「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

The basic buffer circuit 14 contains a P well 21, an N well 22, an Nch transistor MN1 fitted in the P well 21 and a Pch transistor MP1 fitted in the N well 22.例文帳に追加

基本バッファ回路１４は、Ｐウェル２１と、Ｎウェル２２と、Ｐウェル２１の中に設けられたＮｃｈトランジスタＭＮ１と、Ｎウェル２２の中に設けられたＰｃｈトランジスタＭＰ１と、を含む。 - 特許庁

A plurality of nozzles n on the end side of the second nozzle array 81B and a plurality of nozzles n on the end side of the fourth nozzle array 82B are arranged in the same position in the array direction Y.例文帳に追加

第二ノズル列８１Ｂの端部側の複数のノズルｎと、第四ノズル列８２Ｂの端部側の複数のノズルｎとが配列方向Ｙにおいて同じ位置に配されている。 - 特許庁

Or the composite oxide in which the value of the amount of absorption of N-methylpyrolidone is 20-50 ml/100g, or the value of the amount of water absorption is 20-50 ml/100g, is used in a method conforming to the evaluation method.例文帳に追加

あるいは、同法に準拠した方法で、N-メチルピロリドン吸収量値が２０〜５０ｍｌ／１００ｇ、もしくは水給収量値が２０〜５０ｍｌ／１００ｇの物を用いる。 - 特許庁

Then, the presence/absence of opening/closing (blinks) of the eyes in the predetermined number n (for example, n=26 frames) of frames stored in an EEPROM 119 or calculated by a calculation is discriminated.例文帳に追加

そして、ＥＥＰＲＯＭ１１９に記憶された、あるいは計算によって求められた所定フレーム数ｎ（例えばｎ＝２６フレーム）における目の開閉（まばたき）の有無を判別する。 - 特許庁

In the high-speed cell 101, a sector (n) and a sector n+1 are arranged so that the traveling directions (departing or approaching) of the mobile in the cell coincide, and overlapping is provided for handover.例文帳に追加

高速セル１０１においては、セクタｎとセクタｎ＋１とがセル内の移動機の移動方向（遠ざかるか、近づくか）が一致するように配置され、ハンドオーバのためにオーバラップを設けている。 - 特許庁

To produce a steel sheet having a soft structure in the shipping stage of a steel maker, and in which tensile strength(TS) is controlled to ≥1800 N/mm2 and tensile strength(TS)×elongation(El) is controlled to ≥1.8×104 N/mm2.% by heat treatment after working at a customer.例文帳に追加

鉄鋼メーカの出荷段階では軟質な組織とし、客先での加工後の熱処理により、引張強度(TS)：1800N/mm^2 以上で、引張強度(TS)×伸び(El)＝1.8 ×10^4N/mm^2・％以上とする。 - 特許庁

Target acceleration map 31-0(GMAP0), 31-1(GMAP1), 31-n(GMAPn) indicating change characteristics of target acceleration tG in relation to vehicle speed VSP with setting accelerator opening APO are prepared beforehand for each vehicle speed at a time of stepping in.例文帳に追加

アクセル開度APOをパラメータとし、車速VSPに対する目標加速度tGの変化特性を表した目標加速度マップ31−0（GMAP0）,31−1（GMAP1）,31−n（GMAPn）を、踏み込み時車速VSPfごとに予め用意しておく。 - 特許庁

To supply a light-emitting diode, in which there is no thyristor malfunction, that is, any p-n-p-n junction is not generated near a composition boundary, with a yield higher than in the conventional manner.例文帳に追加

サイリスタ不良が発生しない、すなわち組成界面付近でｐ−ｎ−ｐ−ｎ接合が発生しない発光ダイオードを、従来よりも高歩留りで供給可能にすること。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a base layer portion of an epitaxial layer 3 is formed as an N^- type region 4, and a body region 5 of a P-type contacted with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^−型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

High-speed flow arithmetic processing sections 2-1 to 2-n connected in parallel are circuits that exclusively apply arithmetic processing to a high-speed flow and can process the flow in a minimum packet transmission time.例文帳に追加

複数の並列接続された高速フロー用演算処理部2-1〜2-n は一つの高速フローを専用に演算処理する回路であり、最小パケットの伝送時間で処理が可能である。 - 特許庁

Then, whether or not a difference between the N interval value of a first time stored in the register A and the N interval value of a second time stored in the register B is within an allowable range is discriminated (step SA8).例文帳に追加

