「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

The inactive determination part determines that the oxygen sensor is in an active state when the output value Vd(n) from the signal processing circuit is in a predetermined first active range Ra1 which is different from the inactive range Rna.例文帳に追加

不活性判定部は、信号処理回路からの出力値Vd(n)が、不活性範囲Rnaと異なる所定の第１活性範囲Ra1であるときに、酸素センサが活性状態であると判定する。 - 特許庁

An ESD protection element 4 comprising an n channel MOS transistor is formed in the p well 2, and an ESD protection element 14 comprising a p channel MOS transistor is formed in the n well 3.例文帳に追加

また、Ｐウエル２にＮチャネルＭＯＳトランジスタからなるＥＳＤ保護素子４を形成し、Ｎウエル３にＰチャネルＭＯＳトランジスタからなるＥＳＤ保護素子１４を形成する。 - 特許庁

An image processing means 9 can execute N image processings 1 to N in parallel by a unit of the visual field based on image data stored in the memory area of the image memory 8.例文帳に追加

画像処理手段９は、画像メモリ８のメモリ領域に記憶される画像データに基づき、検査視野の単位でのＮの画像処理「１」〜「Ｎ」を並行して実行可能となっている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing device-quality free-standing (Al, Ga, In)N articles by growing a (Al, Ga, In)N material on a sacrificial template and separating the material from the sacrificial template.例文帳に追加

犠牲型板上に成長させた（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料を犠牲型板から分離し、デバイス品質の独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the address N of a user data area, preliminary optimal recording power compliant with its linear velocity is calculated based on inner peripheral side recording power, and test data is trial-written in the address N.例文帳に追加

ユーザデータ領域のアドレスＮにおいて、その線速度に応じた一応の最適記録パワーを内周側記録パワーに基づいて算出し、アドレスＮにおいてテストデータを試し書きする。 - 特許庁

An N-type embedded diffusion layer 12 is embedded and formed in a P-type substrate 11, and a P-type first embedded diffusion layer 13 having a high impurity concentration is embedded and formed in the N-type embedded diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ型基板１１にＮ型埋込み拡散層１２を埋込み形成し、高不純物濃度のＰ型第一埋込み拡散層１３をＮ型埋込み拡散層に埋込み形成する。 - 特許庁

When an object before deformation in a frame n is deformed to an object after deformation in a frame (n+m), flow field information HFI_n to HFI_n+m equivalent to a continuous (m+1) frame is used.例文帳に追加

フレームｎにおける変形前のオブジェクトが、フレーム（ｎ＋ｍ）における変形後のオブジェクトに変形する場合、連続する（ｍ＋１）フレーム分の流れ場情報ＨＦＩ_n〜ＨＦＩ_n+mを用いる。 - 特許庁

To generate encoded data with not more than m × n bits and a fixed length L which is integral multiples of 32 in a block unit of m × n pixels while preserving resolution information and color information in a good condition.例文帳に追加

解像情報や色情報を良好に保存しつつ、且つ、ｍ×ｎ画素のブロック単位に、ｍ×ｎビット以下であって３２の整数倍の固定長Ｌの符号化データを生成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a p-type MOSFET 25 and an n-type MOSFET 26 are respectively formed in an n-type well region 17 and a p-type well region 18 provided on the surface of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１表面のｎ型ウェル領域１７及びｐ型ウェル領域１８にはそれぞれｐ型ＭＯＳＦＥＴ２５及びｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６が形成されている。 - 特許庁

On the occasion of formation of the triac, the n-layers 41 to 43 are arranged in such a manner as not generating overlapped area and the n-layers 41 and 42 are formed in the symmetrical shape at the respective plane regions.例文帳に追加

その際、ｎ層４１〜４３は、互いに重複しないように配置され、かつ、ｎ層４１及び４２は、その平面領域がそれぞれ対称形となるように形成される。 - 特許庁

The source device 10 determines a transmission data format in an AV stream for making all the sink devices 30-1 to 30-N adapted on the basis of data-format information in the EDID.例文帳に追加

ソース機器１０は、ＥＤＩＤ内のデータフォーマット情報に基づいて、ＡＶストリームにおける伝送データフォーマットを、シンク機器３０-1〜３０-Nの全てが対応可能となるように決定する。 - 特許庁

The encoder device, in its rounding processing unit, shifts bits in an N-bit string, with low-order bits (N>M) truncated, representing pixel values of the high frequency irregular image component to the right to compress it.例文帳に追加

