンクション２１と新設するパイル１５−（ｎ＋１）のオスジャンクション１９を噛み合わせ、ケーシングパイプ１の圧入方向の最後尾３７にパイル１５−（ｎ＋１）を配置する。 - 特許庁

When the reader/writer transmits a command for detecting the IC card of a communication system (n) after the IC card of the communication system (n) is positioned in the communication area of the reader/writer, the IC card of the communication system (n) responds to the command.例文帳に追加

リーダライタの通信エリアに通信方式ｎのＩＣカードが位置してから、リーダライタが通信方式ｎのＩＣカードを検出するコマンドを送信したときは、通信方式ｎのＩＣカードが応答する。 - 特許庁

The N-doped n-type SiC epitaxial layer 102 and the P-doped n-type SiC epitaxial layer 103 are formed in epitaxial growth with the use of not less than two kinds of dopants, for instance, nitrogen and phosphorus.例文帳に追加

Ｎドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０２およびＰドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０３は、エピタキシャル成長時に２種類以上のドーパント、たとえば、窒素およびリンを用いることによって形成される。 - 特許庁

Furthermore, the aqueous composition is prepared by using an antimicrobial ingredient, at least any one of the N-alkylsulfonic acid-N'-alkyl derivative of the piperazine or the N-alkylsulfonic acid derivative of the morpholine and the refreshing ingredient in combination.例文帳に追加

抗菌成分と、ピペラジンのＮ−アルキルスルホン酸−Ｎ’−アルキル誘導体またはモルホリンのＮ−アルキルスルホン酸誘導体のいずれか少なくとも１方と清涼化成分とを併用して水性組成物を調製する。 - 特許庁

The N-oxyl compound is characteristically stabilized in vinyl compounds by adding the N-oxyl compound together with N-hydroxy-2,2,6,6- tetramehylpiperidine and 2,2,6,6-tetramethylpiperidine.例文帳に追加

ビニル化合物に、Ｎ−オキシル化合物と、Ｎ−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン化合物と、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン化合物とを共存させることを特徴とするビニル化合物中のＮ−オキシル化合物の安定化方法。 - 特許庁

With regard to the signal component, functions of an n^+ film, i.e., the hole blocking function and the electrode function, are separated to the n^+ film and a transparent conductive film, respectively, in order to make thin the n^+ film thus enhancing the incidence efficiency of light.例文帳に追加

また、信号成分においてはｎ^+膜の機能であるホールブロッキング機能と電極機能を、夫々、ｎ^+膜と透明導電膜に機能分離することにより、ｎ^+膜を薄膜化し、光入射効率を向上する。 - 特許庁

Conversion information N of a weighted finite state transducer WFST which generates information required for voice recognition being inputted to a recognition section that is incorporated in a voice recognition device is realized by N=opt(optHC*opt(L*G)).例文帳に追加

音声認識装置に内蔵される認識部に入力される音声認識に必要な情報を生成する重み付有限状態トランスデユーサＷＦＳＴの変換情報Nは、 Ｎ＝ｏｐｔ（ｏｐｔＨＣ＊ｏｐｔ（Ｌ＊Ｇ））によって実現されること。 - 特許庁

The drive control circuit uses one or more sensor outputs from among the (n) magnetic sensors, and generates (m-n) drive signals for the (m-n) phases of the electromagnetic coil groups in which the magnetic sensors are not mounted.例文帳に追加

また、駆動制御回路は、磁気センサが実装されていない（ｍ−ｎ）相の電磁コイル群のための（ｍ−ｎ）組の駆動信号を、ｎ個の磁気センサのセンサ出力のうちの１つ以上をそれぞれ用いて生成する。 - 特許庁

As a result, the range of the external magnetic fields where the regenerative signal of a carrier to noise ratio (C/N) of maximum C/N (db)-1 (dB) can be obtained in the C/N of the regenerative signals with respect to the external magnetic fields can be made to ≥150 (Oe).例文帳に追加

これにより、外部磁界に対する再生信号のＣ／Ｎにおいて最大Ｃ／Ｎ（ｄＢ）−１（ｄＢ）以上のＣ／Ｎの再生信号が得られる外部磁界の範囲を１５０（Ｏｅ）以上にすることができる。 - 特許庁

In the P-type well within the range sandwiched between the NMOS region and N-type well, an N-type cathode region is formed, which is separated from the NMOS region and N-type well and connected to the low-potential wiring.例文帳に追加

ＮＭＯＳ領域とＮ型ウェルに挟まれた範囲のＰ型ウェルには、ＮＭＯＳ領域とＮ型ウェルから分離されており、低電位配線に接続されているＮ型カソード領域が形成されている。 - 特許庁