次に、レジスタＡに格納された１回目のＮインターバル値とレジスタＢに格納された２回目のＮインターバル値との差が、許容範囲内か否かを判別する（ステップＳＡ８）。 - 特許庁

A p-type well PW is formed with common use of an n-channel low voltage resistance MIS in a low voltage resistance MIS region, and a well of an n-channel low voltage resistance MIS in an intermediate voltage resistance MIS region.例文帳に追加

低耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の低耐圧ＭＩＳと中耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の低耐圧ＭＩＳのウエルを共用化し、Ｐ型ウエルＰＷとする。 - 特許庁

The Fin FET diode structure is formed by driving a P+dopant in a primary side of a diffused fin and an N+dopant in a secondary side to give a P+N+diode structure.例文帳に追加

Ｆｉｎ ＦＥＴダイオード構造は、拡散フィンの第１側にＰ＋ドーパントを、第２側にＮ＋ドーパントを打ち込んで、Ｐ＋Ｎ＋ダイオード構造を与えることによって形成される。 - 特許庁

After forming a trench 2a which becomes a first trench in the front surface of an n^+ substrate 1, an epitaxial layer 14 is formed in a portion where the trench 2a is not formed among the n^+ substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^+型基板１の表面に第一トレンチとなるトレンチ２ａを形成したのち、Ｎ^+型基板１のうちトレンチ２ａが形成されていない部分にエピタキシャル層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a low-cost periodical N×N optical multiplex demultiplex device which is applicable in a full mesh WDM (wavelength division multiplexing) transmission system even when discontinuity exists in a wavelength channel array.例文帳に追加

フルメッシュＷＤＭ伝送システムにおいて、波長チャネル配置に不連続性がある場合でも適用可能な低コスト周回性Ｎ×Ｎ光合分波装置を提供する。 - 特許庁

In a retrieval source node N, a retrieval request part 101 generates a retrieval request in which context retrieval conditions are described, and transmits the retrieval request to corresponding retrieval destination nodes A0, A1, B0 and so on.例文帳に追加

検索元ノードNにおいて、検索要求部１０１は、コンテキスト検索条件の記述された検索要求を生成し、これを対応する検索先ノードA0，A1，B0…へ送信する。 - 特許庁

The optical material consists of resin, containing a sulfur atom and showing less than 5% increase in weight when the material is immersed in N,N-dimethyl formamide for one day at 60°C and 90% humidity.例文帳に追加

温度６０℃、湿度９０％、１日でのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中に１日浸漬した際の重量増加率が５％未満である硫黄原子含有樹脂からなる光学材料。 - 特許庁

To provide a nitrogen in drainage removing method by a packing layer capable of sufficiently removing nitrogen using an organic substance is SS as an resource even in the case of the drainage of BOD/N≤3.例文帳に追加

ＢＯＤ／N≦３の排水でもＳＳ中の有機物を脱窒用有機物源として十分な脱窒を行うことができる充填層による排水の窒素除去方法を提供する。 - 特許庁

In the organic transistor having an organic semiconductor layer, at least one of [n]phenacene compounds (n: an integer of 5 to 11) is contained in the organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に［ｎ］フェナセン化合物（但し、ｎは５〜１１の整数を表す）を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 - 特許庁

In one cycle of polling processing, a base station device performs N+1 times of polling adding 1 to the maximum number N of vehicles scheduled to be simultaneously present in the operation management section.例文帳に追加

基地局装置は、１サイクルのポーリング処理において、その運行管理区間に同時に存在することが予定される車両の最大数Ｎに１を加えたＮ＋１回のポーリングを行う。 - 特許庁

To provide an easy-to-use image processing apparatus or the like, capable of adding a security code to each print area of each of image data of N documents printed in an N in 1 mode.例文帳に追加

Ｎｉｎ１モードにおいて印字されたＮ枚の原稿の各画像データの印字領域毎にセキュリティコードを付加することができる使い勝手の良い画像処理装置等を提供する。 - 特許庁

The paper texture is composed of width direction and length direction, and has a transverse texture of tensile strength of 1 N/15 mm or less in the width direction and a vertical texture of 2 N/15 mm or more in the length direction.例文帳に追加

