「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

In the pulser ring 3, N-poles, neutral zones Z1, S-poles, and neutral zones Z2 are repeatedly formed in this order.例文帳に追加

パルサリング3には、Ｎ極、ニュートラルゾーンZ1、Ｓ極およびニュートラルゾーンZ2がこの順で繰り返し形成されている。 - 特許庁

Since the electric discharge occurs in the electrification nip part N in the above-mentioned manner, the electrification width is increased.例文帳に追加

このように、帯電ニップ部Ｎ内で放電が発生するので、帯電が行われる幅を広く取ることができる。 - 特許庁

[2] In the method of manufacturing described in [1], the group III-V compound semiconductor is n-type or p-type.例文帳に追加

〔２〕３−５族化合物半導体が、ｎ型またはｐ型であることを特徴とする上記〔１〕の製造方法。 - 特許庁

To prevent external diffusion in drive-in diffusion of impurities added for isolation region formation of a P-N junction.例文帳に追加

ＰＮ接合の分離領域形成用に添加された不純物のドライブイン拡散での外方拡散を防止する。 - 特許庁

Variable gain circuits 2, 3, 4 in this gain control circuit are connected in cascade from the 1st stage to the n-th stage.例文帳に追加

一定の制御幅を有する可変利得回路２，３，４を、第１段から第ｎ段まで縦続接続する。 - 特許庁

To increase efficiency in receiving light; and to improve S/N ratio, in a ring sensor which optically detects a pulse wave.例文帳に追加

光学的に脈波を検出するリングセンサにおいて、受光効率を高め、かつＳＮ比の向上を図る。 - 特許庁

In general, P DDR-SDRAM chips running at a 1.5 clock rate are used to store the frame data in N frames.例文帳に追加

一般的に、１．５クロック速度で作動するＰ個のＤＤＲ−ＳＤＲＡＭチップは、Ｎフレーム中に保存される。 - 特許庁

(n) Lung cancer or cancer in the upper respiratory organs due to jobs in the chromate or bichromate manufacturing process 例文帳に追加

１４　クロム酸塩又は重クロム酸塩を製造する工程における業務による肺がん又は上気道のがん - 日本法令外国語訳データベースシステム

In a step 210, the integrated result is stored in the n-th area of a RAM which corresponds to the block number.例文帳に追加

ステップ２１０では、その結果をブロックの番号に対応したＲＡＭ２７のｎ番目の領域に記憶する。 - 特許庁

The tank bottom 6 in the rear side from the sludge pit 5 is formed in a down-grade (n) toward the sludge pit 5.例文帳に追加

このスラッジピット５よりも後方の槽体底面６は、該スラッジピット５に向って下り勾配ｎとなっている。 - 特許庁

To reduce a noise in ambient temperature variation, while securing an S/N ratio, in a β-ray detector.例文帳に追加

β線検出器において、Ｓ／Ｎ比を確保しつつ、環境温度変動におけるノイズを低減することである。 - 特許庁

In other words, the ringer noise at the time of ringing the telephone set causes deterioration of the S/N in the ADSL line.例文帳に追加

換言すると、電話機をリンガする際のリンガノイズは、ＡＤＳＬ回線でのＳ／Ｎの悪化を引き起こす。 - 特許庁

To choose information to be contained in a code in copying originals containing codes with an N-UP mode setting.例文帳に追加

コードを含んだ原稿をＮ−ＵＰ設定でコピーするにあたり、コードに含ませる情報を取捨選択する。 - 特許庁

The n pieces of dispersion keys are stored in dispersion key storages 103a-103i in association with browsing authority information, respectively.例文帳に追加

ｎ個の分散鍵はそれぞれ閲覧権限情報に関連付けて分散鍵記憶部１０３ａ，…に記憶される。 - 特許庁

To provide a method for producing N-(meth) acryloyloxyethylacrylamide in high yield, with high purity and in high productivity.例文帳に追加

高収率、高純度、高生産性にＮ-（メタ）アクリロイルオキシエチルアクリルアミド類を製造する方法を提供する。 - 特許庁

When cleaning is finished, n+1 is written in the cleaning card as the number of times of performing of cleaning in S8.例文帳に追加

クリーニングが終了したら、Ｓ８においてクリーニングカードにクリーニングの実施回数としてｎ＋１を書込む。 - 特許庁

An intraocular pressure is measured in a step S1, and whether or not the intraocular pressure measurements have been completed by N times is decided in a step S2.例文帳に追加

ステップＳ１で眼圧測定を行い、ステップＳ２でＮ回の眼圧測定が終了しているかを判断する。 - 特許庁

The corrected N domain scores Ad_2/2 are registered in the morpheme dictionary with scores 140 in association with the fundamental words.例文帳に追加

