「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

A step (-Y direction) equal to width D of a processing block CB in the Y direction is formed between a dither mask DM(n) and a dither mask DM(n+1).例文帳に追加

ディザマスクＤＭ（ｎ）とディザマスクＤＭ（ｎ＋１）との間に処理ブロックＣＢのＹ方向の幅Ｄと等しい段差（−Ｙ方向）を形成する。 - 特許庁

Additionally, the n-type oxide electrode layer 8 is also in contact with the z-type ZnO contact layer 102 via the through hole of the n-type metal electrode layer 107.例文帳に追加

また、ｎ型酸化物電極層１０８はｎ型金属電極層１０７の貫通穴を介してｎ型ＺｎＯコンタクト層１０２にも接している。 - 特許庁

An n-type impurity is diffused into the n-type diffusion layer 17 with a concentration gradient provided in the direction connecting a source electrode 21 and a drain electrode 22.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７は、ソース電極２１とドレイン電極２２とを、結ぶ方向に濃度勾配を設けてＮ型不純物が拡散されている。 - 特許庁

Alternatively, an improvement in resolution can be obtained by utilizing a narrower bandwidth and measuring N times the number of raw data points within that band width.例文帳に追加

代替的に、分解能の改良が、より狭い帯域幅を使用し、その帯域幅中のN倍の生（raw）データポイントを測定することにより得られる。 - 特許庁

In order to form a p-type III nitride semiconductor region, an Mg+ ion is, for example, implanted simultaneously with the N+ ion, its surface is covered with the SiO2, and heat annealed.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成するには例えばMg^+イオンをN^+イオンと同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをすれば良い。 - 特許庁

In the same way, a conductor 6n-1 is connected to an anode tab 42 of a laminate type battery n-1 and a cathode tab 41 of a laminate type battery n.例文帳に追加

以下、同様にして、導体６ｎ−１は、ラミネート形電池ｎ−１の負極タブ４２とラミネート形電池ｎの正極タブ４１に接続される。 - 特許庁

The NPIV function enables one physical FC port (N port) to log in the SAN fabric a plurality of times and receive a unique N port ID upon every login.例文帳に追加

ＮＰＩＶ機能は、１つの物理ＦＣポート（Ｎポート）が、ＳＡＮファブリックに複数回ログインし、ログイン毎に一意のＮポートＩＤを受け取ることを可能にする。 - 特許庁

The microphone switching part 62 selects and switches N channels (M≥N) from M pieces of voice inputs in response to the setting function application and the acoustic processing application.例文帳に追加

マイクロホン切替部６２は、設定機能アプリケーション及び音響処理アプリケーションに応じて、Ｍ個の音声入力からＮチャネル（Ｍ≧Ｎ）を選択して切り替える。 - 特許庁

A control device (8') is used for the dynamic allocation of N references to N comparators of a quantizer in a sigma-delta type analog/digital converter (SD-ADC).例文帳に追加

制御装置（８´）は、シグマデルタ型アナログ／デジタルコンバータでの量子化器のＮ個の各比較器へのＮ個の各リファレンスの動的割り当てに用いられる。 - 特許庁

To realize higher S/N by reducing only a measuring error without weakening signal strength even in using two wavelengths a difference of Hb absorptivity of which is large.例文帳に追加

Hb吸光係数の差が大きい２波長を用いた場合でも，信号強度を弱めることなく計測誤差だけ低減させ，より高いS/Nを実現する。 - 特許庁

Assuming that the number of the MEMS acceleration sensors is N, a noise component is reduced in proportion to a reciprocal of a square root of N by addition processing.例文帳に追加

ここでＭＥＭＳ加速度センサーの個数をＮとすれば加算処理することによりノイズ成分はＮの平方根の逆数に比例して減少する。 - 特許庁

To provide a method capable of efficiently refining an N-alkyl-N'-alkylimidazolium salt even in such a case wherein the salt has aqueous inorganic anions.例文帳に追加

水性無機アニオンを有するイミダゾリウム塩であっても効率よく精製することができるＮ−アルキル−Ｎ'−アルキルイミダゾリウム塩の精製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing (2S,4S)-N,N-dimethyl-1- allyloxycarbonyl-4-benzoyl-2-pyrrolidinecarboxamide having an excellent quality in an excellent yield.例文帳に追加