エンコーダ装置は丸め処理部にて高周波不規則画像成分のピクセル値を表現するＮビット列のうち下位（Ｎ＞Ｍ）ビットを切り捨てて右ビットシフトさせることによって圧縮する。 - 特許庁

An n-type converted region the conduction type of which is converted to an n-type is formed in a region in the vicinity of the groove of the p type depletion region enlargement layer, thus forming a carrier path.例文帳に追加

前記ｐ型空乏領域拡大層の溝近傍領域には、導電型をｎ型に転換したｎ型転換領域が形成され、キャリアの経路を構成している。 - 特許庁

A DSP 3 which determines whether M-bit (M>N) input digital data Di are multiplied by (k) and supplied to the DAC 1 or supplied to the DAC 2 in a through state and distributes the data is provided in front of the DAC 1 and DAC 2.例文帳に追加

DAC１，２の前段には、Mビット（M＞N）の入力ディジタルデータDiをｋ倍してDAC１に供給するか、スルー状態でDAC２に供給するかを決定し、データを振り分けるDSP３が設けられる。 - 特許庁

A source region 4, a drain region 5, and a p well region 3 are formed in an n well region 2 of a lateral MOSFET, an anode electrode 15 is provided in the n well region 2 to form a Schottky junction 16.例文帳に追加

横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域４、ドレイン領域５、ｐウェル領域３が形成されるｎウェル領域２にアノード電極１５を設けてショットキー接合１６を形成する。 - 特許庁

An alumina substrate in which iron oxide and molybdenum oxide are held is placed in a heating furnace, then N,N-dimethylformaldehyde vapor and gaseous ammonia are introduced into the furnace, and the raw materials are heated at a temperature of ≥500°C.例文帳に追加

酸化鉄と酸化モリブテンが保持されたアルミナ基板を加熱炉に設置し、この炉中にＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド蒸気とアンモニアガスを導入し、５００℃以上の温度で加熱する。 - 特許庁

Here, it is desirable to provide a plurality of actuator elements 73 in a longitudinal direction of the nip part N from the viewpoint that the pressure contact force in the longitudinal direction of the nip part N is optionally controlled.例文帳に追加

ここで、ニップ部Ｎの長手方向の圧接力を任意に制御できるようにする観点からは、アクチュエータ素子７３を、ニップ部Ｎの長手方向に複数個設けるのが好ましい。 - 特許庁

The electrode interconnection part 17 is separated from the n-type contact layer 12 in a thickness direction Z of the light emitting element and is so formed as to overlap the n-type contact layer 12 in a planar view.例文帳に追加

電極配線部１７は、ｎ型コンタクト層１２から発光素子の厚み方向Ｚに離間し且つｎ型コンタクト層１２と平面的に重なる状態で形成されている。 - 特許庁

The n-well area 31 is applied to the substrate 1 usable in the semiconductor device, the n^+ buried layer 11 is formed in a designated low voltage area 5 of a negatively biased p-type semiconductor.例文帳に追加

また、半導体デバイスを形成する基板１に適用し、負電圧にバイアスされたＰ型半導体の所定の低電圧領域５内にＮ^+埋め込み層１１を形成する。 - 特許庁

When N up images including the plotting areas G1-G8 of the N up images indicated in (a) are formed on a recording sheet, skew upward slanting to the right as indicated in (b) is produced.例文帳に追加

（ａ）に示したＮアップ画像の描画領域Ｇ１〜Ｇ８を含むＮアップ画像を記録シートに形成した場合に、（ｂ）に示したような右上がりのスキューが発生するものとする。 - 特許庁

In addition, in the semiconductor device 100, an n^- middle region 14b and a p^- second body region 18 are arranged between the p^- body region 13 and the n^- drift region 14a.例文帳に追加

また，半導体装置１００では，Ｐ^- ボディ領域１３とＮ^- ドリフト領域１４ａとの間に，Ｎ^- 中間領域１４ｂおよびＰ^- 第２ボディ領域１８が配置されている。 - 特許庁

For example, an n-channel type MISFET 1a and an n-channel type MISFET 1b are connected in parallel and gate electrodes G thereof are electrically connected to each other as shown in Fig.2.例文帳に追加

例えば、図２に示すように、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ１ａとｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ１ｂを並列接続しかつ、それぞれのゲート電極Ｇを電気的に接続する。 - 特許庁

Each of a plurality of light emitting devices 1-1 to n arranged in the vertical direction and a plurality of light receiving devices 2-1 to n arranged in the vertical direction is opposed across a vehicle passage.例文帳に追加