補正後のＮ個のドメインスコアＡｄ_２／２は、基本語と関連付けてスコア付形態素辞書１４０に登録される。 - 特許庁

To restrain a step of S/N and turning artifact in a contour part of a subject in a parallel imaging method.例文帳に追加

パラレルイメージング法において、Ｓ／Ｎの段差や被検体の輪郭部における折り返しアーチファクトを抑制する。 - 特許庁

Furthermore, a P electrode 21 is in contact with the conductor pattern 2a and an N electrode 22 is in contact with the conductor pattern 2b.例文帳に追加

Ｐ電極２１は導体パターン２ａに接触し、Ｎ電極２２は導体パターン２ｂに接触している。 - 特許庁

The n-side electrode is provided outside the p-side electrode and in the periphery of the p-side electrode in a planar view.例文帳に追加

ｎ側電極は、平面視においてｐ側電極よりも外側でｐ側電極の周りに設けられている。 - 特許庁

In the oily substance for use, at least one kind of N, P, S and Sn atoms is contained in an molecule.例文帳に追加

前記オイル状物質が分子中にＮ、Ｐ、Ｓ、Ｓn原子を少なくとも１種以上有するものを使用する。 - 特許庁

The sum (Q_1+Q_2+Q_3+Q_4) is equal to a predicted value SL(t_kk) of accumulated load, in the case J=1, while the sum gives a compressor usage- amount C(t_kk), in the case of N=N_min.例文帳に追加

和（Ｑ_1＋Ｑ_2＋Ｑ_3＋Ｑ_4）は、Ｊ＝１とした場合の積算負荷予測値Ｓ_L（ｔ_kk）に等しい。 - 特許庁

To execute sound pickup with a high S/N ratio without damaging frequency characteristics even in a state in which a sound source moves.例文帳に追加

音源が移動する状況でも、周波数特性を損ねることなく高いＳ／Ｎ比で収音を行う。 - 特許庁

A specific aromatic boron compound is reacted with a specific halogen compound, etc., in the presence of a base, using a catalyst composition comprising a complex of nickel chloride and N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine and triphenylphosphine in an ether solvent by adding 0.5-3 times mol of water based on the aromatic boron compound.例文帳に追加

塩基の存在下、塩化ニッケルとＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンとの錯体及びトリフェニルホスフィンからなる触媒組成物を用い、エーテル系溶媒中で、特定の芳香族ホウ素化合物と特定のハロゲン化合物等とを、芳香族ホウ素化合物に対し０．５〜３倍モル量の水を添加して反応させる。 - 特許庁

To provide a method for producing a tris (N,N-diarylamino) triphenylamine compound by reacting a tri (halogenated aryl) amine compound with a secondary arylamine compound, by which the tris (N,N-diarylamino) triphenylamine compound can be obtained in a high purity in a good yield without decomposing the secondary arylamine compound and thereby without producing by-products.例文帳に追加

トリ（ハロゲン化アリール）アミン類と第２級アリールアミン類との反応によって、トリス（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）トリフェニルアミン類を製造する方法において、第２級アリールアミン類の分解なく、従って、副生物の生成を抑え、収率よく、目的とするトリス（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）トリフェニルアミン類を高純度にて得る方法を提供する。 - 特許庁

The method of producing a N-substituted imidazole compound includes causing a N-unsubstituted imidazole compound and an alkylating agent to react with each other in the presence of a solvent having a boiling point at an atmospheric pressure in a temperature range of ±30°C relative to the boiling point at an atmospheric pressure of the N-unsubstituted imidazole compound, and subsequently distilling the resulting reaction mixture to fractionate the N-substituted imidazole compound.例文帳に追加

Ｎ−無置換イミダゾール系化合物とアルキル化剤とを、常圧での沸点がＮ−無置換イミダゾール系化合物の常圧での沸点に対して±３０℃の温度範囲内である溶媒の存在下で、反応させた後、得られた反応混合物を蒸留することによりＮ−置換イミダゾール系化合物を分留する。 - 特許庁

The DC power feeding path is provided with a neutral wire N which is connected and used in common with a neutral wire N in the AC power feeding path of the AC-DC converter 21, a positive voltage wire L+ having a positive electric potential with respect to the potential of the neutral wire N, and a negative voltage wire L- having a negative electric potential with respect to the potential of the neutral wire N.例文帳に追加

直流給電路は、ＡＣ−ＤＣ変換器２１の内部で交流給電路の中性線Ｎと共通に接続された中性線Ｎと、中性線Ｎの電位に対して正電位である正電圧線Ｌ＋と、中性線Ｎの電位に対して負電位である負電圧線Ｌ−とを備える。 - 特許庁