収率および品質の点で優れる（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−アリルオキシカルボニル−４−ベンゾイルチオ−２−ピロリジンカルボキサミドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Meanwhile, when the decided data identifier is not a specific data identifier, the protocol is processed for the layer N in a protocol processing step 103, and then the processing of the layer N is finished.例文帳に追加

一方、判定したデータ識別子が特定のデータ識別子ではなかった場合には、レイヤ（Ｎ）プロトコル処理ステップ103を行い、レイヤ（Ｎ）処理を終了する。 - 特許庁

A p^+ impurity area 4 is formed in the n^- semiconductor layer 3 from the surface of the n^- semiconductor layer 3 to the interface of the p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^+不純物領域４はｎ^-半導体層３の表面からｐ^-半導体基板１との界面にかけてｎ^-半導体層３内部に形成されている。 - 特許庁

In one example, human embryonic stem cells are allowed to form embryoid bodies, and then combined with the differentiation inducer n-butyric acid, optionally supplemented with maturation factors.例文帳に追加

1つの例では、ヒト胚性幹細胞に胚様体を形成させた後に、分化誘導物質であるn-酪酸と組み合わせ、選択的には成熟因子を補充する。 - 特許庁

The pattern P is provided with numerals N of '1'-'17' sequentially arranged at equal intervals in a horizontal scanning direction of the printer, and squares 44 corresponding to the numerals N respectively.例文帳に追加

パターンＰは、プリンタの主走査方向に「１」〜「１７」までが順に等間隔に並んだ数字Ｎと、各数字Ｎに対応する升目４４とを備える。 - 特許庁

Thereafter, in order to activate the impurities introduced into the n^--type semiconductor region 7 and the n^+-type semiconductor region 9, a long wavelength laser annealing process is performed.例文帳に追加

その後、ｎ^-型半導体領域７とｎ^+型半導体領域９に導入された不純物を活性化させるため、長波長レーザアニール処理を行う。 - 特許庁

The method of preparing an alkyl-N,N-dimethylcarbamate is characterized by causing a dialkylcarbonate and dimethylamine to react with each other in the presence of a catalyst consisting of a pyridine derivative.例文帳に追加

ジアルキルカーボネートとジメチルアミンを、ビリジン誘導体触媒存在下で反応させることを特徴とする、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバミン酸アルキルの製造方法である。 - 特許庁

The number of repeat measurement times M, the number of cycle measurement times N, the number of repeat deletions m, and the number of cycle deletions n are set in the liquid scintillation counter.例文帳に追加

液体シンチレーションカウンタに対して、リピート測定回数Ｍ、サイクル測定回数Ｎ、リピート削除数ｍ及びサイクル削除数ｎが設定される。 - 特許庁

When the plurality of music 1 to N are recorded in the album A, a plurality of icons P1 to PN which respectively correspond to the plurality of music 1 to N are prepared.例文帳に追加

アルバムＡに複数の楽曲１〜Ｎが収録されている場合、その複数の楽曲１〜Ｎのそれぞれに対応する複数のアイコンＰ1〜ＰNを用意する。 - 特許庁

To provide a production method of a high-purity N-vinylcarboxylic acid amide, whereby an N-vinylcarboxylic acid amide excellent in polymerizability can be obtained at a low cost.例文帳に追加

優れた重合性を有するＮ−ビニルカルボン酸アミドを低コストで得られる高純度Ｎ−ビニルカルボン酸アミドの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Preferably, the detergent contains bis(N-lauroylglutamic acid)lysine besides them, and the bis(N-lauroylglutamic acid)lysine is contained in a niosome shape.例文帳に追加

更に、ビス（Ｎ−ラウロイルグルタミン酸）リジンを含有することが好ましく、該ビス（Ｎ−ラウロイルグルタミン酸）リジンは、ニオソームの形態で含有されていることが好ましい。 - 特許庁

In a recording view display processing, an initial value "1" is set to a counter N (step S101); and the value of the counter N is multiplied by 4 and is set to a counter L (step S102).例文帳に追加

レックビュー表示処理において、カウンタＮに初期値「１」をセットし（ステップＳ１０１）、このカウンタＮの値を４倍してカウンタＬにセットする（ステップＳ１０２）。 - 特許庁

For the anode wiring 2-A to 2-D, 2-a to 2-d provided N channels are provided in advance, corresponding to the maximum number N of the drivers, which is possible to be mounted on the glass substrate.例文帳に追加