In the reverse type amplifier employing an operational amplifier 1, the resistance ratio between a reverse input side resistance and negative feedback resistance is controlled by a digital signal of N bits (N≥2, N is an integer), using an R-2R resistor circuit.例文帳に追加

演算増幅器１を用いた反転型増幅器において、Ｒ−２Ｒ抵抗回路を用いて、反転入力側抵抗と負帰還抵抗の抵抗比をＮビット（Ｎ≧２：整数）のデジタル信号により制御する。 - 特許庁

Thinning process, in which dot recording is not carried out in a main scanning path of one time or more but less than N times, is executed when the dot recording is completed with respect to a main scanning line by the main scanning path of N times (N is an integer of 2 or more).例文帳に追加

Ｎ回（Ｎは２以上の整数）の前記主走査パスにより主走査ラインに対して前記ドット記録を完了する場合に、１回以上Ｎ回未満の主走査パスにおいてドット記録を行わない間引き処理を実行する。 - 特許庁

A common information recording part 150 makes (n) (n is defined as any integer existing within the range of (Y/X)-1<n<(Y/X)+1) pieces of IC cards irradiated with electromagnetic waves in order to record common information being common to the plural IC cards in Y minutes.例文帳に追加

共通情報記録部１５０は、複数のＩＣカードに共通の共通情報をＹ分で記録するために、ｎ（ｎは（Ｙ÷Ｘ）−１＜ｎ＜（Ｙ÷Ｘ）＋１の範囲にある何れかの整数）枚のＩＣカードに電磁波を照射する。 - 特許庁

When an engine start instruction is issued (YES in S60), differential torque ΔTE(n-1) calculated from torque TEP(n-1), TET(n-1) just before the start is held as the differential torque ΔTEn in the start (S70), and the differential torque is set as a torque assist amount Tmg (S80).例文帳に追加

エンジン始動指令時ならば（Ｓ６０肯定）、始動直前のトルクＴＥＰ(ｎ−１)，ＴＥＴ(ｎ−１)から算出した差分トルクΔＴＥ(ｎ−１)を、始動時の差分トルクΔＴＥｎとして保持し（Ｓ７０）、トルクアシスト量Ｔｍｇとする（Ｓ８０）。 - 特許庁

In the photodetection unit 10, M×N pixel portions P_1, 1 to P_M, N each including a photodiode generating electric charges by an amount corresponding to incident light intensity and a readout switch connected to the photodiode are arrayed two-dimensionally in M rows by N columns.例文帳に追加

受光部１０では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎが、Ｍ行Ｎ列に２次元配列されている。 - 特許庁

A selection transistor TR corresponding to the bit of address k in MB0 (k is any one of 0 to 2n-1) and a selection transistor TR corresponding to the bit of address k+n in MB1 (if k>n-1, address k-n) are simultaneously driven.例文帳に追加

ＭＢ０におけるアドレスｋ（ｋは０〜２ｎ−１のいずれか）のビットに対応する選択トランジスタＴＲと、ＭＢ１におけるアドレスｋ＋ｎ（ｋ＞ｎ−１の場合は、アドレスｋ−ｎ）のビットに対応する選択トランジスタＴＲは同時に駆動される。 - 特許庁

For controlling the potential of a neutral point N of a three-phase field winding provided in the motor 30 and a current flowing in the neutral point N to proper values, a converter 34 is connected between a positive-electrode terminal of the secondary battery 10 and the neutral point N.例文帳に追加

モータ３０が備える３相界磁巻線の中性点Ｎの電位、および中性点Ｎに流れる電流を適切な値に制御するため、二次電池１０の正極端子と中性点Ｎとの間にはコンバータ３４が接続される。 - 特許庁

To provide a technique for getting an enzymatic reaction product from a substrate by an enzymatic reaction in high yield, more particularly provide a process for easily producing a large amount of N-acetylmannosamine in high yield at a low cost.例文帳に追加

酵素反応により基質から酵素反応生成物を高収率で得るための技術に関し、詳しくはN-アセチルマンノサミンを高収率で且つ容易に大量・安価で生産することができるN-アセチルマンノサミンの製造法の提供を目的とする。 - 特許庁

The controller calculates a value obtained by adding 360 degrees to the difference between the resolver angle θ obtained in this cycle and the resolver angle θ[n] obtained before one resolver cycle as a resolver angle fluctuation amount Δθ[n] in the time difference ΔT[n].例文帳に追加