紙目が幅方向と長さ方向からなり、幅方向に引張り強度１Ｎ/１５ｍｍ以下の横目があり、長さ方向に引張り強度２Ｎ/１５ｍｍ以上の縦目がある。 - 特許庁

In the battery charger, a N-shaped fixing metal cramp is replaced with a conventional plastic cramp and a conductive metal spring plate in order to reduce the number of components and thickness of a N-shaped fixing cramp.例文帳に追加

金属製ｎ字型固定クランプが、ｎ字型固定クランプの構成要素の数および厚みを低減するために、従来のプラスチッククランプおよび導電性金属スプリング板と置き換わる。 - 特許庁

When the number of the physical blocks included in each physical zone is M (M=2^n), in the conversion processing, the (n+1)-th bit from the last of the PBA' is moved to the least significant bit.例文帳に追加

各物理ゾーンに含まれる物理ブロックの数がＭ（Ｍ＝２^ｎ）個であるときは、この変換処理で、ＰＢＡ'の下位側からｎ＋１ビット目のビットを最下位ビットに移動させる。 - 特許庁

In each magnet seal m, the side closer to the developing roller 55 has an N pole and the side further from the developing roller 55 has an S pole, and a positional relation is established such that the magnet seals m are arranged in series with the N-pole and the S-pole alternating.例文帳に追加

これらのマグネットシールｍは、現像ローラ５５に近い側がＮ極、遠い側がＳ極となっており、両極が交互に直列配列された位置関係となっている。 - 特許庁

Further, since each elastic component is a single component manufactured by integrated molding, n-sets of the components in total are enough, wherein n is the number of the fixed points, resulting in that the component cost can be reduced.例文帳に追加

しかも、各々の弾性部品は、一体成形で作られた単一の部品であるため、固定点の数をｎとするとき、全部でｎ個の部品で済み、部品コストを削減できる。 - 特許庁

By the existence of the capacitor C1, the signal transmitted in a scanning line 20B-n is approximately made same as the signal transmitted in a scanning line 20B-(n+1).例文帳に追加

静電容量Ｃ_1 の存在することによって、走査線２０Ｂ−ｎを伝送される信号が、走査線２０Ｂ−（ｎ＋１）を伝送される信号と同程度になまるようになる。 - 特許庁

A distance between upper/lower voltage-extraction points in a group of reference resistors at the (N-1)-th stage is extended so as to extend an input dynamic range V_0 in a group of reference resistors at the N-th stage.例文帳に追加

第（Ｎ−１）段の基準抵抗器群における電圧取り出し点を上下それぞれ拡張して、第Ｎ段の基準抵抗器群への入力ダイナミック・レンジＶ_0を拡張する。 - 特許庁

In the method for producing the norbornene derivative having a benzocyclobutene ring, a norbornadiene derivative is reacted with a halogen compound, as typically represented by reaction formula (I), in the presence of a palladium catalyst in which a phosphine ligand coordinates to divalent palladium and at least one kind of solvents selected from the group consisting of N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide.例文帳に追加

下記反応式に代表される、ホスフィン系配位子が２価のパラジウムに配位したパラジウム触媒と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドからなる群から選択される少なくとも１種の溶媒との存在下において、ノルボルナジエン誘導体と、ハロゲン化合物とを反応せしめ、ベンゾシクロブテン環を有するノルボルネン誘導体の製造方法。 - 特許庁

In this method, each protein, each ligand, the number of hydrogen ions (association product composition) and the overall stability constant of the association product, which are related in production equilibrium for producing the association product in aqueous solution from M kinds proteins (M is an integer of 1 or more) and N kinds of ligands (N is an integer of 1 or more), are determined by using a pH titrimetric method.例文帳に追加

本発明は、M種のタンパク質(Mは1以上の整数である)とN種のリガンド(Nは1以上の整数である)とが水溶液中で会合体を生成する生成平衡における、関与する各タンパク質、各リガンド、及び水素イオンの数（会合体組成）、並びに前記会合体の全安定度定数を、pH滴定法を用いて求める方法を提供する。 - 特許庁

The control unit (11) determines the display size of each of n images (n is an integer of 2 or above) on the basis of indexes, such as importance, defined for each of the n images and dispose the n images in the determined size in a screen in a time sequence according to a screen display indication.例文帳に追加

前記制御部（１１）は、一画面表示指示に応じて、ｎ個（ｎは２以上の整数）の画像に対して、前記ｎ個の画像の各々に定義された重要度などの指標に基づいて前記ｎ個の画像の各々を表示する大きさを決定し、前記ｎ個の画像を前記決定された大きさで一画面内に時系列に配列する。 - 特許庁