Crude N,N-dimethylaniline (for example, a reaction solution obtained by reacting a formaldehyde derivative with aniline in the presence of a reduction catalyst and hydrogen) containing formaldehyde and N,N-dimethylcyclohexylamine as impurities is heat-treated at ≥180°C and subjected to a nucleus hydrogenation reaction in the presence of a reduction catalyst and hydrogen.例文帳に追加

不純物としてホルムアルデヒド及びＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンを含有する粗製Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン（例えば、ホルムアルデヒド誘導体とアニリンを還元触媒及び水素存在下で反応させて得られる反応液）を、１８０℃以上の温度で加熱処理した後、還元触媒、及び水素の存在下で核水添反応する。 - 特許庁

A method for optimizing glycan processing in a cell or a living tissue of especially a plant containing a glycoprotein having N-glycan, thereby producing a glycoprotein having a complex type double-stranded N-glycan, containing a galactose residue on at least one arm and devoid of (or decreased in) xylose and fucose residues is provided.例文帳に追加

本発明は、N-グリカンをもつ糖タンパク質を含む細胞または生体組織特に植物のグリカンプロセシングを最適化し、もって複合型の2本鎖N-グリカンをもち、また少なくとも1本のアーム上にガラクトース残基を含み、かつキシロースおよびフコース残基を欠く(または少なくした)糖タンパク質が得られるようにする方法に関する。 - 特許庁

The control unit is characterized in to include first to N-th control signal generating sections for respectively generating the first to N-th control signals in response to prescribed first to N-th input signals and first to N-th shift turn-on signals.例文帳に追加

前記制御部は、前記第１乃至第Ｎの単位遅延セルに対応し、所定の第１乃至第Ｎの入力信号及び第１乃至第Ｎのシフトターンオン信号に応答して前記第１乃至第Ｎの制御信号を各々発する第１乃至第Ｎの制御信号発生部を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Optical signals in N channels (N is an integer 2 or greater), each having a specified bit rate per channel, are demultiplexed in time division to ultrahigh speed optical signals having a bit rate f, which are then inputted to a timing extraction system to output a timing clock at a frequency f/k (k is a natural number) which is synchronized with the ultrahigh speed signal.例文帳に追加

タイミング抽出系は、各チャネルごとに所定のビットレートを有するNチャネル（Nは2以上の整数）の光信号を時分割多重分離してビットレートｆとなった超高速光信号を入力し、その超高速光信号に同期した周波数ｆ／ｋ（ｋは自然数）のタイミングクロックを出力する。 - 特許庁

The reset MOS transistor 52 is provided with a gate structure 10, the N-type impurity introduction region 20 formed in the upper surface of a P well 4, an N^+-type impurity introduction region 11d formed in the upper surface of the N-type impurity introduction region 20, and an N^+-type impurity introduction region 11s.例文帳に追加

リセットＭＯＳトランジスタ５２は、ゲート構造１０と、Ｐウェル４の上面内に形成されたＮ型不純物導入領域２０と、Ｎ型不純物導入領域２０の上面内に形成されたＮ^+型不純物導入領域１１ｄと、Ｎ^+型不純物導入領域１１ｓとを備えている。 - 特許庁

SIR(n) by slot is calculated from the average value of the desired wave power of the plurality of slots and the measurement value of interference wave power of each slot in an SIR measuring circuit 108, SIR(n) of each slot is compared with a threshold in a TPC generating circuit 109 and transmission power control information is created.例文帳に追加

ＳＩＲ測定回路１０８にて、複数スロットの所望波電力の平均値と各スロットの干渉波電力の測定値から各スロットのＳＩＲ(n)を算出し、ＴＰＣ生成回路１０９にて、各スロットのＳＩＲ(n)と閾値との比較を行い、送信電力制御情報を生成する。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition which forms an n-type diffusion layer at a specific part in a short time without forming an unnecessary n-type diffusion layer in the manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a method of forming an n-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく、短時間で特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

In an SIR measuring circuit 108, an SIR(n) of each slot is calculated from the average value of the desired wave powers of the plurality of slots and measured values of interference wave powers of the slots and in a TPC generating circuit 109, the SIR(n) of each slot is compared with a threshold to generate transmission power control information.例文帳に追加

ＳＩＲ測定回路１０８にて、複数スロットの所望波電力の平均値と各スロットの干渉波電力の測定値から各スロットのＳＩＲ(n)を算出し、ＴＰＣ生成回路１０９にて、各スロットのＳＩＲ(n)と閾値との比較を行い、送信電力制御情報を生成する。 - 特許庁