上下方向に配置された複数の発光器１−１〜ｎと、上下方向に配置された複数の受光器２−１〜ｎとは、車両通行路を挟んでそれぞれ対向する。 - 特許庁

Next, in the workpiece WK, the outside diameter of the under head part N is further contracted with the die 20 for manufacturing the bolt and the head T is further preformed in the state where the expansion of the outside diameter of the under head part N is controlled.例文帳に追加

次に、ワークＷＫは、ボルト製造用金型２０により首下部Ｎの外径が更に絞られて外径の拡大が規制された状態で頭部Ｔが更に予備成形される。 - 特許庁

The invented solid-state image sensing device has a p-type region 37 only in the neighborhood of a source region 36 and an n-type (n-well) region 33 in the other region under the ring-shaped gate electrode 35.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子は、ソース領域３６の近傍にのみｐ型領域３７があり、リング状ゲート電極３５下の他の領域はｎ型（ｎウェル）３３になっている。 - 特許庁

On the surface of an n-type silicon carbide substrate or n-type silicon carbide region 1, a nickel film 2 and a nickel oxide film 3 are laminated in this order and then heat-treated in a state wherein they are not subjected to oxidation.例文帳に追加

ｎ型炭化珪素基板またはｎ型炭化珪素領域１の表面に、ニッケル膜２と、酸化ニッケル膜３と、をこの順に積層し、酸化しない状態で熱処理をおこなう。 - 特許庁

In this case, pieces of totaling data to the portable terminals 12-1 to 12-m, each of which performs data communication are collected in the servers 10-1 to 10-n and the tabulation machine 13.例文帳に追加

このとき、サーバ装置１０-1〜１０-n及び集計装置１３において、それぞれがデータ通信を行っている携帯端末装置１２-1〜１２-mに対する集計データを収集する。 - 特許庁

In a PBMM (Pipelined Bipartite Modular Multiplication) method, modulus M which is an r-ary and n-digit integer, r-ary and n-digit multiplicand X, and multiplier Y are input in X*Y=X×Y×r^-m mod M.例文帳に追加

ＰＢＭＭ法において、Ｘ＊Ｙ＝Ｘ・Ｙ・ｒ^-m ｍｏｄ Ｍにおいて、ｒ進ｎ桁の整数である法Ｍ、ｒ進でｎ桁の被乗数Ｘ及び乗数Ｙを入力とする。 - 特許庁

The packet loss value B is considered as the average value of the packet loss values for N times stored in the first processing, and the packet loss value A is considered as the average value of the packet loss values for N times stored in the second processing.例文帳に追加

パケットロス値Ｂは、第１の処理で記憶されたＮ回分のパケットロス値の平均値とし、パケットロス値Ａは、第２の処理で記憶されたＮ回分のパケットロス値の平均値とする。 - 特許庁

To provided a liquid crystal display device which is capable of preventing the degradation in display quality in line inversion driving for inverting the polarity of a gray scale voltage every N lines (N≥2).例文帳に追加

階調電圧の極性をＮ（Ｎ≧２）ライン毎に反転させるライン反転駆動において、表示品質の低下を防止することが可能な液晶表示装置を提供することである。 - 特許庁

For example, on the surface of an n-drift layer 11 adjacent to a p-base layer 12a and an n^+-source layer 13a, a gate electrode 24a in a trench structure is formed in a grid shape.例文帳に追加

たとえば、ｐベース層１２ａとｎ＋ソース層１３ａとにそれぞれ隣接する、ｎ−ドリフト層１１の表面部に、トレンチ型構造のゲート電極２４ａを格子状に形成する。 - 特許庁

In order to allow the user to describe a specification, an editor control means 100 automatically starts an editor corresponding to the decided specification form in plural editors 102-1 to 102-n.例文帳に追加

エディタ制御手段100 は、この決定された仕様形式で利用者に仕様を記述させるべく、複数のエディタ102-1 〜102-n のうち決定された仕様形式に対応するエディタを自動的に起動する。 - 特許庁

In a step 33 for the calculation of ion distribution, a (n+1)th ion distribution is calculated by obtaining a (n+1)th dose from the difference obtained in the step 32 for the calculation of the difference.例文帳に追加

イオン分布計算ステップ３３は、差分計算ステップ３２によって求められた差分から第（ｎ＋１）回目のドーズ量を求めて第（ｎ＋１）回目のイオン分布を計算する。 - 特許庁

The transmission rates of respective flows corresponding to queues 1-N are sorted, and rearranged in an ascending order from 1 to the central order and in a descending order from the central order to N.例文帳に追加