アノード配線２−Ａ〜２−Ｄ，２−ａ〜２−ｄは、ガラス基板１に搭載可能な最大のドライバ数Ｎに応じて予めＮ系統設けられる。 - 特許庁

In a counting response message to be transferred from a node #2 to a node #1, a total count value n=4 including the node itself and a node ID list (#2, #3, #4 and #8) are registered.例文帳に追加

ノード＃２からノード＃１へ転送される計数応答メッセージには、自ノード分を含めて総計数値n＝４およびノードIDリスト（＃２，＃３，＃４，＃８）が登録されている。 - 特許庁

Serial number 22 (S/N: 12345) of the printer is registered to the printer, and the serial number (S/N:54321) of another printer is also registered in group data A24.例文帳に追加

プリンタには、このプリンタのシリアルナンバ２２（Ｓ／Ｎ：１２３４５）が登録され、別のプリンタのシリアルナンバ（Ｓ／Ｎ：５４３２１）もグループデータＡ２４に登録されている。 - 特許庁

To realize surface recording density of ≥23 G-bit/cm^2 by reducing exchange coupling between crystal grains in an oxide granular medium, and obtaining a high medium S/N ratio.例文帳に追加

酸化物グラニュラ媒体の結晶粒間の交換結合を低減し、高い媒体S/Nを得て、1平方センチあたり23ギガビット以上の面記録密度を実現する。 - 特許庁

Power-source side nodes N2 of conversion parts 30-1 to 30-n are connected in common to a power supply terminal 22 for inputting a source voltage VSS1(=-4.5 V).例文帳に追加

変換部３０-1〜３０-nの電源側のノードＮ２は、電源電圧ＶＳＳ１（＝−４．５Ｖ）を入力するための電源端子２２に共通に接続されている。 - 特許庁

First to n-th (n is an integer equal to or larger than 2) optical waveguides are formed in each of the first and second planar light wave circuits 501 and 502.例文帳に追加

第１及び第２の平面光波回路５０１、５０２には、それぞれ第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の光導波路が形成されている。 - 特許庁

Li_1M_mMn_nO_4 (1) (in the formula, M expresses a metal selected from a group composed of Cr, Fe, Co, Ni, Cu, and Mg, 1≥l>0, 2>n>0, and l+m+n=3).例文帳に追加

Ｌｉ_ｌＭ_ｍＭｎ_ｎＯ_４ （１）（式中、ＭはＣｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれた金属であり；１≧ｌ＞０、２＞ｎ＞０で、ｌ＋ｍ＋ｎ＝３である） - 特許庁

The method further comprises the steps of laminating an N-type semiconductor substrate in which a second N-type semiconductor layer 7 and an insulation layer 8 are formed, to the P-type substrate 1.例文帳に追加

次に、第２Ｎ型半導体層７と絶縁層８とを形成したＮ型半導体基板をＰ型半導体基板１と貼り合わせる。 - 特許庁

p- type anode layers 2 are selectively formed in the surface on one side of the surfaces of an n- low-impurity concentration substrate 1. n- surfaces 3 being exposed without being formed with the layers 2 are covered with each insulative film 4.例文帳に追加

低不純物濃度のｎ^-基板１の一方の表面にアノードｐ層２がイオン注入と熱拡散とで選択的に形成される。 - 特許庁

The battery pack 2 has n+m (n, m are natural numbers) electric cells 8 and supplies DC power to a load 6 at a failure in an AC power supply 5.例文帳に追加

組電池２は、ｎ＋ｍ（ｎ、ｍは自然数）個の複数の単電池８を有し、交流電源５の停電時に負荷６へ直流電力を供給する。 - 特許庁

Next, in nodes whose node numbers are odd numbers of 1 to N/2, a path set clockwise out of paths through N/2 pieces of links is deleted.例文帳に追加

次に、ノード番号が１〜Ｎ／２までの奇数のノードにおいてＮ／２本のリンクを経由するパスのうち時計回りに設定されているパスを削除する。 - 特許庁

A memory access in an N-bit unit and a memory access switching in a 2N-bit unit are made possible, and when the memory access in the N-bit unit is made, a column system address remains as it is and a row system address is doubly expanded.例文帳に追加