An n^+-type impurity region 52 is formed in an n^--type semiconductor layer 2 in a high potential island region 201 partitioned by a p-type impurity region 3, and first field plate 55a-55e and a plurality of second field plates are formed in multiplex above the n^--type semiconductor layer 2 between the n^+-type impurity region 52 and the p-type impurity region 3.例文帳に追加

ｐ不純物領域３で区分された高電位島領域２０１内のｎ^-半導体層２にはｎ^+不純物領域５２が形成されており、ｎ^+不純物領域５２とｐ不純物領域３との間のｎ^-半導体層２の上方には第１フィールドプレート５５ａ〜５５ｅと複数の第２フィールドプレートとが多重に形成されている。 - 特許庁

To obtain a target amide compound in a high yield by controlling the concentration of a by-product ketone compound in a reaction phase in carrying out rearrangement reaction through separating and circulating an N,N-bisubstituted amide compound from the resultant product after a Beckman rearrangement reaction of an oxime compound by using a catalyst containing an acid component and the N,N-bisubstituted amide compound.例文帳に追加

酸性分とＮ，Ｎ−二置換アミド化合物を含む触媒によるオキシム化合物のベックマン転位反応後の反応混合物からＮ，Ｎ−二置換アミド化合物を分離、循環して転位反応を行う際、反応相中の副生ケトン化合物の濃度を制御することにより、目的アミド化合物を高収率で得る。 - 特許庁

A cylindrical object having the width and height of the three-dimensional shape approximated to the polyhedron is secondarily generated, and n×m pieces of division points are generated by dividing the cylindrical object into n-pieces of parts in a height direction and also dividing the contour of each cross section obtained by the division into m pieces of circular arcs.例文帳に追加

第２に、多面体近似された三次元形状の幅と高さとを有する円柱状物体を生成し、当該円柱物を高さ方向にn個に分割すると共に、分割により得られた各断面の輪郭をm個の円弧に分割することにより、n×m個の分割点を生成する。 - 特許庁

Between a substrate 101 and an active layer 106, a first nitride semiconductor layer 103 of n-type, a second nitride semiconductor 104 which comprises n-type impurity to form an n-type electrode and comprises a third nitride semiconductor layer 105 of an n-type in this order starting from the substrate 101 side.例文帳に追加

基板と活性層との間に基板側から順にｎ型の第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物を有しｎ型電極が形成される第２の窒化物半導体と、ｎ型の第３の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体素子である。 - 特許庁

The conductivity modulation density N is so determined that the cross current Ic is smaller than the operating current Iop/m (m: the number of IGBTs connected in parallel), and n+ buffer layer density nb and n+ buffer layer thickness db are so determined as to obtain the conductivity modulation density N.例文帳に追加

クロス電流Ｉｃが動作電流Ｉｏｐ／ｍ（ｍは並列接続するＩＧＢＴの個数）よりも小さくなるように導電率変調濃度Ｎを決定し、そのような導電率変調濃度Ｎとなるようにｎ＋バッファ層濃度ｎｂ及びｎ＋バッファ層厚ｄｂを決定する。 - 特許庁

As an organic solvent constituent of the coating fluid, N, N-dimethylformamide is used, the coating fluid is applied, thereafter the weight ratio of the N, N-dimethylformamide in a coating composition is reduced to be set ≤5 wt.% to form a polarizable sheet, and thereby this electrode sheet is provided.例文帳に追加

塗液の有機溶媒成分としてＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用い、塗液を塗布した後、乾燥により、該塗布組成物中のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの重量比率が５重量％以下となるように低減させて分極性電極を形成してなる電極シートとする。 - 特許庁

The water-based heat resistant resin composition is obtained by mixing (A) a polyimide resin obtained by reacting a diisocyanate compound or a diamine compound with a tribasic acid anhydride or a tribasic acid anhydride chloride in a basic polar solvent, (B) N,N,N',N'-tetramethyl hexanediamine and (C) water.例文帳に追加

Ａ）塩基性極性溶媒中で、ジイソシアネート化合物又はジアミン化合物と、三塩基酸無水物又は三塩基酸無水物クロライドとを反応させて得られるポリアミドイミド樹脂と（Ｂ）Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヘキサンジアミン及び（Ｃ）水を配合してなる水系耐熱性樹脂組成物。 - 特許庁