キュー１〜Ｎに対応する各フローの送信レートに対してソート処理を行い１から中央順位までは昇順、中央順位からＮまでは降順になるよう並べ換える。 - 特許庁

Thus, the same digital video signal DATA is continuously transferred n times to the display portion 10 to expand an image to a factor of n in the transverse direction (in the horizontal direction).例文帳に追加

これにより、同じデジタルビデオ信号ＤＡＴＡを、表示部１０に対して続けてｎ回転送するようになり、画像を横方向（水平方向）にｎ倍に拡大することができる。 - 特許庁

This dentifrice comprises a powdery N-type semiconductor which is supported on a carrier having a specific gravity lower than that of the N-type semiconductor and usable in the oral cavity in terms of safety and sanitation.例文帳に追加

粉末状のＮ型半導体を含み、このＮ型半導体がこれより低比重で、かつ安全衛生上口腔内で使用可能な坦体に坦持されている歯磨剤。 - 特許庁

The minimum value of a tilt angle on the wall surface 72 in the n-th region 20 from the center is larger than the minimum value at the tilt angle in the (n+1)-th region 22 from the center.例文帳に追加

壁面７２の傾斜角度の、センターからｎ番目の領域２０での最小値が、傾斜角度のセンターから（ｎ＋１）番目の領域２２での最小値よりも大きい。 - 特許庁

N+1 where N is the number of disk devices constituting the disk array before addition of a disk device is recorded in a pre-addition disk device number recording part 104 in a disk array controller 102.例文帳に追加

まず、ディスク装置追加前にディスクアレイを構成していたディスク装置の台数Ｎ＋１台をディスクアレイコントローラ１０２内の追加前ディスク装置数記録部１０４に記録する。 - 特許庁

To provide a relay apparatus for encrypting and relaying a frame of a data link layer in a configuration not to damage a relay velocity and being suitable for encryption communication in the N-to-N relation.例文帳に追加

中継速度を損なわない構成、かつＮ対Ｎの関係の暗号化通信に適した構成の、データリンク層のフレームを暗号化して中継する中継装置を提供する。 - 特許庁

The respective bank index shows whether a given n-gram exists on any page in the bank or not, and then, an index is given to a page map showing the page location of the n-gram in the bank.例文帳に追加

各バンク索引は更に、所与のｎグラムがバンクのページのいずれかに存在するか否かを示し、次いで、バンク内のどのページがｎグラムを含むかを更に示すページマップに索引を与える。 - 特許庁

The piperazine-N, N '-biscarbodithioate is produced with addition of a hydrophobic solvent in a method of reacting piperazine, carbon disulfide of reaction equivalent or more with respect to the piperazine, and an alkali metal hydroxide, in an aqueous solution.例文帳に追加

水溶液中でピペラジン、ピペラジンに対して反応当量以上の二硫化炭素、アルカリ金属水酸化物を反応する方法において、疎水性溶媒を添加して製造する。 - 特許庁

The piezoelectric field in a well layer W3 is directed toward the p layer from the n layer, and the piezoelectric field in the gallium nitride semiconductor layer P is directed toward the n layer from the p layer.例文帳に追加

井戸層Ｗ３におけるピエゾ電界の向きはｎ層からｐ層への方向であり、窒化ガリウム系半導体層Ｐにおけるピエゾ電界の向きはｐ層からｎ層への方向である。 - 特許庁

A gain control circuit 38 forms a control signal for controlling the gain of an AGC 31 in accordance with the equalization signal y(n) and the replica signal b(n) during the phase and frequency pull in.例文帳に追加

利得制御回路３８は、位相・周波数引き込み時に等化信号ｙ（ｎ）とレプリカ信号ｂ（ｎ）とに基づいてＡＧＣ３１の利得を制御する制御信号を生成する。 - 特許庁

In result, the charges transferred from the N^- photodiode impurity zone 10 to the N^+ floating difusion impurity zone 9 are hardly trapped in the recess of the potential barrier.例文帳に追加

その結果、Ｎ^−型フォトダイオード不純物領域１０からＮ^＋型フローティングディフュージョン不純物領域９に転送される電荷が電位障壁や電位の窪みにおいてトラップされ難くなる。 - 特許庁

In the p-type base layer 3, an n-type emitter layer 4 is formed and in a region on the surface of the n-type base layer 1, which is different from the p-type base layer 3, a trench groove 8 is formed.例文帳に追加

そして、ｐ型ベース層３内にはｎ型エミッタ層４が形成され、また、ｎ型ベース層１の表面でｐ型ベース層３と異なる領域にはトレンチ溝８が形成されている。 - 特許庁