Ｎビット単位でのメモリアクセスと２Ｎビット単位でのメモリアクセスの切り換えを可能し、Ｎビット単位でのメモリアクセスのときには、カラム系アドレスはそのままとしてロウ系アドレスを２倍に拡張する。 - 特許庁

In a second operating mode, a data input-output circuit 1086 converts N pieces of data in parallel which are supplied serially in synchronization with the first internal clock signal to supply write data to selected N pieces of memeory cells.例文帳に追加

同期型半導体記憶装置１０００は、シングルデータレートＳＤＲＡＭ動作モードでは、外部クロック信号ｅｘｔ．ＣＬＫに同期して、入出力バッファ回路１０７２〜１０８２を動作させる。 - 特許庁

A plurality of P^+-type emitter regions 8 are formed in a surface layer in the N-type base region 7 to be arranged in the longitudinal direction of the N-type base region 7 with a nearly equal spacing therebetween.例文帳に追加

また、Ｎ型ベース領域７内の表層部には、複数のＰ^+型エミッタ領域８が、互いにほぼ等間隔を空けて、Ｎ型ベース領域７の長手方向に並んで形成されている。 - 特許庁

Refreshment is not performed in a memory cell selected by a word line of the (n+1)th row until refreshment in a memory cell selected by a word line of the (n)th row is performed in all block 22.例文帳に追加

第ｎ行のワード線により選択されるメモリセルにおけるリフレッシュが、全てのブロック２２で行われるまで、第ｎ＋１行のワード線により選択されるメモリセルにおいて、リフレッシュが行われない。 - 特許庁

Consequently, the S/N ratio (SNR_out) of the output signal V_out can be made higher than the S/N ratio (SNR_in) of the input signal V_in, in a wide range from a stage in which the noise mixed in the input signal V_in is weak.例文帳に追加

よって、入力信号Ｖ_inに混入したノイズが弱い段階から広い範囲で、出力信号Ｖ_outのＳ／Ｎ比（ＳＮＲ_out）を入力信号Ｖ_inのＳ／Ｎ比（ＳＮＲ_in）より高くし得る。 - 特許庁

Data identifiers for a layer (N+1) or higher are retrieved in the layer N processing in a retrieval step 101, and whether or not a retrieved data identifier is a specific data identifier is decided in a decision step 102.例文帳に追加

レイヤ（Ｎ）処理において、レイヤ（Ｎ＋１）以上のデータ識別子を検索する検索ステップ101を行い、検索したデータ識別子について特定のデータ識別子か否か判定する判定ステップ102を行なう。 - 特許庁

In data transfer in the frame, a line period is partitioned into N segments and each DDR-SDRAM chip is separated into (N-1) parts such that the parts are used to read different data in the different frames.例文帳に追加

フレームのデータ転送において、ライン周期はＮセグメントに分割され、各ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭチップは（Ｎ−１）パートに分割され、それぞれのパートは異なるフレームで異なるデータを読み取る。 - 特許庁

In placing n pieces of the aperture block 13 in the width direction, the extreme breadth in the width direction can be set slightly larger than n times the maximum aperture diameter, thereby enabling space to be saved.例文帳に追加

ｎ個のアパーチャブロック１３を幅方向に並べる場合、幅方向の全幅は最大のアパーチャ径のｎ倍よりわずかに大きい程度にすることが可能で、省スペース化を図ることができる。 - 特許庁

In the case of retransferring the purchased contents from the player 6a to a player 6b, retransfer is allowed when the number n of purchased contents in the sales header is ≥2, and the retransfer is inhibited in the case of n=1.例文帳に追加

購入コンテンツをプレーヤ６ａからプレーヤ６ｂに再転送する場合、販売ヘッダ内のコンテンツ購入数ｎが２以上の場合に再転送を許可し、ｎ＝１の場合には再転送を禁止する。 - 特許庁

Here, Far (N) is a component in the radial direction given by an axial load per ball, Kr (N/m) is the stiffness in the direction of the radius, Rp (m) is the radius of pitch circle, and S (m) is the mutual difference in the diameter of the ball.例文帳に追加

ここで、Ｆ_ar（Ｎ）は玉当たりのアキシアル荷重によるラジアル方向分力、Ｋ_r （Ｎ／ｍ）は玉当たりのラジアル方向の剛性、Ｒ_p （ｍ）はピッチ円半径、Ｓ（ｍ）は玉の直径相互差である。 - 特許庁