An n frequency-division counter 3 counts frequencies by which n frequency division is performed and an n+1 counter counts frequencies by which n+1 frequency division is performed based on presence/absence of a carry signal ADI of the integer part of the cumulative adder 7 in response to the output DOUT of a frequency divider 1.例文帳に追加

分周器１の出力ＤＯＵＴに応答して、ｎ分周カウンタ３はｎ分周を行った回数を、ｎ＋１カウンタはｎ＋１分周を行った回数を、前記累積加算器７の整数部の桁上がり信号ＡＤＩの有無に基づいてカウントする。 - 特許庁

An N- layer 32 having an N-type impurity diffused to a low concentration is provided right below the insulating layer 14, and a second P+ region 34 formed by implanting ions etc., and a second N+ region 36 are formed in the N- layer 32 to obtain a second photodiode 30.例文帳に追加

絶縁層１４の直下にＮ型不純物を低濃度に拡散させたＮ−層３２が設けられ、Ｎ−層３２中にイオン等を注入して形成された第２のＰ＋領域３４および第２のＮ＋領域３６が形成され、第２のフォトダイオード３０とされている。 - 特許庁

In the printed circuit board 1 formed with a plurality of pads 3(1) to 3(n) at a specific interval along an end face 2c of a board body 2 and inserted into an electric connector 5, the end face 2a of the board body 2 is nonconcurrently formed relative to the arrangement direction of the plurality of pads (1) to 3 (n).例文帳に追加

基板本体２の端面２ｃに沿って複数のパッド３(1)〜３(n)が所定間隔を置いて形成され、電気コネクタ５に挿入されるプリント基板１において、基板本体２の端面２ａが、複数のパッド(1)〜３(n)の配列方向に対して非平行に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for generating adjustment data of a temperature characteristic which can reduce the influence of an n-th temperature coefficient and suppress an increase in cost when adjusting the (n-1)-th temperature coefficient of a signal having a temperature characteristic represented by an n(n is an integer ≥1)-th function.例文帳に追加

ｎ（ｎは１以上の整数）次の関数で表現される温度特性を持った信号のｎ−１次の温度係数を調整する際に、ｎ次の温度係数の影響を軽減し、且つコストの増大を抑えることができる、温度特性の調整データを生成する方法を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of dissolving a crude matter containing 4-amino-5-chloro-2-ethoxy-N-[[4-(4-fluorobenzyl)-2-morpholinyl]methyl]benzamide in a solvent containing an amide solvent and subsequently crystallizing 4-amino-5-chloro-2-ethoxy-N-[[4-(4-fluorobenzyl)-2-morpholinyl]methyl]benzamide from the resulting solution.例文帳に追加

４−アミノ−５−クロロ−２−エトキシ−N−〔[４−（４−フルオロベンジル）−２−モルホリニル]メチル〕ベンズアミドを含む粗体を、アミド溶媒を含む溶媒に溶解させた後、得られた溶液から４−アミノ−５−クロロ−２−エトキシ−N−〔[４−（４−フルオロベンジル）−２−モルホリニル]メチル〕ベンズアミドを晶析させる方法である。 - 特許庁

The thickness t of the cover layer is set in a range of f(n)-t1≤t≤f(n)+t2 by using a function f(n) relating to the refractive index n of the cover layer and constants t1 and t2 set on the basis of permissible values of the aberration of the cover layer.例文帳に追加

そして、カバー層の屈折率ｎに関する関数ｆ（ｎ）と、カバー層における収差の許容値に基づいて設定される定数ｔ１及びｔ２とを用いて、カバー層の厚さｔがｆ（ｎ）−ｔ１≦ｔ≦ｆ（ｎ）＋ｔ２の範囲に設定されるようにしたものである。 - 特許庁

In a similar way, the light axis X of each LED 82(n+1), 82(n+2), ..., on right side from the original document reference line L inclines at the constant inclination angle α to the vertical line orthogonal to the main scanning line B so as to be directed to the original document reference line L when seen from the front direction.例文帳に追加

同様に、原稿基準ラインＬよりも右側の各ＬＥＤ８２ (n+1)、８２(n+2)、…の光軸Ｘも、正面方向から見たときに原稿基準ラインＬに向くように、主走査ラインＢと直交する垂線に対して一定の傾斜角度αで傾斜している。 - 特許庁