The CMOSN-type substrate diode for temperature sensor (50) is provided with an n-type substrate (51), a p-type well layer (52) formed in the n-type substrate, an n-type high concentration layer (53) formed in the p-type layer and a p^+-diffusion layer (57) formed near a surface of the n-type high concentration layer.例文帳に追加

温度センサ用ＣＭＯＳＮ型基板ダイオード（５０）は、Ｎ型基板（５１）と、このＮ型基板内に形成されたＰｗｅｌｌ層（５２）と、このＰｗｅｌｌ層内に形成されたＮ型高濃度層（５３）と、このＮ型高濃度層の表面近傍に形成されたｐ^＋拡散層（５７）とを有する。 - 特許庁

The frequency of a higher harmonic in a clock signal for operating a demodulator is set within the frequency band of broadcasting signals of n and (n+1) channels, and the frequency band for allowing the signal to be attenuated by a roll-off filter in the apparatus for transmitting the broadcasting signals of the n and (n+1) channels.例文帳に追加

復調部を動作させるためのクロック信号の高調波の周波数が、ｎおよび（ｎ＋１）チャンネルの放送信号の周波数帯域内であって、ｎおよび（ｎ＋１）チャンネルの放送信号を送信する機器内のロールオフフィルタにより信号が減衰する周波数帯域内に設定される。 - 特許庁

In the power semiconductor device as an IEGT, a p-type collector layer 13, an n-type buffer layer 14 and a n-type base layer 15 are formed on a collector electrode in this order, and a main cell 21 and a dummy cell 22 are alternately provided on an upper surface of the n-type base layer 15 along a direction parallel to the n-type base layer 15.例文帳に追加

ＩＥＧＴである電力用半導体装置において、コレクタ電極上にｐ型コレクタ層１３、ｎ型バッファー層１４、ｎ型ベース層１５をこの順に設け、ｎ型ベース層１５上に、ｎ型ベース層１５の上面に平行な方向に沿ってメインセル２１及びダミーセル２２を交互に設ける。 - 特許庁

To solve the problems of troubles wherein it has to be confirmed in advance that the respective current values of m×n are equal to each another within a tolerance and that, when they are not within the tolerance, each value has to be measured for correcting so that irradiated amount becomes uniform in a lithographic unit or an inspecting unit, using an m×n matrix form electron beam generator.例文帳に追加

m×nのマトリックス状電子ビーム発生装置を用いた描画装置、または、検査装置では、m×nの個々の電流値が許容値内で等しい事をあらかじめ確認しておくか、等しくない場合はそれぞれの値を計り、照射量が均一になるように補正しなければならない。 - 特許庁

After p-type impurities have diffused from one main surface of a pair of main surfaces of an n-type substrate 1 and a p-n junction is formed, mesa-type grooves 5 are formed in the n-type substrate 1 so as to expose the p-n junction in prescribed regions, and glass films 7 are applied to the mesa-type groove 5.例文帳に追加

一対の主表面を有するｎ型基板１の一方の主表面からｐ型の不純物を拡散してｐｎ接合を形成した後に、一方の主表面から所定の領域にｐｎ接合が露出するようにｎ型基板１にメサ型の溝５を設け、このメサ型の溝５にガラス被膜７を形成する。 - 特許庁

First to M+N-th delay parts 32-38 delay input data DA by the mutually different M+N (in this case, M and N are respectively an integer ≥2) pieces of time and output the delayed data one by one with the time difference of T/M+N (in this case, T is time required for shifting the level of output data).例文帳に追加

第１〜第Ｍ＋Ｎ遅延部32〜38は、入力データDAを相異なるＭ＋Ｎ（ここで、Ｍ及びＮの各々は２以上の整数）個の時間だけ遅延させ、遅延されたデータをＴ／Ｍ＋Ｎ（ここで、Ｔは出力データのレベルが転移されるために必要な時間である）の時間差をおいて一つずつ出力する。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition excellent in dispersion stability, capable of forming an n-type diffusion layer at a specific portion without forming an unnecessary n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell using a crystalline silicon substrate; a method for manufacturing an n-type diffusion layer; and a method for manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成可能で、分散安定性に優れるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer in a desired form at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を、所望の形状に形成可能であるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

In the case where an image of an (n-1)th frame in the input image signal is approximately identical to an image of an n-th frame, interpolation image generation processing is performed between the n-th frame and an (n+1)th frame while reducing motion compensation strength of motion compensation processing, thereby preventing an interpolation image containing much error from being output.例文帳に追加

入力画像信号におけるｎ−１フレーム目の画像とｎフレーム目の画像とが略同一であった場合、ｎフレーム目とｎ＋１フレーム目との間に対しては、動き補償処理の動き補償強度を低減した内挿画像生成処理を行うことで、エラーを多く含む内挿画像が出力されることを防ぐ。 - 特許庁