さらに、制御装置は、今回サイクルで取得されたレゾルバ角θと１レゾルバ周期前に取得されたレゾルバ角θ［ｎ］との差に３６０°を加えた値を、時間差ΔＴ［ｎ］におけるレゾルバ角変動量Δθ［ｎ］として算出する。 - 特許庁

The long glass fibers G are packed in the bag N, both of verse and reverse face of the bag N are sewed together with the glass long fibers G, the bag N is wound around the inner cylinder 3 so as to form a muffling material S1, and the muffling material S1 is inserted in the outer cylinder 5.例文帳に追加

ガラス長繊維Ｇを袋Ｎに詰め込み、上記袋Ｎの表裏両面をガラス長繊維Ｇと同時に縫製し、上記袋Ｎを内筒３に巻き付けて消音材Ｓ１とし、この消音材Ｓ１を外筒５内に挿入する。 - 特許庁

Contact trenches Tc are formed between gate trenches Tg in such a way that the side walls of the contact trenches Tc may be made into whole surface of an n^+-type source region 5 and an n^++-type source region 5a, and also the cutting plane in the plane direction of an n^+-type silicon substrate 2 may be made into a lozenge shape.例文帳に追加

コンタクトトレンチＴｃを、その側壁が全面ｎ^+型ソース領域５とｎ^++型ソース領域５ａになるようにするとともに、ｎ^+型シリコン基板２平面方向の切断面がひし形になるようにして、ゲートトレンチＴｇ間に形成する。 - 特許庁

M×N pieces of pixel parts P_1, 1 to P_M, N including a photodiode for generating the amount of electric charge depending on the intensity of incident light, and a switch for reading which is connected to the photodiode, respectively are two-dimensionally arrayed in the M row and N column in the light receiving part 10.例文帳に追加

受光部１０では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列されている。 - 特許庁

In switching elements 38, 42(k) in each of discharging circuits 33(1)-33(n) connected with cell groups 23(1)-23(n), divided voltages generated from output voltages of the corresponding cell groups 23(1)-23(n) are inputted as ON/OFF signals.例文帳に追加

セル群２３（１）〜２３（ｎ）に接続されている各放電回路３３（１）〜３３（ｎ）内のスイッチング素子３８，４２（ｋ）には、対応するセル群２３（１）〜２３（ｎ）の出力電圧から生成された分圧電圧がオン／オフ信号として入力される。 - 特許庁

In a step 240, it is discriminated whether the call with a speech opposite party is performed n times or more for a month, and when the speech is performed n times or more, the display device 50 displays 'This is the n-th call (e.g., 3rd call) with Mr. Doe, this month.' in a step 241.例文帳に追加

ステップ２４０で、通話相手との通話が、一ヶ月間で○回数以上であるか否かを判定し、○回数以上であるとき、ステップ２４１で、ディスプレイ５０に「○○さんとは今月○回目（例えば、３回目）の電話だよ」と表示させる。 - 特許庁

The magnetic heads 1-1, 1-2 are provided in the same number per track as the number of logical sectors n (n=2 in the case of Fig. 1), the write data is divided to n data and the magnetic heads 1-1, 1-2 simultaneously write the divided data to the logical sectors 9-1, 9-2.例文帳に追加

磁気ヘッド１−１，１−２をトラック当たり論理セクタ数ｎ（図１の場合ｎ＝２）と同数設け、書込データをｎ分割し、磁気ヘッド１−１，１−２は分割データを論理セクタ９−１，９−２に同時にそれぞれ書き込む。 - 特許庁

A rotation result storage section 3 stores in advance rotation results of an area comprising N×M pixels corresponding to a combination of values that can be taken by each area consisting of N×M pixels by each area consisting of N×M pixels in a block consisting of L×M pixels as values of M×L pixels.例文帳に追加

予め、回転結果記憶部３にＬ×Ｍ画素のブロック中のＮ×Ｍ画素の領域ごとに、取り得る値の組み合わせに対応してＮ×Ｍ画素の領域の回転結果をＭ×Ｌ画素の値として記憶させておく。 - 特許庁

In the ZnO semiconductor light emitting diode element 10, an i-type ZnO light emitting layer 2 and an n-type ZnO layer 3 are laminated in order on a sapphire substrate 1, and an n-type ITO transparent conductive film 4 is formed on the n-type ZnO layer 3.例文帳に追加

このＺｎＯ半導体発光ダイオード素子１０では、サファイア基板１上にｉ型ＺｎＯ発光層２、ｎ型ＺｎＯ層３が順に積層され、ｎ型ＺｎＯ層３上にｎ型のＩＴＯ透明導電膜４が形成されている。 - 特許庁

In the light-receiving portion 10, M×N pixel portions (P_1, 1-P_M, N) each including a photodiode for generating electric charge of an amount corresponding to an incident light strength and a reading switch connected to the photodiode are two-dimensionally arrayed in M rows and N columns.例文帳に追加

受光部１０では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎが、Ｍ行Ｎ列に２次元配列されている。 - 特許庁

The image sensor 101 has a fist line in which N (N is an integer of ≥2) number of the focus detection pixels S_1 and S_2 are arranged, and a second line in which M (M is a natural number of <N) number of focus detection pixels S_1 and S_2 are arranged.例文帳に追加

撮像素子１０１は、前記焦点検出用画素Ｓ_１、Ｓ_２がＮ個（Ｎは２以上の整数）配置された第１のラインと、焦点検出用画素Ｓ_１、Ｓ_２がＭ個（ＭはＮよりも小さい自然数）配置された第２のラインと、を有する。 - 特許庁

In the light receiving part 10, M×N pieces of pixel parts P_1,1-P_M,N respectively including a photodiode for generating the charges of an amount corresponding to incident light intensity and a switch for read connected with the photodiode are two-dimensionally arrayed in M rows and N columns.例文帳に追加

受光部１０では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,Ｎが、Ｍ行Ｎ列に２次元配列されている。 - 特許庁

Shifting the order of detected elements one by one in n detected elements at every neighboring n detected element alleys in an X-ray detector 24, detected signals for detected elements are collected as one group at every n-1 elements.例文帳に追加

Ｘ線検出器２４において隣り合うｎ個の検出素子列ごとに、それらｎ個の検出素子列において検出素子の順番を１つずつずらしながらｎ−１個おきの検出素子の検出信号を１群として収集する。 - 特許庁

An n well area 8 is formed on the p-type low density epitaxial growth layer 4, a p-channel MOS transistor and a p well area 10 are formed in the n well area 8 and an n-channel MOS transistor is formed in the p well area 10.例文帳に追加

Ｐ型低濃度エピタキシャル成長層４にＮウエル領域８が形成され、Ｎウエル領域８内にＰｃｈＭＯＳトランジスタとＰウエル領域１０が形成され、Ｐウエル領域１０内にＮｃｈＭＯＳトランジスタが形成されている。 - 特許庁

To detect the N-phase current of three-phase, four-wire alternating current power supply as N-phase voltage through a shunt resistor and detect the presence of short circuit or a break in a three-phase line using change in this N-phase voltage.例文帳に追加

本発明は、３相４線式交流電源のＮ相電流をシャント抵抗を介してＮ相電圧として検出し、このＮ相電圧の変化を用いて３相ラインの短絡又は断線の有無を検出することを目的とする。 - 特許庁

M×N pieces of pixel parts P_1,1 to P_M,N each including a photodiode for generating the amount of electric charge depending on the intensity of incident light, and a switch for reading which is connected to the photodiode, are two-dimensionally arrayed in the M row and N column in the light-receiving part 10.例文帳に追加

受光部１０では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列されている。 - 特許庁

To effectively utilize A/D converters at the time of one screen display, in a video signal processor which has the A/D converters of N lines in order to display video signals of at least N lines (N is integer of at least two) on one display device.例文帳に追加

Ｎ系統（Ｎは２以上の整数）以上の映像信号を１つの表示デバイスに表示するためにＮ系統のＡ／Ｄ変換器を有する映像信号処理装置において、１画面表示時にＡ／Ｄ変換器を有効に活用する。 - 特許庁

A start point and the thinning which (n) of respective points for detecting a pattern in X and Y directions are set up in a window frame (S1).例文帳に追加

窓枠内に開始点とＸ，Ｙ方向へパターン検出する各点の間引き幅ｎを設定（Ｓ１）。 - 特許庁

Positions and shapes of each object in a virtual n-dimensional space are recorded in a first recording part 8.例文帳に追加

第１の記録部８には、仮想ｎ次元空間における各オブジェクトの位置および形状が記録されている。 - 特許庁

In addition, a steel type reinforcing frame 15 to surround a reverse side of a strike plate N is fixed in the longitudinal frame 12.例文帳に追加

更に、ストライクプレートＮの背面周囲を囲むスチール型補強枠１５が縦枠１２内に固定されている。 - 特許庁

The P recording heads 33A, 33B are divided into N (two) groups in the sub-scanning direction (the vertical direction in Figure).例文帳に追加

Ｐ個の記録ヘッド３３Ａ，３３Ｂは副走査方向（同図の上下方向）にＮ個（２個）の群に分けられている。 - 特許庁